JPWO2019142317A1 - 薄層キャパシタおよび薄層キャパシタの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
上部電極と下部電極との間に、複数の電気特性の異なる誘電体膜を積層した誘電体層が配置された半導体装置における薄層キャパシタであって、
前記誘電体層は、
中央部分に配置され、
窒化ケイ素の持つ誘電率より高い誘電率を有する誘電体膜である非晶質高誘電率絶縁膜と、この非晶質高誘電率絶縁膜を挟む誘電体膜であって8MV/cm以上の耐圧を有する非晶質高耐圧膜と、を有する中央部誘電体層、
および、
前記中央部誘電体層の外側に配置され、
前記上部電極および前記下部電極のいずれか1つまたは双方に接し、窒化ケイ素の持つ誘電率より高い誘電率を有する誘電体膜である非晶質高誘電率緩衝膜、
を備えたものである。
図1に本発明の実施の形態1に係る薄層キャパシタの断面図を示す。この薄層キャパシタは、上部電極1と下部電極2間に誘電体層が挟まれた構造のMIMキャパシタの一例である。具体的には、上部電極1および下部電極2のそれぞれに、非晶質高誘電率絶縁膜が接するように構成されている。これは、非晶質高耐圧膜3が上部電極1、あるいは下部電極2に直接、接触している構成にした場合には、電極表面の微小な凹凸(表面荒れとも言い換えることができる)部分に相当する電極表面と誘電体層との界面4に電界集中が起こることで、欠陥が生成され、非晶質高耐圧膜3中に破壊が進行しやすくなるため、非晶質高耐圧膜3が、上部電極1あるいは下部電極2に、直接、接触する構成にせず、破壊に強い非晶質高誘電率絶縁膜を上部電極1および下部電極2に接触させることにより、破壊を抑制するものである。上記において、非晶質高誘電率絶縁膜における高誘電率とは、窒化ケイ素の持つ誘電率(比誘電率で通常7程度の値)より高い誘電率をいうものとする。
なお、下部電極2の表面は、図1のような平面型(プレーナ構造)でなくてもよく、(図示しない)トレンチ構造のような凹凸を有しているものでも良い。
この製造方法について、以下、この図を用いて説明する。
(2)次に、上記の半絶縁性半導体基板上に、リフトオフ法を用い、蒸着やスパッタ法で成膜したチタン(Ti)、金(Au)、プラチナ(Pt)等の金属をパターニングすることにより、下部電極2を形成する(図2(b))。
(3)次に、ALD(Atomic Layer Deposition)法を用いて、非晶質高誘電率絶縁膜6、非晶質高誘電率緩衝膜5、および非晶質高耐圧膜3を成膜する。ここでは、上述の下部電極2の上側から、非晶質高誘電率緩衝膜5、非晶質高耐圧膜3、非晶質高誘電率絶縁膜6、非晶質高耐圧膜3、非晶質高誘電率緩衝膜5の順に、大気開放することなく、同一の成膜室で連続して成膜する(図2(c))。この手法を採用することにより、非晶質高誘電率絶縁膜6および非晶質高誘電率緩衝膜5と非晶質高耐圧膜3との界面に、欠陥や不純物が侵入し難くなるため、薄層キャパシタの信頼性が向上する。
(4)次に、上記(3)で形成した誘電体層である非晶質高誘電率緩衝膜5、非晶質高耐圧膜3、非晶質高誘電率絶縁膜6、非晶質高耐圧膜3、非晶質高誘電率緩衝膜5の順にコンタクトホール101をドライエッチャ等により、形成する(図2(d))。
(5)リフトオフ法を用い、蒸着やスパッタ法で成膜したチタン(Ti)、金(Au)、プラチナ(Pt)等の金属をパターニングすることにより、上部電極1、および配線102を形成する(図2(e))。
図3に本発明の実施の形態2に係る薄層キャパシタの断面図を示す。実施の形態2の薄層キャパシタは、非晶質高誘電率緩衝膜5が、電極表面と誘電体層との界面4を境にして、下部電極2にのみ接触している構造のMIMキャパシタであり、それ以外は実施の形態1で説明した薄層キャパシタと同じである。
図4に本発明の実施の形態3に係る薄層キャパシタの断面図を示す。本実施の形態においては、実施の形態1における下部電極2に替えて、半導体7が構成されている。すなわち、本実施の形態の薄層キャパシタは、MIS(Metal Insulator Semiconductor)キャパシタ構造となっている。これ以外は実施の形態1の薄層キャパシタと同じ構成である。
