KR100317238B1 - 가열로 온도검출용 스파이크 열전대 소자_ - Google Patents

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Abstract

목적: 본 발명은 본 발명은 가열로의 온도검출에 사용되는 스파이크 열전대 소자를 제공한다.
구성: 선단부에 2종 금속의 접합으로 측온접점부가 형성된 열전대 소선(素線)과, 상기 열전대 소선을 내재하는 장방형의 보호관과, 상기 보호관을 고정하며 상기 열전대 소선의 외부 배선을 위한 복수의 단자가 형성된 단자함과, 상기 보호관의 선단부에 배치되어 슬라이딩 이동되며 측정 포지션의 열팽창을 고려하여 미리 설정한 유격거리만큼 상기 보호관의 선단부에 이격거리를 부여하는 이격체와, 상기 이격체를 상기 유격거리만큼 보호관으로부터 탄지하는 탄지수단을 구비하는 것이 특징이다.
효과: 종래와 같은 측정 포지션의 열팽창을 고려한 유격을 줄 필요가 없어 열전대 소자의 설치시간을 단축할 수 있으면서도, 상기 측정 포지션의 열팽창 이동에 대응하여 정밀한 온도검출이 가능한 동시에 보호관 및 열전대 소선의 변형 및 손상이 방지된다.

Description

가열로 온도검출용 스파이크 열전대 소자
본 발명은 가열로의 온도검출에 사용되는 스파이크 열전대 소자에 관한 것으로, 특히 가열로에 장착할 때에 측정포지션의 열팽창을 고려한 별도의 유격 조절을 행하지 않고 장착할 수 있으면서도, 측정포지션의 열팽창시에 열전대 소선 및 보호관이 손상 및 변형되지 않도록 개선된 구조를 갖는 가열로 온도검출용 스파이크 열전대 소자에 관한 것이다.
반도체 제조공정에 있어서, 로(furnance)의 온도를 제어하면서 행하는 공정은 대단히 많으며, 특히 확산 공정이나 화학기상증착 공정은 가열로에 조성되는 온도 의존도가 매우 높다.
확산 및 감압 화학기상증착의 공정에 사용되는 설비는 동일하게 가열로, 가스컨트롤계, 진공배기계로 구성되는 것이 일반적이다.
가열로는 수평형과 수직형의 것이 사용되고 있으며, 이들은 모두 균일성, 재현성, 양산성을 목표로 하여 제작되나, 각각이 갖는 장단점을 고려하여 공정조건에 맞게 채택되어 이용되고 있다.
도 1 은 본 발명이 적용되는 일반적인 수직 가열로의 구조 단면도로서, 가열로 측벽은 전원을 공급받아 고온을 발산하는 히터 블럭(4a)과 SiC 라이너(4b)로 구성되고, 그 내부로 단열 처리되어 적정한 온도구배와 외부로의 온도 방출을 차단하는 석영 튜브(6)가 배치되고, 상기 석영 튜브(6)의 하부에서 웨이퍼(WF)를 적재한 보트(BT)를 석영 튜브(6) 내로 이송하기 위하여 상기 석영 튜브(6) 및 히터 블럭(4a)의 하부에 로더(LD)가 설치된다. 이러한 설비 구조에 의해 구현되는 감압 화학기상증착 공정은 가열로(진공로)를 고열로 가열하는 동시에 석영 튜브(6)의 내압을 감압시켜 진공 상태로 공정 분위기를 조성한 후, 일정 압력의 반응가스를 석영 튜브(6) 내로 유입시켜 반응체인 웨이퍼(WF)와 서로 반응되게 함으로써 웨이퍼(WF) 위에 침적되는 반응물질에 의해 소망의 막을 형성한다.
이와 같이 화학기상증착이나 확산과 같이 온도 의존도가 높은 공정을 행하는 가열로에는 안정한 반응 특성을 위해 온도제어 시스템이 필수적으로 구비된다.
온도제어 시스템은 공정에 필요한 최적의 온도 프로파일을 성취하기 위해 가열로에 설치되는 다수의 열전대 소자(TC)를 포함한다.
