WO2020031340A1 - 結晶化ガラス基板 - Google Patents

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八木俊剛
小笠原康平
本島勇紀
小島玲香
山下豊
後藤直雪
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株式会社 オハラ
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Definitions

  • the present invention relates to a crystallized glass substrate having a compressive stress layer on the surface.
  • Portable electronic devices such as smartphones and tablet PCs use a cover glass to protect the display.
  • protectors for protecting lenses are also used in optical devices for vehicles.
  • hard and hard-to-break materials so that these devices can withstand more severe use.
  • a demand for a material having high impact resistance is increasing.
  • Patent Document 1 discloses a crystallized glass substrate for an information recording medium. When a crystallized glass substrate was subjected to chemical strengthening, a sufficient compressive stress value could not be obtained.
  • An object of the present invention is to obtain a crystallized glass substrate that is hard and hard to break.
  • the present inventors have conducted intensive studies to solve the above problems, and as a result, a crystallized glass substrate having high impact resistance and having difficulty in breaking is obtained if the surface has a predetermined compressive stress layer and a predetermined center stress. And completed the present invention. Specifically, the present invention provides the following.
  • (Configuration 1) A crystallized glass substrate having a compressive stress layer on the surface, The compressive stress of the outermost surface of the compressive stress layer CS (MPa), the compressive stress of the compressive stress layer DOL zero stress depth when the 0 MPa ([mu] m), a central stress obtained by curve analysis CT (MPa), When the thickness of the substrate is T ( ⁇ m), CS is 400-1400MPa, A crystallized glass substrate in which CT ⁇ (T ⁇ 2 ⁇ DOL zero ) / CS ⁇ DOL zero is 0.60 or more. (Configuration 2) 2.
  • Configuration 3 In terms of weight% in terms of oxide, 40.0% to 70.0% of SiO 2 component, Al 2 O 3 component from 11.0% to 25.0%, Na 2 O component from 5.0% to 19.0%, 0% to 9.0% of K 2 O component, 1.0% to 18.0% of at least one selected from a MgO component and a ZnO component, 0% to 3.0% of CaO component, 0.5% to 12.0% of TiO 2 component, 3.
  • the crystallized glass substrate according to configuration 1 or 2 which comprises: (Configuration 4) 4.
  • the stress depth DOL zero is 70 to 110 ⁇ m;
  • the compressive stress CS of the outermost surface is 550 to 890 MPa,
  • the central stress CT is 100 to 250 MPa, 7.
  • the stress depth DOL zero is 65 to 85 ⁇ m;
  • the outermost surface has a compressive stress CS of 700 to 860 MPa;
  • the central stress CT is 120 to 240 MPa, 7.
  • a crystallized glass substrate that is hard and hard to break can be obtained.
  • the crystallized glass substrate of the present invention can be used for a cover glass of a display or a lens of an electronic device, an outer frame member or a housing, an optical lens material, and other various members.
  • the crystallized glass substrate of the present invention uses crystallized glass as a base material (also referred to as a crystallized glass base material) and has a compressive stress layer on the surface.
  • the compressive stress layer can be formed by subjecting the crystallized glass base material to an ion exchange treatment.
  • the compressive stress layer is formed with a predetermined thickness inward from the outermost surface of the substrate, and the compressive stress is highest at the outermost surface, decreases toward the inside, and becomes zero.
  • the compressive stress (also referred to as the outermost surface compressive stress) CS of the outermost surface of the compressive stress layer is 400 to 1400 MPa, for example, 550 to 1300 MPa, 600 to 1200 MPa, 650 to 1000 MPa, 700 to 890 MPa, 700 to 880 MPa, or 750. To 860 MPa.
  • the depth DOL zero (also referred to as stress depth) when the compressive stress of the compressive stress layer is 0 MPa may be 45 to 200 ⁇ m, for example, 50 to 140 ⁇ m, 55 to 120 ⁇ m, 65 to 110 ⁇ m, 70 to 100 ⁇ m, or It can be 75 to 85 ⁇ m.
  • the sum of the stress depths from both sides of the crystallized glass substrate may be 10 to 80%, 12 to 60%, 15 to 50%, or 20 to 40% of the thickness of the compressive stress layer. .
  • the center stress CT may be 55 to 300 MPa, for example, 60 to 250 MPa, 65 to 240 MPa, 80 to 230 MPa, 100 to 200 MPa, 105 to 180 MPa, or 120 to 150 MPa.
  • the central stress CT is obtained by curve analysis.
  • the sum of the outermost surface compressive stress CS and the central stress CT may be 600 to 1400 MPa, and may be 700 to 1200 MPa, 750 to 1100 MPa, or 800 to 1000 MPa.
  • the compressive stress on the outermost surface is CS (MPa)
  • the stress depth is DOL zero ( ⁇ m)
  • the central stress is CT (MPa)
  • the thickness of the substrate is T ( ⁇ m).
  • CT ⁇ (T ⁇ 2 ⁇ DOL zero ) / CS ⁇ DOL zero is 0.60 or more.
  • FIG. 1 shows an example of a change in compressive stress (MPa) with respect to a depth ( ⁇ m) from the outermost surface in a surface portion (compressive stress layer) of a crystallized glass substrate chemically strengthened by one step with a molten salt of a potassium salt.
  • FIG. Zero depth represents the outermost surface.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating an example of a change in stress in the thickness direction of the same crystallized glass substrate.
  • a compressive stress layer exists on both sides of the substrate, and a central stress CT is generated at a central portion.
  • FIG. 5 shows the change in compressive stress with respect to the depth from the outermost surface of a two-stage chemically strengthened crystallized glass substrate immersed in a mixed molten salt of potassium salt and sodium salt and then immersed in a molten salt of potassium salt. It is a figure showing an example.
  • the compressive stress decreases from the outermost surface to the inside at almost the same ratio (almost the same slope S1).
  • the compressive stress gradually decreases (at a small slope S3).
  • the area X surrounded by the compressive stress and DOL zero becomes close to or the same value as the area A, and as shown in FIG.
  • the area X surrounded by the compressive stress and DOL zero becomes considerably smaller than the area A. Since the area X cannot be directly calculated, as shown in FIG. 2, the area X is obtained by CT ⁇ (T ⁇ 2 ⁇ DOL zero ) by utilizing the fact that the area X and the area B have the same value. .
