KR0165467B1 - 웨이퍼 디본더 및 이를 이용한 웨이퍼 디본딩법 - Google Patents

웨이퍼 디본더 및 이를 이용한 웨이퍼 디본딩법 Download PDF

Info

Publication number
KR0165467B1
KR0165467B1 KR1019950039045A KR19950039045A KR0165467B1 KR 0165467 B1 KR0165467 B1 KR 0165467B1 KR 1019950039045 A KR1019950039045 A KR 1019950039045A KR 19950039045 A KR19950039045 A KR 19950039045A KR 0165467 B1 KR0165467 B1 KR 0165467B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
stage
debonding
debonder
liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
KR1019950039045A
Other languages
English (en)
Other versions
KR970023665A (ko
Inventor
차기호
이병훈
Original Assignee
김광호
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019950039045A priority Critical patent/KR0165467B1/ko
Priority to JP8282601A priority patent/JPH09167724A/ja
Priority to US08/742,938 priority patent/US5783022A/en
Publication of KR970023665A publication Critical patent/KR970023665A/ko
Priority to US09/067,821 priority patent/US5863375A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR0165467B1 publication Critical patent/KR0165467B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B43/00—Operations specially adapted for layered products and not otherwise provided for, e.g. repairing; Apparatus therefor
    • B32B43/006—Delaminating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B26—HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
    • B26D—CUTTING; DETAILS COMMON TO MACHINES FOR PERFORATING, PUNCHING, CUTTING-OUT, STAMPING-OUT OR SEVERING
    • B26D3/00—Cutting work characterised by the nature of the cut made; Apparatus therefor
    • B26D3/28—Splitting layers from work; Mutually separating layers by cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B26—HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
    • B26F—PERFORATING; PUNCHING; CUTTING-OUT; STAMPING-OUT; SEVERING BY MEANS OTHER THAN CUTTING
    • B26F3/00—Severing by means other than cutting; Apparatus therefor
    • B26F3/004—Severing by means other than cutting; Apparatus therefor by means of a fluid jet
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0428—Apparatus for mechanical treatment or grinding or cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H10W72/07331—Connecting techniques
    • H10W72/07337—Connecting techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone or epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30—Die-attach connectors
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902—Semiconductor wafer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10S156/934—Apparatus having delaminating means adapted for delaminating a specified article
    • Y10S156/941—Means for delaminating semiconductive product
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1126—Using direct fluid current against work during delaminating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19—Delaminating means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49815—Disassembling
    • Y10T29/49819—Disassembling with conveying of work or disassembled work part
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49815—Disassembling
    • Y10T29/49822—Disassembling by applying force
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/53—Means to assemble or disassemble
    • Y10T29/53683—Spreading parts apart or separating them from face to face engagement

Landscapes

  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Forests & Forestry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

웨이퍼를 디본딩하는 장치 및 이를 이용하여 웨이퍼를 디본딩하는 방법에 대해 기재되어 있다. 웨이퍼 디본더는, 그 상부 표면이 평탄한 제1 대(臺)와, 제1 대의 상부에 위치하고 그 하부 표면이 경사진 제2 대와, 제1 대아 제2 대를 연결하는 연결부로 구성된 웨이퍼 장착기, 제1 대에 장착된 제1 홀더(holder), 제2 대의 경사면에 평행한 면에 위치한 제2 홀더 및 장착기의 전면에 장착된 노즐(nozzle)을 포함한다. 본딩된 웨이퍼들은 노즐에서 분사된 액체에 의해 디본딩된다. 따라서, 웨이퍼의 표면에 스크래치 등의 결함으로 발생시키지 않으면서 웨이퍼를 디본딩할 수 있다.

