JP3121990B2 - ガラス−セラミック基板 - Google Patents
ガラス−セラミック基板Info
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- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/16—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay
- C04B35/18—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay rich in aluminium oxide
- C04B35/195—Alkaline earth aluminosilicates, e.g. cordierite or anorthite
-
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
- C03C10/0036—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and a divalent metal oxide as main constituents
- C03C10/0045—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and a divalent metal oxide as main constituents containing SiO2, Al2O3 and MgO as main constituents
-
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C14/00—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
- C03C14/004—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix the non-glass component being in the form of particles or flakes
-
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- C03C2214/00—Nature of the non-vitreous component
- C03C2214/04—Particles; Flakes
-
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- C03C2214/00—Nature of the non-vitreous component
- C03C2214/20—Glass-ceramics matrix
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、集積回路（Ｉ
Ｃ）や電子部品を搭載するための基板等に用いられるガ
ラス−セラミック基板に関するものである。
Ｃ）や電子部品を搭載するための基板等に用いられるガ
ラス−セラミック基板に関するものである。
【０００２】
【従来技術】電子機器の混成集積回路などに用いられる
回路基板として、所定の導体パターンが形成されたグリ
ーンシートを複数枚積層して一体焼成した多層回路基板
がある。この多層回路基板には、熱膨張係数がＳｉの
熱膨張係数（３５×１０- 7／℃前後）に近いこと、
機械的強度が高いこと、誘電率が低いこと、８００
〜１０００℃程度の低温で焼成できること等が要求され
ている。このうち、については厳しい温度環境下でも
Ｓｉチップとの良好な接続性を確保するために必要な特
性である。は多層回路基板に種々の電子部品や入出力
端子等を接続する工程上で基板に加わる応力から基板が
破壊したり、欠けを生じたりすることを防止するために
必要な特性である。は多層回路基板に設けられた電子
回路の信号伝播速度を速めるために必要な特性である。
は金，銀，銅等の配線抵抗が小さい低融点の金属を内
部配線材料として用いるのに必要な特性である。
回路基板として、所定の導体パターンが形成されたグリ
ーンシートを複数枚積層して一体焼成した多層回路基板