  • the area X / area A that is, CT ⁇ (T ⁇ 2 ⁇ DOL zero ) / CS ⁇ DOL zero becomes 0.60 or more because the compressive stress gradually decreases from the outermost surface to the inside.
  • the area X / area A that is, CT ⁇ (T ⁇ 2 ⁇ DOL zero ) / CS ⁇ DOL zero is small, that is, less than 0.60 because the compressive stress suddenly decreases from the outermost surface to the inside.
  • Compressive stress layer the above stress depth DOL zero, as having outermost surface compressive stress CS and central stress CT, the substrate is difficult to break.
  • the stress depth, the outermost surface compressive stress, and the central stress can be adjusted by adjusting the composition, the thickness of the substrate, and the chemical strengthening conditions.
  • the lower limit of the thickness of the crystallized glass substrate is preferably 0.15 mm or more, more preferably 0.30 mm or more, more preferably 0.40 mm or more, and still more preferably 0.50 mm or more.
  • the upper limit of the thickness is preferably 1.00 mm or less, more preferably 0.90 mm or less, more preferably 0.70 mm or less, and still more preferably 0.6 mm or less.
  • EE / ⁇ which is the ratio between the Young's modulus E (GPa) of the crystallized glass substrate and the specific gravity ⁇ , is preferably 31 or more, more preferably 32 or more, and even more preferably 33 or more.
  • Crystallized glass is a material having a crystalline phase and a glass phase, and is distinguished from an amorphous solid. Generally, the crystal phase of the crystallized glass is determined using the angle of a peak appearing in an X-ray diffraction pattern of X-ray diffraction analysis and, if necessary, TEMEDX.
  • the crystallized glass is, for example, MgAl 2 O 4 , MgTi 2 O 4 , MgTi 2 O 5 , Mg 2 TiO 4 , Mg 2 SiO 4 , MgAl 2 Si 2 O 8 , Mg 2 Al 4 Si 5 O 18 as a crystal phase. , Mg 2 TiO 5 , MgSiO 3 , NaAlSiO 4 , FeAl 2 O 4 and a solid solution thereof.
  • the average crystal diameter of the crystallized glass is, for example, 4 to 15 nm, and can be 5 to 13 nm or 6 to 10 nm.
  • the surface roughness Ra after polishing can be easily processed to a level of several ⁇ . Also, the transmittance increases.
  • each component constituting the crystallized glass is described below.
  • the content of each component is expressed in terms of% by weight in terms of oxide, unless otherwise specified.
  • oxide conversion means that, when it is assumed that all the constituent components of the crystallized glass are decomposed and changed to an oxide, the total weight of the oxide is 100% by weight in the crystallized glass.
  • the amount of the oxide of each component contained is expressed in terms of% by weight.
  • the crystallized glass serving as a base material is preferably in a weight% in terms of oxide, 40.0% to 70.0% of SiO 2 component, Al 2 O 3 component from 11.0% to 25.0%, Na 2 O component from 5.0% to 19.0%, 0% to 9.0% of K 2 O component, 1.0% to 18.0% of at least one selected from a MgO component and a ZnO component, 0% to 3.0% of CaO component, 0.5% to 12.0% of TiO 2 component, It contains.
  • the SiO 2 component is more preferably contained in a content of 45.0% to 65.0%, further preferably 50.0% to 60.0%.
  • the Al 2 O 3 component is more preferably contained from 13.0% to 23.0%.
  • the Na 2 O component is more preferably contained from 8.0% to 16.0%. It may be 9.0% or more or 10.5% or more.
  • the K 2 O component is more preferably contained from 0.1% to 7.0%, and still more preferably from 1.0% to 5.0%.
  • One or more selected from the MgO component and the ZnO component is more preferably 2.0% to 15.0%, further preferably 3.0% to 13.0%, and particularly preferably 5.0% to 11.0%. %included.
  • One or more selected from the MgO component and the ZnO component may be the MgO component alone, the ZnO component alone or both, but preferably the MgO component alone.
  • the CaO component is more preferably contained from 0.01% to 3.0%, and still more preferably from 0.1% to 2.0%.
  • the TiO 2 component is more preferably contained in an amount of 1.0% to 10.0%, and further preferably 2.0% to 8.0%.
  • the crystallized glass contains 0.01% to 3.0% (preferably 0.1% to 2.0%, more preferably 1% or more selected from Sb 2 O 3 component, SnO 2 component and CeO 2 component). 0.1% to 1.0%). The above blending amounts can be appropriately combined.
  • the crystallized glass may or may not contain a ZrO 2 component as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • the amount can be 0 to 5.0%, 0 to 3.0% or 0 to 2.0%.
  • the crystallized glass may be a B 2 O 3 component, a P 2 O 5 component, a BaO component, a FeO component, a SnO 2 component, a Li 2 O component, a SrO component, or a La 2 O component as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • 3 component, Y 2 O 3 component, Nb 2 O 5 component, Ta 2 O 5 component, WO 3 components, TeO 2 component may each contain Bi 2 O 3 component may not include.
  • the compounding amount can be 0 to 2.0%, 0 or more and less than 2.0%, or 0 to 1.0%, respectively.
  • the crystallized glass of the present invention comprises, as a fining agent, a Sb 2 O 3 component, a SnO 2 component, a CeO 2 component, an As 2 O 3 component, and one selected from the group consisting of F, Cl, NOx, and SOx. Two or more types may be included or may not be included. However, the content of the fining agent is preferably 5.0% or less, more preferably 2.0% or less, and most preferably 1.0% or less.
  • the crystallized glass serving as the base material is preferably in terms of mole% in terms of oxide, 43.0 mol% to 73.0 mol% of the SiO 2 component, 4.0 mol% to 18.0 mol% of the Al 2 O 3 component, Na 2 O component of 5.0 mol% to 19.0 mol%, 0 to 9.0 mol% of K 2 O component, 2.0 mol% to 22.0 mol% of at least one selected from MgO component and ZnO component, 0 to 3.0 mol% of CaO component, 0.5 mol% to 11.0 mol% of the TiO 2 component, It contains.
  • the crystallized glass (and substrate) of the present invention may be colorless and transparent, but the glass can be colored within a range that does not impair the properties of the crystallized glass.
  • the crystallized glass substrate of the present invention preferably has a breaking height of 60 cm or more, 70 cm or more, 80 cm or more, 90 cm or more, 100 cm or more, or 110 cm or more in the drop test measured in the examples.
