KR0159127B1 - 고체 전해 콘덴서 및 그 제조방법 - Google Patents

고체 전해 콘덴서 및 그 제조방법 Download PDF

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KR0159127B1
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Abstract

본 발명은 금속과 금속 위에 형성된 절연 산화막과, 이 절연 산화막 위에 형성된 도전성 폴리머 화합물층과, 이 도전성 폴리머 화합물층 위에 형성된 도전성 페이스트층과, 이들 모든 부재들을 내부에 감싸고 있는 성형된 수지 덮판, 및 금속과 도전성 페이스트층에 각각 연결된 한쌍의 전극을 포함하고 고체 전해 콘덴서를 제공한다. 또한 이 콘덴서내에서 최소한 도전성 폴리머 화합물층과 도전성 페이스트층 및 이들 두층 사이의 접촉면 중 한곳에 산화방지제가 미립자의 형태로 도포된다. 또한 본 발명은 이러한 고체 전해 콘덴서의 제조방법을 제공한다.

Description

고체 전해 콘덴서 및 그 제조방법
제1도는 종래 고체 전해 콘덴서의 제1구성예를 나타내는 단면도.
제2도는 종래 고체 전해 콘덴서의 제2구성예를 나타내는 단면도.
제3도는 종래 고체 전해 콘덴서의 제3구성예를 나타내는 단면도.
제4(a)도는 본 발명의 고체 전해 콘덴서의 제1실시예에 대한 단면도.
제4(b)도는 본 발명의 고체 전해 콘덴서의 제1실시예에 대한 부분 확대도.
제5(a)도는 본 발명의 고체 전해 콘덴서의 제2실시예에 대한 단면도.
제5(b)도는 본 발명의 고체 전해 콘덴서의 제2실시예에 대한 부분 확대도.
제6(a)도는 본 발명의 고체 전해 콘덴서의 제3실시예에 대한 단면도.
제6(b)도는 본 발명의 고체 전해 콘덴서의 제3실시예에 대한 부분 확대도.
제7(a)도는 본 발명의 고체 전해 콘덴서의 제4실시예에 대한 단면도.
제7(b)도는 본 발명의 고체 전해 콘덴서의 제4실시예에 대한 부분 확대도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 애노드 금속 2 : 절연 산화막
3 : 도전 폴리머 화합물층 4 : 도전성 페이스트층
5a,5b : 외부 전극 6 : 탄탈 와이어
7 : 산소 흡수체 8 : 성형 수지 덮판
9 : 고체 전해층
본 발명은 고체 전해 콘덴서 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 고체 전해질로 사용되는 도전성 폴리머 화합물의 산화성 변성(oxidative deterioration)에 기인하는 도전율의 저하와 거의 무관한 고체 전해 콘덴서 및 이 콘덱서의 제조방법에 관한 것이다.
제1도에 도시되 있는 것과 같은 고체 전해 콘덴서는 이미 공지된 것으로, 이 콘덴서는 예를 들어 탄탈(tantalum) 또는 알루미늄으로 만든 애노드 금속(anode metal)(1)과, 이 금속(1)의 표면을 양극 산화(anodic oxidation)시킴으로써 이 애노드 금속(1) 위에 형성되는 절연 산화막(2)과, 예를 들어 금속 산화물(망간 이산화물 또는 납 이산화물)[일본 특허출원 공개공보 제163814호, 1991] 또는 7,7',8,8'-테트라시아노퀴노다이메탄 복합체(tetracyanoquinodimethane complex; 이후 TCNQ로 명명)[일본 특허출원 공개공보 제79255호, 1977]로 만든 절연 산화막(2) 위에 형성되는 고체 전해질층(9)과, 예를 들어 흑연 또는 은 페이스트로 만들고 고체 전해질층(9) 위에 형성되는 도전성 페이스트층(4), 및 상기 모든 부재를 감싸는 성형 수지 덮판(8)(에폭시 수지로 만듬)으로 구성된다. 제1도에서 5a 및 5b는 도전성 페이스트층(4)과 애노드 금속(1)에 각각 연결되는 외부 전극들이다.
고체 전해질 층으로서 망간 이산화물을 이용하는 이러한 고체 전해 콘덴서는 충분한 도전율을 가지지 못하며, 따라서 고주파 영역에서 큰 임피던스를 나타낸다. 또한 TCNQ 복합체를 고체 전해질층으로 이용하는 고체 전해 콘덴서는 TCNQ 복합체가 열에 쉽게 분해되기 때문에 열 저항에 있어서 열등한 것이다.
한편, 최근에는, 전자 장치가 소형화됨에 따라 보다 응답 속도가 높고 보다 디지탈화된 양호한 특성의 콘덴서가 요구되고 있다.
이러한 요구에 대해 고체 절연층으로서 방향성 및 도전성 폴리머 화합물(aromatic conductive polymer compound)(예로서, 폴리필로레(polypyrrole))을 이용하는 고체 전해 콘덴서가 제안되었는데, 이 화합물은 종래의 고체 전해질(예로서, 망간 이산화물, 납 이산화물, TCNQ 복합체)과 에폭시 수지, 실리콘 수지등으로 만든 성형 수지판보다 도전율이 더 높다.
그러나, 도전 폴리머 화합물(쉽게 산화됨)을 고체 전해질로 사용하는 이러한 고체 전해 콘덴서에서는, 공기중의 산소가 수지판을 통해 확산되고 높은 대기 온도중에서 콘덴서 내부로 침투하며, 폴리머 화합물을 산화시킨다. 이 결과, 도전성 폴리머 화합물의 도전율이 낮아지고, 따라서 고주파 ESR(등가직렬저항; equivalent series resistance)이 증가된다.
이와같은 문제점을 해결하기 위하여 제2도에 도시된 콘덴서가 제안되었는데, 이 콘덴서는 도전성 페이스트층(4)에 형성되고 수지로 만든 산소 장벽층(10)을 포함한다[일본 특허출원 공개공보 제109714호, 1991]. 이와 더불어 금속으로 만드는 산소 장벽층(10)을 포함하는 콘덴서도 제안되었다[일본 특허출원 공개공보 제109712호, 1991].
또한, 일본 특허출원 공개공보 제127813호, 1991과 제181309호, 1988에는 고체 전해 콘덴서를 생산하기 위한 공정이 제안되있는데, 이 공정에는 도전성 폴리머 화합물층의 형성에서 덮판으로 봉합하기까지의 단계 또는 도전성 폴리머층의 형성 이후부터 수지 덮판으로 봉합하기까지의 단계내에서 수행되는 열처리가 비활성 개스내에서 수행된다.