상기 열전대 소자(TC)는 가열로의 온도를 검출하여 온도콘트롤러(미도시)로 피드백시킴으로써 상기 히터 블럭(4a)의 발열량 제어의 기초신호로 활용하게 되며, 이에 따라 석영 튜브(6) 내부를 설정 온도로 유지시킬 수 있게 되는 것이다.
열전대 소자(TC)는 주로 스파이크형의 것이 사용되며, 상기 스파이크 열전대 소자(TC)의 단부는 가열로 측벽에 형성된 장착홀(8)로 장입되어 석영 튜브(6)와 인접 설치된다.
스파이크 열전대 소자(TC)는 도 2 에 도시된 바와같이 단부에 2종 금속이 접합되어 측온접점부(22a)를 형성하는 열전대 소선(素線;22)이 보호관(24)에 피복되고, 상기 보호관(24)은 단자함(30)의 선단부 내측으로 몰딩되며, 상기 단자함(30)의 후단부는 상기 열전대 소선(22)과 연결되는 두 개의 단자(71,72)가 설치되는 구조이다.
상기 열전대 소선(22)의 측온접점부(22a)는 온도차에 따라 열기전력이 발생되는 소위, 제어백 효과에 의해서 상기 단자(71,72)로 검출전류가 흐르게 된다.
그러나, 상기 스파이크 열전대 소자(TC)는 보호관(24)의 단부를 측정 포지션인 석영 튜브(6)의 외벽에 밀착되게 설치하는 경우, 설치시에 비해 온도가 상승한 공정 조건에서 석영 튜브(6)는 열팽창 계수만큼 바깥쪽으로 팽창되어 열전대 소자(TC)의 보호관(24)을 밀게 된다. 이에 따라, 스파이크 열전대 소자(TC)는 보호관(24) 및 그 내부의 열전대 소선(22)에 변형 및 손상이 가해져 제 기능을 상실하게 된다.
이러한 석영 튜브(6)의 열팽창에 대응하기 위한 종래의 기술은 대한민국 실용신안 공개 제 96-6296 호와, 동 출원인에 의한 대한민국 특허 출원 제 98-42518 호를 예로 들수 있다.
이들 인용예 중, 전자는 도 3a 내지 도 3d 와 같이 열전대 소자(TC1)의 길이를 조절하여 장착할 수 있도록 스토퍼를 갖추게 개량한 것으로, 이는 2개의 스토퍼(ST1,ST2)을 사용하는 방법으로 이용되어지고 있다.
이는, 제 1 단계로서 도 3a 에 도시된 바와 같이 장착 포지션인 히터블럭(4a)에 결합된 제 1 스토퍼(ST1)의 렌찌나사(132)를 풀어 주어 열전대 소자(TC1)를 유동시킬 수 있도록 해정(①)한 상태에서 상기 열전대 소자(TC1)의 보호관(124) 단부를 측정 포지션인 석영 튜브(6)에 밀착(②)시킨다. 다음, 제 2 단계로서 도 3b 에 도시된 바와 같이 상기 제 1 스토퍼(ST1)에 제 2 스토퍼(ST2)를 밀착시킨 상태(③)에서 제 2 스토퍼(ST2)의 렌찌나사(134)를 조여주어 상기 열전대 소자(TC1)의 단자함(130)에 고정시켜 열전대 소자(TC1)를 쇄정(④)한다. 이어서, 제 3 단계로서 도 3c 에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 스토퍼(ST1)와 제 2 스토퍼(ST2)의 사이의 이격거리(d2)는 상기 석영 튜브(6)의 열팽창을 고려하여 석영 튜브(6)의 외벽과 보호관(124)의 단부 사이에 주려고 하는 소망의 유격거리(d1)에 상응하게 버어니어 캘리퍼스 등의 측정기를 이용하여 조절(⑤)하고, 상기 제 1 스토퍼(130)의 렌찌나사(132)를 조여주어 상기 열전대 소자(TC1)의 단자함(130)을 고정(⑥)시킨다. 다음, 제 4 단계로서 도 3d 에 도시된 바와같이 제 2 스토퍼(ST2)의 렌찌나사(134)를 소량 풀어 준 다음 상기 제 2 스토퍼(ST2)의 후면을 상기 제 1 스토퍼(ST1)의 전면에 밀착(⑦)시키고 다시 제 2 스토퍼(ST2)의 렌찌나사(134)를 조여주어(⑧) 열전대 소자(TC1)의 고정을 완료한다.