Description

웨이퍼 디본더(Debonder) 및 이를 이용한 웨이퍼 디본딩법
제1a도 및 제1b도는 종래의 웨이퍼 디본딩법을 설명하기 위해 도시한 단면도들이다.
제2도는 본 발명의 웨이퍼 디본더를 도시한 단면도이다.
제3a도 및 제3b도는 본 발명에 의한 웨이퍼 디본딩법을 설명하기 위해 도시한 단면도들이다.
본 발명은 반도체 장치 및 이를 이용한 소자 제조방법에 관한 것으로, 특히 본딩된 웨이퍼들을 긁힘없이 디본딩할 수 있는 웨이퍼 디본더 및 이를 이용한 웨이퍼 디본딩법에 관한 것이다.
상업용으로 제작된 실리콘-온 인슐레이터 (이하, SOI라 칭함) 웨이퍼에는 크게 두 가지가 있다. 첫째는 SIMOX (Separation by IMplantation OXygen) 웨이퍼로, 이는 산소이온을 벌크(bulk) 웨이퍼에 주입한 후 어닐함으로써 벌크 웨이퍼 내부에 산화층이 생기도록 한 것이고, 둘째는 본딩된 SOI 웨이퍼로, 이는 벌크 웨이퍼의 표면에 열산화막을 형성한 후 이 열산화막에 디바이스 (device) 웨이퍼를 직접 본딩한 것이다.
상기한 본딩된 SOI 웨이퍼의 경우, 본딩 공정 중, 벌크 웨이퍼아 디바이스 웨이퍼의 계면에 불순물 입자(particle)가 존재하게 되면 상업용 가치가 없어지게 된다. 따라서, 불순물 입자가 두 웨이퍼의 계면에 존재하지 않도록 본딩 공정을 고청정의 클린 룸(clean room)에서진행해야 한다. 그러나, 불순물 입자가 전혀 발생하지 않는 본딩 공정을 진행하기란 현실적으로 어렵다.
따라서, 벌크 웨이퍼와 디바이스 웨이퍼를 본딩한 후, 이들 두 웨이퍼 사이에 불순물 입자가 존재하는지를 조사한 후, 불순물 입자가 존재하면, 이들을 디본딩하는 (debonding) 공정이 필요하게 되었다.
제1a도 및 제1b도는 종래의 웨이퍼 디본딩법을 설명하기 위해 도시한 단면도들이다.
제1a도는 벌크 웨이퍼(10) 상에 열산화막(30)을 형성하고, 이 열산화막(30)에 직접 디바이스 에이퍼(20)를 본딩함으로써 본딩된 웨이퍼(10,20,30)를 형성한 후의 단면도이다.
제1b도는 본딩된 두 웨이퍼(10,20) 사이에 레이저 블레드(Razer Blade) (40)를 삽입한 후, 양 손(50)으로 이들 두 웨이퍼(10,20)에 힘을 가함으로써 상기한 웨이퍼들(10,20)을 디본딩하는 작업을 나타낸 도면이다.
종래에는, 웨이퍼들(10,20)의 두께는 너무 얇은 반면 이들 사이의 결합력은 커 손으로만 이들을 분리하기엔 힘들기 때문에, 웨이퍼들(10,20) 사이에 레이저 블레드(40)를 삽입하였다.
그러나, 이러한 레이저 블레드(40)는 웨이퍼들(10,20)의 가장자리부를 긁어 웨이퍼의 표면에 스크래치(scratch)를 유발시킨다. 이러한 스크래치는 디본딩된 웨이퍼들을 세척(cleaning)한 후 다시 본딩하더라도 없어지지 않으므로, 웨이퍼들을 폐기처분해야 하는 결과를 초래한다. 이는, 공정 비용(cost)을 증가시키는 원인이 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 웨이퍼의 표면에 스크래치가 발생하지 않도록 웨이퍼를 디본딩할 수 있는 웨이퍼 디본더를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 웨이퍼의 표면에 스크래치가 발생하지 않도록 웨이퍼를 디본딩할 수 있는 웨이퍼 디본딩법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한, 본 발명에 의한 웨이퍼 디본더는,
그 상부 표면이 평탄한 제1 대(臺)와, 상기 제1 대의 상부에 위치하고 그 하부 표면이 경사진 제2 대와, 상기 제1 대와 제2 대를 연결하는 연결부로 구성된 웨이퍼 장착기;
상기 제1 대에 자악된 제1 홀더(holder);
상기 제2 대의 경사면에 평행한 면에 위치한 제2 홀더; 및
상기 장착기의 전면에 장착된 노즐(nozzle)을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 웨이퍼 디본더에 있어서, 상기 제1 대의 길이는 웨이퍼 길이의 2/3이고, 상기 제2 대의 길이는 웨이퍼 길이의 1/3인 것이 바람직하다.
상기 웨이퍼 디본더에 있어서, 상기 제2 대의 경사면은 상기 제1대의 평탄한 표면에 대해 3-5° 의 각도를 이루도록 형성되어 있는 것이 바람직하다.
상기 웨이퍼 디본더에 있어서, 상기 제1 및 제2 홀더는 진공척(vacuum chuck)인 것이 바람직하다.
상기 웨이퍼 디본더에 있어서, 상기 노즐은 핀형 및 판형 중 어느 하나인 것이 바람직하다.
상기 다른 목적을 달성하기 위한, 본 발명에 의한 웨이퍼 디본딩법은,
본딩되어 있는 제1 웨이퍼와 제2 웨이퍼 사이에, 상기 제1 웨이퍼와 제2 웨이퍼의 본딩 세기보다 큰 수압을 갖는 액체를 분사함으로써 상기 제1 웨이퍼와 제2 웨이퍼를 디본딩하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 웨이퍼 디본딩법에 있어서, 상기 액체의 수압은 상기 본딩 세기보다 2배이상 큰 것이 바람직하고, 상기 액체는 탈이온수인 것이 바람직하다.
상기 다른 목적을 달성하기 위한, 본 발명의 일 실시예에 의한 웨이퍼 디본딩법은,
그 상부 표면이 평탄한 제1 대(臺)와, 상기 제1 대의 상부에 위치하고 그 하부 표면이 경사진 제2 대와, 상기 제1 대와 제2 대를 연결하는 연결부로 구성된 웨이퍼 장착기에 본딩되어 있는 제1 웨이퍼와 제2 웨이퍼를 장착하는 제1 단계;
상기 제1 대에 장착되어 있는 제1 홀더로 본딩되어 있는 상기 제1 에이퍼와 제2 웨이퍼를 고정시키는 제2 단계;