또한, 제3도에서와 같은 공정이 제안되었는데, 이 공정은 절연 프레임(12)으로 콘덴서 소자(11)를 감싸서 콘덴서 소자(11)의 표면과 절연 프레임(12)의 표면 사이에 소망 치수의 간격을 형성하는 단계와; 이 간격을 무산소 화합물이나 활성 산소를 발생시키지 않는 수지 또는 지방성 유제(fatty oil agent(13))로 채우는 단계; 및 판을 씌우는 단계로 구성된다[일본 실용신안출원 공개공보 제121918호, 1989].
그러나 일본 특허출원 공개공보 제109714호, 1991과 일본 특허출원 공개공보 제109712호, 1991에 공지된 공정에서는, 통과하는 공기중의 산소에 의한 도전성 폴리머 화합물의 산화에 의해 야기되는 도전율의 저하를 방지하기 위하여 산소 장벽층이 형성되므로, 공정 단계가 증가하게 된다. 또한 일본 특허출원 공개공보 제109712, 1991에서 공지된 공정에서는, 가열(예로서, 땜납의 경우 200∼300℃) 단계가 금속층 형성 또는 도전성 폴리머 화합물층의 형성동안 수행되기 때문에, 가열로 인하여 도전성 폴리머 화합물층에서 역도핑 현상(deoping phenomenon)이 일어나고, 도전성 폴리머 화합물층의 도전율이 감소하며, 고주파 ESR이 증가한다. 일본 특허출원 공개공보 제127813호, 1991 또는 일본 특허출원 공개공보 제181309호, 1988에 공지된 바와같이 비활성 개스 상태에서의 콘덴서 제조 작업은 밀폐된 환경하에서 수행되어야 하기 때문에, 비능률적이고 대량생산에 부적합하다. 또한 일본 실용신안 공개공보 제121918호, 1989에 공지된 공정은 콘덴서 소자를 절연 프레임으로 견고하게 감싸는데 기술이 필요하고, 절연 프레임의 사용으로 인해 비용의 상승이 초래된다.
따라서, 본 발명의 목적은 손쉬운 작업과 저비용으로 고체 전해 콘덴서를 제조하는데 있으며, 이 콘덴서는 통과하는 공지중의 산소에 의한 도전성 폴리머 화합물층의 산화에 의해 야기되는 도전율의 저하가 거의 방지되어, ESR의 증가가 일어나지 않는다.
상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 본 발명의 출원인은 일본 특허출원 제164호, 1993에서 고체 전해 콘덴서를 제안하였는데, 이 콘덴서는 금속과, 금속 위에 형성되는 절연 산화막(상기 금속의 산화물)과, 이 절연 산화막 위에 형성되는 도전성 폴리머 화합물층과, 이 화합물층 위에 형성되는 도전성 페이스트층 및 상술한 모든 부재들을 감싸는 성형 수지 덮판으로 구성되며, 콘덴서내에서 수지 덮판은 산소를 선택적으로 흡수할 수 있는 산소 흡수체를 구비한다.
이후 본 출원인의 연구 결과 상술한 문제점을 극복한 새로운 고체 전해 콘덴서와 그 생산 공정이 개발되었으며, 이에 따라 본 발명을 완성하게 된 것이다.
본 발명의 제1영역에서 고체 전해 콘덴서는 상부에 절연 산화막을 갖는 금속과, 상기 절연 산화막 위에 형성되는 도전성 폴리머 화합물층과, 상기 도전성 폴리머 화합물층 위에 형성되는 도전성 페이스트층과, 상기 모든 부재를 감싸는 성형수지 덮판, 및 상기 금속과 도전성 페이스트층에 각각 연결되는 한쌍의 전극을 포함하며, 상기 콘덴서내에서 산화방지제가 미립자의 형태로 상기 도전성 페이스트층의 외측 표면에 도포된다.
본 발명의 제2영역에서 고체 전해 콘덴서는 상부에 절연 산화막을 갖는 금속과, 상기 절연 산화막 위에 형성되는 도전성 폴리머 화합물층과, 상기 도전성 폴리머 화합물층 위에 형성되는 도전성 페이스트층과, 상기 모든 부재들을 감싸는 성형수지 덮판 및 상기 금속과 도전성 페이스트층에 각각 연결되는 한쌍의 전극을 포함하며, 상기 콘덴서내에서 산화방지제가 도전성 폴리머 화합물층, 상기 도전성 페이스트층, 및 도전성 폴리머 화합물층과 도전성 페이스트층 사이의 접촉면중 최소한 한곳에 미립자의 형태로 도포된다.
본 발명은 또한, 상기 제1영역에 기재된 고체 전해 콘덴서의 제조공정을 제공하는데, 이 공정은 금속 위에 상기 금속의 산화물인 절연 산화막을 형성하는 단계와; 상기 절연 산화막 위에 도전성 폴리머 화합물층을 형성하는 단계와; 상기 도전성 폴리머 화합물층 위에 도전성 페이스트층을 형성하는 단계와; 상기 금속 및 도전성 페이스트층에 각각 한쌍의 외부 전극을 연결하는 단계와; 상기 도전성 페이스트층 위에 산화방지제를 미립자의 형태로 도포하는 단계를 포함한다. 또한 본 발명은 본 발명의 제2영역에 따른 고체 전해 콘덴서를 제조하기 위한 공정을 제공하는데, 이 공정은 금속 위에 상기 금속의 산화물인 절연 산화막을 형성하는 단계와; 상기 절연 산화막 위에 도전성 폴리머 화합물층을 형성하는 단계와; 상기 도전성 폴리머 화합물층에 도전성 페이스트층을 형성하는 단계; 및 최소한 상기 도전성 폴리머 화합물층, 상기 도전성 페이스트층 및 상기 도전성 폴리머 화합물층과 도전성 페이스트층 사이의 접촉면중 한곳에 산화방지제를 미립자의 형태로 도포하는 단계를 포함한다.
본 발명의 고체 전해 콘덴서의 기본 구성은 종래의 고체 전해 콘덴서의 구성과 거의 유사하거나, 산화방지제를 사용하는 방법이 다르다. 다시말해도, 본 발명의 콘덴서의 모양, 재료등은 종래의 콘덴서와 기본적으로 동일하며 특별한 제한 조건은 없다.
본 발명의 콘덴서에서, 애노드(anode)를 구성하는 금속은 그 표면에 절연 산화막(dielectric oxide film)을 형성할 수 있는 금속이다. 이러한 금속에는 탄탈, 알루미늄 등이 포함되며 이들은 물론 잘 알려진 물질들이다.
이 금속은 고순도 금속 입자들을 소결된 물질(sintered material) 또는 막으로 변화시킨 후, 소결된 물질 또는 막을 에칭 처리하여 표면을 확장시킴으로서 양호하게 얻어진다.
