JPH09167724A - ウェーハデボンダ及びこれを用いたウェーハデボンディング法 - Google Patents
ウェーハデボンダ及びこれを用いたウェーハデボンディング法Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 17
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 6
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000006748 scratching Methods 0.000 abstract 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 140
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェーハをデボンディングする装置及びこれ
を用いてウェーハをデボンディングする方法を提供す
る。 【解決手段】 その上面が平坦な第1台100aと、第
1台100aの上部に位置しその下面が第1台100a
の上面に対して所定の傾斜を有するように設けられた第
2台100bと、第1台100aと第2台100bとを
連結する連結部100cよりなるウェーハ装着器200
と、第1台100aに装着された第1ホルダー110
と、第2台100bの下面の延長面に位置した第2ホル
ダー120と、ウェーハ装着器200の前面に設けられ
たノズル130とを具備する。従って、本発明によれ
ば、ウェーハの表面にかき傷等の欠陥を発生させないと
共にウェーハをデボンディングし得る。
を用いてウェーハをデボンディングする方法を提供す
る。 【解決手段】 その上面が平坦な第1台100aと、第
1台100aの上部に位置しその下面が第1台100a
の上面に対して所定の傾斜を有するように設けられた第
2台100bと、第1台100aと第2台100bとを
連結する連結部100cよりなるウェーハ装着器200
と、第1台100aに装着された第1ホルダー110
と、第2台100bの下面の延長面に位置した第2ホル
ダー120と、ウェーハ装着器200の前面に設けられ
たノズル130とを具備する。従って、本発明によれ
ば、ウェーハの表面にかき傷等の欠陥を発生させないと
共にウェーハをデボンディングし得る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置及び
これを用いた素子製造方法に係り、特にボンディングさ
れたウェーハ等をかき傷無しにデボンディングし得るウ
ェーハデボンダ及びこれを用いたウェーハデボンディン
グ法に関する。
これを用いた素子製造方法に係り、特にボンディングさ
れたウェーハ等をかき傷無しにデボンディングし得るウ
ェーハデボンダ及びこれを用いたウェーハデボンディン
グ法に関する。
【0002】
【従来の技術】商業用として制作されたシリコンオンイ
ンシュレータ(Silicon On Insulator:以下SOIと称
する)ウェーハは大きく2つに分けられる。第1に、S
IMOX(Separation by Implantation Oxygen) ウェー
ハは酸素イオンをバルクウェーハに注入した後、アニー
リングすることによりバルクウェーハの内部に酸化層を
形成させるものである。第2に、ボンディングされたS
OIウェーハはバルクウェーハの表面に熱酸化膜を形成
した後、この熱酸化膜上にデバイスウェーハを直接ボン
ディングしたものである。
ンシュレータ(Silicon On Insulator:以下SOIと称
する)ウェーハは大きく2つに分けられる。第1に、S
IMOX(Separation by Implantation Oxygen) ウェー
ハは酸素イオンをバルクウェーハに注入した後、アニー
リングすることによりバルクウェーハの内部に酸化層を
形成させるものである。第2に、ボンディングされたS
OIウェーハはバルクウェーハの表面に熱酸化膜を形成
した後、この熱酸化膜上にデバイスウェーハを直接ボン
ディングしたものである。
【0003】前記ボンディングされたSOIウェーハの
場合、ボンディング工程後、バルクウェーハとデバイス
ウェーハとの界面に不純物粒子が存在すると商業用の価
値がなくなる。従って、不純物粒子が2枚のウェーハの
界面に存在しないようにボンディング工程を高清浄のク
リーンルームで進行すべきでる。しかし、不純物粒子が
全然発生しないボンディング工程の進行は難しいもので
ある。
場合、ボンディング工程後、バルクウェーハとデバイス
ウェーハとの界面に不純物粒子が存在すると商業用の価
値がなくなる。従って、不純物粒子が2枚のウェーハの
界面に存在しないようにボンディング工程を高清浄のク
リーンルームで進行すべきでる。しかし、不純物粒子が
全然発生しないボンディング工程の進行は難しいもので
ある。
【0004】従って、バルクウェーハとデバイスウェー
ハとをボンディングしてこれら2枚のウェーハの間に不
純物ウェーハが存在するかを調査した後、不純物粒子が
存在する場合には、これらをデボンディングする工程が
必要となった。
ハとをボンディングしてこれら2枚のウェーハの間に不
純物ウェーハが存在するかを調査した後、不純物粒子が
存在する場合には、これらをデボンディングする工程が
必要となった。
【0005】図1A及び図1Bは従来のウェーハデボン
ディング法を説明するため示した断面図である。
ディング法を説明するため示した断面図である。
【0006】バルクウェーハ10上に熱酸化膜30を形
成し、この熱酸化膜30上にデバイスウェーハ20を直
接ボンディングしてボンディングされたウェーハ60を
形成した後(図1A)、前記バルクウェーハ10とデバ
イスウェーハ20との間に不純物粒子が存在すると判断
されれば、ボンディングされている前記バルクウェーハ
10とデバイスウェーハ20との間にレーザーブレード
(razor blade) 40を挿入した後、両手50でこれら2
枚のウェーハに力を加えることにより前記ウェーハ等を
デボンディングする(図1B)。
成し、この熱酸化膜30上にデバイスウェーハ20を直
接ボンディングしてボンディングされたウェーハ60を
形成した後(図1A)、前記バルクウェーハ10とデバ
イスウェーハ20との間に不純物粒子が存在すると判断
されれば、ボンディングされている前記バルクウェーハ
10とデバイスウェーハ20との間にレーザーブレード
(razor blade) 40を挿入した後、両手50でこれら2
枚のウェーハに力を加えることにより前記ウェーハ等を
デボンディングする(図1B)。
【0007】この際、前記バルクウェーハ10とデバイ
スウェーハ20は薄い反面これらの間の結合力は手だけ
で分離するには大きすぎるので前記ウェーハの間にデボ
ンディングのための補助器具であるレーザーブレードを
挿入した。
スウェーハ20は薄い反面これらの間の結合力は手だけ
で分離するには大きすぎるので前記ウェーハの間にデボ
ンディングのための補助器具であるレーザーブレードを
挿入した。
【0008】しかし、このレーザーブレード40は前記
バルクウェーハ10とデバイスウェーハ20の縁部を掻
いてウェーハの表面にかき傷を誘発させる。このような
かき傷はデボンディングされたウェーハをクリーニング
した後、再びボンディングしてもなくならないのでウェ
ーハを廃棄すべき結果を来す。これは工程コストを増加
させる原因となる。
バルクウェーハ10とデバイスウェーハ20の縁部を掻
いてウェーハの表面にかき傷を誘発させる。このような
かき傷はデボンディングされたウェーハをクリーニング
した後、再びボンディングしてもなくならないのでウェ
ーハを廃棄すべき結果を来す。これは工程コストを増加
させる原因となる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ウェ
ーハの表面にかき傷が生じないようにボンディングされ
たウェーハをデボンディングし得るウェーハデボンダを
提供することにある。
ーハの表面にかき傷が生じないようにボンディングされ
たウェーハをデボンディングし得るウェーハデボンダを
提供することにある。
【0010】本発明の他の目的はウェーハの表面にかき
傷が生じないようにボンディングされたウェーハをデボ
ンディングし得るウェーハデボンディング法を提供する
ことにある。
