JPWO2019234561A5 - 金属酸化物の作製方法 - Google Patents
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- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims 3
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- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 1
Claims (4)
- 被成膜面に対してｃ軸が垂直に配向した金属酸化物を形成する金属酸化物の作製方法であって、
塩素を含むプリカーサを導入する第１の工程と、
前記プリカーサを導入後に、排気を行う第２の工程と、
前記排気を行う工程の後に、酸化剤を導入する第３の工程と、
前記酸化剤を導入後に、排気を行う第４の工程と、を有する、
金属酸化物の作製方法。 - 被成膜面に対してｃ軸が垂直に配向した金属酸化物を形成する金属酸化物の作製方法であって、
塩素を含むプリカーサを導入する第１の工程と、
前記プリカーサを導入後に、排気を行う第２の工程と、
前記排気を行う工程の後に、２種以上の酸化剤を導入する第３の工程と、
前記酸化剤を導入後に、排気を行う第４の工程と、を有する、
金属酸化物の作製方法。 - 被成膜面に対してｃ軸が垂直に配向した金属酸化物を形成する金属酸化物の作製方法であって、
塩素を含むプリカーサを導入する第１の工程と、
前記プリカーサを導入後に、排気を行う第２の工程と、
前記排気を行う工程の後に、酸化剤を導入する第３の工程と、
前記酸化剤を導入後に、排気を行う第４の工程と、を有し、
前記第１の工程乃至第４の工程は、２００℃以上４００℃以下の温度範囲で行われる、
金属酸化物の作製方法。 - 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記プリカーサは、インジウム、亜鉛およびガリウムの一または複数を含む、
金属酸化物の作製方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022170441A JP2023002738A (ja) | 2018-06-08 | 2022-10-25 | 金属酸化物の作製方法 |
| JP2024022854A JP2024056943A (ja) | 2018-06-08 | 2024-02-19 | 半導体装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018110087 | 2018-06-08 | ||
| JP2018110087 | 2018-06-08 | ||
| PCT/IB2019/054507 WO2019234561A1 (ja) | 2018-06-08 | 2019-05-31 | 半導体装置、および半導体装置の作製方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022170441A Division JP2023002738A (ja) | 2018-06-08 | 2022-10-25 | 金属酸化物の作製方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2019234561A1 JPWO2019234561A1 (ja) | 2021-06-17 |
| JPWO2019234561A5 true JPWO2019234561A5 (ja) | 2022-05-06 |
| JP7297743B2 JP7297743B2 (ja) | 2023-06-26 |
Family
ID=68769283
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020523842A Active JP7297743B2 (ja) | 2018-06-08 | 2019-05-31 | 金属酸化物の作製方法 |
| JP2022170441A Withdrawn JP2023002738A (ja) | 2018-06-08 | 2022-10-25 | 金属酸化物の作製方法 |
| JP2024022854A Pending JP2024056943A (ja) | 2018-06-08 | 2024-02-19 | 半導体装置の作製方法 |
Family Applications After (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022170441A Withdrawn JP2023002738A (ja) | 2018-06-08 | 2022-10-25 | 金属酸化物の作製方法 |
| JP2024022854A Pending JP2024056943A (ja) | 2018-06-08 | 2024-02-19 | 半導体装置の作製方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11600489B2 (ja) |
| JP (3) | JP7297743B2 (ja) |
| KR (2) | KR102637749B1 (ja) |
| CN (1) | CN112292752A (ja) |
| DE (1) | DE112019002901T5 (ja) |
| WO (1) | WO2019234561A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7254044B2 (ja) * | 2020-03-25 | 2023-04-07 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
| US11903221B2 (en) * | 2020-08-17 | 2024-02-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Three dimensional semiconductor device with memory stack |
| WO2023249825A1 (en) * | 2022-06-22 | 2023-12-28 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition using novel oxygen-containing precursors |
| WO2024084366A1 (ja) * | 2022-10-21 | 2024-04-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び、記憶装置 |
| WO2024176063A1 (ja) * | 2023-02-23 | 2024-08-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 金属酸化物膜、及び半導体装置 |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100434493B1 (ko) * | 2001-10-05 | 2004-06-05 | 삼성전자주식회사 | 원자층 증착 장치 및 그 구동 방법 |
| KR101003700B1 (ko) * | 2003-08-19 | 2010-12-23 | 주성엔지니어링(주) | 원자층 증착을 이용한 금속 산화막 형성 방법 |