그 입구가 상기 제1 웨이퍼와 제2 웨이퍼의 계면에 평행으로 위치하도록 상기 노즐의 위치를 조정하는 제3 단계;
상기 제1 웨이퍼와 제2 웨이퍼의 계면으로 상기 노즐에서 분사된 액체가 도달되도록 함으로써 상기 제1 웨이퍼와 제2 웨이퍼를 디본딩하는 제4 단계; 및
디본딩된 웨이퍼를 상기 제2 대의 경사면과 평행한 면에 위치하는 제2 홀더로 고정시키는 제5 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발며의 일 실시예에 있어서, 상기 액체로 탈이온수를 사용하는 것이 바람직하고, 상기 제1 및 제2 홀더로 진공 척을 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 노즐에서 분사되는 상기 액체의 수압은 제1 웨이퍼와 제2 웨이퍼의 본딩 세기보다 2배 이상 큰 것이 바람직하다.
따라서, 본 발명에 의한 웨이퍼 디본더 및 이를 이용한 웨이퍼 디본딩법에 의하면, 웨이퍼의 표면에 스크래치 등의 결함이 발생하지 않도록 웨이퍼를 디본딩할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명을 더욱 상세하게 설명하고자 한다.
웨이퍼 디본더 구조
제2도는 본 바렴의 웨이퍼 디본더를 도시한 단면도이다.
본 발명에 의한 웨이퍼 디본더는, 그 상부 표면이 평탄한 제1대(臺)(100a)와, 상기 제1 대(100a)의 상부에 위치하고 그 하부 표면이 경사진 제2 대(100b)와, 상기 제1 대(100a)와 제2 대(100b)를 연결하는 연결부(100c)로 구성된 웨이퍼 장착기(100a,b,c), 상기 제1 대(100a)에 장착된 제1 홀더(holder)(110), 상기 제2 대(100b)의 경사면에 평행한 면에 위치한 제2 홀더(120) 및 상기 장착기(100a,b,c)의 전면에 위치하는 노즐(nozzle)(130)으로 구성된다.
상기 제1 대(100a)의 길이는 웨이퍼 (도시되지 않음) 길이의 2/3이고, 상기 제2 대(100b)의 길이는 웨이퍼 길이의 1/3이다. 또한, 상기 제2 대(100b)의 경사면은 상기 제1 대(100b)의 평탄한 표면에 대해 3 - 5° 의 각도(θ)를 이루도록 형성되어 있다.
상기 제1 및 제2 홀더(110 및 120)는 진공 척(vacuum chuck)으로, 상기 제1 홀더(110)는 디본딩될 웨이퍼를 고정시키는 역할을 하고, 상기 제2 홀더(120)는 디본딩된 웨이퍼를 고정시키는 역할을 한다.
즉, 벌크 웨이퍼가 상기 제1 대(110)와 접하도록 본딩된 웨이퍼들(벌크 웨이퍼와 디바이스 웨이퍼)을 장착한다면, 디본딩 전, 상기 제1 홀더(110)는 본딩된 벌크 웨이퍼와 디바이스 웨이퍼를 고정시키는 역할을 하고, 디본딩 후, 상기 제1 홀더(110)는 벌크 웨이퍼를 고정시키고, 상기 제2 홀더(120)는 디바이스 웨이퍼를 고정시키는 역할을 한다.
또한, 상기 노즐(130)은 핀형 또는 판형이다.
웨이퍼 디본딩법
본 발명에 의한 웨이퍼 디본딩법은, 본딩되어 잇는 제1 웨이퍼 (벌크 웨이퍼)와 제2 웨이퍼 (디바이스 웨이퍼) 사이에, 상기 제1 웨이퍼와 제2 웨이퍼의 본딩 세기보다 큰 수압을 갖는 액체, 예컨대 물을 분사하여 두 웨이퍼를 디본딩하는 단계로 진행된다.
이때, 상기 액체의 수압은 상기 본딩 세기보다 2배이상이다.
또한, 상기 액체는 탈이온수이다.
제3a도 및 제3b도는 본발명에 의한 웨이퍼 디본딩법을 설명하기 위해 도시한 단면도로서, 상기 제2도의 웨이퍼 디본더를 이용한다.
먼저, 제3a도는 에이퍼 디본더에 본딩된 웨이퍼(10,20,30)를 장착하는 단계를 도시한 것으로, 이는 상기 제2도에 도시된 웨이퍼 장착기(100a,b,c)의 제1 대(100a)에 본딩된 웨이퍼(10,20,30)를 창작하는 제1 공정 및 상기 제1 대(100a)에 장착된 본딩된 웨이퍼(10,20,30)를 상기 제1 홀더(110)로 고정시키는 제2 공정으로 진행된다.
제3b도는 본딩된 웨이퍼 (제3a도의 도면부호 10,20,30)를 디본딩하는 단계를 도시한 것으로서, 이는 상기 본딩된 웨이퍼(10,20,30)의 계면과 평행하도록 웨이퍼 장착기(100a,b,c) 전면의 노즐(130)의 위치를 조정하는 제1 공정, 상기 노즐(130)에서 상기 본딩된 웨이퍼의 계면으로 액체(140)을 분사함으로써 웨이퍼들(10,20)을 디본딩하는 제2 공정 및 디본딩된 디바이스 웨이퍼(20) (본딩된 웨이퍼를 제3a도와 반대로 장착할 경우, 벌크 웨이퍼(10)가 디본딩된다)를 제2 홀더(120)로 고정시키는 제3 공정으로 진행된다.
이때, 상기 액체(140)로 탈이온수를 사용한다.
또한, 상기 액체(140)의 수압은 상기 웨이퍼들(10,20)의 결합력에 2배 이상이다.
상기 제3a도 및 제3b도에서 설명한 단계로 디본딩된 웨이퍼들(10 및 20)은 세척하여 불순물 입자를 제거한 후, 다시 본딩된다.
따라서, 본 발명에 의한 웨이퍼 디본더 및 이를 이용한 웨이퍼 디본딩법에 의하면, 탈이온수를 본딩된 웨이퍼의 계면에 분사하는 공정에 의해 웨이퍼들을 디본딩함으로써, 첫째, 레이즈 블레이드를 사용할 때 발생하는 스크래치 등의 결함을 방지할 수 있다. 둘째, 디본딩과 동시에 웨이퍼를 세척할 수 있다.
본 발명의 상기 실시예에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 기술적 사상내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 가능함은 명백하다.