がある。この多層回路基板には、熱膨張係数がＳｉの
熱膨張係数（３５×１０- 7／℃前後）に近いこと、
機械的強度が高いこと、誘電率が低いこと、８００
〜１０００℃程度の低温で焼成できること等が要求され
ている。このうち、については厳しい温度環境下でも
Ｓｉチップとの良好な接続性を確保するために必要な特
性である。は多層回路基板に種々の電子部品や入出力
端子等を接続する工程上で基板に加わる応力から基板が
破壊したり、欠けを生じたりすることを防止するために
必要な特性である。は多層回路基板に設けられた電子
回路の信号伝播速度を速めるために必要な特性である。
は金，銀，銅等の配線抵抗が小さい低融点の金属を内
部配線材料として用いるのに必要な特性である。
【０００３】これらの特性を満たした多層回路基板を得
る為の多層回路基板用組成物として、特開平４−３２１
２５８号公報には５０〜９０重量％のＳｉＯ2 −Ａｌ2
Ｏ3−ＭｇＯ−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 系結晶性ガラスと、１
０〜５０重量％のアルミナからなるものが開示されてい
る。この多層回路基板用組成物の結晶ガラスは焼成後の
結晶相中にコージェライト相（２ＭｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3
・５ＳｉＯ2 ）が主に生成されるようにＳｉＯ2 、Ａｌ
2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＺｎＯおよびＢ2 Ｏ3 を所定の割合で
含んでおり、またコージェライト相が主に生成するよう
に焼成を行うものである。
る為の多層回路基板用組成物として、特開平４−３２１
２５８号公報には５０〜９０重量％のＳｉＯ2 −Ａｌ2
Ｏ3−ＭｇＯ−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 系結晶性ガラスと、１
０〜５０重量％のアルミナからなるものが開示されてい
る。この多層回路基板用組成物の結晶ガラスは焼成後の
結晶相中にコージェライト相（２ＭｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3
・５ＳｉＯ2 ）が主に生成されるようにＳｉＯ2 、Ａｌ
2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＺｎＯおよびＢ2 Ｏ3 を所定の割合で
含んでおり、またコージェライト相が主に生成するよう
に焼成を行うものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする問題点】回路基板におけるメ
タライズの接着強度は基板材料（磁器）の抗折強度に大
きく影響される。ガラス−セラミック基板におけるメタ
ライズの接着強度を評価した場合、メタライズと磁器の
界面における接合が充分であれば、その剥がれ形態はメ
タライズの接着している部分の磁器が破壊される、いわ
ゆる磁器剥がれとなる。よって、ガラス−セラミック基
板において、磁器の抗折強度が高いほどメタライズ強度
も高くなる。ところが、従来の基板の抗折強度はせいぜ
い２０ｋｇ／ｍｍ2 程度であり、このためメタライズ強
度も２ｋｇ／ｍｍ2 以下と非常に低いものであった。
タライズの接着強度は基板材料（磁器）の抗折強度に大
きく影響される。ガラス−セラミック基板におけるメタ
ライズの接着強度を評価した場合、メタライズと磁器の
界面における接合が充分であれば、その剥がれ形態はメ
タライズの接着している部分の磁器が破壊される、いわ
ゆる磁器剥がれとなる。よって、ガラス−セラミック基
板において、磁器の抗折強度が高いほどメタライズ強度
も高くなる。ところが、従来の基板の抗折強度はせいぜ
い２０ｋｇ／ｍｍ2 程度であり、このためメタライズ強
度も２ｋｇ／ｍｍ2 以下と非常に低いものであった。
【０００５】このようにメタライズの接着強度が低くな
ると、入出力端子部にリード線を接続させた場合や、メ
ッキ等の熱処理時にメタライズ部が剥がれ易くなり基板
の信頼性に問題が生じる。
ると、入出力端子部にリード線を接続させた場合や、メ
ッキ等の熱処理時にメタライズ部が剥がれ易くなり基板
