JP2018081309A5 - 表示装置 - Google Patents

表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2018081309A5
JP2018081309A5 JP2017214384A JP2017214384A JP2018081309A5 JP 2018081309 A5 JP2018081309 A5 JP 2018081309A5 JP 2017214384 A JP2017214384 A JP 2017214384A JP 2017214384 A JP2017214384 A JP 2017214384A JP 2018081309 A5 JP2018081309 A5 JP 2018081309A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
display device
region
liquid crystal
transistor
crystal element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2017214384A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018081309A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Publication of JP2018081309A publication Critical patent/JP2018081309A/ja
Publication of JP2018081309A5 publication Critical patent/JP2018081309A5/ja
Priority to JP2023004315A priority Critical patent/JP7460314B2/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Claims (12)

  1. 液晶素子、トランジスタ、及びタッチセンサを有する表示装置であり、
    前記液晶素子は、画素電極、液晶層、及び共通電極を有し
    記トランジスタは、前記画素電極と接続される第1の領域を有し、
    前記タッチセンサは、可視光を透過する第2の領域を有し
    視光は、前記液晶素子、前記第1の領域、前記第2の領域の順に透過して、前記表示装置の外部に射出される、表示装置。
  2. 請求項1において、
    さらに、着色層を有し、
    前記可視光は、前記着色層、前記液晶素子、前記第1の領域、前記第2の領域の順に透過して、前記表示装置の外部に射出される、表示装置。
  3. 請求項1または2において、
    前記トランジスタのチャネル領域は、金属酸化物を有し、
    前記第1の領域は、金属酸化物を有する、表示装置。
  4. 液晶素子、第1の絶縁層、及びトランジスタを有する表示装置であり、
    前記液晶素子は、画素電極、液晶層、及び共通電極を有し、
    前記第1の絶縁層は、前記画素電極と前記トランジスタの間に位置し、
    前記第1の絶縁層は、開口部を有し
    記トランジスタは、前記画素電極と接続される第1の領域を有し、
    前記第1の領域は、前記画素電極と接する第1の部分と、前記第1の絶縁層が有する前記開口部の側面と接する第2の部分と、を有し
    視光は、前記第1の領域及び前記液晶素子を透過して、前記表示装置の外部に射出される、表示装置。
  5. 液晶素子、第1の絶縁層、及びトランジスタを有する表示装置であり、
    前記液晶素子は、画素電極、液晶層、及び共通電極を有し、
    前記第1の絶縁層は、前記画素電極と前記トランジスタの間に位置し、
    前記第1の絶縁層は、開口部を有し
    記トランジスタは、前記画素電極と電気的に接続され、
    前記トランジスタは、金属酸化物層、ゲート、及びゲート絶縁層を有し、
    前記金属酸化物層は、第1の領域と第2の領域を有し、
    前記第1の領域は、前記画素電極と接する第1の部分と、前記第1の絶縁層が有する前記開口部の側面と接する第2の部分と、を有し、
    前記第2の領域は、前記ゲート絶縁層を介して前記ゲートと重なり、
    前記第1の領域の抵抗率は、前記第2の領域の抵抗率よりも低く
    視光は、前記第1の領域及び前記液晶素子を透過して、前記表示装置の外部に射出される、表示装置。
  6. 請求項またはにおいて、
    さらに、着色層を有し、
    前記着色層は、前記トランジスタを挟んで、前記第1の絶縁層とは反対側に位置する、表示装置。
  7. 請求項またはにおいて、
    さらに、タッチセンサを有し、
    前記タッチセンサは、前記液晶素子及び前記トランジスタよりも表示面側に位置する、表示装置。
  8. 請求項において、
    さらに、着色層を有し、
    前記着色層は、前記トランジスタを挟んで、前記第1の絶縁層とは反対側に位置し、
    前記タッチセンサは、前記着色層よりも表示面側に位置する、表示装置。
  9. 請求項またはにおいて、
    前記タッチセンサは、一対の電極を有し、
    前記一対の電極の一方または双方は、可視光を透過する第3の領域を有し、
    前記第1の領域及び前記液晶素子を透過した前記可視光は、前記第3の領域を透過して、前記表示装置の外部に射出される、表示装置。
  10. 請求項乃至のいずれか一において、
    前記可視光は、前記第1の領域、前記液晶素子の順に透過して、前記表示装置の外部に射出される、表示装置。
  11. 請求項乃至のいずれか一において、
    前記可視光は、前記液晶素子、前記第1の領域の順に透過して、前記表示装置の外部に射出される、表示装置。
  12. 請求項4乃至11のいずれか一において、
    前記画素電極の前記液晶層側の面は、前記第1の絶縁層の前記液晶層側の面と同一面を形成することができる、表示装置。
JP2017214384A 2016-11-09 2017-11-07 表示装置、表示モジュール、電子機器、及び表示装置の作製方法 Withdrawn JP2018081309A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2023004315A JP7460314B2 (ja) 2016-11-09 2023-01-16 表示装置の作製方法