Claims (13)

  1. 그 상부 표면이 평탄한 제1 대(臺)와, 상기 제1 대의 상부에 위치하고 그 하부 표면이 경사진 제2 대와, 상기 제1 대와 제2 대를 연결하는 연결부로 구성된 웨이퍼 장착기; 상기 제1 대에 장착된 제1 홀더(holder); 상기 제2 대의 경사면에 평행한 면에 위치한 제2 홀더; 및 상기 장착기의 전면에 장착된 노즐(nozzle)을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 디본더.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 대의 길이는 웨이퍼 길이의 2/3인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 디본더.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2 대의 길이는 웨이퍼 길이의 1/3인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 디본더.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2 대의 경사면은 상기 제1 대의 평탄한 표면에 대해 3 - 5° 의 각도를 이루도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 디본더.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 홀더는 진공 척(vacuum chuck)인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 디본더.
  6. 제1항에 있어서, 상기 노즐은 핀형 및 판형 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 디본더.
  7. 그 상부 표면이 평탄한 제1 대(臺)와, 상기 제1 대의 상부에 위치하고 그 하부 표면이 경사진 제2 대와, 상기 제1 대와 제2 대를 연결하는 연결부로 구성된 웨이퍼 장착기에 본딩되어 있는 제1 웨이퍼와 제2 웨이퍼를 장착하는 제1 단계; 상기 제1 대에 장착되어 있는 제1 홀더로 본딩되어 있는 상기 제1 웨이퍼와 제2 웨이퍼를 고정시키는 제2 단계; 그 입구가 상기 제1 웨이퍼와 제2 웨이퍼의 계면에 평행으로 위치하도록 상기 노즐의 위치를 조정하는 제3 단계; 상기 제1 웨이퍼와 제2 웨이퍼의 계면으로 상기 노즐에서 분사된 액체가 도달되도록 함으로써 상기 제1 웨이퍼와 제2 웨이퍼를 디본딩하는 제4 단계; 및 디본딩된 웨이퍼를 상기 제2 대의 경사면과 평행한 면에 위치하는 제2 홀더로 고정시키는 제5 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 디본딩법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 액체로 탈이온수를 사용하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 디본딩법.
  9. 제7항에 있어서 상기 제1 및 제2 홀더로 진공 척을 사용하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 디본딩법.
  10. 제7항에 있어서, 노즐에서 분사되는 상기 액체의 부사압력은 제1 웨이퍼와 제2 웨이퍼의 본딩 세기보다 2배 이상 큰 것을 특징으로 하는 웨이퍼 디본딩법.
  11. 본딩되어 있는 제1 웨이퍼와 제2 웨이퍼 사이에, 상기 제1 웨이퍼와 제2 웨이퍼의 본딩 세기보다 큰 수압을 갖는 액체를 분사함으로써 상기 제1 웨이퍼와 제2 웨이퍼를 디본딩하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 디본딩법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 액체의 수압은 상기 본딩 세기보다 2배이상 큰 것을 특징으로 하는 웨이퍼 디본딩법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 액체는 탈이온수인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 디본딩법.
KR1019950039045A 1995-10-31 1995-10-31 웨이퍼 디본더 및 이를 이용한 웨이퍼 디본딩법 Expired - Fee Related KR0165467B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950039045A KR0165467B1 (ko) 1995-10-31 1995-10-31 웨이퍼 디본더 및 이를 이용한 웨이퍼 디본딩법
JP8282601A JPH09167724A (ja) 1995-10-31 1996-10-24 ウェーハデボンダ及びこれを用いたウェーハデボンディング法
US08/742,938 US5783022A (en) 1995-10-31 1996-10-31 Apparatus and methods for wafer debonding using a liquid jet
US09/067,821 US5863375A (en) 1995-10-31 1998-04-28 Apparatus and methods for wafer debonding using a liquid jet

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950039045A KR0165467B1 (ko) 1995-10-31 1995-10-31 웨이퍼 디본더 및 이를 이용한 웨이퍼 디본딩법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970023665A KR970023665A (ko) 1997-05-30
KR0165467B1 true KR0165467B1 (ko) 1999-02-01

Family

ID=19432539

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950039045A Expired - Fee Related KR0165467B1 (ko) 1995-10-31 1995-10-31 웨이퍼 디본더 및 이를 이용한 웨이퍼 디본딩법

Country Status (3)

Country Link
US (2) US5783022A (ko)
JP (1) JPH09167724A (ko)
KR (1) KR0165467B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6773534B2 (en) 1998-07-27 2004-08-10 Canon Kabushiki Kaisha Sample processing apparatus and method
KR100481647B1 (ko) * 2000-08-25 2005-04-08 캐논 가부시끼가이샤 시료의 분리장치 및 분리방법