の信頼性に問題が生じる。
【０００６】本発明は、基板の機械的強度を高めること
ができ、これにより、メタライズの接着強度を向上する
ことができるガラス−セラミック焼結体及びその製造方
法並びにガラス−セラミック基板を提供することを目的
とする。
ができ、これにより、メタライズの接着強度を向上する
ことができるガラス−セラミック焼結体及びその製造方
法並びにガラス−セラミック基板を提供することを目的
とする。
【０００７】
【問題点を解決するための手段】本発明者等は、上記の
ような問題点について鋭意検討した結果、所定の組成か
らなる結晶性ガラスとアルミナからなる組成物を９２５
〜１０００℃と従来よりも高い温度で焼成することによ
り、焼成時に液相からスピネル結晶相を生成してガラス
相を補強し、磁器の機械的強度を高めることができるこ
とを見出し、本発明に至った。
ような問題点について鋭意検討した結果、所定の組成か
らなる結晶性ガラスとアルミナからなる組成物を９２５
〜１０００℃と従来よりも高い温度で焼成することによ
り、焼成時に液相からスピネル結晶相を生成してガラス
相を補強し、磁器の機械的強度を高めることができるこ
とを見出し、本発明に至った。
【０００８】
【０００９】
【００１０】本発明のガラス−セラミック基板は、Ｓｉ
Ｏ2−Ａｌ2Ｏ3−ＭｇＯ−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系結晶性ガラ
スとアルミナとを含有する焼結体からなる絶縁体と、こ
の絶縁体中に内蔵された銅を主成分とする配線層とを有
するガラス−セラミック基板であって、前記絶縁体中に
は、ＭｇＡｌ2Ｏ4（但し、Ｍｇの一部がＺｎで置換され
たものも含む）で示されるスピネル結晶相が１０重量％
以上存在するとともに、前記配線層のメタライズ強度が
３ｋｇ／ｍｍ2以上であることを特徴とするものであ
る。
Ｏ2−Ａｌ2Ｏ3−ＭｇＯ−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系結晶性ガラ
スとアルミナとを含有する焼結体からなる絶縁体と、こ
の絶縁体中に内蔵された銅を主成分とする配線層とを有
するガラス−セラミック基板であって、前記絶縁体中に
は、ＭｇＡｌ2Ｏ4（但し、Ｍｇの一部がＺｎで置換され
たものも含む）で示されるスピネル結晶相が１０重量％
以上存在するとともに、前記配線層のメタライズ強度が
３ｋｇ／ｍｍ2以上であることを特徴とするものであ
る。
【００１１】ここで、スピネル結晶相を焼結体中に１０
重量％以上存在させたのは、１０重量％よりも少ない場
合には、磁器の強度が低下し、これに伴い、メタライズ
強度も低下するからである。このスピネル結晶相は、磁
器強度並びにメタライズ強度を向上させるという点から
焼結体中に１０〜４０重量％、特には１８〜３０重量％
含有することが望ましい。
重量％以上存在させたのは、１０重量％よりも少ない場
合には、磁器の強度が低下し、これに伴い、メタライズ
強度も低下するからである。このスピネル結晶相は、磁
器強度並びにメタライズ強度を向上させるという点から
焼結体中に１０〜４０重量％、特には１８〜３０重量％
含有することが望ましい。
【００１２】本発明におけるスピネル結晶相としては、
化学組成がＭｇＡｌ2 Ｏ4 で示されるスピネルを主とす
るものであるが、本発明では、このスピネルＭｇＡｌ2
Ｏ4のＭｇの一部をＺｎで置換したものも含まれる。さ
らに、焼結体中には、上記スピネル結晶以外にコーディ
ライトやその他の結晶を含んでも良い。
化学組成がＭｇＡｌ2 Ｏ4 で示されるスピネルを主とす
るものであるが、本発明では、このスピネルＭｇＡｌ2
Ｏ4のＭｇの一部をＺｎで置換したものも含まれる。さ
らに、焼結体中には、上記スピネル結晶以外にコーディ
ライトやその他の結晶を含んでも良い。
【００１３】ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −ＭｇＯ−ＺｎＯ−
Ｂ2 Ｏ3 系結晶性ガラスとしては、液相中にスピネル結
晶を生成させるために、例えば、ガラス中において、Ｓ
ｉＯ2 ４０〜４６重量％、Ａｌ2 Ｏ3 ２５〜３０重量
％、ＭｇＯ８〜１３重量％、ＺｎＯ６〜９重量％、Ｂ2
Ｏ3 ８〜１１重量％からなるものが使用され、特には、