傷が生じないようにボンディングされたウェーハをデボ
ンディングし得るウェーハデボンディング法を提供する
ことにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の本発明によるウェーハデボンダは、その上面が平坦な
第1台と、前記第1台の上部に位置しその下面が前記第
1台の上面に対して所定の傾斜を有するように設けられ
た第2台と、前記第1台と第2台とを連結する連結部よ
りなるウェーハ装着器と、前記第1台に装着された第1
ホルダーと、前記第2台の下面の延長面に位置した第2
ホルダーと、前記ウェーハ装着器の前面に設けられたノ
ズルを具備することを特徴とする。
の本発明によるウェーハデボンダは、その上面が平坦な
第1台と、前記第1台の上部に位置しその下面が前記第
1台の上面に対して所定の傾斜を有するように設けられ
た第2台と、前記第1台と第2台とを連結する連結部よ
りなるウェーハ装着器と、前記第1台に装着された第1
ホルダーと、前記第2台の下面の延長面に位置した第2
ホルダーと、前記ウェーハ装着器の前面に設けられたノ
ズルを具備することを特徴とする。
【0012】本発明によるウェーハデボンダにおいて、
前記第1台は前記ウェーハ装着器に装着されるウェーハ
の2/3の長さとなっており、前記第2台は前記ウェー
ハの1/3の長さとなっていることが望ましい。
前記第1台は前記ウェーハ装着器に装着されるウェーハ
の2/3の長さとなっており、前記第2台は前記ウェー
ハの1/3の長さとなっていることが望ましい。
【0013】本発明によるウェーハデボンダにおいて、
前記第2台の下面は前記第1台の上面に対して3°〜5
°の角を成すように形成されていることが望ましい。
前記第2台の下面は前記第1台の上面に対して3°〜5
°の角を成すように形成されていることが望ましい。
【0014】本発明によるウェーハデボンダにおいて、
前記第1及び第2ホルダーは真空チャックであることが
望ましく、前記ノズルはピン形または板形よりなること
が望ましい。
前記第1及び第2ホルダーは真空チャックであることが
望ましく、前記ノズルはピン形または板形よりなること
が望ましい。
【0015】前記他の目的を達成するための本発明によ
るウェーハデボンディング法は、相互ボンディングされ
ている第1ウェーハと第2ウェーハを用意する段階と、
前記第1ウェーハと第2ウェーハとの間に前記第1ウェ
ーハと第2ウェーハとのボンディング強度より大きな噴
射圧を有する液体を噴射することによりこれらをデボン
ディングする段階とを具備することを特徴とする。
るウェーハデボンディング法は、相互ボンディングされ
ている第1ウェーハと第2ウェーハを用意する段階と、
前記第1ウェーハと第2ウェーハとの間に前記第1ウェ
ーハと第2ウェーハとのボンディング強度より大きな噴
射圧を有する液体を噴射することによりこれらをデボン
ディングする段階とを具備することを特徴とする。
【0016】本発明によるウェーハデボンディング法に
おいて、前記液体の噴射圧は前記ボンディング強度より
2倍以上大きいことが望ましく、前記液体は脱イオン水
であることが望ましい。
おいて、前記液体の噴射圧は前記ボンディング強度より
2倍以上大きいことが望ましく、前記液体は脱イオン水
であることが望ましい。
【0017】前記他の目的を達成するための本発明によ
るウェーハデボンディング法はまた、その上面が平坦な
第1台と、前記第1台の上部に位置しその下面が前記第
1台の上面に対して所定の傾斜を有するように設けられ
た第2台と、前記第1台と第2台とを連結する連結部よ
りなるウェーハ装着器に相互ボンディングされている第
1ウェーハと第2ウェーハを装着する第1段階と、前記
第1台に装着されている第1ホルダーに相互ボンディン
グされたウェーハを固定させる第2段階と、前記第1ウ
ェーハと第2ウェーハとの界面の延長線に位置するよう
に前記ウェーハ装着器の前面に設けられたノズルの位置
を調整する第3段階と、前記ノズルから前記第1ウェー
ハと第2ウェーハとの界面に液体を噴射することにより
前記第1ウェーハから前記第2ウェーハをデボンディン
グする第4段階と、デボンディングされた前記第2ウェ
ーハを前記第2台の下面の延長面に位置した第2ホルダ
ーで固定させる第5段階とを具備することを特徴とす
る。
るウェーハデボンディング法はまた、その上面が平坦な
第1台と、前記第1台の上部に位置しその下面が前記第
1台の上面に対して所定の傾斜を有するように設けられ
た第2台と、前記第1台と第2台とを連結する連結部よ
りなるウェーハ装着器に相互ボンディングされている第
1ウェーハと第2ウェーハを装着する第1段階と、前記
第1台に装着されている第1ホルダーに相互ボンディン
グされたウェーハを固定させる第2段階と、前記第1ウ
ェーハと第2ウェーハとの界面の延長線に位置するよう
に前記ウェーハ装着器の前面に設けられたノズルの位置
を調整する第3段階と、前記ノズルから前記第1ウェー
ハと第2ウェーハとの界面に液体を噴射することにより
前記第1ウェーハから前記第2ウェーハをデボンディン
グする第4段階と、デボンディングされた前記第2ウェ
ーハを前記第2台の下面の延長面に位置した第2ホルダ
ーで固定させる第5段階とを具備することを特徴とす
る。
【0018】本発明によるウェーハデボンディング法に
おいて、前記ノズルから噴射される前記液体の噴射圧力
は前記第1ウェーハと第2ウェーハとの間のボンディン
グ強度より2倍以上大きいことが望ましい。
おいて、前記ノズルから噴射される前記液体の噴射圧力
は前記第1ウェーハと第2ウェーハとの間のボンディン
グ強度より2倍以上大きいことが望ましい。
【0019】
【発明の実施の形態】図2は本発明のウェーハデボンダ
を示した断面図である。
を示した断面図である。
【0020】本発明によるウェーハデボンダは、その上
面が平坦な第1台100aと、前記第1台100aの上
部に位置しその下面が前記第1台100aの上面に対し
て所定の傾斜を有するように設けられた第2台100b
と、前記第1台100aと第2台100bとを連結する
連結部100cよりなるウェーハ装着器200と、前記
第1台100aに装着された第1ホルダー110と、前
記第2台100bの下面の延長面に位置した第2ホルダ
ー120及び前記ウェーハ装着器200の前面に設けら
れたノズル130で構成される。
面が平坦な第1台100aと、前記第1台100aの上
部に位置しその下面が前記第1台100aの上面に対し
て所定の傾斜を有するように設けられた第2台100b
と、前記第1台100aと第2台100bとを連結する
連結部100cよりなるウェーハ装着器200と、前記
第1台100aに装着された第1ホルダー110と、前
記第2台100bの下面の延長面に位置した第2ホルダ
ー120及び前記ウェーハ装着器200の前面に設けら
れたノズル130で構成される。
【0021】この際、前記第1台100aは前記ウェー
ハ装着器200に装着されるウェーハ(図示せず)の2
/3の長さとなっており、前記第2台100bは前記ウ
ェーハの1/3の長さとなっている。また、前記第2台
100bの下面は前記第1台100aの上面に対して3
°〜5°の角(θ)を成すように形成されている。
ハ装着器200に装着されるウェーハ(図示せず)の2
/3の長さとなっており、前記第2台100bは前記ウ
ェーハの1/3の長さとなっている。また、前記第2台
100bの下面は前記第1台100aの上面に対して3
°〜5°の角(θ)を成すように形成されている。
【0022】前記第1及び第2ホルダー110、120
は真空チャックであって、前記第1ホルダー110はデ
ボンディングされる前のウェーハを固定させ、前記第2
ホルダー120はデボンディングされたウェーハを固定
させる役割をする。
は真空チャックであって、前記第1ホルダー110はデ
ボンディングされる前のウェーハを固定させ、前記第2
ホルダー120はデボンディングされたウェーハを固定
させる役割をする。
【0023】即ち、相互ボンディングされているバルク
ウェーハとデバイスウェーハ(図示せず)とをデボンデ
ィングするにおいて、前記第1ホルダー110は相互ボ
ンディングされている前記バルクウェーハとデバイスウ
ェーハとを固定させ、第2ホルダー120は前記バルク
ウェーハからデボンディングされるデバイスウェーハを
固定させる役割をする。前記デバイスウェーハが前記バ
