JPWO2018135650A1 - 電子部品及び電子部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

電子部品の製造方法は、下地部材（１３７）を第１基板（１３０）の第１主面（１３２ａ）に設ける第１工程と、第１基板（１３０）の第１主面（１３２ａ）と転写基板（１５１）の転写主面（１５２ａ）とによって、下地部材（１３７）及び接合部材ペースト（１４０Ｐ）を挟む第２工程と、接合部材ペースト（１４０Ｐ）を第１基板（１３０）と転写基板（１５１）とに挟まれた状態のまま、下地部材（１３７）に接合された接合部材（１４０）を形成する第３工程と、下地部材（１３７）に接合された接合部材（１４０）から転写基板（１５１）を剥離する第４工程と、を備えることを特徴とする。

Description

本発明は、電子部品及び電子部品の製造方法に関する。

発振装置や帯域フィルタなどに用いられる基準信号の信号源に、例えば人工水晶からなる水晶振動子が広く用いられている。特許文献１には、セラミック基板のメタライズ層上に枠状低温金属ろう材（Ａｕ／Ｓｎ合金）を載せて溶融被着させて接合層を形成し、接合層を挟んでセラミック基板に蓋体をろう付けする水晶振動子の製造方法が開示されている。また、特許文献２には、金属カバーの封止材（溶融樹脂）を介してセラミック基板に接合する開口端面が傾斜面を備えたフランジとなっている水晶振動子が開示されている。

特開２００４−１８６９９５号公報 特開２０１１−１４２６０９号公報

携帯用通信機器等には、電子部品の一種として水晶振動子が搭載されている。近年、小型化、高性能化する携帯用通信機器等への利用を目的として、水晶振動子は、小型化、軽量化、及び耐久性向上が求められている。しかし、セラミック基板のメタライズ層上にろう材を設ける構成では、セラミック基板の反り形状などの形状変化の影響により、ろう材の形状が不安定になる問題が発生する。また、溶融樹脂を介してセラミック基板に金属カバーを接合する構成では、セラミック基板および金属カバーの形状変化の影響により、溶融樹脂の形状が不安定になり、あるいは溶融状態によっても溶融樹脂の形状が不安定になる問題が発生していた。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、接合部材の形状の安定を図ることができる電子部品及び電子部品の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の一側面に係る電子部品の製造方法は、下地部材を第１基板の第１主面に設ける第１工程と、第１基板の第１主面と転写基板の転写主面とによって、下地部材及び接合部材ペーストを挟む第２工程と、接合部材ペーストを第１基板と転写基板とに挟まれた状態のまま、下地部材に接合された接合部材を形成する第３工程と、下地部材に接合された接合部材から転写基板を剥離する第４工程と、を備えることを特徴とする。

本発明の他の一側面に係る電子部品の製造方法は、下地部材を第１基板の第１主面に設ける第１工程と、第１基板の第１主面と転写基板の転写主面とによって、下地部材及び接合部材ペーストを挟む第２工程と、接合部材ペーストを第１基板と転写基板とに挟まれた状態のまま加熱および冷却することによって、接合部材ペーストを軟化および固化させて接合部材を形成する第３工程と、下地部材に接合された接合部材から転写基板を剥離する第４工程と、を備えることを特徴とする。

本発明の他の一側面に係る電子部品は、反り形状の第１主面を有する第１基板と、第１基板の第１主面側に設けられ、第２基板と接合されることとなる頂上部を有する接合部材と、を備え、接合部材の頂上部は平面内に設けられている。

本発明の他の一側面に係る電子部品は、第１主面を有する第１基板と、第１基板の第１主面側に設けられ、頂上部を有する接合部材と、を備え、接合部材の頂上部は、露出されており且つ平面形状である。

本発明の他の一側面に係る電子部品は、第１主面を有する第１基板と、第１基板の第１主面側に設けられ、少なくとも３つの頂上部を有する複数の接合部材と、を備え、少なくとも３つの頂上部の平面度は、第１基板の第１主面の平面度の４０％以下である。

本発明の他の一側面に係る電子部品は、第１主面を有する第１基板と、第１基板の第１主面側に設けられ、少なくとも３つの頂上部を有する複数の接合部材と、を備え、少なくとも３つの頂上部の平面度は、９．０μｍ以下である。