Families Citing this family (72)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09263500A (ja) * 1996-01-22 1997-10-07 Komatsu Electron Metals Co Ltd 貼り合わせｓｏｉウェーハの剥がし治具
FR2752332B1 (fr) * 1996-08-12 1998-09-11 Commissariat Energie Atomique Dispositif de decollement de plaquettes et procede de mise en oeuvre de ce dispositif
US6382292B1 (en) * 1997-03-27 2002-05-07 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for separating composite member using fluid
US5994207A (en) * 1997-05-12 1999-11-30 Silicon Genesis Corporation Controlled cleavage process using pressurized fluid
US6033974A (en) * 1997-05-12 2000-03-07 Silicon Genesis Corporation Method for controlled cleaving process
US20070122997A1 (en) 1998-02-19 2007-05-31 Silicon Genesis Corporation Controlled process and resulting device
JPH115064A (ja) * 1997-06-16 1999-01-12 Canon Inc 試料の分離装置及びその方法並びに基板の製造方法
US6548382B1 (en) * 1997-07-18 2003-04-15 Silicon Genesis Corporation Gettering technique for wafers made using a controlled cleaving process
SG87916A1 (en) * 1997-12-26 2002-04-16 Canon Kk Sample separating apparatus and method, and substrate manufacturing method
JP4323577B2 (ja) * 1997-12-26 2009-09-02 キヤノン株式会社 分離方法および半導体基板の製造方法
SG71182A1 (en) 1997-12-26 2000-03-21 Canon Kk Substrate processing apparatus substrate support apparatus substrate processing method and substrate manufacturing method
SG71903A1 (en) 1998-01-30 2000-04-18 Canon Kk Process of reclamation of soi substrate and reproduced substrate
JPH11243050A (ja) 1998-02-24 1999-09-07 Canon Inc 露光装置
US6540861B2 (en) * 1998-04-01 2003-04-01 Canon Kabushiki Kaisha Member separating apparatus and processing apparatus
EP0989616A3 (en) * 1998-09-22 2006-05-10 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for producing photoelectric conversion device
TW484184B (en) * 1998-11-06 2002-04-21 Canon Kk Sample separating apparatus and method, and substrate manufacturing method
US6672358B2 (en) 1998-11-06 2004-01-06 Canon Kabushiki Kaisha Sample processing system
JP2000150836A (ja) 1998-11-06 2000-05-30 Canon Inc 試料の処理システム
KR100312813B1 (ko) * 1998-11-23 2001-12-28 구자홍 통이회전되는세탁기의보푸라기채집장치및그의방법
JP4365920B2 (ja) * 1999-02-02 2009-11-18 キヤノン株式会社 分離方法及び半導体基板の製造方法
FR2796491B1 (fr) 1999-07-12 2001-08-31 Commissariat Energie Atomique Procede de decollement de deux elements et dispositif pour sa mise en oeuvre
US6263941B1 (en) 1999-08-10 2001-07-24 Silicon Genesis Corporation Nozzle for cleaving substrates
JP2003506883A (ja) * 1999-08-10 2003-02-18 シリコン ジェネシス コーポレイション 低打ち込みドーズ量を用いて多層基板を製造するための劈開プロセス
US6500732B1 (en) 1999-08-10 2002-12-31 Silicon Genesis Corporation Cleaving process to fabricate multilayered substrates using low implantation doses
AU6395700A (en) * 1999-08-10 2001-03-05 Silicon Genesis Corporation Method and apparatus for cleaving a substrate
DE19958803C1 (de) * 1999-12-07 2001-08-30 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren und Vorrichtung zum Handhaben von Halbleitersubstraten bei der Prozessierung und/oder Bearbeitung
US6544862B1 (en) 2000-01-14 2003-04-08 Silicon Genesis Corporation Particle distribution method and resulting structure for a layer transfer process
US6558109B2 (en) 2000-05-26 2003-05-06 Automation Technology, Inc. Method and apparatus for separating wafers
DE10108369A1 (de) * 2001-02-21 2002-08-29 B L E Lab Equipment Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Ablösen eines Halbleiterwafers von einem Träger
FR2823373B1 (fr) * 2001-04-10 2005-02-04 Soitec Silicon On Insulator Dispositif de coupe de couche d'un substrat, et procede associe
JP2002353423A (ja) * 2001-05-25 2002-12-06 Canon Inc 板部材の分離装置及び処理方法
JP2002353081A (ja) 2001-05-25 2002-12-06 Canon Inc 板部材の分離装置及び分離方法
FR2828428B1 (fr) * 2001-08-07 2003-10-17 Soitec Silicon On Insulator Dispositif de decollement de substrats et procede associe
FR2834381B1 (fr) * 2002-01-03 2004-02-27 Soitec Silicon On Insulator Dispositif de coupe de couche d'un substrat, et procede associe
US7083801B2 (en) * 2002-07-18 2006-08-01 Rohm And Haas Company Stabilized haloalkynyl microbicide compositions
US8187377B2 (en) 2002-10-04 2012-05-29 Silicon Genesis Corporation Non-contact etch annealing of strained layers