ルクウェーハからデボンディングされる時前記バルクウ
ェーハは前記第1ホルダー110により固定されている
状態である。前記ノズル130はピン形または板形であ
る。
ウェーハとデバイスウェーハ(図示せず)とをデボンデ
ィングするにおいて、前記第1ホルダー110は相互ボ
ンディングされている前記バルクウェーハとデバイスウ
ェーハとを固定させ、第2ホルダー120は前記バルク
ウェーハからデボンディングされるデバイスウェーハを
固定させる役割をする。前記デバイスウェーハが前記バ
ルクウェーハからデボンディングされる時前記バルクウ
ェーハは前記第1ホルダー110により固定されている
状態である。前記ノズル130はピン形または板形であ
る。
【0024】相互ボンディングされているバルクウェー
ハとデバイスウェーハとの間に前記バルクウェーハとデ
バイスウェーハとの間のボンディング強度よりさらに大
きな噴射圧を有する液体、例えば水を噴射して前記2枚
のウェーハをデボンディングする。
ハとデバイスウェーハとの間に前記バルクウェーハとデ
バイスウェーハとの間のボンディング強度よりさらに大
きな噴射圧を有する液体、例えば水を噴射して前記2枚
のウェーハをデボンディングする。
【0025】この際、前記液体の噴射圧は前記ボンディ
ング強度の2倍以上であり、前記液体としては脱イオン
水を使用する。
ング強度の2倍以上であり、前記液体としては脱イオン
水を使用する。
【0026】図3及び図4は本発明によるウェーハデボ
ンディング法を説明するために示した断面図であって、
前記図2のウェーハデボンダを用いる。
ンディング法を説明するために示した断面図であって、
前記図2のウェーハデボンダを用いる。
【0027】まず、図3はボンディングされたウェーハ
60をウェーハデボンダに装着する段階を示したもので
あって、これはバルクウェーハ10上に熱酸化膜30を
形成し、この熱酸化膜30上にデバイスウェーハ20を
直接ボンディングしてボンディングされたウェーハ60
を形成した後、前記バルクウェーハ10とデバイスウェ
ーハ20との間に不純物粒子が存在すると判断されれ
ば、ウェーハ装着器200の第1台100aに前記ボン
ディングされたウェーハを装着する段階と前記第1台1
00aに装着されたボンディングされたウェーハ60を
前記第1ホルダー110に固定させる段階で進行され
る。
60をウェーハデボンダに装着する段階を示したもので
あって、これはバルクウェーハ10上に熱酸化膜30を
形成し、この熱酸化膜30上にデバイスウェーハ20を
直接ボンディングしてボンディングされたウェーハ60
を形成した後、前記バルクウェーハ10とデバイスウェ
ーハ20との間に不純物粒子が存在すると判断されれ
ば、ウェーハ装着器200の第1台100aに前記ボン
ディングされたウェーハを装着する段階と前記第1台1
00aに装着されたボンディングされたウェーハ60を
前記第1ホルダー110に固定させる段階で進行され
る。
【0028】図4はボンディングされたウェーハ(図3
の部材番号60)をデボンディングする段階を示したも
のであって、これは前記ボンディングされたウェーハの
界面の延長線上に位置するように前記ウェーハ装着器2
00の前面に設けられているノズル130の位置を調整
する段階、前記ノズル130から前記ボンディングされ
たウェーハの界面に液体140を噴射して前記バルクウ
ェーハ10からデバイスウェーハ20をデボンディング
する段階及びデボンディングされたデバイスウェーハ2
0を前記第2ホルダー120に固定させる段階で進行さ
れる。
の部材番号60)をデボンディングする段階を示したも
のであって、これは前記ボンディングされたウェーハの
界面の延長線上に位置するように前記ウェーハ装着器2
00の前面に設けられているノズル130の位置を調整
する段階、前記ノズル130から前記ボンディングされ
たウェーハの界面に液体140を噴射して前記バルクウ
ェーハ10からデバイスウェーハ20をデボンディング
する段階及びデボンディングされたデバイスウェーハ2
0を前記第2ホルダー120に固定させる段階で進行さ
れる。
【0029】この際、ボンディングされたウェーハが前
記図3と反対に装着される場合、デボンディングされる
のは前記デバイスウェーハでなくバルクウェーハである
ことは本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者
なら明白にわかる。
記図3と反対に装着される場合、デボンディングされる
のは前記デバイスウェーハでなくバルクウェーハである
ことは本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者
なら明白にわかる。
【0030】また、前記液体140として脱イオン水を
使用し、その噴射圧は前記バルクウェーハ10とデバイ
スウェーハ20との間のボンディングの強度の2倍以上
である。
使用し、その噴射圧は前記バルクウェーハ10とデバイ
スウェーハ20との間のボンディングの強度の2倍以上
である。
【0031】前述した図3及び図4の段階でデボンディ
ングされたウェーハ等は洗浄により不純物粒子を除去し
た後、再びボンディングされる。
ングされたウェーハ等は洗浄により不純物粒子を除去し
た後、再びボンディングされる。
【0032】なお、本発明は上述した実施の形態に限定
されるものではなく、多くの変形が本発明の技術的思想
内で当分野の通常の知識を有する者により可能であるこ
とは明白である。
されるものではなく、多くの変形が本発明の技術的思想
内で当分野の通常の知識を有する者により可能であるこ
とは明白である。
【0033】
【発明の効果】以上のように、本発明によるウェーハデ
ボンダ及びこれを用いたウェーハデボンディング法によ
れば、脱イオン水をボンディングされたウェーハの界面
に噴射してウェーハ等をデボンディングすることによ
り、第1に、従来のようにレーザーブレードを使用する
時発生するかき傷等の欠陥を防止し得る。第2にデボン
ディングと同時にウェーハを洗浄し得る。
ボンダ及びこれを用いたウェーハデボンディング法によ
れば、脱イオン水をボンディングされたウェーハの界面
に噴射してウェーハ等をデボンディングすることによ
り、第1に、従来のようにレーザーブレードを使用する
時発生するかき傷等の欠陥を防止し得る。第2にデボン
ディングと同時にウェーハを洗浄し得る。
【図1】 従来のウェーハデボンディング法を説明する
ために示した断面図である。
ために示した断面図である。
【図2】 本発明のウェーハデボンダを示した断面図で
ある。
ある。
【図3】 本発明のウェーハデボンディング法を説明す
るために示した断面図である。
るために示した断面図である。
【図4】 本発明のウェーハデボンディング法を説明す
るために示した断面図である。
るために示した断面図である。
100a…第1台、 100b…第2台、 100c…連結部、 110…第1ホルダー、 120…第2ホルダー、 130…ノズル、 140…液体、 200…ウェーハ装着器。
Claims (12)
- 【請求項1】 その上面が平坦な第1台と、前記第1台
の上部に位置しその下面が前記第1台の上面に対して所
定の傾斜を有するように設けられた第2台と、 前記第1台と第2台とを連結する連結部よりなるウェー
ハ装着器と、 前記第1台に装着された第1ホルダーと、 前記第2台の下面の延長面に位置した第2ホルダーと、 前記ウェーハ装着器の前面に設けられたノズルとを具備
することを特徴とするウェーハデボンダ。 - 【請求項2】 前記第1台は前記ウェーハ装着器に装着
されるウェーハの2/3の長さとなっており、前記第2
台は前記ウェーハの1/3の長さとなっていることを特
徴とする請求項1に記載のウェーハデボンダ。 - 【請求項3】 前記第2台の下面は前記第1台の上面に
対して3°〜5°の角を成すように形成されていること
を特徴とする請求項1に記載のウェーハデボンダ。 - 【請求項4】 前記第1及び第2ホルダーは真空チャッ
クであることを特徴とする請求項1に記載のウェーハデ
ボンダ。 - 【請求項5】 前記ノズルはピン形であることを特徴と
する請求項1に記載のウェーハデボンダ。 - 【請求項6】 前記ノズルは板形であることを特徴とす
る請求項1に記載のウェーハデボンダ。 - 【請求項7】 相互ボンディングされている第1ウェー