本発明の他の一側面に係る電子部品は、第１主面を有する第１基板と、第１基板の第１主面側に設けられ、少なくとも３つの頂上部を有する複数の接合部材と、を備え、少なくとも３つの頂上部は、露出されており且つ平面形状である。

本発明によれば、接合部材の形状の安定を図ることができる電子部品及び電子部品の製造方法を提供することが可能となる。

図１は、本発明の第１実施形態に係る電子部品に相当する水晶振動子の一例を示す分解斜視図である。 図２は、図１に示した水晶振動子のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。 図３は、本発明の第１実施形態に係る電子部品の製造方法における転写工程を示すフローチャートである。 図４は、本発明の第１実施形態に係る電子部品の製造方法における組立工程を示すフローチャートである。 図５は、第１基板の第１主面に設けられた密着層ペーストの構成を概略的に示す断面図である。 図６は、下地部材を設ける工程を概略的に示す断面図である。 図７は、転写工程に供される第１基板の構成を概略的に示す斜視図である。 図８は、接合部材を設ける工程を概略的に示す斜視図である。 図９は、転写基板の転写主面に設けられた接合部材ペーストを概略的に示す斜視図である。 図１０は、図９に示した接合部材ペーストの構成を概略的に示す平面図である。 図１１は、接合部材を下地部材に接合する工程を概略的に示す斜視図である。 図１２は、下地部材及び接合部材を挟んだ第１基板及び転写基板の構成を概略的に示す断面図である。 図１３は、第１基板と転写基板とによって挟まれた状態のまま固化した接合部材の構成を概略的に示す断面図である。 図１４は、転写基板から接合部材を剥離する工程を概略的に示す斜視図である。 図１５は、接合部材を介して第１基板に第２基板を接合する工程を概略的に示す断面図である。 図１６は、第１変形例に係る水晶振動子の構成を概略的に示す断面図である。 図１７は、第２変形例に係る水晶振動素子の構成を概略的に示す斜視図である。 図１８は、第２実施形態に係る電子部品の構成を概略的に示す平面図である。 図１９は、図１８に示した電子部品のＸＩＸ−ＸＩＸ線に沿った断面の構成を概略的に示す平面図である。 図２０は、接合部材ペーストの過剰による接合部材の形状不良の発生率を示すグラフである。 図２１は、接合部材ペーストの不足による接合部材の形状不良の発生率を示すグラフである。 図２２は、図１８に示した電子部品のＡ−Ｂ線及びＡ´−Ｂ´線に沿った表面形状を示す図である。 図２３は、比較例として下地部材の上に接合部材ペーストを塗工乾燥させた構成における、Ａ−Ｂ線及びＡ´−Ｂ´線に相当する位置での表面形状を示す図である。 図２４は、図１８に示した電子部品における接合部材の拡大断面図である。 図２５は、第２実施形態に係る電子部品における接合部材の断面を撮影した写真である。 図２６は、比較例として下地部材の上に接合部材ペーストを塗工乾燥させた構成における接合部材の断面を撮影した写真である。 図２７は、第２実施形態に係る電子部品において、接合部材によって封止した場合のリーク不良の発生率を示すグラフである。 図２８は、第３実施形態に係る電子部品の構成を概略的に示す平面図である。 図２９は、図２８に示したＸＸＩＸ−ＸＸＩＸ線に沿った断面の構成を概略的に示す断面図である。

以下に本発明の実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の構成要素は同一又は類似の符号で表している。図面は例示であり、各部の寸法や形状は模式的なものであり、本願発明の技術的範囲を当該実施形態に限定して解するべきではない。

また、以下の説明において、圧電振動子（Ｐｉｅｚｏｅｌｃｔｒｉｃ Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）の一例として、水晶振動素子（Ｑｕａｒｔｚ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）を備えた水晶振動子（Ｑｕａｒｔｚ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ Ｕｎｉｔ）を例に挙げて説明する。水晶振動素子は、印加電圧に応じて振動する圧電体として水晶片（Ｑｕａｒｔｚ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｂｌａｎｋ）を利用するものである。ただし、本発明の実施形態に係る圧電振動子は水晶振動子に限定されるものではなく、セラミック等の他の圧電体を利用するものであってもよい。