この構造を採用した場合も、実施の形態1と同様の破壊抑制効果を得ることができる。さらに、新たな効果として、この構造を採用することにより、MIS型トランジスタのゲート構造にも適用可能となる。さらに、このことにより、信頼性の高いMIS型トランジスタを実現できる。
図5に本発明の実施の形態4に係る薄層キャパシタの一例の断面図を示す。本実施の形態においては、実施の形態1に係る薄層キャパシタの構成において、上部電極及び下部電極との界面での欠陥の成長をさらに確実に抑制するため、すでに説明した、上下2つの非晶質高耐圧膜3の間に配置された非晶質高誘電率絶縁膜6に加え、さらに別の非晶質高誘電率絶縁膜6と8MV/cm以上の耐圧を有する誘電体膜である非晶質高耐圧膜3とで構成される組合せ誘電体層8を含む構成としたことを特徴とする。なお、この図5では、実施の形態1で示した薄層キャパシタに対して、組合せ誘電体層8をさらに1個だけ加えて構成した薄層キャパシタを示したが、これに限らず、組合せ誘電体層8を2個以上加えた構成としてもよい。追加する個数が多い程、欠陥の成長を抑制する効果が増す。
なお、2つの非晶質高誘電率絶縁膜6に挟まれた(中央位置の)非晶質高耐圧膜3があることにより、誘電体層全体としての耐圧性を増すことができる効果も加わる。
図6に本発明の実施の形態5に係る薄層キャパシタの断面図を示す。本実施の形態においては、非晶質高誘電率緩衝膜5、非晶質高誘電率絶縁膜6を、ともに3MV/cm未満の耐圧を有する非晶質高誘電率緩衝膜5a、及び非晶質高誘電率絶縁膜6aで構成し、非晶質高耐圧膜3を、8MV/cm以上の耐圧を有する非晶質高耐圧膜3aで構成した点が、実施の形態1の薄層キャパシタと異なる。
図7に本発明の実施の形態6に係る薄層キャパシタの断面図を示す。本実施の形態においては、実施の形態1において、非晶質高誘電率絶縁膜を、酸化タンタル(TaxOy)、酸化ハフニウム(HfxOy)、酸化ジルコニウム(ZrxOy)、酸化チタン(TixOy)、酸化ランタン(LaxOy)、酸化ニオブ(NbxOy)、酸化アルミニウム(AlxOy)、酸化イットリウム(YxOy)、チタン酸ストロンチウム(SrxTiyOz)、チタン酸バリウムストロンチウム(BawSrxTiyOz) の中から選択された材料とした非晶質高誘電率緩衝膜5b、あるいは非晶質高誘電率絶縁膜6bであり、非晶質高耐圧膜を、窒化シリコン(SixNy)、酸化シリコン(SixOy)、酸窒化シリコン(SixOyNz) の中から選択された材料に限定した非晶質高耐圧膜3cで構成した薄層キャパシタであることが特徴である。ここで、w、x、y、zは組成比を表し、(組成比から決定される)任意の数値とする。
図8に本発明の実施の形態7に係る薄層キャパシタの断面図を示す。本実施の形態においては、実施の形態1における非晶質高誘電率絶縁膜の膜厚T2(図8参照)が4.5nm以上であり、誘電体層の総膜厚Lt(図8参照)が100nm未満薄層キャパシタである。
上部電極と下部電極との間に、複数の電気特性の異なる誘電体膜を積層した誘電体層が配置された半導体装置における薄層キャパシタであって、
前記誘電体層は、
中央部分に配置され、
窒化ケイ素の持つ誘電率より高い誘電率を有する誘電体膜であって3MV/cm未満の耐圧を有する非晶質高誘電率絶縁膜と、この非晶質高誘電率絶縁膜を挟む誘電体膜であって8MV/cm以上の耐圧を有する非晶質高耐圧膜と、を有する中央部誘電体層、
および、
前記中央部誘電体層の外側に配置され、
前記上部電極および前記下部電極のいずれか1つまたは双方に接し、窒化ケイ素の持つ誘電率より高い誘電率を有する誘電体膜であって3MV/cm未満の耐圧を有する非晶質高誘電率緩衝膜、
を備えたものである。
上部電極と下部電極との間に、複数の電気特性の異なる誘電体膜を積層した誘電体層が配置された半導体装置における薄層キャパシタであって、
前記誘電体層は、
中央部分に配置され、
窒化ケイ素の持つ誘電率より高い誘電率を有する誘電体膜であって3MV/cm未満の耐圧を有する非晶質高誘電率絶縁膜と、この非晶質高誘電率絶縁膜を挟む誘電体膜であって8MV/cm以上の耐圧を有し、窒化シリコン(SixNy)、酸化シリコン(SixOy)、酸窒化シリコン(SixOyNz)の中から選択された材料で構成された非晶質高耐圧膜と、を有する中央部誘電体層、
および、
前記中央部誘電体層の外側に配置され、