FR2860178B1 (fr) * 2003-09-30 2005-11-04 Commissariat Energie Atomique Procede de separation de plaques collees entre elles pour constituer une structure empilee.
US20050150597A1 (en) * 2004-01-09 2005-07-14 Silicon Genesis Corporation Apparatus and method for controlled cleaving
US7829152B2 (en) * 2006-10-05 2010-11-09 Lam Research Corporation Electroless plating method and apparatus
US8993410B2 (en) 2006-09-08 2015-03-31 Silicon Genesis Corporation Substrate cleaving under controlled stress conditions
US7811900B2 (en) 2006-09-08 2010-10-12 Silicon Genesis Corporation Method and structure for fabricating solar cells using a thick layer transfer process
US8293619B2 (en) 2008-08-28 2012-10-23 Silicon Genesis Corporation Layer transfer of films utilizing controlled propagation
US9362439B2 (en) 2008-05-07 2016-06-07 Silicon Genesis Corporation Layer transfer of films utilizing controlled shear region
JP5284576B2 (ja) * 2006-11-10 2013-09-11 信越化学工業株式会社 半導体基板の製造方法
US20080182363A1 (en) * 2007-01-31 2008-07-31 Freescale Semiconductor, Inc. Method for forming a microelectronic assembly including encapsulating a die using a sacrificial layer
US8330126B2 (en) 2008-08-25 2012-12-11 Silicon Genesis Corporation Race track configuration and method for wafering silicon solar substrates
US7927975B2 (en) 2009-02-04 2011-04-19 Micron Technology, Inc. Semiconductor material manufacture
US8950459B2 (en) * 2009-04-16 2015-02-10 Suss Microtec Lithography Gmbh Debonding temporarily bonded semiconductor wafers
US8366873B2 (en) * 2010-04-15 2013-02-05 Suss Microtec Lithography, Gmbh Debonding equipment and methods for debonding temporary bonded wafers
KR20120027237A (ko) * 2009-04-16 2012-03-21 수스 마이크로텍 리소그라피 게엠바하 웨이퍼 가접합 및 분리를 위한 개선된 장치
US8329557B2 (en) 2009-05-13 2012-12-11 Silicon Genesis Corporation Techniques for forming thin films by implantation with reduced channeling
JP5374462B2 (ja) 2010-08-23 2013-12-25 東京エレクトロン株式会社 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5314057B2 (ja) 2011-01-07 2013-10-16 東京エレクトロン株式会社 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5740550B2 (ja) 2011-01-07 2015-06-24 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5323867B2 (ja) 2011-01-19 2013-10-23 東京エレクトロン株式会社 基板反転装置、基板反転方法、剥離システム、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
WO2012140987A1 (ja) 2011-04-12 2012-10-18 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム及び剥離方法
WO2012140988A1 (ja) 2011-04-12 2012-10-18 東京エレクトロン株式会社 剥離方法、剥離装置及び剥離システム
JP5617065B2 (ja) 2011-09-09 2014-11-05 東京エレクトロン株式会社 剥離方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び剥離システム
JP5913053B2 (ja) 2011-12-08 2016-04-27 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
DE102012101237A1 (de) 2012-02-16 2013-08-22 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren zum temporären Verbinden eines Produktsubstrats mit einem Trägersubstrat
FR2995445B1 (fr) * 2012-09-07 2016-01-08 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'une structure en vue d'une separation ulterieure
CN102923364B (zh) 2012-11-09 2015-03-04 京东方科技集团股份有限公司 薄膜拆卸机构
US9508586B2 (en) * 2014-10-17 2016-11-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Debonding schemes
DE102014118017A1 (de) * 2014-12-05 2016-06-09 Ev Group E. Thallner Gmbh Substratstapelhalterung, Container und Verfahren zur Trennung eines Substratstapels
JP6981812B2 (ja) * 2016-08-31 2021-12-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2018169762A1 (en) * 2017-03-15 2018-09-20 Didrew Technology (Bvi) Limited Method and system for debonding temporarily adhesive-bonded carrier-workpiece pair
JP6976828B2 (ja) * 2017-11-24 2021-12-08 株式会社ディスコ 剥離装置
JP6991673B2 (ja) * 2018-02-27 2022-01-12 株式会社ディスコ 剥離方法
US11346371B2 (en) 2018-05-04 2022-05-31 Raytheon Technologies Corporation Method to strip coatings off of an aluminum alloy fan blade
JP7262903B2 (ja) * 2019-08-26 2023-04-24 株式会社ディスコ キャリア板の除去方法
US11996384B2 (en) * 2020-12-15 2024-05-28 Pulseforge, Inc. Method and apparatus for debonding temporarily bonded wafers in wafer-level packaging applications
CN113488423A (zh) * 2021-07-01 2021-10-08 杭州中为光电技术有限公司 硅片周转机构