ＳｉＯ2 が４２〜４５重量％、Ａｌ2 Ｏ3 ２７〜３０重
量％、ＭｇＯ１０〜１２重量％、ＺｎＯが７〜９重量
％、Ｂ2 Ｏ3 が９〜１０重量％からなるものが使用され
る。
Ｂ2 Ｏ3 系結晶性ガラスとしては、液相中にスピネル結
晶を生成させるために、例えば、ガラス中において、Ｓ
ｉＯ2 ４０〜４６重量％、Ａｌ2 Ｏ3 ２５〜３０重量
％、ＭｇＯ８〜１３重量％、ＺｎＯ６〜９重量％、Ｂ2
Ｏ3 ８〜１１重量％からなるものが使用され、特には、
ＳｉＯ2 が４２〜４５重量％、Ａｌ2 Ｏ3 ２７〜３０重
量％、ＭｇＯ１０〜１２重量％、ＺｎＯが７〜９重量
％、Ｂ2 Ｏ3 が９〜１０重量％からなるものが使用され
る。
【００１４】本発明においては、上記のような結晶性ガ
ラスを焼結体中６５〜９０重量％、アルミナを１０〜３
５重量％含有させることが望ましく、さらには、焼結体
中における結晶性ガラスは、７０〜８０重量％、アルミ
ナは２０〜３０重量％であることが望ましい。
ラスを焼結体中６５〜９０重量％、アルミナを１０〜３
５重量％含有させることが望ましく、さらには、焼結体
中における結晶性ガラスは、７０〜８０重量％、アルミ
ナは２０〜３０重量％であることが望ましい。
【００１５】このようなガラス−セラミック焼結体は、
例えば、前述した所定量のＳｉＯ2、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｍｇ
Ｏ、ＺｎＯ、Ｂ2 Ｏ3 からなる結晶性ガラス粉末と、セ
ラミックフィラーとしてのアルミナ粉末を所定量混合し
た後、所望によりバインダー，可塑剤，トルエン等の溶
媒を添加し、所定形状に成形し、非酸化性雰囲気中にお
いて、９２５〜１０００℃において０．１〜２．０時間
焼成することにより得られる。焼成温度は特には９５０
〜１０００℃が望ましい。非酸化性雰囲気とは、本発明
ではＮ2 ，Ｈ2 ，Ａｒ雰囲気やＨ2 Ｏを含有したＮ2 雰
囲気をいう。
例えば、前述した所定量のＳｉＯ2、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｍｇ
Ｏ、ＺｎＯ、Ｂ2 Ｏ3 からなる結晶性ガラス粉末と、セ
ラミックフィラーとしてのアルミナ粉末を所定量混合し
た後、所望によりバインダー，可塑剤，トルエン等の溶
媒を添加し、所定形状に成形し、非酸化性雰囲気中にお
いて、９２５〜１０００℃において０．１〜２．０時間
焼成することにより得られる。焼成温度は特には９５０
〜１０００℃が望ましい。非酸化性雰囲気とは、本発明
ではＮ2 ，Ｈ2 ，Ａｒ雰囲気やＨ2 Ｏを含有したＮ2 雰
囲気をいう。
【００１６】本発明においてスピネル結晶相をガラス中
に生成するには、焼成温度を９２５〜１０００℃とする
ことが重要である。また、結晶性ガラス粉末の組成を上
記のように設定したり、昇温速度を１００〜６００℃／
ｈとすることにより、スピネル結晶相がさらに生成し易
くなる。昇温速度は１００〜３００℃／ｈであることが
望ましい。
に生成するには、焼成温度を９２５〜１０００℃とする
ことが重要である。また、結晶性ガラス粉末の組成を上
記のように設定したり、昇温速度を１００〜６００℃／
ｈとすることにより、スピネル結晶相がさらに生成し易
くなる。昇温速度は１００〜３００℃／ｈであることが
望ましい。
【００１７】尚、ボールミル等で粉砕混合する場合に
は、酸化カルシウム，酸化クロム，酸化コバルト，酸化
マグネシウム，シリカ，酸化マンガン，酸化鉄が混入す
る場合があるが、焼結体中にスピネル結晶が１０重量％
以上生成するものであれば、何ら問題はない。
は、酸化カルシウム，酸化クロム，酸化コバルト，酸化
マグネシウム，シリカ，酸化マンガン，酸化鉄が混入す
る場合があるが、焼結体中にスピネル結晶が１０重量％
以上生成するものであれば、何ら問題はない。
【００１８】
【作用】本発明のガラス−セラミック基板は、ガラス中
にＭｇＡｌ2Ｏ4（但し、Ｍｇの一部がＺｎで置換された
ものも含む）で示されるスピネル結晶相を１０重量％以
上析出させることにより、基板の抗折強度を高め、メタ
ライズの接着強度を向上することができる。
にＭｇＡｌ2Ｏ4（但し、Ｍｇの一部がＺｎで置換された
ものも含む）で示されるスピネル結晶相を１０重量％以
上析出させることにより、基板の抗折強度を高め、メタ