산화방지제는 바람직하게는 하나의 화합물 또는 최소 2개의 화합물(이 경우, 혼합 산화방지제가 사용된다)이며, 이 화합물은 페놀계 화합물[예로서, 하이드로 퀴논(hydroquinone), P-니트로 페놀(P-nitrophenol), 2,6 다이-테르트-부틸-4-메틸페놀(2,6-di-tert-butyl-4-metylphenol) 및 테르트-부틸-4-메톡시페놀(tert-butyl-4-methoxyphenol)]과, 벤조페놀계 화합물[예로서, 2-하이드록시-4-메톡시 벤조페놀(2-hydroxy-4-methoxybenzophenone) 및 2-하이드록시-4-옥토시벤조페논(2-hydroxy-4-octoxybenzophenone)]과, 살리실산계 화합물[예로서, 페닐 살리실산염(phenyl salicylate), 모노글리콜 살리실산염(monoglycol salicylate) 및 P-테르트-부틸페닐 살리실산염(p-tert-butylphenyl salicylate)], 및 벤조 트리아졸계 화합물[예로서, 2(2'-하이드록시-5'-메틸페닐) 벤조 트리아졸(2(2'-hydroxy-5'-methylphenyl) benzotriazole)과 2(2'-하이드록시-3',5'-다이-테르트-부틸페닐) 벤조트리아졸(2(2'-hydroxy-3',5'-di-tert-butylphenyl) benzotriazole)] 로 구성되는 그룹중에서 선택된다.
산화방지제는 도전성 페이스트층, 도전성 폴리머 화합물층 또는 이들 두층 사이의 접촉면내에 도포된다. 여기에서 도포된다라는 것은 산화방지제가 별개의 고순도 입자들의 형태로 도포되는 상태를 말하며, 산화방지제가 연속적인 막의 형태로 존재하는 상태는 제외된다.
산화방지제 입자들의 형태에는 특별한 제한이 없으며, 예를 들어 구형 및 평면 형태가 포함된다.
또한, 산화방지제 입자의 직경은 대개 0.01-1.0μm이며, 특별한 경우 0.05-0.5μm이다.
또, 사용되는 산화방지제의 양은 1-100그램이며, 특수한 경우 도전성 폴리머 화합물층과 도전성 페이스트층에 대해 리터당 10-50그램(전체 단위 체적)이 바람직하다.
이하에서는 고체 전해 콘덴서의 생산 공정을 설명한다.
본 발명의 제1영역에 따른 고체 전해 콘덴서는 산화방지제가 도전성 페이스트층에 도포되는 고체 전해 콘덴서이다.
이러한 고체 전해 콘덴서를 제조하기 위한 공정의 전형적인 예는 다음과 같다. 즉, 금속이 산화되어 이 금속 위에 산화막이 형성되고; 이 산화막 위에 도전성 폴리머 화합물층이 형성되며, 이 도전성 폴리머 화합물층 위에 도전성 페이스트층이 형성되고, 외부 전극이 부착되어 콘덴서 소자가 준비된다; 이후 콘덴서 소자는 산화방지제가 용해된 용액내에 넣어진 후 건조되어 증발 성분(용제)이 제거되고, 이에 따라 산화방지제가 도전성 페이스트층 위에 도포된다; 이후 최종 물질의 외측이 수지로 코팅되어 성형된 수지 덮판(molded resin sheathing)이 형성되고, 이로써, 고체 전해 콘덴서가 완성된다.
다음으로는 본 발명의 제2영역에 따른 고체 전해 콘덴서에 대해 설명한다. 이 콘덴서는 산화방지제가 도전성 폴리머 화합물층, 도전성 페이스트층 및 이들 두층 사이의 접촉면중 최소한 한곳에 도포된다.
제2영역에 따른 고체 전해 콘덴서의 생산 공정으로서는 예를 들어 다음의 2가지 공정이 예시 가능하며, 이들 공정은 산화방지제가 도포되는 방법에 따라 구분된다.
제1공정에서는 산화방지제를 함유하는 물질이 사용되는데, 예를 들어 산화방지제가 도전성 페이스트층에 도포될 때, 산화방지제를 함유하는 도전성 페이스트가 사용된다. 즉, 금속이 산화되어 이 금속 위에 산화막이 형성되고; 이 산화막 위에 도전성 폴리머 화합물층이 형성되며; 이 도전성 폴리머 화합물층 위에 산화방지제가 함유된 상기 도전성 페이스트를 사용하는 도전성 페이스트층이 형성되고; 이후 외부 전극들이 부착되며; 최종 물질의 외측이 수지로 코팅되어, 성형된 수지 덮판이 형성되고, 이로써 고체 전해 콘덴서가 완성된다.
이 제1공정의 다른 실시예에서는, 금속이 산화되어 이 금속 위에 산화막이 형성되고, 이 산화막 위에 도전성 폴리머 화합물층이 형성된다. 도전성 폴리머 화합물층을 형성하는 단계에서, 상기 층은 산화성 중합(oxidative polymerization)에 의해 형성되는데 이 산화성 중합은 산화방지제를 함유하는 용액을 사용한다. 즉, 전기 분해식 중합(electrolytic polymerization)이 수행될 때 전해질 용액내에서 용해된 산화방지제와 함께 수행되고; 화학적 중합이 수행될 때 단량체, 산화용제 및 산화방지제를 함유하는 용액을 사용하여 수행된다. 이후 도전성 페이스트층이 형성되고; 외부 전극들이 부착되며; 최종 물질의 외측이 수지로 코팅되어 성형된 수지 덮판이 형성됨으로써 고체 전해 콘덴서가 완성된다.
부가적으로, 전기분해 중합 또는 화학적 중합은 당업자에게 잘 알려진 방식과 같은 조건하에서 수행될 수 있다.
제2공정에서는, 콘덴서 소자가 산화방지제가 함유된 용액내에 넣어지며, 이에 따라 고체 전해 콘덴서가 생성된다. 이 경우, 콘덴서 소자가 산화방지제가 함유된 용액내에 잠긴 후, 증발성분(용제)을 제거하기 위하여 건조 단계가 적용될 수 있다.
다음의 사항은 산화방지제가 도전성 폴리머 화합물층에 도포되는 경우의 예를 설명하는 것이다. 즉, 금속이 산화되어 이 금속 위에 산화막이 형성되고, 이 산화막 위에 도전성 폴리머 화합물층이 형성된다. 이 도전성 폴리머 화합물층의 형성 단계에서, 도전성 폴리머 화합물은 산화성 중합에 의해 형성되며, 이후 산화방지제가 함유된 용액에 넣어진다. 이후 증발 성분(용제)을 제거하기 위하여 건조 단계가 수행된다. 이러한 일련의 작업 즉, 도전성 폴리머 화합물의 형성과 이 화합물에 산화방지제를 도포하는 작업은 소망하는 두께의 층이 얻어질 때까지 반복되고, 이로써 도전성 폴리머 화합물층이 형성된다. 그다음, 도전성 페이스트층이 도전성 폴리머 화합물층 위에 형성되고, 외부 전극들이 부착된 후, 최종 물질의 외부가 수지로 코팅되어 성형된 수지 덮판이 형성됨으로서 고체 전해 콘덴서가 완성된다.