이러한 유격 조절에 의한 열전대 소자(TC1)의 장착방법은 작업자 개인마다의 감각 차이에 의해 일관성 있게 조립되지 못하기 때문에 공정 조건의 온도 프로파일에 대한 정상적인 제어가 어렵다. 이는 생산 제품의 피해, 보수를 위한 작업 인원 및 시간적 손실, 및 부품의 보전비 증가 등의 문제점으로 파급되어 나타나게 된다.
한편, 상기 설시된 인용예 중, 후자의 열전대소자(TC2)는 도 4 에 도시된 바와같이, 2종 금속의 접합으로 측온접점부(222a)를 형성하는 열전대 소선(222), 상기 열전대 소선(222)의 형태를 유지하면서 내부 수용하는 보호관(224), 상기 보호관(224)의 외주연에 소정위치로 결합되는 코어(260), 상기 보호관(224)이 출입되는 중앙홀(246)의 내부로 상기 코어(260)를 슬라이딩 가능하게 내재하기 위한 공간(242)이 형성된 단자함(230), 외부 배선을 위해 상기 단자함(230)에 후면에 설치되며 상기 열전대 소선(222)과 연결되는 복수의 단자(271,272), 및 상기 공간(242)의 단부와 상기 코어(260)의 사이에 개재되어 상기 코어(260)를 탄지하는 탄지수단(280)으로 구성하여, 상기 석영 튜브(6)의 열팽창에 대응하여 보호관(224)이 신축될 수 있게 개량하였다.
그러나, 이러한 구조로 개량된 스파이크 열전대 소자(TC2)는 석영튜브(6)의 열팽창 및 수축에 의한 보호관(224)의 반복적인 신축에 따라 열전대 소선(222)의 보호관(224) 외부로 인출된 부분에 굴신운동에 의한 변형이 가해지게 되므로 열전대 소선(222)의 단선에 의한 제품의 수명단축의 우려가 크다.
이러한 종래의 제반 문제점을 해결하기 위해 안출된 본 발명은 가열로에 장착할 때에 측정포지션의 열팽창을 고려한 별도의 유격 조절을 행하지 않고 장착할 수 있도록 함으로써 작업자 개인마다의 감각 차이에 기인한 온도검출의 오차를 배제할 수 있으면서도, 측정포지션의 열팽창시에도 열전대 소선 및 보호관이 보호되는 가열로 온도검출용 스파이크 열전대 소자를 제공함에 목적이 있다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따르면, 선단부에 2종 금속의 접합으로 측온접점부가 형성된 열전대 소선(素線)과, 상기 열전대 소선을 내재하는 장방형의 보호관과, 상기 보호관을 고정하며 상기 열전대 소선의 외부 배선을 위한 복수의 단자가 형성된 단자함과, 상기 보호관의 선단부에 배치되어 슬라이딩 이동되며 측정 포지션의 열팽창을 고려하여 미리 설정한 유격거리만큼 상기 보호관의 선단부에 이격거리를 부여하는 이격체와, 상기 이격체를 상기 유격거리만큼 보호관으로부터 탄지하는 탄지수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 가열로 온도 검출용 스파이크 열전대 소자가 제공된다.
이와같이 구성되는 본 발명의 스파이크 열전대 소자는 이격체의 선단부를 가열로 내부의 측정 포지션인 석영튜브 외벽에 접촉시킨 상태로 장착하는 것이 올바은 장착방법이며, 이에 따라 종래와 같은 측정 포지션의 열팽창을 고려한 유격을 줄 필요가 없어 열전대 소자의 설치시간을 단축할 수 있으면서도, 상기 측정 포지션의 열팽창 이동에 대응하여 정밀한 온도검출이 가능한 동시에 보호관 및 열전대 소선의 변형 및 손상이 방지된다.