ライズの接着強度を向上することができる。
【００１９】また、ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −ＭｇＯ−Ｚ
ｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 系結晶性ガラスとアルミナとを含有する
混合粉末にバインダーを添加した後、所定形状に成形
し、非酸化性雰囲気中において９２５〜１０００℃で焼
成することにより、スピネル結晶相を焼結体中の１０重
量％以上析出させることが可能となる。
ｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 系結晶性ガラスとアルミナとを含有する
混合粉末にバインダーを添加した後、所定形状に成形
し、非酸化性雰囲気中において９２５〜１０００℃で焼
成することにより、スピネル結晶相を焼結体中の１０重
量％以上析出させることが可能となる。
【００２０】
【実施例】先ず、ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −ＭｇＯ−Ｚｎ
Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 系結晶性ガラス（ＳｉＯ2 ４４重量％、Ａ
ｌ2 Ｏ3 ２９重量％、ＭｇＯ１１重量％、ＺｎＯ７重量
％、Ｂ2 Ｏ3 ９重量％）粉末とアルミナ粉末を、表１の
組成に従い混合した。そして、この混合物にバインダ
ー、可塑剤、トルエンを添加し、ドクターブレード法に
より厚さ３００μｍのグリーンシートを作成した。そし
て、このグリーンシートに銅を主成分とするペーストを
印刷したものを４〜２０層積層し、得られた積層体を湿
潤窒素中７００℃で脱バインダーした後、乾燥した窒素
雰囲気中で表１の条件において焼成し、ガラス−セラミ
ック多層回路基板を得た。
Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 系結晶性ガラス（ＳｉＯ2 ４４重量％、Ａ
ｌ2 Ｏ3 ２９重量％、ＭｇＯ１１重量％、ＺｎＯ７重量
％、Ｂ2 Ｏ3 ９重量％）粉末とアルミナ粉末を、表１の
組成に従い混合した。そして、この混合物にバインダ
ー、可塑剤、トルエンを添加し、ドクターブレード法に
より厚さ３００μｍのグリーンシートを作成した。そし
て、このグリーンシートに銅を主成分とするペーストを
印刷したものを４〜２０層積層し、得られた積層体を湿
潤窒素中７００℃で脱バインダーした後、乾燥した窒素
雰囲気中で表１の条件において焼成し、ガラス−セラミ
ック多層回路基板を得た。
【００２１】得られた多層回路基板について、抗折強
度、結晶量、メタライズ強度を測定した。抗折強度は、
ＪＩＳ−１６０１に準拠して３点曲げ試験により測定
し、結晶量については、標準物質と各結晶相を混合した
試料についてＸ線回折による検量線を作成し、この検量
線に基づき、焼結体中における各結晶相のピーク強度比
より結晶量を測定した。メタライズ強度は、焼成後の寸
法が直径２ｍｍになるように銅を主成分とするペースト
を印刷し、表１に記載した条件で焼成した後、銅メタラ
イズ部に半田を用いてリード線を接合し、荷重２０ｍｍ
／ｍｉｎの条件で垂直引っ張り試験を行い、メタライズ
強度を測定した。結果を表１に示す。
度、結晶量、メタライズ強度を測定した。抗折強度は、
ＪＩＳ−１６０１に準拠して３点曲げ試験により測定
し、結晶量については、標準物質と各結晶相を混合した
試料についてＸ線回折による検量線を作成し、この検量
線に基づき、焼結体中における各結晶相のピーク強度比
より結晶量を測定した。メタライズ強度は、焼成後の寸
法が直径２ｍｍになるように銅を主成分とするペースト
を印刷し、表１に記載した条件で焼成した後、銅メタラ
イズ部に半田を用いてリード線を接合し、荷重２０ｍｍ
／ｍｉｎの条件で垂直引っ張り試験を行い、メタライズ
強度を測定した。結果を表１に示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】この表１より、本発明の試料では抗折強度
が２５ｋｇ／ｍｍ2 以上であり、これに伴いメタライズ
強度も３ｋｇ／ｍｍ2 以上と優れた特性を示した。これ