ハと第2ウェーハを用意する段階と、 前記第1ウェーハと第2ウェーハとの間に前記第1ウェ
ーハと第2ウェーハとのボンディング強度より大きな噴
射圧を有する液体を噴射することによりこれらをデボン
ディングする段階とを具備することを特徴とするウェー
ハデボンディング法。 - 【請求項8】 前記液体の噴射圧は前記ボンディング強
度より2倍以上大きなことを特徴とする請求項7に記載
のウェーハデボンディング法。 - 【請求項9】 前記液体は脱イオン水であることを特徴
とする請求項7に記載のウェーハデボンディング法。 - 【請求項10】 その上面が平坦な第1台と、前記第1
台の上部に位置しその下面が前記第1台の上面に対して
所定の傾斜を有するように設けられた第2台と、前記第
1台と第2台とを連結する連結部よりなるウェーハ装着
器に相互ボンディングされている第1ウェーハと第2ウ
ェーハを装着する第1段階と、 前記第1台に装着されている第1ホルダーに相互ボンデ
ィングされたウェーハを固定させる第2段階と、 前記第1ウェーハと第2ウェーハとの界面の延長線に位
置するように前記ウェーハ装着器の前面に設けられたノ
ズルの位置を調整する第3段階と、 前記ノズルから前記第1ウェーハと第2ウェーハとの界
面に液体を噴射することにより前記第1ウェーハから前
記第2ウェーハをデボンディングする第4段階と、 デボンディングされた前記第2ウェーハを前記第2台の
下面の延長面に位置した第2ホルダーで固定させる第5
段階とを具備することを特徴とするウェーハデボンディ
ング法。 - 【請求項11】 前記ノズルから噴射される前記液体の
噴射圧力は前記第1ウェーハと第2ウェーハとの間のボ
ンディング強度より2倍以上大きいことを特徴とする請
求項10に記載のウェーハデボンディング法。 - 【請求項12】 前記液体は脱イオン水であることを特
徴とする請求項10に記載のウェーハデボンディング
法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR95P39045 | 1995-10-31 | ||
KR1019950039045A KR0165467B1 (ko) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 웨이퍼 디본더 및 이를 이용한 웨이퍼 디본딩법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09167724A true JPH09167724A (ja) | 1997-06-24 |
Family
ID=19432539
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8282601A Withdrawn JPH09167724A (ja) | 1995-10-31 | 1996-10-24 | ウェーハデボンダ及びこれを用いたウェーハデボンディング法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5783022A (ja) |
JP (1) | JPH09167724A (ja) |
KR (1) | KR0165467B1 (ja) |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0925887A1 (en) * | 1997-12-26 | 1999-06-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Object separating apparatus and method, and method of manufacturing semiconductor substrate |
EP0925888A1 (en) * | 1997-12-26 | 1999-06-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Sample separating apparatus and method, and substrate manufacture method |
EP0948032A2 (en) * | 1998-04-01 | 1999-10-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Member separating apparatus and processing apparatus |
JP2000223383A (ja) * | 1999-02-02 | 2000-08-11 | Canon Inc | 分離装置、分離方法及び半導体基板の製造方法 |
EP1134790A2 (en) * | 1997-03-27 | 2001-09-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus for separating a composite member using fluid jet |
US6609553B2 (en) | 1998-07-27 | 2003-08-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Sample processing apparatus and method |
US6629539B1 (en) | 1998-11-06 | 2003-10-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Sample processing system |
US6672358B2 (en) | 1998-11-06 | 2004-01-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Sample processing system |
JP2004527400A (ja) * | 2001-04-10 | 2004-09-09 | エス オー イ テク シリコン オン インシュレータ テクノロジース | 基板の層を切断するための装置及びその方法 |
US7579257B2 (en) | 1998-11-06 | 2009-08-25 | Canon Kabuhsiki Kaisha | Sample separating apparatus and method, and substrate manufacturing method |
KR20130064691A (ko) | 2011-12-08 | 2013-06-18 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 박리 장치, 박리 시스템, 박리 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 |
US8997822B2 (en) | 2011-01-19 | 2015-04-07 | Tokyo Electron Limited | Substrate inverting device, substrate inverting method, and peeling system |
JP2015527751A (ja) * | 2012-09-07 | 2015-09-17 | ソイテックSoitec | その後の分離を目的とした構造体の製造方法 |
US9165758B2 (en) | 2011-01-07 | 2015-10-20 | Tokyo Electron Limited | Peeling system, peeling method, and computer storage medium |
US9330898B2 (en) | 2010-08-23 | 2016-05-03 | Tokyo Electron Limited | Separation system, separation method, program and computer storage medium |
US9827756B2 (en) | 2011-04-12 | 2017-11-28 | Tokyo Electron Limited | Separation apparatus, separation system, and separation method |