  • the crystallized glass substrate of the present invention can be manufactured by the following method. That is, raw materials are uniformly mixed and melt-molded to produce raw glass. Next, the raw glass is crystallized to produce a crystallized glass base material. Further, the crystallized glass base material is chemically strengthened.
  • the raw glass is heat-treated to precipitate crystals inside the glass.
  • This heat treatment may be performed in one stage or two stages.
  • a nucleus forming step is first performed by performing a heat treatment at a first temperature, and after this nucleus forming step, a crystal growth step is performed by performing a heat treatment at a second temperature higher than the nucleus forming step.
  • the nucleation step and the crystal growth step are continuously performed at one step temperature.
  • the temperature is raised to a predetermined heat treatment temperature, the temperature is maintained for a certain time after reaching the heat treatment temperature, and then the temperature is lowered.
  • the first temperature of the two-step heat treatment is preferably from 600 ° C. to 750 ° C.
  • the holding time at the first temperature is preferably 30 minutes to 2000 minutes, more preferably 180 minutes to 1440 minutes.
  • the second temperature of the two-step heat treatment is preferably from 650 ° C. to 850 ° C.
  • the holding time at the second temperature is preferably 30 minutes to 600 minutes, more preferably 60 minutes to 300 minutes.
  • the heat treatment temperature is preferably from 600 ° C to 800 ° C, more preferably from 630 ° C to 770 ° C.
  • the holding time at the heat treatment temperature is preferably 30 minutes to 500 minutes, more preferably 60 minutes to 300 minutes.
  • a thin plate-shaped crystallized glass base material can be produced, for example, by means of grinding and polishing.
  • a compressive stress layer is formed on the crystallized glass base material by ion exchange using a chemical strengthening method.
  • the crystallized glass substrate of the present invention is characterized in that the crystallized glass base material is not a mixed molten salt of a potassium salt and a sodium salt (mixed bath), but a potassium salt (one or more potassium salts, for example, potassium nitrate (KNO 3) ), Potassium carbonate (K 2 CO 3 ), potassium sulfate (K 2 SO 4 )) and a molten salt (individual bath) at a predetermined temperature and for a predetermined time by chemical strengthening. For example, contacting or immersing a molten salt heated to 450 to 580 ° C.
  • a potassium salt one or more potassium salts, for example, potassium nitrate (KNO 3)
  • K 2 CO 3 Potassium carbonate
  • K 2 SO 4 potassium sulfate
  • corresponding materials such as oxides, hydroxides, carbonates, nitrates, fluorides, chlorides, and metaphosphate compounds were selected as the raw materials for the components of the crystallized glass.
  • the mixed raw materials were put into a platinum crucible and melted. Thereafter, the molten glass was stirred and homogenized, then cast into a mold, and gradually cooled to produce an original glass.
  • the obtained raw glass was subjected to a one-step heat treatment (650 to 730 ° C., 5 hours) for nucleation and crystallization to produce a crystallized glass as a base material.
  • the obtained crystallized glass was analyzed by a 200 kV field emission transmission electron microscope FE-TEM (JEM2100F manufactured by JEOL Ltd.). As a result, precipitated crystals having an average crystal diameter of 6 to 9 nm were observed. Further, lattice image confirmation by electron diffraction image and analysis by EDX were performed, and crystal phases of MgAl 2 O 4 and MgTi 2 O 4 were confirmed.
  • the average crystal diameter was determined by using a transmission electron microscope to determine the crystal diameter of crystal particles in the range of 180 ⁇ 180 nm 2 and calculating the average value.
  • the produced crystallized glass base material was cut and ground so as to have a shape of 150 mm in length, 70 mm in width, and more than 1.0 mm in thickness, and was further polished face-to-face.
  • the crystallized glass base material was colorless and transparent.
  • the crystallized glass base material polished face-to-face parallel to the thickness shown in Table 1 was chemically strengthened to obtain a crystallized glass substrate having a compressive stress layer on the surface. Specifically, it was immersed in a molten salt of KNO 3 at a salt bath temperature and an immersion time shown in Table 1.
  • Comparative Example 1 a general chemically strengthened glass substrate having the following composition was used. It is considered that the substrate was immersed in a mixed bath of KNO 3 and NaNO 3 and then immersed in a single bath of KNO 3 . (Weight% in oxide) The SiO 2 component 54%, 13% of Al 2 O 3 component, 5% Na 2 O component, 17% of K 2 O component, the MgO component 5.5%, 0.5% CaO component, B 2 3% O 3 %, 2 % ZrO 2%
  • the compressive stress value (CS) (MPa) and the stress depth (DOL zero ) ( ⁇ m) of the outermost surface of the crystallized glass substrate were measured using a glass surface stress meter FSM-6000LE manufactured by Orihara Seisakusho.
  • the refractive index of the sample was calculated at 1.54 and the optical elastic constant was 29.658 [(nm / cm) / MPa].
  • the central stress value (CT) (MPa) was determined by curve analysis.
  • Table 1 shows the substrate thickness (mm), (A) CS ⁇ DOL zero , (B) CT ⁇ (T ⁇ 2 ⁇ DOL zero ) (T is the substrate thickness ( ⁇ m)), (B) / (A), the ratio of DOL zero (the sum of DOL zero from both sides of the substrate) in the thickness (T) ( ⁇ m) of the substrate (2DOL zero / T ⁇ 100), the sum of the outermost surface compressive stress value and the central stress value (CS + CT) (MPa) is also described.
  • the crystallized glass substrate was subjected to a steel ball drop test by the following method.
  • An acrylic frame 1 having a cross section shown in FIG. 6 was used.
  • the frame 1 includes a rectangular outer frame 10 and an inner frame 20 lower than the outer frame.
  • the outer frame and the inner frame form a step, and the inside of the inner frame is empty.
  • the inner size of the outer frame 10 is 151 mm ⁇ 71 mm
  • the inner size of the inner frame 20 is 141 mm ⁇ 61 mm.
  • the crystallized glass substrate 30 was placed inside the outer frame and on the inner frame.
  • a 130 g stainless steel ball was dropped from a height of 10 cm from the crystallized glass substrate. After the drop, if the substrate did not break, the height was increased by 10 cm and the same test was continued until the break. Table 1 shows the broken height. Table 1 shows that the substrates of the examples are hard to break.