に対して、比較例では、抗折強度が低いため、メタライ
ズ強度が低くなった。
が２５ｋｇ／ｍｍ2 以上であり、これに伴いメタライズ
強度も３ｋｇ／ｍｍ2 以上と優れた特性を示した。これ
に対して、比較例では、抗折強度が低いため、メタライ
ズ強度が低くなった。
【００２４】また、本発明者等は、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ
3 ，ＭｇＯ，ＺｎＯ，Ｂ2 Ｏ3 を上記組成の範囲内で変
化させた結晶性ガラスと、アルミナによりガラス−セラ
ミック焼結体を作製し、上記のように抗折強度等につい
て測定したところ、上記のように９２５℃以上の温度で
焼成した場合にはガラス中にスピネル結晶相が焼結体に
対して１０重量％以上析出し、抗折強度が２５ｋｇ／ｍ
ｍ2 以上と向上し、メタライズ強度が３ｋｇ／ｍｍ2 以
上と高くなることを確認した。
3 ，ＭｇＯ，ＺｎＯ，Ｂ2 Ｏ3 を上記組成の範囲内で変
化させた結晶性ガラスと、アルミナによりガラス−セラ
ミック焼結体を作製し、上記のように抗折強度等につい
て測定したところ、上記のように９２５℃以上の温度で
焼成した場合にはガラス中にスピネル結晶相が焼結体に
対して１０重量％以上析出し、抗折強度が２５ｋｇ／ｍ
ｍ2 以上と向上し、メタライズ強度が３ｋｇ／ｍｍ2 以
上と高くなることを確認した。
【００２５】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のガラス−セ
ラミック焼結体及び基板では、ガラス中にスピネル結晶
相を焼結体中の１０重量％以上析出させることにより、
焼結体の抗折強度が２５ｋｇ／ｍｍ2 以上と高くなり、
これに伴いメタライズの接着強度を３ｋｇ／ｍｍ2 以上
と向上することができる。また、ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3
−ＭｇＯ−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 系結晶性ガラスとアルミナ
とを含有する混合粉末にバインダーを添加した後、所定
形状に成形し、非酸化性雰囲気中において９２５〜１０
００℃で焼成することにより、ガラスにスピネル結晶相
を１０重量％以上析出させることができる。
ラミック焼結体及び基板では、ガラス中にスピネル結晶
相を焼結体中の１０重量％以上析出させることにより、
焼結体の抗折強度が２５ｋｇ／ｍｍ2 以上と高くなり、
これに伴いメタライズの接着強度を３ｋｇ／ｍｍ2 以上
と向上することができる。また、ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3
−ＭｇＯ−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 系結晶性ガラスとアルミナ
とを含有する混合粉末にバインダーを添加した後、所定
形状に成形し、非酸化性雰囲気中において９２５〜１０
００℃で焼成することにより、ガラスにスピネル結晶相
を１０重量％以上析出させることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−321258（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−138357（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C04B 35/18
Claims (1)
- 【請求項１】ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−ＭｇＯ−ＺｎＯ−Ｂ2
Ｏ3系結晶性ガラスとアルミナとを含有する焼結体から
なる絶縁体と、この絶縁体中に内蔵された銅を主成分と
する配線層とを有するガラス−セラミック基板であっ
て、前記絶縁体中には、ＭｇＡｌ2Ｏ4（但し、Ｍｇの一
部がＺｎで置換されたものも含む）で示されるスピネル
結晶相が１０重量％以上存在するとともに、前記配線層
のメタライズ強度が３ｋｇ／ｍｍ2以上であることを特
徴とするガラス−セラミック基板。
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