JP2018505543A (ja) * | 2014-12-05 | 2018-02-22 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | 基板スタック保持具、容器、および、基板スタックを分割するための方法 |
US9919509B2 (en) | 2011-01-07 | 2018-03-20 | Tokyo Electron Limited | Peeling device, peeling system and peeling method |
US9956755B2 (en) | 2011-04-12 | 2018-05-01 | Tokyo Electron Limited | Separation method, separation apparatus, and separation system |
US10008419B2 (en) | 2011-09-09 | 2018-06-26 | Tokyo Electron Limited | Separation method, computer storage medium, and separation system |
KR20190102990A (ko) * | 2018-02-27 | 2019-09-04 | 가부시기가이샤 디스코 | 박리 방법 |
Families Citing this family (53)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09263500A (ja) * | 1996-01-22 | 1997-10-07 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 貼り合わせsoiウェーハの剥がし治具 |
FR2752332B1 (fr) * | 1996-08-12 | 1998-09-11 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de decollement de plaquettes et procede de mise en oeuvre de ce dispositif |
US6033974A (en) * | 1997-05-12 | 2000-03-07 | Silicon Genesis Corporation | Method for controlled cleaving process |
US6245161B1 (en) | 1997-05-12 | 2001-06-12 | Silicon Genesis Corporation | Economical silicon-on-silicon hybrid wafer assembly |
US20070122997A1 (en) | 1998-02-19 | 2007-05-31 | Silicon Genesis Corporation | Controlled process and resulting device |
JPH115064A (ja) | 1997-06-16 | 1999-01-12 | Canon Inc | 試料の分離装置及びその方法並びに基板の製造方法 |
US6548382B1 (en) * | 1997-07-18 | 2003-04-15 | Silicon Genesis Corporation | Gettering technique for wafers made using a controlled cleaving process |
US6383890B2 (en) | 1997-12-26 | 2002-05-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer bonding method, apparatus and vacuum chuck |
SG71903A1 (en) | 1998-01-30 | 2000-04-18 | Canon Kk | Process of reclamation of soi substrate and reproduced substrate |
JPH11243050A (ja) | 1998-02-24 | 1999-09-07 | Canon Inc | 露光装置 |
EP0989616A3 (en) * | 1998-09-22 | 2006-05-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for producing photoelectric conversion device |
KR100312813B1 (ko) * | 1998-11-23 | 2001-12-28 | 구자홍 | 통이회전되는세탁기의보푸라기채집장치및그의방법 |
FR2796491B1 (fr) | 1999-07-12 | 2001-08-31 | Commissariat Energie Atomique | Procede de decollement de deux elements et dispositif pour sa mise en oeuvre |
US6263941B1 (en) * | 1999-08-10 | 2001-07-24 | Silicon Genesis Corporation | Nozzle for cleaving substrates |
US6500732B1 (en) | 1999-08-10 | 2002-12-31 | Silicon Genesis Corporation | Cleaving process to fabricate multilayered substrates using low implantation doses |
WO2001010644A1 (en) * | 1999-08-10 | 2001-02-15 | Silicon Genesis Corporation | Method and apparatus for cleaving a substrate |
AU6905000A (en) * | 1999-08-10 | 2001-03-05 | Silicon Genesis Corporation | A cleaving process to fabricate multilayered substrates using low implantation doses |
DE19958803C1 (de) * | 1999-12-07 | 2001-08-30 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Vorrichtung zum Handhaben von Halbleitersubstraten bei der Prozessierung und/oder Bearbeitung |
US6544862B1 (en) | 2000-01-14 | 2003-04-08 | Silicon Genesis Corporation | Particle distribution method and resulting structure for a layer transfer process |
US6558109B2 (en) | 2000-05-26 | 2003-05-06 | Automation Technology, Inc. | Method and apparatus for separating wafers |
JP2002075917A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-03-15 | Canon Inc | 試料の分離装置及び分離方法 |
DE10108369A1 (de) * | 2001-02-21 | 2002-08-29 | B L E Lab Equipment Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Ablösen eines Halbleiterwafers von einem Träger |
JP2002353081A (ja) | 2001-05-25 | 2002-12-06 | Canon Inc | 板部材の分離装置及び分離方法 |