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Abstract

表面に圧縮応力層を有する結晶化ガラス基板であって、前記圧縮応力層の最表面の圧縮応力をＣＳ（ＭＰａ）、前記圧縮応力層の圧縮応力が０ＭＰａのときの応力深さをＤＯＬｚｅｒｏ（μｍ）、曲線解析で求める中心応力をＣＴ（ＭＰａ）、前記基板の厚さをＴ（μｍ）としたとき、ＣＳは４００～１４００ＭＰａであり、ＣＴ×（Ｔ－２×ＤＯＬｚｅｒｏ）／ＣＳ×ＤＯＬｚｅｒｏは０．６０以上である結晶化ガラス基板。

Description

結晶化ガラス基板
　本発明は、表面に圧縮応力層を有する結晶化ガラス基板に関する。
　スマートフォン、タブレット型ＰＣなどの携帯電子機器には、ディスプレイを保護するためのカバーガラスが使用されている。また、車載用の光学機器にも、レンズを保護するためのプロテクターが使用されている。さらに、近年、電子機器の外装となる筐体などへの利用も求められている。そして、これらの機器がより過酷な使用に耐えうるよう、硬く割れ難い材料の要求が強まっている。特に、耐衝撃性の高い材料の要求が高まっている。
　従来から、ガラス基板の強化方法として、化学強化が知られている。例えば、特許文献１には、情報記録媒体用結晶化ガラス基板が開示されている。この結晶化ガラス基板は、化学強化を施す場合、十分な圧縮応力値が得られなかった。
特開２０１４－１１４２００号公報
　本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものである。本発明の目的は、硬く割れ難い結晶化ガラス基板を得ることにある。
　本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、表面に所定の圧縮応力層および所定の中心応力を有すると耐衝撃性が高く割れ難い結晶化ガラス基板が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。具体的には、本発明は以下を提供する。
（構成１）
　表面に圧縮応力層を有する結晶化ガラス基板であって、
　前記圧縮応力層の最表面の圧縮応力をＣＳ（ＭＰａ）、前記圧縮応力層の圧縮応力が０ＭＰａのときの応力深さをＤＯＬｚｅｒｏ（μｍ）、曲線解析で求める中心応力をＣＴ（ＭＰａ）、前記基板の厚さをＴ（μｍ）としたとき、
　ＣＳは４００～１４００ＭＰａであり、
　ＣＴ×（Ｔ－２×ＤＯＬｚｅｒｏ）／ＣＳ×ＤＯＬｚｅｒｏは０．６０以上である結晶化ガラス基板。
（構成２）
　前記結晶化ガラス基板の両面からの前記応力深さの和２×ＤＯＬｚｅｒｏが、前記結晶化ガラス基板の厚さＴの１０～８０％である構成１記載の結晶化ガラス基板。
（構成３）
　酸化物換算の重量％で、
ＳｉＯ２成分を４０．０％～７０．０％、
Ａｌ２Ｏ３成分を１１．０％～２５．０％、
Ｎａ２Ｏ成分を５．０％～１９．０％、
Ｋ２Ｏ成分を０％～９．０％、
ＭｇＯ成分およびＺｎＯ成分から選択される１以上を１．０％～１８．０％、
ＣａＯ成分を０％～３．０％、並びに
ＴｉＯ２成分を０．５％～１２．０％、
を含有する構成１又は２記載の結晶化ガラス基板。
（構成４）
　前記結晶化ガラス基板の厚さが、０．１～１．０ｍｍである構成１～３いずれか記載の結晶化ガラス基板。
（構成５）
　ヤング率Ｅ（ＧＰａ）と比重ρの比であるＥ／ρが３１以上である構成１～４いずれか記載の結晶化ガラス基板。
（構成６）
　前記最表面の圧縮応力ＣＳと前記中心応力ＣＴの和が、６００～１４００ＭＰａである構成１～５いずれか記載の結晶化ガラス基板。
（構成７）
　前記応力深さＤＯＬｚｅｒｏが７０～１１０μｍであり、
　前記最表面の圧縮応力ＣＳが５５０～８９０ＭＰａであり、
　前記中心応力ＣＴが、１００～２５０ＭＰａであり、
　前記最表面の圧縮応力ＣＳと前記中心応力ＣＴの和が、８００～１２００ＭＰａである構成１～６いずれか記載の結晶化ガラス基板。
（構成８）
　前記応力深さＤＯＬｚｅｒｏが６５～８５μｍであり、
　前記最表面の圧縮応力ＣＳが７００～８６０ＭＰａであり、
　前記中心応力ＣＴが、１２０～２４０ＭＰａであり、
　前記結晶化ガラス基板の厚さが、０．１５～０．７ｍｍである構成１～６いずれか記載の結晶化ガラス基板。
　本発明によれば、硬く割れ難い結晶化ガラス基板を得ることができる。
　本発明の結晶化ガラス基板は、電子機器のディスプレイやレンズのカバーガラス、外枠部材または筐体、光学レンズ材料、その他各種部材に使用できる。
１段階単浴化学強化して得られた結晶化ガラス基板の、最表面からの深さに対する、圧縮応力の変化の一例を示す図である。 １段階単浴化学強化して得られた結晶化ガラス基板の厚さ方向の応力の変化の一例を示す図である。 １段階単浴化学強化して得られた結晶化ガラス基板の、最表面からの深さに対する、圧縮応力の変化の他の例を示す図である。 １段階単浴化学強化して得られた結晶化ガラス基板の、最表面からの深さに対する、圧縮応力の変化の他の例を示す図である。 ２段階化学強化して得られた結晶化ガラス基板の、最表面からの深さに対する、圧縮応力の変化の一例を示す図である。 実施例の落下試験で用いた枠の概略断面図である。