前記上部電極および前記下部電極のいずれか1つまたは双方に接し、窒化ケイ素の持つ誘電率より高い誘電率を有する誘電体膜であって3MV/cm未満の耐圧を有する非晶質高誘電率緩衝膜、
を備えたものである。
上部電極と下部電極との間に、複数の電気特性の異なる誘電体膜を積層した総膜厚が100nm未満の誘電体層が配置された半導体装置における薄層キャパシタであって、
前記誘電体層は、
中央部分に配置され、
窒化ケイ素の持つ誘電率より高い誘電率を有する誘電体膜であって3MV/cm未満の耐圧を有する非晶質高誘電率絶縁膜と、この非晶質高誘電率絶縁膜を挟む誘電体膜であって8MV/cm以上の耐圧を有し、窒化シリコン(SixNy)、酸化シリコン(SixOy)、酸窒化シリコン(SixOyNz)の中から選択された材料で構成された非晶質高耐圧膜と、を有する中央部誘電体層、
および、
前記中央部誘電体層の外側に配置され、
前記上部電極および前記下部電極のいずれか1つまたは双方に接し、窒化ケイ素の持つ誘電率より高い誘電率を有する誘電体膜であって3MV/cm未満の耐圧を有する非晶質高誘電率緩衝膜、
を備えたものである。
Claims (8)
- 上部電極と下部電極との間に、複数の電気特性の異なる誘電体膜を積層した誘電体層が配置された半導体装置における薄層キャパシタであって、
前記誘電体層は、
中央部分に配置され、
窒化ケイ素の持つ誘電率より高い誘電率を有する誘電体膜である非晶質高誘電率絶縁膜と、この非晶質高誘電率絶縁膜を挟む誘電体膜であって8MV/cm以上の耐圧を有する非晶質高耐圧膜と、を有する中央部誘電体層、
および、
前記中央部誘電体層の外側に配置され、
前記上部電極および前記下部電極のいずれか1つまたは双方に接し、窒化ケイ素の持つ誘電率より高い誘電率を有する誘電体膜である非晶質高誘電率緩衝膜、
を備えたことを特徴とする薄層キャパシタ。 - 前記上部電極および前記下部電極のいずれかに接する前記非晶質高誘電率緩衝膜のみを有する請求項1に記載の薄層キャパシタ。
- 前記中央部誘電体層は、
前記非晶質高誘電率絶縁膜を挟む非晶質高耐圧膜の間に積層された、前記非晶質高誘電率絶縁膜と8MV/cm以上の耐圧を有する誘電体膜である非晶質高耐圧膜とで構成される組合せ誘電体層をさらに含むことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の薄層キャパシタ。 - 前記非晶質高誘電率緩衝膜、および前記非晶質高誘電率絶縁膜は、3MV/cm未満の耐圧を有することを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の薄層キャパシタ。
- 前記非晶質高誘電率絶縁膜、および前記非晶質高誘電率緩衝膜は、酸化タンタル(TaxOy)、酸化ハフニウム(HfxOy)、酸化ジルコニウム(ZrxOy)、酸化チタン(TixOy)、酸化ランタン(LaxOy)、酸化ニオブ(NbxOy)、酸化アルミニウム(AlxOy)、酸化イットリウム(YxOy)、チタン酸ストロンチウム(SrxTiyOz)、チタン酸バリウムストロンチウム(BawSrxTiyOz)の中から選択された材料で構成され、前記非晶質高耐圧膜は、窒化シリコン(SixNy)、酸化シリコン(SixOy)、酸窒化シリコン(SixOyNz)の中から選択された材料で構成されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の薄層キャパシタ。
- 前記誘電体層の総膜厚は100nm未満であり、
前記非晶質高誘電率絶縁膜は、その膜厚が4.5nm以上のものを含むことを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の薄層キャパシタ。 - 前記下部電極は半導体であることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の薄層キャパシタ。
- 請求項1から7のいずれか1項に記載の前記非晶質高誘電率絶縁膜、前記非晶質高誘電率緩衝膜、および前記非晶質高耐圧膜を含む誘電体層を、ALD法を用い、大気開放することなく連続して成膜することを特徴とする薄層キャパシタの製造方法。
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