JP2002353423A (ja) * | 2001-05-25 | 2002-12-06 | Canon Inc | 板部材の分離装置及び処理方法 |
FR2828428B1 (fr) * | 2001-08-07 | 2003-10-17 | Soitec Silicon On Insulator | Dispositif de decollement de substrats et procede associe |
FR2834381B1 (fr) * | 2002-01-03 | 2004-02-27 | Soitec Silicon On Insulator | Dispositif de coupe de couche d'un substrat, et procede associe |
US7083801B2 (en) * | 2002-07-18 | 2006-08-01 | Rohm And Haas Company | Stabilized haloalkynyl microbicide compositions |
US8187377B2 (en) | 2002-10-04 | 2012-05-29 | Silicon Genesis Corporation | Non-contact etch annealing of strained layers |
FR2860178B1 (fr) * | 2003-09-30 | 2005-11-04 | Commissariat Energie Atomique | Procede de separation de plaques collees entre elles pour constituer une structure empilee. |
US20050150597A1 (en) * | 2004-01-09 | 2005-07-14 | Silicon Genesis Corporation | Apparatus and method for controlled cleaving |
US7829152B2 (en) * | 2006-10-05 | 2010-11-09 | Lam Research Corporation | Electroless plating method and apparatus |
US9362439B2 (en) | 2008-05-07 | 2016-06-07 | Silicon Genesis Corporation | Layer transfer of films utilizing controlled shear region |
US7811900B2 (en) | 2006-09-08 | 2010-10-12 | Silicon Genesis Corporation | Method and structure for fabricating solar cells using a thick layer transfer process |
US8993410B2 (en) | 2006-09-08 | 2015-03-31 | Silicon Genesis Corporation | Substrate cleaving under controlled stress conditions |
US8293619B2 (en) | 2008-08-28 | 2012-10-23 | Silicon Genesis Corporation | Layer transfer of films utilizing controlled propagation |
JP5284576B2 (ja) * | 2006-11-10 | 2013-09-11 | 信越化学工業株式会社 | 半導体基板の製造方法 |
US20080182363A1 (en) * | 2007-01-31 | 2008-07-31 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for forming a microelectronic assembly including encapsulating a die using a sacrificial layer |
US8330126B2 (en) | 2008-08-25 | 2012-12-11 | Silicon Genesis Corporation | Race track configuration and method for wafering silicon solar substrates |
US7927975B2 (en) | 2009-02-04 | 2011-04-19 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor material manufacture |
WO2010121068A2 (en) * | 2009-04-16 | 2010-10-21 | Suss Microtec, Inc. | Improved apparatus for temporary wafer bonding and debonding |
US8950459B2 (en) | 2009-04-16 | 2015-02-10 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Debonding temporarily bonded semiconductor wafers |
US8366873B2 (en) * | 2010-04-15 | 2013-02-05 | Suss Microtec Lithography, Gmbh | Debonding equipment and methods for debonding temporary bonded wafers |
US8329557B2 (en) | 2009-05-13 | 2012-12-11 | Silicon Genesis Corporation | Techniques for forming thin films by implantation with reduced channeling |
DE102012101237A1 (de) * | 2012-02-16 | 2013-08-22 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Verfahren zum temporären Verbinden eines Produktsubstrats mit einem Trägersubstrat |
CN102923364B (zh) * | 2012-11-09 | 2015-03-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜拆卸机构 |
US9508586B2 (en) * | 2014-10-17 | 2016-11-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Debonding schemes |
JP6981812B2 (ja) * | 2016-08-31 | 2021-12-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
WO2018169762A1 (en) * | 2017-03-15 | 2018-09-20 | Didrew Technology (Bvi) Limited | Method and system for debonding temporarily adhesive-bonded carrier-workpiece pair |
JP6976828B2 (ja) * | 2017-11-24 | 2021-12-08 | 株式会社ディスコ | 剥離装置 |
US11346371B2 (en) | 2018-05-04 | 2022-05-31 | Raytheon Technologies Corporation | Method to strip coatings off of an aluminum alloy fan blade |
JP7262903B2 (ja) * | 2019-08-26 | 2023-04-24 | 株式会社ディスコ | キャリア板の除去方法 |