　以下、本発明の結晶化ガラス基板の実施形態および実施例について詳細に説明するが、本発明は、以下の実施形態および実施例に何ら限定されるものではなく、本発明の目的の範囲内において、適宜変更を加えて実施することができる。
［結晶化ガラス基板］
　本発明の結晶化ガラス基板は、結晶化ガラスを母材（結晶化ガラス母材ともいう）とし、表面に圧縮応力層を有する。圧縮応力層は、結晶化ガラス母材をイオン交換処理することにより形成することができる。圧縮応力層は基板の最表面から内側に所定の厚みで形成され、圧縮応力は最表面が最も高く、内側に向かって減少しゼロとなる。
　圧縮応力層の最表面の圧縮応力（最表面圧縮応力ともいう）ＣＳは、４００～１４００ＭＰａであり、例えば、５５０～１３００ＭＰａ、６００～１２００ＭＰａ、６５０～１０００ＭＰａ、７００～８９０ＭＰａ、７００～８８０ＭＰａ、または７５０～８６０ＭＰａとすることができる。
　圧縮応力層の圧縮応力が０ＭＰａのときの深さＤＯＬｚｅｒｏ（応力深さともいう）は、４５～２００μｍであってよく、例えば５０～１４０μｍ、５５～１２０μｍ、６５～１１０μｍ、７０～１００μｍ、または７５～８５μｍとすることができる。
　結晶化ガラス基板の両面からの応力深さの和は、圧縮応力層の厚さの１０～８０％であってよく、１２～６０％、１５～５０％、または２０～４０％であってよい。
　中心応力ＣＴは、５５～３００ＭＰａであってよく、例えば、６０～２５０ＭＰａ、６５～２４０ＭＰａ、８０～２３０ＭＰａ、１００～２００ＭＰａ、１０５～１８０ＭＰａ、または１２０～１５０ＭＰａとすることができる。尚、本発明では中心応力ＣＴは曲線解析で求める。
　最表面圧縮応力ＣＳと中心応力ＣＴの和は、６００～１４００ＭＰａであってよく、７００～１２００ＭＰａ、７５０～１１００ＭＰａ、または８００～１０００ＭＰａであってよい。
　本発明の結晶化ガラス基板は、最表面の圧縮応力をＣＳ（ＭＰａ）、応力深さをＤＯＬｚｅｒｏ（μｍ）、中心応力をＣＴ（ＭＰａ）、基板の厚さをＴ（μｍ）としたとき、ＣＴ×（Ｔ－２×ＤＯＬｚｅｒｏ）／ＣＳ×ＤＯＬｚｅｒｏは０．６０以上である。例えば、０．７５～１．４０、０．９０～１．３５、０．９３～１．３０、０．９５～１．２０、１．００～１．１５、１．０４～１．１２、または１．０６～１．１０とできる。
　ＣＴ×（Ｔ－２×ＤＯＬｚｅｒｏ）／ＣＳ×ＤＯＬｚｅｒｏについて以下説明する。
　図１は、カリウム塩の溶融塩で一段階化学強化した結晶化ガラス基板の表面部分（圧縮応力層）における最表面からの深さ（μｍ）に対する、圧縮応力（ＭＰａ）の変化の一例を示す図である。深さゼロは最表面を表す。
　図２は、同じ結晶化ガラス基板の厚さ方向の応力の変化の例を示す図である。具体的には、基板の両側には圧縮応力層が存在し、中心部分には中心応力ＣＴが生じている。中心応力ＣＴは、圧縮応力層の応力に応じて生じる。従って、圧縮応力とＤＯＬｚｅｒｏで囲まれた２つの面積ｘの和２ｘ（２ｘ＝Ｘとする）は、中心部分のＤＯＬｚｅｒｏを除いた厚さ（Ｔ－２ＤＯＬｚｅｒｏ）と中心応力ＣＴ（ＭＰａ）に囲まれた面積Bと、同じになる。即ち、図２に示す、面積Ｘと面積Ｂは同じ値になる。
　圧縮応力層の圧縮応力は、図１の他、図３，４のように変化する場合がある。図３では、圧縮応力が、ＣＳから０まで同じ傾きで直線的に減少している。このときの面積Ｘを面積Ａとすると、面積Ａは２つの三角形の面積の和となり、（ＣＳ×ＤＯＬｚｅｒｏ）／２×２＝（ＣＳ×ＤＯＬｚｅｒｏ）となる。
　図１の面積Ｘは面積Ａより少し少なく、図４の面積Ｘは面積Ａより少し大きい。
　図５は、カリウム塩とナトリウム塩の混合溶融塩に浸した後、カリウム塩の溶融塩に浸した２段階化学強化した結晶化ガラス基板の、最表面からの深さに対する、圧縮応力の変化の一例を示す図である。図１，３，４では、最表面から内側へほぼ同じ割合（ほぼ同じ傾きＳ１）で圧縮応力が減る。一方、図５では、最表面から内側へ急に（大きな傾きＳ２で）圧縮応力が減った後、緩やかに（小さな傾きＳ３で）圧縮応力が減る。
　図１，３，４に示すように、緩やかに圧縮応力が減った場合は、圧縮応力とＤＯＬｚｅｒｏで囲まれた面積Ｘは面積Ａに近い又は同じ値となり、図５に示すように、最表面から内側へ急に圧縮応力が減った場合は、圧縮応力とＤＯＬｚｅｒｏで囲まれた面積Ｘは面積Ａよりもかなり小さくなる。面積Ｘは直接計算することができないため、図２に示すように、面積Ｘと面積Ｂが同じ値になることを利用して、面積ＸをＣＴ×（Ｔ－２×ＤＯＬｚｅｒｏ）で求めた。
　本発明では、圧縮応力が最表面から内側へ緩やかに減っていくことから、面積Ｘ／面積Ａ、すなわちＣＴ×（Ｔ－２×ＤＯＬｚｅｒｏ）／ＣＳ×ＤＯＬｚｅｒｏは０．６０以上となる。
　図５では、圧縮応力が最表面から内側へ急に減るため、面積Ｘ／面積Ａ、すなわちＣＴ×（Ｔ－２×ＤＯＬｚｅｒｏ）／ＣＳ×ＤＯＬｚｅｒｏは小さく、０．６０未満となる。
　圧縮応力層が、上記の応力深さＤＯＬｚｅｒｏ、最表面圧縮応力ＣＳおよび中心応力ＣＴを有すると、基板は破壊し難くなる。応力深さ、最表面圧縮応力および中心応力は、組成、基板の厚さ、および化学強化条件を調整することにより調整できる。