도전성 폴리머 화합물이 잠기게 되는 산화방지제 용액내의 산화방지제의 농도는 대략 1-100그램/리터이고, 보다 상세히는 10-50그램/리터이다. 또한 용액에 담그는 시간은 대략 30 내지 10분이고, 보다 상세하는 60-300초이다. 또, 이때의 온도는 대략 10-65℃이다.
산화방지제가 도전성 폴리머 화합물층과 도전성 페이스트층 사이의 접촉면에 도포될 때, 금속은 산화되어 이 금속 위에 산화막이 형성되고, 이 산화막 위에 도전성 폴리머 화합물층이 형성된다. 이후 최종적인 물질이 산화방지제가 함유된 용액에 잠기게 되며, 이후 건조되어 증발 성분(용제)이 제거되어, 산화방지제가 도전성 폴리머 화합물층의 상부 표면에 도포된다. 그 다음, 도전성 페이스트층이 형성됨으로써, 산화방지제가 도전성 폴리머 화합물층과 도전성 페이스트층 사이의 접촉면에 도포될 수 있다. 최종 물질의 외측은 수지로 코팅되어 성형된 수지 덮판이 형성되며, 이로서 고체 전해 콘덴서가 완성된다.
여기에서 주목할 사항은 상술한 종래의 고체 전해 콘덴서에서는 콘덴서 소자의 둘레에 연속적인 수지층(막)이 산소 장벽층으로 존재하는 반면, 본 발명의 고체 전해 콘덴서에서는 콘덴서 소자의 둘레에 산화방지제가 도포된다는 사실로서, 이것이 바로 본 발명의 신규성을 이루는 것이다.
이에 부가하여, 본 발명의 제2영역에 따른 고체 전해 콘덴서는 산화방지제가 미립자의 형태로 도포되므로 효과적이다. 즉, 도전성 폴리머 화합물층, 도전성 페이스트층 또는 이들 두층 사이의 접촉면에 도포되는 산화방지제가 연속적인 모양이 아니므로 도전성 폴리머 화합물의 산화를 방지하여 이 화합물의 도전율을 유지할 수 있다. 이에 반해, 종래의 고체 전해 콘덴서에서와 같이 연속적인 수지층이 산소 장벽층으로 사용될 때에는, 이 연속 수지막에 의해 도전율이 떨어진다. 따라서 이러한 연속 수지막은 본 발명에서는 사용될 수 없다. 산화방지제가 미립자의 형태로 도포되면, 도전성 폴리머 화합물의 산화가 방지될 수 있으며, 이 화합물의 도전율은 미립자들의 직경 및 양을 조절함으로써 유지될 수 있다.
최소 하나의 산소 흡수 화합물 또는 이 화합물에 도포되는 산화방지제를 갖는 본 발명의 고체 전해 콘덴서는, 도전성 폴리머 화합물의 산화성 변성에 기인하는 도전율의 저하를 방지할 수 있으므로 고온에서 우수한 내구성을 지닌다.
이하에서는 실시예에 대해 설명한다.
먼저 제1실시예를 설명한다. 제4(a)와 4(b)도는 본 발명의 제1영역에 따른 고체 전해 콘덴서의 실시예를 나타낸 단면도이다. 직각 평행 육면체형의 소결된 탄탈 물질로 구성되는 금속[3.5mm×3.0mm×1.5mm(두께)]은 수성 인산 용액에서 90V로 60분동안 양극 산화(anodic oxidation)된다. 최종 물질은 세척된 후 건조되어, 산화막(2)으로 코팅된 다공표면(porous surface)을 갖는 펠릿(pellet)이 얻어진다. 이 펠릿은 수성 인산 용액내에서 측정시 15μF의 정전 용량을 갖는다.
산화막(2)으로 코팅된 펠릿은 중량으로 페릭 도데실 벤젠술폰산염(ferric dodecylbenzenesulfonate; 산화제) 20%를 함유하는 메탄올 용액에 넣어지고, 60℃에서 30분동안 건조되며, 10분동안 피롤레(pyrrole) 1몰%를 함유하는 수성용액에 넣어진 후, 이 용액내에서 상온으로 30분동안 유지되어 피롤레를 중합시킨다. 이러한 일련의 작업(산화제 충전, 피롤레 접속 및 피롤레 중합)은 5회 반복되어 5 내지 10μm 범위의 두께를 갖는 도전성 폴리 피롤레층으로 구성되는 도전성 폴리머 화합물층(3)이 형성된다. 이 후 에탄올 세척과 건조가 수행되어, 두께가 10 내지 50μm인 도전성 페이스트층(4)이 도전성 폴리피롤레층의 표면상에 형성된다.
도전성 페이스트층(4)의 형성은 도전성 폴리피롤레층에 은 페이스트를 코팅함으로써 수행되고 이후 가열처리가 수행된다.
이후, 도전성 페이스트층(4)(콘덴서 소자(1)의 캐소드측)이 은 페이스트에 의해 외부 전극(5a)에 연결된다. 부가적으로 도면부호 20은 은 페이스트로 구성되는 접착층이다.
콘덴서 소자(11)의 애노드 측에서, 탄탈 와이어(6)(이전에 소결된 탄탈 물질에서 도출되었음)가 외부 전극(5b)에 접합된다. 따라서 콘덴서 소자(11)는 이들 외부 전극들에 연결된다. 이후, 본 발명의 과제 즉, 산화방지제를 미립자 형태로 도포하는 작업이 수행된다. 즉, 외부 전극들과 함께 제공된 콘덴서 소자(11)가 리터당 10그램의 3,3'-티오디프로피온산(산화방지제)을 함유하는 수성 용액에 10분간 넣어진다음, 125℃에서 30분동안 건조된다. 이에 의하여, 산화방지제(14)(제4(b)도에 도시됨)가 미립자의 형태로 도전성 페이스트층(4)의 상부표면(즉, 소결된 수지 덮판과 접속하기 위한 도전성 페이스트층(4)의 표면)에 도포된다. 최종 물질의 외측은 에폭시 수지로 코팅되어 소결된 수지 덮판(8)이 형성되고, 이로서 고체 전해 콘덴서가 완성된다.
