JPWO2019155318A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタと電気的に接続される表示素子と、を有し、
   前記第１のトランジスタは、第１の酸化物と、第２の酸化物と、導電体と、第１の絶縁体と、第２の絶縁体と、第３の絶縁体と、第４の絶縁体と、を有し、
   前記第２の酸化物は、前記第１の酸化物上に位置し、
   前記第１の絶縁体は、前記第２の酸化物上に位置し、
   前記導電体は、前記第１の絶縁体上に位置し、
   前記第２の絶縁体は、前記第１の酸化物の上面の一部、前記第１の酸化物の側面の一部、及び前記第２の酸化物の側面の一部と接し、
   前記第３の絶縁体は、前記第２の絶縁体上に位置し、
   前記第２の酸化物の一部、及び前記第１の絶縁体の一部は、前記導電体の側面と、前記第３の絶縁体の側面との間に位置し、
   前記第４の絶縁体は、前記第２の酸化物の上面、前記第１の絶縁体の上面、前記導電体の上面、及び前記第３の絶縁体の上面と接し、
   前記第１の酸化物は、第１の領域と、第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域との間に位置する第３の領域と、前記第１の領域と前記第３の領域との間に位置する第４の領域と、前記第２の領域と前記第３の領域との間に位置する第５の領域と、を有し、
   前記導電体は、前記第３の領域と重畳するように、前記第３の領域の上方に位置し、
   前記第２の絶縁体は、前記第１の領域、および前記第２の領域と接し、
   前記第１の領域、及び前記第２の領域の抵抗は、前記第３の領域の抵抗より低く、
   前記第４の領域、及び前記第５の領域の抵抗は、前記第３の領域の抵抗より低く、かつ前記第１の領域、及び前記第２の領域の抵抗より高い表示装置。
2. 第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタと電気的に接続される表示素子と、構造体と、を有し、
   前記第１のトランジスタは、第１の酸化物と、第２の酸化物と、導電体と、第１の絶縁体と、第２の絶縁体と、第３の絶縁体と、第４の絶縁体と、を有し、
   前記第２の酸化物は、前記第１の酸化物上に位置し、
   前記第１の絶縁体は、前記第２の酸化物上に位置し、
   前記導電体は、前記第１の絶縁体上に位置し、
   前記第２の絶縁体は、前記第１の酸化物の上面の一部、前記第１の酸化物の側面の一部、及び前記第２の酸化物の側面の一部と接し、
   前記第３の絶縁体は、前記第２の絶縁体上に位置し、
   前記第２の酸化物の一部、及び前記第１の絶縁体の一部は、前記導電体の側面と、前記第３の絶縁体の側面との間に位置し、
   前記第４の絶縁体は、前記第２の酸化物の上面、前記第１の絶縁体の上面、前記導電体の上面、及び前記第３の絶縁体の上面と接し、
   前記第１の酸化物は、第１の領域と、第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域との間に位置する第３の領域と、前記第１の領域と前記第３の領域との間に位置する第４の領域と、前記第２の領域と前記第３の領域との間に位置する第５の領域と、を有し、
   前記導電体は、前記第３の領域と重畳するように、前記第３の領域の上方に位置し、
   前記第２の絶縁体は、前記第１の領域、および前記第２の領域と接し、
   前記第１の領域、及び前記第２の領域の抵抗は、前記第３の領域の抵抗より低く、
   前記第４の領域、及び前記第５の領域の抵抗は、前記第３の領域の抵抗より低く、かつ前記第１の領域、及び前記第２の領域の抵抗より高く、
   前記構造体は、前記表示素子を有する層と同じ層に配置され、
   前記構造体は、前記第１のトランジスタと重なる領域を有する表示装置。
3. 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、前記第２のトランジスタと電気的に接続される表示素子と、を有し、
   前記第１のトランジスタは、第１の酸化物と、第２の酸化物と、導電体と、第１の絶縁体と、第２の絶縁体と、第３の絶縁体と、第４の絶縁体と、を有し、
   前記第２の酸化物は、前記第１の酸化物上に位置し、
   前記第１の絶縁体は、前記第２の酸化物上に位置し、
   前記導電体は、前記第１の絶縁体上に位置し、
   前記第２の絶縁体は、前記第１の酸化物の上面の一部、前記第１の酸化物の側面の一部、及び前記第２の酸化物の側面の一部と接し、
   前記第３の絶縁体は、前記第２の絶縁体上に位置し、
   前記第２の酸化物の一部、及び前記第１の絶縁体の一部は、前記導電体の側面と、前記第３の絶縁体の側面との間に位置し、
   前記第４の絶縁体は、前記第２の酸化物の上面、前記第１の絶縁体の上面、前記導電体の上面、及び前記第３の絶縁体の上面と接し、