여기에서, 상기 이격체는 상기 보호관의 외주면에 형합되는 내주면의 중공을 갖추어 보호관의 선단부로부터 장입되는 제 2 보호관으로 형성되어지되, 상기 제 2 보호관의 선단부에는 통기구가 마련되어 제 1 보호관의 선단부와 제 2 보호관의 선단부의 사이에 형성된 공간의 공기압을 대기상태로 조절할 수 있도록 한다.
또한, 상기 단자함은 상기 보호관의 후단부 외주면에 형성된 코어, 상기 제 2 보호관의 후단부 및 상기 코어의 사이에 상기 탄지수단을 개설한 채로 수용하기 위한 공간이 마련된 코어 격납부, 상기 코어 격납부와 결합되는 단자함바디, 및 상기 복수의 단자가 설치되는 단자판으로 구성되어지되, 상기 코어 격납부와 단자함바디는 분해조립되는 구조를 갖는다.
상기 탄지수단은 내열성 금속으로 형성된 압축코일 스프링을 사용하여 상기 코어와 상기 제 2 보호관의 사이에 개설하여 상기 제 2 보호관을 탄지하도록 구성한다.
도 1 은 본 발명이 적용되는 일반적인 수직 가열로 및 열전대 소자의 설치상태를 보인 구조도
도 2 는 일반적인 스파이크 열전대 소자의 외형을 보인 정면도
도 3a 내지 도 3d 는 종래의 스파이크 열전대 소자의 유격조절방법을 설명하기 위한 장착 순서도
도 4 는 종래의 다른 스파이크 열전대 소자의 구조를 보인 단면도
도 5a 및 도 5b 는 각각 본 발명의 실시예에 의한 스파이크 열전대 소자의 두가지 동작상태를 보인 단면도
도 6 은 본 발명의 실시예에 의한 스파이크 열전대 소자의 분해상태 사시도
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
4a - 히터블록 4b - SiC 라이너
6 - 석영튜브 TC(TC1,TC2,TC3) - 열전대 소자
322 - 열전대 소선 324,326 - 보호관
330 - 단자함 340 - 코어격납부
350 - 단자함바디 360 - 코어
370 - 단자판 380 - 스프링
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다.
도 5a 및 도 5b 는 각각 본 발명의 실시예에 의한 스파이크 열전대 소자의 두가지 동작상태를 보인 단면도로서, 도 5a 는 이격체의 신장된 상태, 도 5b 는 이격체의 축소된 상태를 보여주고 있다.
본 발명의 스파이크 열전대 소자(TC3)는 선단부에 2종 금속의 접합으로 측온접점부(322a)를 형성하고 있는 열전대 소선(322)이 장방형의 원기둥형 보호관(324)에 몰입되고, 상기 보호관(324)이 코어(360)에 몰딩된 채로 단자함(330)을 이루는 코어격납부(340) 내부의 제한된 공간(342)에 수용되는 구조로 된다.
본 발명의 실시예는 열전대 소자(TC3)의 용이한 조립을 위해, 상기 코어 격납부(340)의 후단부 내주면에 너트부(344)가 형성되고, 단자함(330)을 이루는 단자함바디(340)의 선단부 외주면에 상기 너트부(344)와 계합되는 볼트부(354)가 형성되어 서로 조립 분해되도록 하고 있으며, 상기 너트부(344)와 볼트부(354)의 결합에 의해 형성된 코어격납부(340)의 내부 공간(342)에는 상기 코어(360)가 수용되어 상기 단자함바디(350)의 볼트부(354) 선단부에 의해 그 이동이 규제되는 구조를 취하게 된다.
또한, 상기 보호관(이하, 제 1 보호관;324)은 이격체로 정의한 제 2 보호관(326)의 내부 중공으로 장입되며, 이때 상기 제 2 보호관(326)의 내주면은 상기 제 1 보호관(324)의 외주면에 형합되게 형성되어 상기 제 2 보호관(326)이 상기 제 1 보호관(324)에 대해 적당한 마찰압력으로 슬라이딩될 수 있도록 한다. 여기에서, 상기 마찰압력은 작을수록 유리하나 상기 제 2 보호관(326)의 흔들림 유동이 발생하지 않도록 한다.