표 1에서와 같이 고체 전해 콘덴서는 120Hz에서 정전용량 15μF과, 100KHz에서 tanδ 1.9%와 ESR 79mΩ을 갖는다. 이 전해 콘덴서는 고온(105℃)에서 500시간동안 놓여진 후에는 120Hz에서 정전용량 14.9μF과, 100KHz에서 tanδ 2.1%와 ESR 83mΩ을 가지며 우수한 고온 내구성을 나타낸다.
다음에 제2실시예에 대해 설명한다.
제5(a)도와 제5(b)도는 본 발명의 제2영역에 따른 고체 전해 콘덴서의 구성예를 나타내는 단면도이다.
제1실시예에서와 동일한 소결된 탄탈 물질 및 과정을 이용하여, 산화막(2)과 폴리피롤레로 구성되는 도전성 폴리머 화합물층(3)이 소결된 탄탈 물질 위에 형성된다.
이후 에탄올 세척과 건조가 수행된 다음, 본 발명의 과제 즉, 상기 형성된 도전성 폴리피롤레층과 도전성 페이스트층(4) 사이의 접촉면에 산화방지제를 도포하는 작업이 수행된다. 이들 다시 설명하면, 에탄올 세척과 건조 이후 상기 물질이 리터당 10그램의 3,3'-티오디프로피온산(산화방지제)을 함유하는 수성 용액에 넣어지고, 125℃에서 30분간 건조된다. 이 작업에 의해, 제5(b)도에 도시된 바와 같이 평균직경 0,1μm의 미립자 형태인 산화방지제(14)가 도전성 폴리피롤레층의 표면에 도포된다.
그 다음에는 실시예 1에서와 같은 순서로 도전성 페이스트층(4)이 산화방지제가 도포된 도전성 폴리피롤레층 위에 형성된다. 이후, 초종 콘덴서 소자의 캐소드측이 은 페이스트를 이용하여 외부 전극(5a)에 연결된다. 콘덴서 소자의 애노드측은, 이전에 소결된 탄탈 물질로부터 따온 탄탈 와이어(6)를 외부 전극(5b)에 접함으로써 이 외부 전극(5b)에 연결된다. 그후 최종 물질의 외측이 수지로 코팅되어 성형된 수지 덮판이 형성됨으로서 고체 전해 콘덴서가 완성된다.
성형된 수지 덮판을 형성하기 위하여 사용되는 수지는 에폭시 수지이고, 덮판의 두께의 위치에 따라 다르지만 약 100-200μm이다.
표 1에 도시된 바와 같이, 고체 전해 콘덴서는 120Hz에서 정전용량 15μF과, 100KHz에서 tanδ 1.9%와 ESR 78mΩ을 갖는다. 이 콘덴서는 고온(105℃)에서 500시간동안 놓여진 후에는 120Hz에서 정전용량 14.9μF과, 100KHz에서 tanδ 2.1%와 ESR 85mΩ을 가지며 우수한 고온 내구성을 나타낸다.
다음은 제3실시예에 대해 설명한다.
제6도는 본 발명의 제2영역에 따른 고체 전해 콘덴서의 구성예에 대한 단면도이다.
이 도면에서 산화막(2)이 소결된 탄탈 물질 위에 형성되는데, 그 이용물질 및 순서는 제1실시예와 같은 소결된 탄탈 물질과 순서를 이용한다.
이후 본 발명의 과제가 수행되는데, 예로서 산화막(2) 위에 도전성 폴리피롤레를 함유하는 도전성 폴리머 화합물층(3)이 형성되고 산화방지제가 도포되는 작업이 수행된다. 즉, 제1실시예와 같은 방식으로 산화막으로 코팅된 펠릿이 중량으로 20%의 페릭 도데실 벤젠술폰산염을 함유하는 메탄올 용액에 10분동안 놓여지고, 30분동안 60℃에서 건조된 다음 산화제에 의해 충전된다.
최종 물질은 1몰%의 피롤레를 함유하는 수성 용액에 10분간 잠긴다음 상온에서 30분동안 이 수성 용액에서 유지되어 피롤레를 중합시킴으로써 도전성 폴리피롤레층이 형성된다.
도전성 폴리피롤레층은 리터당 10그램의 3,3'-티오디프로피온산(산화방지제)을 함유하는 수성 용액에 10분간 잠긴 후 125℃에서 30분간 건조된다.
이와같은 일련의 작업(산화제 충전, 단량체 접속과 중합, 및 산화방지제 도포)은 5회 반복되고, 이로서 제6(b)도에 도시된 바와 같이 산화방지제(14)가 도포된 두께 5-10μm의 도전성 폴리머 화합물층(3)이 형성된다.
도전성 폴리피롤레층에 도포된 산화방지제의 평균 입자직경은 0.1μm이다. 또한 도전성 폴리머 화합물층과 도전성 페이스트층의 총 체적에 대한 산화방지제의 비율은 리터당 10그램이다.
그 다음에는 도전성 페이스트층(4)이 산화방지제가 도포되어 있는 도전성 폴리피롤레층에 형성된다. 이때 사용된 도전성 페이스트는 은 페이스트이다.
최종 콘덴서 소자의 캐소드측은 은 페이스트를 사용하여 외부 전극(5a)에 연결되고, 애노드측은 이전에 소결된 탄탈물질로부터 따온 탄탈 와이어(6)를 외부 전극(5b)에 접합시킴으로써 외부 전극(5b)에 연결된다. 이후, 최종 물질의 외측이 수지로 코팅되어, 성형된 수지 덮판이 형성됨으로써, 고체 전해 콘덴서가 완성된다.
성형된 수지 덮판을 형성하는데 사용되는 수지는 에폭시 수지이고, 이 덮판의 두께는 위치에 따라 변화되지만 대략 100-200μm이다.
표 1에서와 같이, 고체 전해 콘덴서는 120Hz에서 정전용량 15μF과, 100KHz에서 tanδ 1.9% 및 ESR 78mΩ을 갖는다. 이 콘덴서는 고온(105℃)에서 500시간동안 놓여진 후에는 120Hz에서 정전용량 14.9μF과, 100KHz에서 tanδ 2.0%와 ESR 82mΩ을 가지며 우수한 고온 내구성을 나타낸다.
이하에서는 제4실시예에 대해 설명한다.
이 실시예에서는, 제1실시예와 동일한 순서로 동일한 펠릿 위에 산화막(2)이 형성된다.
이후, 산화방지제가 도포된 도전성 폴리피롤레층이 형성된다. 즉, 산화막(2)으로 코팅된 펠릿이 중량으로 20%의 페릭 도데실벤젠술폰산염(산화방지제)을 함유하는 메탄올 용액에 10분간 잠기게 된후, 60℃에서 30분간 건조된다.
최종 물질은 리터당 10그램의 산화방지제(3,3'-티오디프로피온산)와 중량으로 5%의 피롤레를 함유하는 수성 용액에서 10분간 잠기게 되며, 이 상태에서 피롤레를 중합시키기 위해 상온에서 30분간 유지된다.