US11996384B2 (en) * | 2020-12-15 | 2024-05-28 | Pulseforge, Inc. | Method and apparatus for debonding temporarily bonded wafers in wafer-level packaging applications |
CN113488423A (zh) * | 2021-07-01 | 2021-10-08 | 杭州中为光电技术有限公司 | 硅片周转机构 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4224504A (en) * | 1978-06-21 | 1980-09-23 | General Electric Company | Apparatus for practicing temperature gradient zone melting |
US4466852A (en) * | 1983-10-27 | 1984-08-21 | At&T Technologies, Inc. | Method and apparatus for demounting wafers |
US5362667A (en) * | 1992-07-28 | 1994-11-08 | Harris Corporation | Bonded wafer processing |
US5091331A (en) * | 1990-04-16 | 1992-02-25 | Harris Corporation | Ultra-thin circuit fabrication by controlled wafer debonding |
US5131968A (en) * | 1990-07-31 | 1992-07-21 | Motorola, Inc. | Gradient chuck method for wafer bonding employing a convex pressure |
US5102821A (en) * | 1990-12-20 | 1992-04-07 | Texas Instruments Incorporated | SOI/semiconductor heterostructure fabrication by wafer bonding of polysilicon to titanium |
DE4100526A1 (de) * | 1991-01-10 | 1992-07-16 | Wacker Chemitronic | Vorrichtung und verfahren zum automatischen vereinzeln von gestapelten scheiben |
US5376580A (en) * | 1993-03-19 | 1994-12-27 | Hewlett-Packard Company | Wafer bonding of light emitting diode layers |
TW289837B (ja) * | 1994-01-18 | 1996-11-01 | Hwelett Packard Co | |
JP4220580B2 (ja) * | 1995-02-10 | 2009-02-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造装置 |
JP2881558B2 (ja) * | 1995-07-12 | 1999-04-12 | 本田技研工業株式会社 | 一時保護塗膜の剥離方法 |
-
1995
- 1995-10-31 KR KR1019950039045A patent/KR0165467B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-10-24 JP JP8282601A patent/JPH09167724A/ja not_active Withdrawn
- 1996-10-31 US US08/742,938 patent/US5783022A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-04-28 US US09/067,821 patent/US5863375A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1134790A3 (en) * | 1997-03-27 | 2001-12-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus for separating a composite member using fluid jet |
US6746559B2 (en) | 1997-03-27 | 2004-06-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for separating composite member using fluid |
US6475323B1 (en) | 1997-03-27 | 2002-11-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for separating composite member using fluid |
US6382292B1 (en) | 1997-03-27 | 2002-05-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for separating composite member using fluid |
EP1134790A2 (en) * | 1997-03-27 | 2001-09-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus for separating a composite member using fluid jet |
US6418999B1 (en) | 1997-12-26 | 2002-07-16 | Cannon Kabushiki Kaisha | Sample separating apparatus and method, and substrate manufacturing method |
EP0925888A1 (en) * | 1997-12-26 | 1999-06-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Sample separating apparatus and method, and substrate manufacture method |
SG87916A1 (en) * | 1997-12-26 | 2002-04-16 | Canon Kk | Sample separating apparatus and method, and substrate manufacturing method |
EP0925887A1 (en) * | 1997-12-26 | 1999-06-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Object separating apparatus and method, and method of manufacturing semiconductor substrate |
US6436226B1 (en) * | 1997-12-26 | 2002-08-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Object separating apparatus and method, and method of manufacturing semiconductor substrate |
US6521078B2 (en) | 1997-12-26 | 2003-02-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sample separating apparatus and method, and substrate manufacturing method |