이와 같이 제 1 보호관(324)이 제 2 보호관(326)의 내경으로 장입될 경우, 상기 제 2 보호관(326)의 선단부 내주면과 제 2 보호관(326)의 선단부 외주면 사이에는 소정의 공간(328)이 형성되어지는데, 본 발명의 실시예에서는 이 공간(328)에 작용하는 공기압의 영향에 의해서 제 2 보호관(326)의 슬라이딩 이동에 지장이 초래되는 것을 배제하도록 상기 제 2 보호관(326)의 선단부에 통기구(326a)가 형성되어 내부 공기압을 대기압으로 조절할 수 있도록 하고 있다.
또, 상기 제 2 보호관(326)은 코어격납부(340)의 내부 공간(342)에 구비된 탄지수단인 압축코일형 스프링(380)에 탄지되며, 이때 스프링(380)에 접하는 제 2 보호관(326)의 후단부에는 규제턱(326b)이 형성된다.
아울러, 상기 제 2 보호관(326)은 제 1 보호관(324)과 동일 재질인 쿼츠로 형성되어 측정 포지션으로부터 발생된 열을 적당한 온도구배로 열전대 소선(322)의 측온접점부에 전달함으로써 정밀한 온도 검출을 행할 수 있도록 한다.
또, 상기 코어(360) 및 코어격납부(340) 단자함바디(350)는 내열성 수지로 형성하여 가열로의 온도조건에 견딜 수 있도록 한다.
그리고, 상기 단자함바디(350)의 후단부에는 상기 열전대 소선(322)의 외부배선을 위한 단자(371,372)를 갖춘 단자판(370)이 부착된다.
한편, 상기 제 1 보호관(324)의 선단부 외주면과 제 2 보호관(326)의 선단부 내주면 사이에 형성된 공간(328)의 최대 신장거리(d3)와 제 2 보호관(326)의 슬라이딩 거리(d4)는 가열로의 측정 포지션의 열팽창을 고려하여 미리 설정할 유격 거리와도 동일하게 맞추어 줌이 바람직하다.
이는 열전대 소자(TC3)의 가열로 장착시에, 작업자가 유격거리를 별도로 조절하지 않고 간편하게 작업할 수 있도록 하기 위한 것으로, 본 실시예에서 이 유격거리는 코어격납부(322) 내의 공간 거리, 즉 상기 규제턱(326b)과 코어(360) 사이의 최대거리로부터 상기 스프링(380)이 압축된 상태의 규제턱(326b)과 코어(360) 사이의 거리를 감산한 거리이다.
이러한 구조로 된 본 발명의 스파이크 열전대 소자(TC3)는 다음과 같은 과정으로 조립할 수 있다. 도 6 에 도시된 바와 같이, 코어(360)에 몰딩된 상태인 제 1 보호관(324)의 후단부에 인출된 열전대 소선(322)을 단자함바디(350)의 중앙에 형성된 중앙홀(352)을 통해 단자판(370)의 단자(371,372)에 연결하고, 제 1 보호관(324)의 외경에 탄지수단으로 정의한 스프링(380)을 삽입한 후 제 1 보호관(324)을 선단부로부터 제 2 보호관(326)에 장입하며, 이어서 제 2 보호관(326)을 코어격납부(340)의 중앙홀(346)에 삽입한 상태에서 코어격납부(340)의 너트부(344)와 단자함바디(350)의 볼트부(354)를 체결함으로써 조립을 완료한다.
이와 같이 조립 제작되는 본 발명의 스파이크 열전대 소자는 종래의 스파이크 열전대 소자(TC1,TC2)와 동일하게 도 1에서 설명한 히터 블럭(4a)과 SiC 라이너(4b)로 이루어진 가열로 측벽의 장착홀(8)에 장착하여 가열로 내부의 석영 튜브(6)에 조성된 공정 온도를 검출하는데 사용할 수 있다. 좀더 상세하게, 스파이크 열전대 소자(TC3)는 가열로 내부의 온도를 전기적 신호로 검출하여 미도시된 온도콘트롤러로 피드백시킴으로써, 이 신호를 상기 가열로 측벽을 이루는 히터 블럭(4a)의 발열량 제어를 위한 기초신호로 활용하게 되며, 이에 따라 공정이 행해지는 가열로의 석영 튜브(6) 내부 온도를 설정값으로 유지시킬 수 있게 되는 것이다.