　結晶化ガラス基板の厚さの下限は、好ましくは０．１５ｍｍ以上、より好ましくは０．３０ｍｍ以上、より好ましくは０．４０ｍｍ以上、さらに好ましくは０．５０ｍｍ以上であり、結晶化ガラス基板の厚さの上限は、好ましくは１．００ｍｍ以下、より好ましくは０．９０ｍｍ以下、より好ましくは０．７０ｍｍ以下であり、さらに好ましくは０．６ｍｍ以下である。
　結晶化ガラス基板のヤング率Ｅ（ＧＰａ）と比重ρの比であるＥ／ρは、好ましくは３１以上であり、より好ましくは３２以上であり、さらに好ましくは３３以上である。
　結晶化ガラスは、結晶相とガラス相を有する材料であり、非晶質固体とは区別される。一般的に、結晶化ガラスの結晶相は、Ｘ線回折分析のＸ線回折図形において現れるピークの角度、および必要に応じてＴＥＭＥＤＸを用いて判別される。
　結晶化ガラスは、例えば、結晶相としてＭｇＡｌ２Ｏ４、ＭｇＴｉ２Ｏ４、ＭｇＴｉ２Ｏ５、Ｍｇ２ＴｉＯ４、Ｍｇ２ＳｉＯ４、ＭｇＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８、Ｍｇ２Ａｌ４Ｓｉ５Ｏ１８、Ｍｇ２ＴｉＯ５、ＭｇＳｉＯ３、ＮａＡｌＳｉＯ４、ＦｅＡｌ２Ｏ４およびこれらの固溶体から選ばれる１以上を含有する。
　結晶化ガラスにおける平均結晶径は、例えば４～１５ｎｍであり、５～１３ｎｍまたは６～１０ｎｍとすることができる。平均結晶径が小さいと研磨後の表面粗さＲａを数Åレベルにスムーズに加工しやすくできる。また、透過率が高くなる。
　結晶化ガラスを構成する各成分の組成範囲を以下に述べる。本明細書中において、各成分の含有量は、特に断りがない場合、全て酸化物換算の重量％で表示する。ここで、「酸化物換算」とは、結晶化ガラス構成成分が全て分解され酸化物へ変化すると仮定した場合に、当該酸化物の総重量を１００重量％としたときの、結晶化ガラス中に含有される各成分の酸化物の量を、重量％で表記したものである。
　母材となる結晶化ガラスは、好ましくは、酸化物換算の重量％で、
ＳｉＯ２成分を４０．０％～７０．０％、
Ａｌ２Ｏ３成分を１１．０％～２５．０％、
Ｎａ２Ｏ成分を５．０％～１９．０％、
Ｋ２Ｏ成分を０％～９．０％、
ＭｇＯ成分およびＺｎＯ成分から選択される1以上を１．０％～１８．０％、
ＣａＯ成分を０％～３．０％、
ＴｉＯ２成分を０．５％～１２．０％、
を含有する。
　ＳｉＯ２成分は、より好ましくは４５．０％～６５．０％、さらに好ましくは５０．０％～６０．０％含まれる。
　Ａｌ２Ｏ３成分は、より好ましくは１３．０％～２３．０％含まれる。
　Ｎａ２Ｏ成分は、より好ましくは８．０％～１６．０％含まれる。９．０％以上または１０．５％以上としてもよい。
　Ｋ２Ｏ成分は、より好ましくは０．１％～７．０％、さらに好ましくは１．０％～５．０％含まれる。
　ＭｇＯ成分およびＺｎＯ成分から選択される１以上は、より好ましくは２．０％～１５．０％、さらに好ましくは３．０％～１３．０％、特に好ましくは５．０％～１１．０％含まれる。ＭｇＯ成分およびＺｎＯ成分から選択される１以上は、ＭｇＯ成分単独、ＺｎＯ成分単独またはその両方でよいが、好ましくはＭｇＯ成分のみである。
　ＣａＯ成分は、より好ましくは０．０１％～３．０％、さらに好ましくは０．１％～２．０％含まれる。
　ＴｉＯ２成分は、より好ましくは１．０％～１０．０％、さらに好ましくは２．０％～８．０％含まれる。
　結晶化ガラスは、Ｓｂ２Ｏ３成分、ＳｎＯ２成分およびＣｅＯ２成分から選択される１以上を０．０１％～３．０％（好ましくは０．１％～２．０％、さらに好ましくは０．１％～１．０％）含むことができる。
　上記の配合量は適宜組み合わせることができる。
　ＳｉＯ２成分、Ａｌ２Ｏ３成分、Ｎａ２Ｏ成分、ＭｇＯ成分およびＺｎＯ成分から選択される１以上、ＴｉＯ２成分を合わせて９０％以上、好ましくは９５％以上、より好ましくは９８％以上、さらに好ましくは９８．５％以上とできる。
　ＳｉＯ２成分、Ａｌ２Ｏ３成分、Ｎａ２Ｏ成分、Ｋ２Ｏ成分、ＭｇＯ成分およびＺｎＯ成分から選択される１以上、ＣａＯ成分、ＴｉＯ２成分、並びにＳｂ２Ｏ３成分、ＳｎＯ２成分およびＣｅＯ２成分から選択される１以上を合わせて９０％以上、好ましくは９５％以上、より好ましくは９８％以上、さらに好ましくは９９％以上とできる。これら成分で１００％を占めてもよい。
　結晶化ガラスは、本発明の効果を損なわない範囲で、ＺｒＯ２成分を含んでもよいし、含まなくてもよい。配合量は、０～５．０％、０～３．０％または０～２．０％とできる。
　また、結晶化ガラスは、本発明の効果を損なわない範囲で、Ｂ２Ｏ３成分、Ｐ２Ｏ５成分、ＢａＯ成分、ＦｅＯ成分、ＳｎＯ２成分、Ｌｉ２Ｏ成分、ＳｒＯ成分、Ｌａ２Ｏ３成分、Ｙ２Ｏ３成分、Ｎｂ２Ｏ５成分、Ｔａ２Ｏ５成分、ＷＯ３成分、ＴｅＯ２成分、Ｂｉ２Ｏ３成分をそれぞれ含んでもよいし、含まなくてもよい。配合量は、各々、０～２．０％、０以上２．０％未満または０～１．０％とできる。
　本発明の結晶化ガラスは、清澄剤として、Ｓｂ２Ｏ３成分、ＳｎＯ２成分、ＣｅＯ２成分の他、Ａｓ２Ｏ３成分、およびＦ、Ｃｌ、ＮＯｘ、ＳＯｘの群から選択された一種または二種以上を含んでもよいし、含まなくてもよい。ただし、清澄剤の含有量は、好ましくは５．０％以下、より好ましくは２．０％以下、最も好ましくは１．０％以下を上限とする。
　また、母材となる結晶化ガラスは、好ましくは、酸化物換算のモル％で、
ＳｉＯ２成分を４３．０モル％～７３．０モル％、
