JPWO2020047315A5 - パッケージ状の弾性表面波デバイスを製造する方法 - Google Patents

Claims (20)

1. パッケージ状の弾性表面波デバイスを製造する方法であって、
   導電構造物の上に感光性樹脂を形成することであって、前記導電構造物の一部分が、前記弾性表面波デバイスのインターディジタルトランスデューサ電極の上のキャビティルーフの上に配置されることと、
   前記導電構造物と接触する導電端子を形成することであって、前記導電端子の少なくとも一部分が前記感光性樹脂を貫通するアパチャを貫通することと
   を含み、
   前記パッケージ状の弾性表面波デバイスは、２２０マイクロメートル未満の高さを有する、方法。
2. 前記感光性樹脂の複数の部分を、前記感光性樹脂の複数の部分を現像するように露光することと、
   前記感光性樹脂の複数の未露光部分を除去することと
   をさらに含む、請求項１の方法。
3. 前記感光性樹脂を、前記感光性樹脂の複数の未露光部分を除去した後に硬化させることをさらに含む、請求項２の方法。
4. 前記感光性樹脂の複数の部分を露光することは、前記感光性樹脂を貫通する前記アパチャを形成するべく、前記導電構造物の一部分の上に延びる前記感光性樹脂の一部分をマスキングすることを含む、請求項２の方法。
5. 前記導電端子を形成することは、前記感光性樹脂を貫通する前記アパチャの上に延びる導電層を形成することを含む、請求項１の方法。
6. パッケージ状の弾性表面波デバイスを製造する方法であって、
   導電構造物の上に感光性樹脂を形成することであって、前記導電構造物の一部分が、前記弾性表面波デバイスのインターディジタルトランスデューサ電極の上のキャビティルーフの上に配置されることと、
   前記導電構造物と接触する導電端子を形成することであって、前記導電端子の少なくとも一部分がアパチャを貫通することと
   を含み、
   前記アパチャは、１５マイクロメートル以下の厚さを有する前記感光性樹脂の一部分を貫通する、方法。
7. パッケージ状の弾性表面波デバイスを製造する方法であって、
   導電構造物の上にフェノール樹脂を含む感光性樹脂を形成することであって、前記導電構造物の一部分が、前記弾性表面波デバイスのインターディジタルトランスデューサ電極の上のキャビティルーフの上に配置されることと、
   前記導電構造物と接触する導電端子を形成することであって、前記導電端子の少なくとも一部分が前記感光性樹脂を貫通するアパチャを貫通することと
   を含む、方法。
8. パッケージ状の弾性表面波デバイスを製造する方法であって、
   導電構造物の上に感光性樹脂を形成することであって、前記導電構造物の一部分が、前記弾性表面波デバイスのインターディジタルトランスデューサ電極の上のキャビティルーフの上に配置されることと、
   前記導電構造物と接触する導電端子を形成することであって、前記導電端子の少なくとも一部分が前記感光性樹脂を貫通するアパチャを貫通することと
   前記インターディジタルトランスデューサ電極が配置される圧電基板にマーキングすることと
   を含む、方法。
9. 前記パッケージ状の弾性表面波デバイスは、２２０マイクロメートル未満の高さを有する、請求項８の方法。
10. パッケージ状の弾性表面波デバイスを製造する方法であって、
    弾性表面波デバイスの複数のインターディジタルトランスデューサ電極を封止するキャビティ構造物を形成することであって、前記インターディジタルトランスデューサ電極は圧電基板により支持されることと、
    前記キャビティ構造物の外面の複数の部分の上に延びる導電構造物を形成することと、
    前記導電構造物の上にフォトレジスト層を形成することであって、前記フォトレジスト層の一部分が、前記導電構造物の、厚さが１５マイクロメートル未満の一部分の上に延びることと
    を含む、方法。
11. 前記導電構造物及び前記キャビティ構造物の上に延びるフォトレジストバッファコートを形成するべく、前記フォトレジスト層をパターニングすることと、
    前記フォトレジスト層を硬化させることと
    をさらに含む、請求項１０の方法。
12. 前記フォトレジストバッファコートは、前記圧電基板と接触して前記キャビティ構造物の周囲を画定する側壁部分を含む、請求項１１の方法。
13. 前記導電構造物の一部分が前記圧電基板と接触する、請求項１０の方法。
14. 前記導電構造物の上に前記フォトレジスト層を形成することは、前記フォトレジスト層を平坦化するべくスピンオンプロセスを使用することを含む、請求項１０の方法。
15. 前記圧電基板のエッジの１０マイクロメートル以内にある前記フォトレジスト層の複数の部分を除去することをさらに含む、請求項１０の方法。
16. パッケージ状の弾性表面波デバイスを製造する方法であって、
    前記弾性表面波デバイスの複数のインターディジタルトランスデューサ電極の上に延びるキャビティ構造物を形成することと、
    前記キャビティ構造物の外面の複数の部分の上に延びる導電構造物を、前記キャビティ構造物の上に少なくともシード層を堆積して前記シード層に前記導電構造物をめっきすることによって形成することと、
    前記導電構造物の上に感光性樹脂層を形成することであって、前記感光性樹脂層の一部分が、貫通して前記導電構造物の一部分を露出させるアパチャを有することと
    を含む、方法。
17. 前記感光性樹脂層におけるアパチャを貫通して前記導電構造物と電気通信する導電端子を形成することをさらに含む、請求項１６の方法。
18. 前記導電構造物を形成することはさらに、前記導電構造物を前記シード層にめっきする前に前記シード層の複数の部分をマスキングすることを含む、請求項１６の方法。
19. パッケージ状の弾性表面波デバイスを製造する方法であって、
    前記弾性表面波デバイスの複数のインターディジタルトランスデューサ電極の上に延びるキャビティ構造物を形成することと、
    前記キャビティ構造物の外面の複数の部分の上に延びる導電構造物を形成することであって、前記導電構造物は、その一部分を貫通して前記キャビティ構造物の一部分を露出させる間隙を含むことと、
    前記導電構造物の上に感光性樹脂層を形成することであって、前記感光性樹脂層の一部分が、貫通して前記導電構造物の一部分を露出させるアパチャを有し、前記感光性樹脂層が前記間隙を充填することと
    を含む、方法。
20. 前記導電構造物を形成することは、前記キャビティ構造物の上にシード層を堆積することと、前記シード層に前記導電構造物をめっきすることとを含む、請求項１９の方法。