이를 위하여 상기 열전대 소자(TC3)는 가열로 측벽에 장착할 때, 이격체로 정의한 제 2 보호관(326)의 선단부를 측정 포지션인 석영튜브(6)의 외벽에 밀착하여 장착하는 것이 올바른 설치방법이며, 이 설치방법에 의해서 종래보다 개선되는 실질적인 작용효과는 다음과 같다.
즉, 작업자는 제 2 보호관(326)의 단부를 석영튜브(6)의 외벽에 밀착시킨 상태에서 고정시키는 간단한 작업에 의해서 스파이크 열전대 소자(TC3)를 가열로에 장착할 수 있으므로, 종래 기술에서 설명한 스토퍼에 의해 유격을 조절하여 장착하던 열전대 소자(TC1)에 비해 작업시간과 노고를 줄일 수 있게 된다.
이와 같이 간편하게 장착할 수 있는 본 발명의 스파이크 열전대 소자(TC3)는 가열로 내부의 공정 진행에 따라 측정 포지션인 석영튜브(6)가 열팽창되어 제 2 보호관(326)에 압력을 가하게 되더라도, 상기 제 2 보호관(326)이 가압력에 의해 스프링(380)을 축소하면서 후진하게 되므로 상기 석영튜브(6)의 열팽창에 의한 압력이 제 1 보호관(324)에 영향을 끼치지 않게 된다. 따라서, 본 발명의 열전대 소자(TC3)는 상기 석영튜브(6)의 열팽창 이동시에도 제 1 보호관(324) 및 열전대 소선(322)이 변형 및 손상으로부터 보호될 수 있는 것이고, 이로 인해 스프링이 채용된 종래의 열전대 소자(TC2)와 비교하여서는 열전대 소선(322)의 굴신에 의한 변형을 개선할 수 있게 된다.
한편, 공정을 통해 형성하고자 하는 막질의 종류가 다르거나 막의 두께가 변경되는 등, 공정 조건의 변화로 인해 가열로의 공정 온도를 내릴 경우, 열팽창되었던 석영튜브(6)는 수축되어진다. 이때에, 본 발명의 스파이크 열전대 소자(TC3)는 제 2 보호관(326)이 스프링(380)에 의해 신장되면서 석영튜브(6)의 외벽에 밀착된 상태를 유지한 채로 석영튜브(6)의 온도를 검출하게 되므로 석영튜브(6)의 열팽창과는 무관하게 정밀한 온도 검출 상태를 유지할 수 있게 것이다.
이상에서 설명한 바와같이 본 발명의 스파이크 열전대 소자는 이격체로 정의한 제 2 보호관이 측정포지션인 석영튜브의 열팽창 이동에 따라 신축되어지므로, 가열로 내 공정 조건의 조성을 위한 정밀한 온도 프로파일을 성공적으로 구현할 수 있게 되며, 설치작업시에 작업자마다의 개인 차이를 최대한 줄일 수 있고, 아울러 열전대 소선 및 보호관의 변형 및 손상을 방지할 수 있는 구조이므로 수명이 연장되는 유용한 효과가 있다.
한편, 본 발명은 특정의 바람직한 실시예에 국한하지 않고 청구범위에 기재된 기술적 권리 내에서는 당업계의 통상적인 지식에 의하여 다양한 응용이 가능함은 물론이다.