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016219157 2016-11-09
JP2016219160 2016-11-09
JP2016219157 2016-11-09
JP2016219160 2016-11-09

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023004315A Division JP7460314B2 (ja) 2016-11-09 2023-01-16 表示装置の作製方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018081309A JP2018081309A (ja) 2018-05-24
JP2018081309A5 true JP2018081309A5 (ja) 2020-12-17

Family

ID=62109590

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017214384A Withdrawn JP2018081309A (ja) 2016-11-09 2017-11-07 表示装置、表示モジュール、電子機器、及び表示装置の作製方法
JP2023004315A Active JP7460314B2 (ja) 2016-11-09 2023-01-16 表示装置の作製方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023004315A Active JP7460314B2 (ja) 2016-11-09 2023-01-16 表示装置の作製方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10955950B2 (ja)
JP (2) JP2018081309A (ja)
KR (1) KR102490188B1 (ja)
CN (1) CN109906405B (ja)
WO (1) WO2018087631A1 (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107507513A (zh) * 2017-08-25 2017-12-22 武汉华星光电技术有限公司 一种显示面板和显示器
CN110622316B (zh) * 2017-09-26 2023-04-14 株式会社Lg化学 用于透明发光二极管显示器的电极基底及其制造方法
KR102661907B1 (ko) 2018-01-11 2024-04-26 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 금속 산화물 스위치를 갖는 작은 저장 커패시터를 갖는 박막 트랜지스터
JP2019132987A (ja) * 2018-01-31 2019-08-08 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102521879B1 (ko) * 2018-04-12 2023-04-18 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
JP7289294B2 (ja) * 2018-05-18 2023-06-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール、電子機器、及び、表示装置の作製方法
US11139562B2 (en) * 2018-09-14 2021-10-05 Innolux Corporation Antenna device
CN110911382B (zh) * 2018-09-14 2021-06-25 群创光电股份有限公司 天线装置
JP2020095075A (ja) * 2018-12-10 2020-06-18 株式会社ピクトリープ センシング機能付き表示装置および電子機器
CN109786585B (zh) * 2019-01-18 2020-12-15 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示基板及其制作方法、显示装置
TWI703370B (zh) * 2019-02-22 2020-09-01 友達光電股份有限公司 畫素陣列基板
KR102612405B1 (ko) * 2019-07-09 2023-12-12 엘지디스플레이 주식회사 전자장치
CN113793864A (zh) * 2021-09-16 2021-12-14 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1495523A (zh) 1996-08-27 2004-05-12 ������������ʽ���� 转移方法和有源矩阵基板的制造方法
US6127199A (en) 1996-11-12 2000-10-03 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
USRE38466E1 (en) 1996-11-12 2004-03-16 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
JP4229107B2 (ja) 1996-11-22 2009-02-25 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板の製造方法,アクティブマトリクス基板および液晶表示装置
JP3738799B2 (ja) * 1996-11-22 2006-01-25 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板の製造方法,アクティブマトリクス基板および液晶表示装置
TW575775B (en) * 2001-01-29 2004-02-11 Hitachi Ltd Liquid crystal display device
JP3841198B2 (ja) * 2001-03-13 2006-11-01 日本電気株式会社 アクティブマトリクス基板及びその製造方法
KR100892945B1 (ko) 2002-02-22 2009-04-09 삼성전자주식회사 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
KR20060097381A (ko) 2005-03-09 2006-09-14 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
JP5078246B2 (ja) 2005-09-29 2012-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
JP5064747B2 (ja) 2005-09-29 2012-10-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法
EP1770788A3 (en) 2005-09-29 2011-09-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
CN100517075C (zh) * 2006-03-09 2009-07-22 北京京东方光电科技有限公司 一种薄膜晶体管液晶显示器的阵列基板的制作方法
JP5110803B2 (ja) 2006-03-17 2012-12-26 キヤノン株式会社 酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP2009099887A (ja) * 2007-10-19 2009-05-07 Hitachi Displays Ltd 表示装置