＜第１実施形態＞
図１及び図２を参照しつつ、本発明の実施形態によって製造される水晶振動子の一例について説明する。ここで、図１は、本発明の第１実施形態に係る電子部品に相当する水晶振動子の一例を示す分解斜視図である。図２は、図１に示した水晶振動子のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。

図１に示すように、第１実施形態に係る水晶振動子１は、水晶振動素子１０と、第２基板２０と、第１基板３０と、を備える。第１基板３０及び第２基板２０は、水晶振動素子１０を収容するための保持器である。ここで図示した例では、第２基板２０は凹状、具体的には開口部を有する箱状、をなしており、第１基板３０は平板状をなしている。第２基板２０及び第１基板３０の形状は、上記に限定されるものではなく、凹状の第１基板及び平板状の第２基板であってもよく、共に凹状の第１基板及び第２基板であってもよい。水晶振動子１は電子部品に相当し、水晶振動素子１０は電子素子に相当する。電子素子は、電気信号や電力などが入出力されるものであれば、水晶振動素子などの圧電素子に限定されるものではない。電子素子は、例えば、能動素子、受動素子、集積回路、撮像素子、表示素子、などであってもよい。

本発明の実施形態に係る電子部品は、接合部材を介して第１基板と第２基板とが接合されたものであれば、水晶振動子に限定されるものではない。ここでは、接合部材を封止枠として機能させる電子部品について説明するが、電子部品は、接合部材を端子電極として機能させるものであってもよい。電子部品は、第２基板と接合される前の、接合部材が形成された第１基板であってもよい。以下の説明において、接合部材を介して第１基板と第２基板とが接合された部品を第１の電子部品と呼称する。また、第１の電子部品を構成する部品のうち、接合部材を備えた第１基板側の部品であって第２基板に接合されることとなる部品を第２の電子部品と呼称する。

水晶振動素子１０は、薄片状の水晶片１１を有する。水晶片１１は、互いに対向する第１主面１２ａ及び第２主面１２ｂを有する。水晶片１１は、例えば、ＡＴカット型の水晶片（Ｑｕａｒｔｚ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｂｌａｎｋ）である。ＡＴカット型の水晶片は、人工水晶をＸ軸及びＺ´軸によって特定される面と平行な面（以下、「ＸＺ´面」と呼ぶ。他の軸によって特定される面についても同様である。）を主面として切り出されたものである。なお、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸は、人工水晶の結晶軸であり、Ｙ´軸及びＺ´軸は、それぞれ、Ｙ軸及びＺ軸をＸ軸の周りにＹ軸からＺ軸の方向に３５度１５分±１分３０秒回転させた軸である。つまり、ＡＴカット型の水晶片１１において、第１主面１２ａ及び第２主面１２ｂは、それぞれＸＺ´面に相当する。なお、水晶片のカット角度は、ＡＴカット以外の異なるカット（例えばＢＴカットなど）を適用してもよい。

ＡＴカット型の水晶片１１は、Ｘ軸方向に平行な長辺が延在する長辺方向と、Ｚ´軸方向に平行な短辺が延在する短辺方向と、Ｙ´軸方向に平行な厚さが延在する厚さ方向を有する。水晶片１１は、第１主面１２ａの法線方向から平面視したときに略矩形形状をなしており、中央に位置し励振に寄与する励振部１７と、Ｘ軸の負方向側で励振部１７と隣り合う周縁部１８と、Ｘ軸の正方向側で励振部１７と隣り合う周縁部１９と、を有している。励振部１７と周縁部１９との間には段差１３が設けられている。水晶片１１は、励振部１７が周縁部１８，１９よりも厚いメサ型構造である。但し、水晶片１１の形状はこれに限定されるものではなく、例えば、第１主面１２ａの法線方向から平面視したときに、一対の平行な両腕部と、両腕部を連結する連結部と、を有する櫛歯型であってもよい。また、水晶片１１は、Ｘ軸方向及びＺ´軸方向の厚みが略均一な平板構造であってもよく、励振部１７が周縁部１８，１９よりも薄い逆メサ型構造であってもよい。また、励振部１７と周縁部１８，１９との厚みの変化が連続的に変化するコンベックス形状又はベヘル形状であってもよい。