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4224504A (en) * 1978-06-21 1980-09-23 General Electric Company Apparatus for practicing temperature gradient zone melting
US4466852A (en) * 1983-10-27 1984-08-21 At&T Technologies, Inc. Method and apparatus for demounting wafers
US5362667A (en) * 1992-07-28 1994-11-08 Harris Corporation Bonded wafer processing
US5091331A (en) * 1990-04-16 1992-02-25 Harris Corporation Ultra-thin circuit fabrication by controlled wafer debonding
US5131968A (en) * 1990-07-31 1992-07-21 Motorola, Inc. Gradient chuck method for wafer bonding employing a convex pressure
US5102821A (en) * 1990-12-20 1992-04-07 Texas Instruments Incorporated SOI/semiconductor heterostructure fabrication by wafer bonding of polysilicon to titanium
DE4100526A1 (de) * 1991-01-10 1992-07-16 Wacker Chemitronic Vorrichtung und verfahren zum automatischen vereinzeln von gestapelten scheiben
US5376580A (en) * 1993-03-19 1994-12-27 Hewlett-Packard Company Wafer bonding of light emitting diode layers
TW289837B (ko) * 1994-01-18 1996-11-01 Hwelett Packard Co
JP4220580B2 (ja) * 1995-02-10 2009-02-04 三菱電機株式会社 半導体装置の製造装置
JP2881558B2 (ja) * 1995-07-12 1999-04-12 本田技研工業株式会社 一時保護塗膜の剥離方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6773534B2 (en) 1998-07-27 2004-08-10 Canon Kabushiki Kaisha Sample processing apparatus and method
KR100481647B1 (ko) * 2000-08-25 2005-04-08 캐논 가부시끼가이샤 시료의 분리장치 및 분리방법