이러한 일련의 작업(산화제 충전, 단량체 접속 및 단량체 중합)은 5회 반복되어, 도전성 폴리피롤레층(3)이 형성된다. 이후 에탄올 세척과 건조가 수행돈 다음 도전성 페이스트층(4)이 제1실시예와 동일한 방식으로 도전성 폴리피롤레층(3) 위에 형성된다.
최종 콘덴서 소자의 캐소드측은 은 페이스트를 사용하여 외부 전극(5a)에 연결되고, 애노드측은 이전에 소결된 탄탈 물질에서 따온 탄탈 와이어(6)를 외부 전극(5b)에 접합시킴으로써 외부 전극(5b)에 연결된다. 이후, 최종 물질의 외측이 수지로 코팅되고 성형된 수지 덮판이 형성되어 고체 전해 콘덴서가 완성된다.
성형된 수지 덮판을 형성하기 위해 사용도는 수지는 에폭시 수지이고, 이 덮판의 두께는 위치에 따라 변화하지만 대략 100-200μm이다.
표 1에서와 같이, 고체 전해 콘덴서는 120Hz에서 정전용량 15μF과, 100KHz에서 tanδ 1.9%와 ESR 79mΩ을 갖는다. 이 콘덴서는 고온(105℃)에서 500시간동안 놓여진 후에는 120Hz에서 정전용량 14.9μF과, 100KHz에서 tanδ 2.0%와 ESR 81mΩ을 가지며, 우수한 고온 내구성을 나타낸다.
다음은 제5실시예에 대해 설명한다.
이 실시예에서는 도전성 폴리피롤레층의 형성까지의 작업이 제4실시예와 동일한 방식으로 수행되고, 이후 메탄올 세척과 건조가 수행된다.
이후, 각각 리터당 5그램의 P-니트로페놀과 3,3'-티오디프로피온산을 함유하는 메탄올 용액이 도전성 폴리피롤레층에 침투되고, 이후 건조에 의해 2개의 산화방지제가 도전성 폴리피롤레층에 유입된다. 이후 외부 전극들에 대한 접속과 성형된 수지 덮판의 형성이 제4실시예와 동일한 방식으로 수행되고, 이로서 고체 전해 콘덴서가 완성된다.
이하 제1비교예에 대해 설명한다.
고체 전해 콘덴서는 망간 이산화물이 고체 전해질로 사용되고 산화방지제가 사용되지 않는 것을 제외하고는 제1실시예와 동일한 조건하에서 생산된다.
제2비교예에서, 고체 전해 콘덴서는 7,7',8,8'-테트라시아노퀴노디메탄 복합체(TCNQ)가 고체 전해질로 사용되고 산화방지제가 사용되지 않는 것을 제외하고는 제1실시예와 동일한 조건하에서 생산된다.
이 실시예 1-5와 비교예 1-2의 콘덴서는 열 저항을 조사하기 위하여 1000시간의 고온 테스틀 받는다. 이 결과는 표 1에 나타나 있다. 이 표 1에서 알 수 있듯이 실시예 1-5에서의 콘덴서는 비교예 1-2에서의 콘덴서보다 우수한 것이다.
이하 제6실시예에 대해 설명한다.
제7(a)와 7(b)도는 본 발명에 따른 고체 전해 콘덴서의 실시예를 나타낸다. 이 도면에서 콘덴서 소자는 제3실시예와 동일한 방식으로 제조되며, 이 콘덴서 소자에는 외부 전극(5a,5b)이 연결된다.
이에 따라 생산된 콘덴서의 외측은 에폭시 수지(8)로 코팅되어 성형된 수지 덮판이 형성되고, 이로서 고체 전해 콘덴서가 완성된다. 이때 에폭시 수지는 산소 흡수제(7)를 함유하고 있는데, 이 산소 흡수체(7)는 포르필린(porphyrin), 살코민(salcomine) 및 이들의 유도체를 포함하는 금속(예, 철 또는 코발트) 복합체들로 구성되는 그룹중에서 선택된다.
이 고체 전해 콘덴서는 제3실시예에서의 콘덴서보다 더 높은 고온 내구성을 갖는다.

Claims (10)

  1. 금속으로서 이 금속 위에 형성되는 절연 산화막을 갖는 금속과; 상기 절연 산화막 위에 형성되는 도전성 폴리머 화합물층과; 상기 도전성 폴리머 화합물층 위에 형성되는 도전성 페이스트층과; 상기 모든 부재들을 내부에 포함하여 감싸는 성형된 수지 덮판; 및 상기 금속과 상기 페이스트층에 각각 연결되는 한쌍의 전극을 포함하는 콘덴서로서; 상기 콘덴서내에서 산화방지제가 미립자의 형태로 상기 도전성 페이스트층의 외부 표면상에 도포되는 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서.
  2. 금속으로서 이 금속 위에 형성되는 절연 산화막을 갖는 금속과; 상기 절연 산화막 위에 형성되는 도전성 폴리머 화합물층과; 상기 도전성 폴리머 화합물층 위에 형성되는 도전성 페이스트층과; 상기 모든 부재들을 내부에 포함하여 감싸는 성형된 수지 덮판; 및 상기 금속과 상기 페이스트층에 각각 연결되는 한쌍의 적극을 포함하는 콘덴서로서; 상기 콘덴서내에서 상기 도전성 폴리머 화합물층과 상기 도전성 페이스트층 및 상기 도전성 폴리머 화합물층과 상기 도전성 페이스트층 사이의 접촉면 중에서 최소한 한곳에 산화방지제가 미립자의 형태로 도포되는 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서.
  3. 제1항에 있어서, 상기 산화방지제는 최소한 페놀계 화합물, 벤조페논계 화합물, 살리실산계 화합물 및 벤조트리아졸계 화합물로 구성되는 그룹중에서 선택된 한 화합물인 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서.
  4. 제1항에 기재된 고체 전해 콘덴서의 제조방법에 있어서, 금속 위에 상기 급속의 산화물인 절연 산화막을 형성하는 단계와; 상기 절연 산화막 위에 도전성 폴리머 화합물층을 형성하는 단계와; 상기 도전성 폴리머 화합물층 위에 도전성 페이스트층을 형성하는 단계와; 상기 금속 및 상기 도전성 페이스트층에 한쌍의 외부 전극을 각각 연결하는 단계; 및 상기 도전성 페이스트층에 산화방지제를 미립자의 형태로 도포하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서 제조방법.