Ａｌ２Ｏ３成分を４．０モル％～１８．０モル％、
Ｎａ２Ｏ成分を５．０モル％～１９．０モル％、
Ｋ２Ｏ成分を０モル％～９．０モル％、
ＭｇＯ成分およびＺｎＯ成分から選択される１以上を２．０モル％～２２．０モル％、
ＣａＯ成分を０モル％～３．０モル％、
ＴｉＯ２成分を０．５モル％～１１．０モル％、
を含有する。
　ＳｉＯ２成分、Ａｌ２Ｏ３成分、Ｎａ２Ｏ成分、ＭｇＯ成分およびＺｎＯ成分から選択される１以上、ＴｉＯ２成分を合わせて９０モル％以上、好ましくは９５モル％以上、より好ましくは９８モル％以上、さらに好ましくは９９モル％以上とできる。
　本発明の結晶化ガラスには、上述されていない他の成分を、本発明の結晶化ガラスの特性を損なわない範囲で、必要に応じ、添加することができる。例えば、本発明の結晶化ガラス（及び基板）は無色透明であってよいが、結晶化ガラスの特性を損なわない範囲にてガラスを着色することができる。
　さらに、Ｐｂ、Ｔｈ、Ｔｌ、Ｏｓ、Ｂｅ及びＳｅの各成分は、近年有害な化学物質として使用を控える傾向にあるため、これらを実質的に含有しないことが好ましい。
　本発明の結晶化ガラス基板は、実施例で測定する落下試験において、破壊する高さは好ましくは６０ｃｍ以上、７０ｃｍ以上、８０ｃｍ以上、９０ｃｍ以上、１００ｃｍ以上、または１１０ｃｍ以上である。
［製造方法］
　本発明の結晶化ガラス基板は、以下の方法で作製できる。すなわち、原料を均一に混合し、熔解成形して原ガラスを製造する。次にこの原ガラスを結晶化して結晶化ガラス母材を作製する。さらに結晶化ガラス母材を化学強化する。
　原ガラスは、熱処理しガラス内部に結晶を析出させる。この熱処理は、１段階でもよく２段階の温度で熱処理してもよい。
　２段階熱処理では、まず第１の温度で熱処理することにより核形成工程を行い、この核形成工程の後に、核形成工程より高い第２の温度で熱処理することにより結晶成長工程を行う。
　１段階熱処理では、１段階の温度で核形成工程と結晶成長工程を連続的に行う。通常、所定の熱処理温度まで昇温し、当該熱処理温度に達した後に一定時間その温度を保持し、その後、降温する。
　２段階熱処理の第１の温度は６００℃～７５０℃が好ましい。第１の温度での保持時間は３０分～２０００分が好ましく、１８０分～１４４０分がより好ましい。
　２段階熱処理の第２の温度は６５０℃～８５０℃が好ましい。第２の温度での保持時間は３０分～６００分が好ましく、６０分～３００分がより好ましい。
　１段階の温度で熱処理する場合、熱処理の温度は６００℃～８００℃が好ましく、６３０℃～７７０℃がより好ましい。また、熱処理の温度での保持時間は、３０分～５００分が好ましく、６０分～３００分がより好ましい。
　結晶化ガラス母材から、例えば研削および研磨加工の手段等を用いて、薄板状結晶化ガラス母材を作製できる。
　この後、化学強化法によるイオン交換により、結晶化ガラス母材に圧縮応力層を形成する。
　本発明の結晶化ガラス基板は、結晶化ガラス母材を、カリウム塩とナトリウム塩の混合溶融塩（混合浴）ではなく、カリウム塩（１種または２種以上のカリウム塩、例えば硝酸カリウム（ＫＮＯ３）、炭酸カリウム（Ｋ２ＣＯ３）、硫酸カリウム（Ｋ２ＳＯ４））の溶融塩（単独浴）で所定の温度と所定の時間で化学強化することにより得ることができる。例えば、４５０～５８０℃（５００～５５０℃、または５２０～５３０℃）に加熱した溶融塩に、例えば３８０分～６３０分、４００分～６００分、４５０～５５０分または４８０～５２０分接触または浸漬させる。このような化学強化により、表面付近に存在する成分と、溶融塩に含まれる成分とのイオン交換反応が進行し、この結果、表面部に上記特性を有する圧縮応力層が形成される。特に５００～５５０℃で４８０～５２０分強化すると割れ難い基板が得られやすい。
実施例１～１１、比較例１
　実施例１～１１では、結晶化ガラスの各成分の原料として各々相当する酸化物、水酸化物、炭酸塩、硝酸塩、弗化物、塩化物、メタ燐酸化合物等の原料を選定し、これらの原料を以下の組成の割合になるように秤量して均一に混合した。
（酸化物換算の重量％）
ＳｉＯ２成分を５４％、Ａｌ２Ｏ３成分を１８％、Ｎａ２Ｏ成分を１２％、Ｋ２Ｏ成分を２％、ＭｇＯ成分を８％、ＣａＯ成分を１％、ＴｉＯ２成分を５％、Ｓｂ２Ｏ３成分を０．１％
　次に、混合した原料を白金坩堝に投入し溶融した。その後、溶融したガラスを攪拌して均質化してから金型に鋳込み、徐冷して原ガラスを作製した。
　得られた原ガラスに対し、核形成および結晶化のために、１段階の熱処理（６５０～７３０℃、５時間）を施して母材となる結晶化ガラスを作製した。得られた結晶化ガラスについて、２００ｋＶ電界放射型透過電子顕微鏡ＦＥ－ＴＥＭ（日本電子製ＪＥＭ２１００Ｆ）による解析を行った結果、平均結晶径６～９ｎｍの析出結晶を観察した。さらに電子回折像による格子像確認、ＥＤＸによる解析を行い、ＭｇＡｌ２Ｏ４，ＭｇＴｉ２Ｏ４の結晶相が確認された。平均結晶径は、透過電子顕微鏡を用いて、１８０×１８０ｎｍ２の範囲内の結晶粒子の結晶径を求め平均値を計算して求めた。
　作製した結晶化ガラス母材に対し、縦１５０ｍｍ、横７０ｍｍ、厚さ１.０ｍｍ超の形状となるように切断および研削を行い、さらに対面平行研磨した。結晶化ガラス母材は無色透明であった。