Claims (5)

  1. 선단부에 2종 금속의 접합으로 측온접점부가 형성된 열전대 소선(素線)과, 상기 열전대 소선을 내재하는 장방형의 보호관과, 상기 보호관을 고정하며 상기 열전대 소선의 외부 배선을 위한 복수의 단자가 형성된 단자함과, 상기 보호관의 선단부에 배치되어 슬라이딩 이동되며 측정 포지션의 열팽창을 고려하여 미리 설정한 유격거리만큼 상기 보호관의 선단부에 이격거리를 부여하는 이격체와, 상기 이격체를 상기 유격거리만큼 보호관으로부터 탄지하는 탄지수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 가열로 온도 검출용 스파이크 열전대 소자.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 이격체는 상기 보호관의 외주면에 형합되는 내주면의 중공을 갖추어 보호관의 선단부로부터 장입되는 제 2 보호관으로 형성되는 것을 특징으로 하는 가열로 온도 검출용 스파이크 열전대 소자.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 단자함은 상기 보호관의 후단부 외주면에 형성된 코어, 상기 제 2 보호관의 후단부 및 상기 코어의 사이에 상기 탄지수단을 개설한 채로 수용하기 위한 공간이 마련된 코어 격납부, 상기 코어 격납부와 결합되는 단자함바디, 및 상기 복수의 단자가 설치되는 단자판으로 구성되어지되, 상기 코어 격납부와 단자함바디는 분해조립되는 구조로 된 것을 특징으로 하는 가열로 온도 검출용 스파이크 열전대 소자.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 탄지수단은 내열성 금속으로 형성된 압축코일 스프링을 사용하여 상기 코어와 상기 제 2 보호관의 사이에 개설함으로써 상기 제 2 보호관을 탄지하도록 된 것을 특징으로 하는 가열로 온도검출용 스파이크 열전대 소자.
  5. 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 보호관의 선단부에는 통기구가 마련되어 제 1 보호관의 선단부와 제 2 보호관의 선단부의 사이에 형성된 공간의 공기압을 대기상태로 조절할 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 가열로 온도 검출용 스파이크 열전대 소자.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100786230B1 (ko) 2006-03-22 2007-12-17 두산메카텍 주식회사 유기박막 증착용 도가니의 열감지 장치 및 이를 구비한도가니 장치
KR101159741B1 (ko) * 2009-09-28 2012-06-28 현대제철 주식회사 슬라브 표면온도 측정장치
KR102400351B1 (ko) * 2021-12-01 2022-05-20 (주)센테크이엔지 진동 완충기능을 구비한 온도센서용 센서봉

Families Citing this family (318)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7874726B2 (en) 2007-05-24 2011-01-25 Asm America, Inc. Thermocouple
US20090052498A1 (en) * 2007-08-24 2009-02-26 Asm America, Inc. Thermocouple
US7946762B2 (en) 2008-06-17 2011-05-24 Asm America, Inc. Thermocouple
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US9297705B2 (en) 2009-05-06 2016-03-29 Asm America, Inc. Smart temperature measuring device
US8382370B2 (en) 2009-05-06 2013-02-26 Asm America, Inc. Thermocouple assembly with guarded thermocouple junction
KR101038636B1 (ko) * 2009-07-17 2011-06-03 손윤호 안전핀형 전자식 측정장치
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
USD702188S1 (en) 2013-03-08 2014-04-08 Asm Ip Holding B.V. Thermocouple
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102613349B1 (ko) 2016-08-25 2023-12-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
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US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
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US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
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US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
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USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
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USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN116539175A (zh) * 2022-12-09 2023-08-04 中国建材国际工程集团有限公司 一种锡液测温装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0490933A (ja) * 1990-08-02 1992-03-24 Nissan Motor Co Ltd 車両用定速走行装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0490933A (ja) * 1990-08-02 1992-03-24 Nissan Motor Co Ltd 車両用定速走行装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100786230B1 (ko) 2006-03-22 2007-12-17 두산메카텍 주식회사 유기박막 증착용 도가니의 열감지 장치 및 이를 구비한도가니 장치
KR101159741B1 (ko) * 2009-09-28 2012-06-28 현대제철 주식회사 슬라브 표면온도 측정장치
KR102400351B1 (ko) * 2021-12-01 2022-05-20 (주)센테크이엔지 진동 완충기능을 구비한 온도센서용 센서봉

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KR20000031098A (ko) 2000-06-05

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