US6860963B2 (en) | 1997-12-26 | 2005-03-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Sample separating apparatus and method, and substrate manufacturing method |
EP0948032A3 (en) * | 1998-04-01 | 2001-09-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Member separating apparatus and processing apparatus |
EP0948032A2 (en) * | 1998-04-01 | 1999-10-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Member separating apparatus and processing apparatus |
US6540861B2 (en) | 1998-04-01 | 2003-04-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Member separating apparatus and processing apparatus |
KR100413146B1 (ko) * | 1998-04-01 | 2003-12-31 | 캐논 가부시끼가이샤 | 부재분리장치 및 부재분리방법 |
US6609553B2 (en) | 1998-07-27 | 2003-08-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Sample processing apparatus and method |
US6773534B2 (en) | 1998-07-27 | 2004-08-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Sample processing apparatus and method |
US6971432B2 (en) | 1998-11-06 | 2005-12-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Sample processing system |
US6672358B2 (en) | 1998-11-06 | 2004-01-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Sample processing system |
US6629539B1 (en) | 1998-11-06 | 2003-10-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Sample processing system |
US7579257B2 (en) | 1998-11-06 | 2009-08-25 | Canon Kabuhsiki Kaisha | Sample separating apparatus and method, and substrate manufacturing method |
JP2000223383A (ja) * | 1999-02-02 | 2000-08-11 | Canon Inc | 分離装置、分離方法及び半導体基板の製造方法 |
JP2004527400A (ja) * | 2001-04-10 | 2004-09-09 | エス オー イ テク シリコン オン インシュレータ テクノロジース | 基板の層を切断するための装置及びその方法 |
JP4673944B2 (ja) * | 2001-04-10 | 2011-04-20 | エス オー イ テク シリコン オン インシュレータ テクノロジース | 基板の層を切断するための装置及びその方法 |
US9330898B2 (en) | 2010-08-23 | 2016-05-03 | Tokyo Electron Limited | Separation system, separation method, program and computer storage medium |
US9165758B2 (en) | 2011-01-07 | 2015-10-20 | Tokyo Electron Limited | Peeling system, peeling method, and computer storage medium |
US9919509B2 (en) | 2011-01-07 | 2018-03-20 | Tokyo Electron Limited | Peeling device, peeling system and peeling method |
US8997822B2 (en) | 2011-01-19 | 2015-04-07 | Tokyo Electron Limited | Substrate inverting device, substrate inverting method, and peeling system |
US9827756B2 (en) | 2011-04-12 | 2017-11-28 | Tokyo Electron Limited | Separation apparatus, separation system, and separation method |
US9956755B2 (en) | 2011-04-12 | 2018-05-01 | Tokyo Electron Limited | Separation method, separation apparatus, and separation system |
US10008419B2 (en) | 2011-09-09 | 2018-06-26 | Tokyo Electron Limited | Separation method, computer storage medium, and separation system |
KR20130064691A (ko) | 2011-12-08 | 2013-06-18 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 박리 장치, 박리 시스템, 박리 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 |
US10071544B2 (en) | 2011-12-08 | 2018-09-11 | Tokyo Electron Limited | Separation apparatus, separation system, and separation method |
JP2015527751A (ja) * | 2012-09-07 | 2015-09-17 | ソイテックSoitec | その後の分離を目的とした構造体の製造方法 |
JP2018505543A (ja) * | 2014-12-05 | 2018-02-22 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | 基板スタック保持具、容器、および、基板スタックを分割するための方法 |
KR20190102990A (ko) * | 2018-02-27 | 2019-09-04 | 가부시기가이샤 디스코 | 박리 방법 |
JP2019149470A (ja) * | 2018-02-27 | 2019-09-05 | 株式会社ディスコ | 剥離方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5783022A (en) | 1998-07-21 |
US5863375A (en) | 1999-01-26 |
KR0165467B1 (ko) | 1999-02-01 |
KR970023665A (ko) | 1997-05-30 |
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---|---|---|---|
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