Also Published As

Publication number Publication date
US5783022A (en) 1998-07-21
US5863375A (en) 1999-01-26
JPH09167724A (ja) 1997-06-24
KR970023665A (ko) 1997-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5783022A (en) Apparatus and methods for wafer debonding using a liquid jet
US4871110A (en) Method and apparatus for aligning solder balls
KR0132274B1 (ko) 웨이퍼 연마 설비
EP0157675B1 (en) Spinning device for processing a substrate, in particular a semiconductor wafer
KR100298632B1 (ko) 기판부착방법
US5723019A (en) Drip chemical delivery method and apparatus
JP2004510334A (ja) チャック上に背面研磨テープを残したままウェーハを背面研磨する方法
US5753563A (en) Method of removing particles by adhesive
JP2004063645A (ja) 半導体ウェハの保護部材剥離装置
US6405399B1 (en) Method and system of cleaning a wafer after chemical mechanical polishing or plasma processing
ID17230A (id) Metode memproses lapisan bawah
US20060102198A1 (en) Rotational thermophoretic drying
JPH06275717A (ja) ウエハはがし方法
JPH11233599A (ja) 吸着保持プレート
JPH06232108A (ja) 異物除去方法
KR20020010464A (ko) 싱글 포인트 본딩 장치
EP0609069A1 (en) Method for manufacturing semiconductor devices
JPH02252238A (ja) 基板の洗浄装置
US20060201910A1 (en) Methods for removing extraneous amounts of molding material from a substrate
KR100806324B1 (ko) 반도체 불량분석을 위한 웨이퍼 에칭 시스템 및 방법
JPS63178531A (ja) 水洗式中間ステ−ジ
JPH04264751A (ja) チップ保持治具
JPH06320099A (ja) 洗浄ノズルとこれを用いた基板洗浄装置
KR100650924B1 (ko) 기판 합착기
KR100216729B1 (ko) 실리콘 직접 접합 후처리 공정

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 6

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 7

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 8

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 9

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 10

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 11

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 12

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110823

Year of fee payment: 14

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 14

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120816

Year of fee payment: 15

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 15

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903

Not in force date: 20130917

Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903

Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

Not in force date: 20130917

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000