| KR100722987B1 (ko) * | 2004-10-18 | 2007-05-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 제조 방법 |
| KR100773755B1 (ko) * | 2004-11-18 | 2007-11-09 | 주식회사 아이피에스 | 플라즈마 ａｌｄ 박막증착방법 |
| JP4607637B2 (ja) * | 2005-03-28 | 2011-01-05 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコン窒化膜の形成方法、シリコン窒化膜の形成装置及びプログラム |
| KR100809685B1 (ko) * | 2005-09-13 | 2008-03-06 | 삼성전자주식회사 | 유전막, 이 유전막 제조방법 및 이를 이용한 ｍｉｍ캐패시터의 제조방법 |
| KR100685748B1 (ko) | 2006-02-09 | 2007-02-22 | 삼성전자주식회사 | 박막 형성 방법 및 이를 이용한 게이트 구조물의 제조 방법 |
| WO2009031381A1 (ja) | 2007-09-07 | 2009-03-12 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 金属酸化物半導体の製造方法、及びその方法により得られた薄膜トランジスタ |
| DE102010043668B4 (de) | 2010-11-10 | 2012-06-21 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Indiumoxid-haltigen Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-haltige Schichten und ihre Verwendung |
| WO2012091297A1 (ko) * | 2010-12-30 | 2012-07-05 | 주성엔지니어링㈜ | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
| EP2807670A1 (de) | 2012-01-27 | 2014-12-03 | Merck Patent GmbH | Verfahren zur herstellung elektrisch halbleitender oder leitender schichten mit verbesserter leitfähigkeit |
| KR102279459B1 (ko) * | 2012-10-24 | 2021-07-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| US9171960B2 (en) | 2013-01-25 | 2015-10-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Metal oxide layer composition control by atomic layer deposition for thin film transistor |
| US9716003B2 (en) * | 2013-09-13 | 2017-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
| JP6506545B2 (ja) | 2013-12-27 | 2019-04-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP2015233130A (ja) * | 2014-05-16 | 2015-12-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体基板および半導体装置の作製方法 |
| US9685542B2 (en) | 2014-12-30 | 2017-06-20 | Qualcomm Incorporated | Atomic layer deposition of P-type oxide semiconductor thin films |
| JP6736321B2 (ja) | 2015-03-27 | 2020-08-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の製造方法 |
| KR102549926B1 (ko) * | 2015-05-04 | 2023-06-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 반도체 장치의 제작 방법, 및 전자기기 |
| JP2016219761A (ja) | 2015-05-18 | 2016-12-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 構造体の作製方法、および半導体装置の作製方法 |
| US9911861B2 (en) | 2015-08-03 | 2018-03-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method of the same, and electronic device |
| WO2017141140A1 (en) | 2016-02-18 | 2017-08-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method thereof, display device, and electronic device |
-
2019
- 2019-05-31 CN CN201980037622.2A patent/CN112292752A/zh active Pending
- 2019-05-31 JP JP2020523842A patent/JP7297743B2/ja active Active
- 2019-05-31 KR KR1020207035605A patent/KR102637749B1/ko active IP Right Grant
- 2019-05-31 US US16/972,413 patent/US11600489B2/en active Active
- 2019-05-31 DE DE112019002901.0T patent/DE112019002901T5/de active Pending
- 2019-05-31 WO PCT/IB2019/054507 patent/WO2019234561A1/ja active Application Filing
- 2019-05-31 KR KR1020247005021A patent/KR20240024364A/ko active Application Filing
-
2022
- 2022-10-25 JP JP2022170441A patent/JP2023002738A/ja not_active Withdrawn
-
2023
- 2023-02-14 US US18/109,305 patent/US20230274935A1/en active Pending
-
2024
- 2024-02-19 JP JP2024022854A patent/JP2024056943A/ja active Pending
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