  5. 제2항에 기재된 고체 전해 콘덴서를 제조하는 방법에 있어서, 금속 위에 상기 금속의 산화물인 절연 산화막을 형성하는 단계와; 상기 절연 산화막 위에 도전성 폴리머 화합물층을 형성하는 단계와; 상기 도전성 폴리머 화합물층 위에 도전성 페이스트층을 형성하는 단계; 및 최소한 상기 도전성 폴리머 화합물층과, 상기 도전성 페이스트층, 및 상기 도전성 폴리머 화합물층과 도전성 페이스트층 사이의 접촉면 중에서 한곳에 산화방지제를 미립자의 형태로 도포하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서 제조방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 산화방지제는 최소한 페놀계 화합물, 벤조페논계 화합물, 살리실산계 화합물 및 벤조트리아졸계 화합물로 구성되는 그룹중에서 선택된 한 화합물인 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서 제조방법.
  7. 제4항에 있어서, 상기 산화방지제는 제6항에 기재된 화합물 중에서 선택되는 최소한 두개의 다른 화합물간의 혼합물간의 혼합물인 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서 제조방법.
  8. 제2항에 있어서, 상기 산화방지제는 최소한 페놀계 화합물, 벤조페논계 화합물, 살리실산계 화합물 및 벤조트리아졸계 화합물로 구성되는 그룹중에서 선택된 한 화합물인 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서.
  9. 제5항에 있어서, 상기 산화방지제는 최소한 페놀계 화합물, 벤조페논계 화합물, 살리실산계 및 벤조트리아졸계 화합물로 구성되는 그룹중에서 선택된 한 화합물인 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서 제조방법.
  10. 제5항에 있어서, 상기 산화방지제는 제6항에 기재된 화합물 중에서 선택되는 최소한 두개의 다른 화합물간의 혼합물인 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서 제조방법.
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Families Citing this family (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2770746B2 (ja) * 1994-09-02 1998-07-02 日本電気株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP2828035B2 (ja) * 1996-05-30 1998-11-25 日本電気株式会社 固体電解コンデンサの製造方法
JP2919371B2 (ja) * 1996-08-16 1999-07-12 富山日本電気株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
ATE455354T1 (de) * 1997-11-28 2010-01-15 Showa Denko Kk Festelektrolytischer kondensator und verfahren zu seiner herstellung
JP3231689B2 (ja) 1997-12-04 2001-11-26 富山日本電気株式会社 導電性高分子を用いた固体電解コンデンサ及びその製造方法
US6239965B1 (en) 1998-05-22 2001-05-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electrolytic capacitor and method of producing the same
US6136176A (en) * 1999-05-21 2000-10-24 Kemet Electronics Corporation Capacitor with conductive polymer
US6334945B1 (en) 2000-09-07 2002-01-01 Kemet Electronics Corporation Aging process for solid electrode capacitor
US6738239B2 (en) * 2001-02-26 2004-05-18 Woodward Governor Company Active snubber circuit for electrical rotary actuator
US6674635B1 (en) 2001-06-11 2004-01-06 Avx Corporation Protective coating for electrolytic capacitors
US6864147B1 (en) 2002-06-11 2005-03-08 Avx Corporation Protective coating for electrolytic capacitors
JP2006165415A (ja) * 2004-12-10 2006-06-22 Rohm Co Ltd 固体電解コンデンサ
DE102005043828A1 (de) * 2005-09-13 2007-03-22 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren
JP4850479B2 (ja) * 2005-10-26 2012-01-11 信越ポリマー株式会社 導電性高分子塗料及び導電性塗膜
DE102006014577A1 (de) * 2006-03-29 2007-10-04 Epcos Ag Verfahren zur Reinigung eines elektrisch leitfähigen Polymers und Herstellungsverfahren für ein elektrisches Bauelement mit dem Reinigungsverfahren
JP4803750B2 (ja) * 2006-07-31 2011-10-26 ニチコン株式会社 固体電解コンデンサおよびその製造方法
JP5476660B2 (ja) * 2006-09-26 2014-04-23 住友化学株式会社 有機光電変換素子及びその製造に有用な重合体
US20100084000A1 (en) * 2006-09-26 2010-04-08 Sumitomo Chemical Company, Limited Organic photoelectric conversion device and polymer useful for producing the same
US7460358B2 (en) * 2007-03-21 2008-12-02 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a protective adhesive layer
US7483259B2 (en) * 2007-03-21 2009-01-27 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a barrier layer
US7515396B2 (en) * 2007-03-21 2009-04-07 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a conductive polymer
JP4836887B2 (ja) 2007-07-09 2011-12-14 三洋電機株式会社 電解コンデンサの製造方法及び電解コンデンサ
DE102007048212A1 (de) * 2007-10-08 2009-04-09 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit polymerer Zwischenschicht
JP5004232B2 (ja) * 2007-11-06 2012-08-22 Necトーキン株式会社 固体電解コンデンサ、固体電解コンデンサ素子およびその製造方法
KR100939765B1 (ko) * 2007-12-17 2010-01-29 삼성전기주식회사 고체 전해 콘덴서 및 그 제조방법
US8094434B2 (en) 2008-04-01 2012-01-10 Avx Corporation Hermetically sealed capacitor assembly
AU2008361558B2 (en) * 2008-09-09 2014-08-28 Touch One Corporation Glove and attachment therefor
JP4635113B2 (ja) * 2009-03-02 2011-02-16 昭和電工株式会社 固体電解コンデンサの製造方法
CN102473528B (zh) 2009-07-29 2013-10-09 昭和电工株式会社 固体电解电容器的制造方法
US8194395B2 (en) * 2009-10-08 2012-06-05 Avx Corporation Hermetically sealed capacitor assembly
JP2011210917A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Japan Carlit Co Ltd:The 固体電解コンデンサとその製造方法
US8279584B2 (en) 2010-08-12 2012-10-02 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor assembly
DE102010047086A1 (de) 2010-10-01 2012-04-05 Heraeus Clevios Gmbh Schichtaufbauten mit verbesserten elektrischen Kenngrößen beinthaltend PEDOT/PSS sowie einen Stabilisator
US8824122B2 (en) 2010-11-01 2014-09-02 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for use in high voltage and high temperature applications
JP5716163B2 (ja) * 2011-03-29 2015-05-13 パナソニックIpマネジメント株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
US9767964B2 (en) 2011-04-07 2017-09-19 Avx Corporation Multi-anode solid electrolytic capacitor assembly
US8947857B2 (en) 2011-04-07 2015-02-03 Avx Corporation Manganese oxide capacitor for use in extreme environments
US8300387B1 (en) 2011-04-07 2012-10-30 Avx Corporation Hermetically sealed electrolytic capacitor with enhanced mechanical stability
US8379372B2 (en) 2011-04-07 2013-02-19 Avx Corporation Housing configuration for a solid electrolytic capacitor
US8884340B2 (en) 2011-05-25 2014-11-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor devices including dual gate electrode structures and related methods