KR101375831B1 (ko) 2007-12-03 2014-04-02 삼성전자주식회사 산화물 반도체 박막 트랜지스터를 이용한 디스플레이 장치
US9041202B2 (en) * 2008-05-16 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
JP5491833B2 (ja) * 2008-12-05 2014-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
EP2202802B1 (en) 2008-12-24 2012-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit and semiconductor device
US8461582B2 (en) * 2009-03-05 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2011053261A (ja) * 2009-08-31 2011-03-17 Sony Corp 電気光学装置
WO2011027676A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101424950B1 (ko) 2009-10-09 2014-08-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
CN102549638B (zh) 2009-10-09 2015-04-01 株式会社半导体能源研究所 发光显示器件以及包括该发光显示器件的电子设备
WO2011048945A1 (en) 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device including the same
WO2011096276A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US9244573B2 (en) 2010-03-03 2016-01-26 Miraenanotech Co., Ltd. Capacitive touch panel including embedded sensing electrodes
TWI441119B (zh) 2010-04-02 2014-06-11 Arolltech Co Ltd 具內嵌觸控裝置之顯示器
KR101843337B1 (ko) 2010-10-28 2018-03-30 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈 및 디스플레이 시스템
US10002968B2 (en) 2011-12-14 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
KR101367576B1 (ko) * 2011-12-27 2014-03-12 하이디스 테크놀로지 주식회사 정전식 터치센서 내장형 액정표시장치
KR101258903B1 (ko) * 2012-02-24 2013-04-29 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 액정표시장치 제조방법
KR20130115621A (ko) 2012-04-12 2013-10-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN103268036B (zh) * 2012-08-17 2016-03-30 上海天马微电子有限公司 一种内嵌式触摸屏彩膜基板及内嵌式触摸屏
KR102679509B1 (ko) 2012-09-13 2024-07-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102854683B (zh) * 2012-09-26 2014-11-12 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种金属氧化物平面开关型液晶显示面板及其制造方法
JP5909198B2 (ja) * 2013-01-21 2016-04-26 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示パネル及び電子機器
US9640669B2 (en) * 2014-03-13 2017-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module
JP2016029464A (ja) 2014-07-18 2016-03-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
WO2016108122A1 (en) 2014-12-29 2016-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device having semiconductor device
JP6662665B2 (ja) 2015-03-19 2020-03-11 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及び該液晶表示装置を用いた電子機器
TWI803287B (zh) * 2015-03-27 2023-05-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 觸控面板
WO2016166636A1 (en) 2015-04-13 2016-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, data processor, and method for manufacturing display panel
WO2016189414A1 (en) 2015-05-22 2016-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
WO2017098376A1 (en) 2015-12-11 2017-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and separation method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2018081309A5 (ja) 表示装置
JP2014199404A5 (ja)
JP2018189937A5 (ja) 表示装置
JP2019194700A5 (ja)
JP2016174180A5 (ja) 液晶表示装置及び液晶表示装置の作製方法
JP2017107181A5 (ja) 表示装置および電子機器
JP2015156012A5 (ja)
JP2020145469A5 (ja)
JP2017191317A5 (ja)
JP2013016831A5 (ja)
JP2015130487A5 (ja)
JP2014241404A5 (ja)
JP2015156477A5 (ja) 半導体装置
JP2014157357A5 (ja) 液晶表示装置
JP2015035590A5 (ja)
JP2015179822A5 (ja) 半導体装置
JP2015079949A5 (ja) 半導体装置
JP2014130345A5 (ja)
JP2018032021A5 (ja)
JP2014195063A5 (ja)
JP2011090293A5 (ja)
JP2015179810A5 (ja) 半導体装置
JP2017016156A5 (ja)
JP2015014786A5 (ja) 半導体装置
JP2014238577A5 (ja) 表示装置