　表１に示す厚さに対面平行研磨した結晶化ガラス母材に、化学強化を行って、表面に圧縮応力層を有する結晶化ガラス基板を得た。具体的には、ＫＮＯ３の溶融塩中に、表１に示す塩浴温度と浸漬時間で浸漬した。
　比較例１では、以下の組成の一般的な化学強化ガラス基板を用いた。この基板はＫＮＯ３とＮａＮＯ３の混浴に浸漬した後、ＫＮＯ３の単浴に浸漬したと考えられる。
（酸化物換算の重量％）
ＳｉＯ２成分を５４％、Ａｌ２Ｏ３成分を１３％、Ｎａ２Ｏ成分を５％、Ｋ２Ｏ成分を１７％、ＭｇＯ成分を５．５％、ＣａＯ成分を０．５％、Ｂ２Ｏ３成分を３％、ＺｒＯ２成分を２％
　結晶化ガラス基板の最表面の圧縮応力値（ＣＳ）（ＭＰａ）と応力深さ（ＤＯＬｚｅｒｏ）（μｍ）を、折原製作所製のガラス表面応力計ＦＳＭ－６０００ＬＥを用いて測定した。試料の屈折率１．５４、光学弾性定数２９．６５８［（ｎｍ／ｃｍ）／ＭＰａ］で算出した。中心応力値（ＣＴ）（ＭＰａ）は、曲線解析（Ｃｕｒｖｅ　ａｎａｌｙｓｉｓ）により求めた。表１には、基板の厚さ（ｍｍ）、（Ａ）ＣＳ×ＤＯＬｚｅｒｏ、（Ｂ）ＣＴ×（Ｔ－２×ＤＯＬｚｅｒｏ）（Ｔは基板の厚さ（μｍ））、（Ｂ）／（Ａ）、基板の厚さ（Ｔ）（μｍ）におけるＤＯＬｚｅｒｏ（基板の両面からのＤＯＬｚｅｒｏの和）の割合（２ＤＯＬｚｅｒｏ／Ｔ×１００）、最表面圧縮応力値と中心応力値の和（ＣＳ＋ＣＴ）（ＭＰａ）も記載する。
　結晶化ガラス基板について、以下の方法で鋼球落下テストを行った。
　断面を図６に示すアクリル製の枠１を用いた。枠１は、矩形の外枠１０と外枠より低い内枠２０からなり、外枠と内枠で段を形成し、内枠の内側は空いている。外枠１０の内側サイズは１５１ｍｍ×７１ｍｍ、内枠２０の内側サイズは１４１ｍｍ×６１ｍｍである。外枠の内側、内枠の上に結晶化ガラス基板３０を載せた。結晶化ガラス基板から１０ｃｍの高さから、１３０ｇのステンレス鋼球を落下させた。落下後、基板が破壊しなければ、高さを１０ｃｍ高くし、同様の試験を破壊するまで継続した。破壊した高さを表１に示す。表１から、実施例の基板は、破壊し難いことが分る。
　さらに、ヤング率Ｅ（ＧＰａ）と比重ρを測定し、その比であるＥ／ρを求めた。ヤング率は、超音波法により測定した。結果を表１に示す。


Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001

　上記に本発明の実施形態及び／又は実施例を幾つか詳細に説明したが、当業者は、本発明の新規な教示及び効果から実質的に離れることなく、これら例示である実施形態及び／又は実施例に多くの変更を加えることが容易である。従って、これらの多くの変更は本発明の範囲に含まれる。
　この明細書に記載の文献の内容を全てここに援用する。

Claims (8)

  1. 　表面に圧縮応力層を有する結晶化ガラス基板であって、
    　前記圧縮応力層の最表面の圧縮応力をＣＳ（ＭＰａ）、前記圧縮応力層の圧縮応力が０ＭＰａのときの応力深さをＤＯＬｚｅｒｏ（μｍ）、曲線解析で求める中心応力をＣＴ（ＭＰａ）、前記基板の厚さをＴ（μｍ）としたとき、
    　ＣＳは４００～１４００ＭＰａであり、
    　ＣＴ×（Ｔ－２×ＤＯＬｚｅｒｏ）／ＣＳ×ＤＯＬｚｅｒｏは０．６０以上である結晶化ガラス基板。
  2. 　前記結晶化ガラス基板の両面からの前記応力深さの和２×ＤＯＬｚｅｒｏが、前記結晶化ガラス基板の厚さＴの１０～８０％である請求項１記載の結晶化ガラス基板。
  3. 　酸化物換算の重量％で、
    ＳｉＯ２成分を４０．０％～７０．０％、
    Ａｌ２Ｏ３成分を１１．０％～２５．０％、
    Ｎａ２Ｏ成分を５．０％～１９．０％、
    Ｋ２Ｏ成分を０％～９．０％、
    ＭｇＯ成分およびＺｎＯ成分から選択される１以上を１．０％～１８．０％、
    ＣａＯ成分を０％～３．０％、並びに
    ＴｉＯ２成分を０．５％～１２．０％、
    を含有する請求項１又は２記載の結晶化ガラス基板。
  4. 　前記結晶化ガラス基板の厚さが、０．１～１．０ｍｍである請求項１～３いずれか記載の結晶化ガラス基板。
  5. 　ヤング率Ｅ（ＧＰａ）と比重ρの比であるＥ／ρが３１以上である請求項１～４いずれか記載の結晶化ガラス基板。
  6. 　前記最表面の圧縮応力ＣＳと前記中心応力ＣＴの和が、６００～１４００ＭＰａである請求項１～５いずれか記載の結晶化ガラス基板。
  7. 　前記応力深さＤＯＬｚｅｒｏが７０～１１０μｍであり、
    　前記最表面の圧縮応力ＣＳが５５０～８９０ＭＰａであり、
    　前記中心応力ＣＴが、１００～２５０ＭＰａであり、
    　前記最表面の圧縮応力ＣＳと前記中心応力ＣＴの和が、８００～１２００ＭＰａである請求項１～６いずれか記載の結晶化ガラス基板。
  8. 　前記応力深さＤＯＬｚｅｒｏが６５～８５μｍであり、
    　前記最表面の圧縮応力ＣＳが７００～８６０ＭＰａであり、
    　前記中心応力ＣＴが、１２０～２４０ＭＰａであり、
    　前記結晶化ガラス基板の厚さが、０．１５～０．７ｍｍである請求項１～６いずれか記載の結晶化ガラス基板。
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