JP5788282B2 (ja) * 2011-09-29 2015-09-30 Necトーキン株式会社 固体電解コンデンサおよびその製造方法
DE102013101443A1 (de) 2012-03-01 2013-09-05 Avx Corporation Ultrahigh voltage solid electrolytic capacitor
JP2013219362A (ja) 2012-04-11 2013-10-24 Avx Corp 過酷な条件下で強化された機械的安定性を有する固体電解コンデンサ
US9318271B2 (en) * 2012-06-21 2016-04-19 Schlumberger Technology Corporation High temperature supercapacitor
DE102013213720A1 (de) 2012-07-19 2014-01-23 Avx Corporation Temperaturstabiler Festelektrolytkondensator
CN103578768B (zh) 2012-07-19 2017-10-31 Avx公司 用在电解电容器固体电解质中的非离子表面活性剂
US9548163B2 (en) 2012-07-19 2017-01-17 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor with improved performance at high voltages
DE102013213723A1 (de) 2012-07-19 2014-01-23 Avx Corporation Festelektrolytkondensator mit erhöhter Feucht-zu-Trocken-Kapazität
JP5933397B2 (ja) 2012-08-30 2016-06-08 エイヴィーエックス コーポレイション 固体電解コンデンサの製造方法および固体電解コンデンサ
WO2014050077A1 (ja) * 2012-09-26 2014-04-03 三洋電機株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP5988831B2 (ja) * 2012-10-31 2016-09-07 テイカ株式会社 電解コンデンサの製造方法
GB2512480B (en) 2013-03-13 2018-05-30 Avx Corp Solid electrolytic capacitor for use in extreme conditions
US9324503B2 (en) 2013-03-15 2016-04-26 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor
GB2517019B (en) 2013-05-13 2018-08-29 Avx Corp Solid electrolytic capacitor containing conductive polymer particles
US9892862B2 (en) 2013-05-13 2018-02-13 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a pre-coat layer
US9472350B2 (en) 2013-05-13 2016-10-18 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a multi-layered adhesion coating
US9236193B2 (en) 2013-10-02 2016-01-12 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for use under high temperature and humidity conditions
US9589733B2 (en) 2013-12-17 2017-03-07 Avx Corporation Stable solid electrolytic capacitor containing a nanocomposite
KR20150095426A (ko) * 2014-02-13 2015-08-21 삼성전기주식회사 탄탈 커패시터
US9754730B2 (en) 2015-03-13 2017-09-05 Avx Corporation Low profile multi-anode assembly in cylindrical housing
US10014108B2 (en) 2015-03-13 2018-07-03 Avx Corporation Low profile multi-anode assembly
US9928963B2 (en) 2015-03-13 2018-03-27 Avx Corporation Thermally conductive encapsulant material for a capacitor assembly
US10297393B2 (en) 2015-03-13 2019-05-21 Avx Corporation Ultrahigh voltage capacitor assembly
US9972444B2 (en) * 2015-05-29 2018-05-15 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor element for use in dry conditions
US9991055B2 (en) * 2015-05-29 2018-06-05 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor assembly for use at high temperatures
US9672989B2 (en) 2015-05-29 2017-06-06 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor assembly for use in a humid atmosphere
US9767963B2 (en) 2015-05-29 2017-09-19 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor with an ultrahigh capacitance
CN104934228A (zh) * 2015-06-19 2015-09-23 深圳市金富康电子有限公司 一种卷绕型固体铝电解电容器的制备方法
US10431389B2 (en) 2016-11-14 2019-10-01 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for high voltage environments
WO2019187822A1 (ja) * 2018-03-27 2019-10-03 パナソニックIpマネジメント株式会社 電解コンデンサ
US11081288B1 (en) 2018-08-10 2021-08-03 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor having a reduced anomalous charging characteristic
US11380492B1 (en) 2018-12-11 2022-07-05 KYOCERA AVX Components Corporation Solid electrolytic capacitor
US11270847B1 (en) 2019-05-17 2022-03-08 KYOCERA AVX Components Corporation Solid electrolytic capacitor with improved leakage current
US11756742B1 (en) 2019-12-10 2023-09-12 KYOCERA AVX Components Corporation Tantalum capacitor with improved leakage current stability at high temperatures
US11763998B1 (en) 2020-06-03 2023-09-19 KYOCERA AVX Components Corporation Solid electrolytic capacitor

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5279255A (en) * 1975-12-25 1977-07-04 Nippon Electric Co Solid state electrolytic capacitor
JPS63173313A (ja) * 1987-01-13 1988-07-16 日本カーリット株式会社 固体電解コンデンサ
JPH0770437B2 (ja) * 1987-01-23 1995-07-31 日通工株式会社 固体電解コンデンサの製造方法
KR910005752B1 (ko) * 1987-04-07 1991-08-02 니쯔꼬 가부시끼가이샤 고체 전해 콘덴서 및 그 제조방법
JPH0725870B2 (ja) * 1987-09-18 1995-03-22 日本カーリット株式会社 電解重合用電解液の安定化方法
JPH01121918A (ja) * 1987-11-06 1989-05-15 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 手書き入力装置
JPH01140621A (ja) * 1987-11-26 1989-06-01 Nitsuko Corp 固体電解コンデンサ
JP2741071B2 (ja) * 1989-07-19 1998-04-15 日本ケミコン株式会社 固体電解コンデンサの製造方法
JPH03109713A (ja) * 1989-09-25 1991-05-09 Kao Corp 固体コンデンサ
JPH03109712A (ja) * 1989-09-25 1991-05-09 Kao Corp 固体電解コンデンサ
JPH03109714A (ja) * 1989-09-25 1991-05-09 Kao Corp 固体電解コンデンサ
JPH03127813A (ja) * 1989-10-13 1991-05-30 Kao Corp 固体電解コンデンサの製造方法
JPH03163814A (ja) * 1989-11-22 1991-07-15 Showa Denko Kk 固体電解コンデンサの製造方法
JPH0521280A (ja) * 1991-07-10 1993-01-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd コンデンサ及びその製造方法
JP3127835B2 (ja) * 1996-08-30 2001-01-29 住友電装株式会社 床配線構造における蓄線用床部材
JPH1140621A (ja) * 1997-07-16 1999-02-12 Canon Inc Tabフィルムのビームリードの接合装置および該接合装置によって電気的接合された半導体チップならびに液体噴射記録ヘッド

Also Published As

Publication number Publication date
US5586000A (en) 1996-12-17
EP0663673B1 (en) 1997-08-06
KR950020802A (ko) 1995-07-24
DE69404821T2 (de) 1998-03-12
JP3070408B2 (ja) 2000-07-31
EP0663673A1 (en) 1995-07-19
DE69404821D1 (de) 1997-09-11
JPH07235455A (ja) 1995-09-05

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