   前記第１の酸化物は、第１の領域と、第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域との間に位置する第３の領域と、前記第１の領域と前記第３の領域との間に位置する第４の領域と、前記第２の領域と前記第３の領域との間に位置する第５の領域と、を有し、
   前記導電体は、前記第３の領域と重畳するように、前記第３の領域の上方に位置し、
   前記第２の絶縁体は、前記第１の領域、および前記第２の領域と接し、
   前記第１の領域、及び前記第２の領域の抵抗は、前記第３の領域の抵抗より低く、
   前記第４の領域、及び前記第５の領域の抵抗は、前記第３の領域の抵抗より低く、かつ前記第１の領域、及び前記第２の領域の抵抗より高く、
   前記第１のトランジスタを有する層は、前記表示素子を有する層と、前記第２のトランジスタが有する層との間に位置する表示装置。
4. 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、前記第２のトランジスタと電気的に接続される表示素子と、遮光膜と、を有し、
   前記第１のトランジスタは、第１の酸化物と、第２の酸化物と、導電体と、第１の絶縁体と、第２の絶縁体と、第３の絶縁体と、第４の絶縁体と、を有し、
   前記第２の酸化物は、前記第１の酸化物上に位置し、
   前記第１の絶縁体は、前記第２の酸化物上に位置し、
   前記導電体は、前記第１の絶縁体上に位置し、
   前記第２の絶縁体は、前記第１の酸化物の上面の一部、前記第１の酸化物の側面の一部、及び前記第２の酸化物の側面の一部と接し、
   前記第３の絶縁体は、前記第２の絶縁体上に位置し、
   前記第２の酸化物の一部、及び前記第１の絶縁体の一部は、前記導電体の側面と、前記第３の絶縁体の側面との間に位置し、
   前記第４の絶縁体は、前記第２の酸化物の上面、前記第１の絶縁体の上面、前記導電体の上面、及び前記第３の絶縁体の上面と接し、
   前記第１の酸化物は、第１の領域と、第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域との間に位置する第３の領域と、前記第１の領域と前記第３の領域との間に位置する第４の領域と、前記第２の領域と前記第３の領域との間に位置する第５の領域と、を有し、
   前記導電体は、前記第３の領域と重畳するように、前記第３の領域の上方に位置し、
   前記第２の絶縁体は、前記第１の領域、および前記第２の領域と接し、
   前記第１の領域、及び前記第２の領域の抵抗は、前記第３の領域の抵抗より低く、
   前記第４の領域、及び前記第５の領域の抵抗は、前記第３の領域の抵抗より低く、かつ前記第１の領域、及び前記第２の領域の抵抗より高く、
   前記遮光膜は、前記表示素子の上方に位置し、
   前記遮光膜、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは、重なる領域を有する表示装置。
5. 請求項３又は請求項４において、
   前記第２のトランジスタは、チャネル形成領域にシリコンを有し、かつｎチャネル型である表示装置。
6. 請求項３又は請求項４において、
   前記第２のトランジスタは、チャネル形成領域にシリコンを有し、かつｐチャネル型である表示装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
   前記第１の領域、および前記第２の領域は、リン、およびホウ素のいずれか一以上を有する表示装置。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
   前記第２の酸化物は、前記第１の領域の一部、および前記第２の領域の一部と重畳する表示装置。
9. 請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
   さらに、第５の絶縁体を有し、
   前記第５の絶縁体は、前記第２の絶縁体の上面、および前記第２の酸化物の側面の一部と接する表示装置。
10. 請求項９において、
    前記第４の領域、および前記第５の領域は、リン、およびホウ素のいずれか一以上を有する表示装置。
11. 請求項９又は請求項１０において、
    前記第１の領域および前記第２の領域は、前記第４の領域および前記第５の領域よりも、リン、またはホウ素を多く有する表示装置。
12. 請求項９乃至請求項１１のいずれか一において、
    前記第２の酸化物は、前記第４の領域の一部、および前記第５の領域の一部と重畳する表示装置。
13. 請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、
    前記表示素子は、液晶素子である表示装置。
14. 請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、
    前記表示素子は、発光素子である表示装置。