ＡＴカット水晶片を用いた水晶振動素子は、広い温度範囲で高い周波数安定性を有し、また、経時変化特性にも優れている上、低コストで製造することが可能である。また、ＡＴカット水晶振動素子は、厚みすべり振動モード（Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ Ｓｈｅａｒ Ｖｉｂｒａｔｏｉｎ Ｍｏｄｅ）を主振動として用いられる。

水晶振動素子１０は、一対の電極を構成する第１励振電極１４ａ及び第２励振電極１４ｂを有する。第１励振電極１４ａは、励振部１７の第１主面１２ａに設けられている。また、第２励振電極１４ｂは、励振部１７の第２主面１２ｂに設けられている。第１励振電極１４ａと第２励振電極１４ｂは、水晶片１１を挟んで互いに対向して設けられている。第１励振電極１４ａと第２励振電極１４ｂとは、ＸＺ´面において略全体が重なり合うように配置されている。

第１励振電極１４ａ及び第２励振電極１４ｂは、それぞれ、Ｘ軸方向に平行な長辺と、Ｚ´軸方向に平行な短辺と、Ｙ´軸方向に平行な厚さとを有している。図１に示す例では、ＸＺ´面において、第１励振電極１４ａ及び第２励振電極１４ｂの長辺は水晶片１１の長辺と平行であり、第１励振電極１４ａ及び第２励振電極１４ｂの短辺は水晶片１１の短辺と平行である。また、第１励振電極１４ａ及び第２励振電極１４ｂの長辺は水晶片１１の長辺から離れており、第１励振電極１４ａ及び第２励振電極１４ｂの短辺は水晶片１１の短辺から離れている。

水晶振動素子１０は、一対の引出電極１５ａ，１５ｂと、一対の接続電極１６ａ，１６ｂと、を有する。接続電極１６ａは、引出電極１５ａを介して第１励振電極１４ａと電気的に接続されている。また、接続電極１６ｂは、引出電極１５ｂを介して第２励振電極１４ｂと電気的に接続されている。接続電極１６ａ及び１６ｂは、それぞれ、第１励振電極１４ａ及び第２励振電極１４ｂを第１基板３０に電気的に接続するための端子である。水晶振動素子１０は、第１基板３０に保持されている。第１主面１２ａは、第１基板３０と対向する側とは反対側に位置し、第２主面１２ｂは、第１基板３０と対向する側に位置している。

引出電極１５ａは第１主面１２ａに設けられ、引出電極１５ｂは第２主面１２ｂに設けられている。接続電極１６ａは、周縁部１８の第１主面１２ａから第２主面１２ｂに亘って設けられ、接続電極１６ｂは、周縁部１８の第２主面１２ｂから第１主面１２ａに亘って設けられている。第１励振電極１４ａ、引出電極１５ａ、及び接続電極１６ａは、連続しており、第２励振電極１４ｂ、引出電極１５ｂ、及び接続電極１６ｂは、連続している。図１に示した構成例は、接続電極１６ａ及び接続電極１６ｂが水晶片１１の短辺方向（Ｚ´軸方向）に沿って並んでおり、水晶振動素子１０が一方の短辺で保持される、いわゆる片持ち構造である。水晶振動素子１０は両方の短辺で保持される、いわゆる両持ち構造であってもよく、このとき接続電極１６ａ及び接続電極１６ｂの一方が周縁部１８に設けられ、他方が周縁部１９に設けられる。

第１励振電極１４ａ及び第２励振電極１４ｂの材料は、特に限定されるものではないが、例えば、下地層として水晶片１１に接する側にクロム（Ｃｒ）層を有し、表層として下地層よりも水晶片１１から遠い側に金（Ａｕ）層を有している。下地層に酸素との反応性が高い金属層を設けることで水晶片と励振電極との密着力が向上し、表層に酸素との反応性が低い金属層を設けることで励振電極の劣化が抑制され電気的信頼性が向上する。

第２基板２０は、第１基板３０の第１主面３２ａに向かって開口した凹状をなしている。第２基板２０は、第１基板３０に接合され、これによって水晶振動素子１０を内部空間２６に収容する。第２基板２０は、水晶振動素子１０を収容することができればその形状は限定されるものではなく、例えば、天面部２１の主面の法線方向から平面視したときに矩形状をなしている。第２基板２０は、例えば、Ｘ軸方向に平行な長辺が延在する長辺方向と、Ｚ´軸方向に平行な短辺が延在する短辺方向と、Ｙ´軸方向に平行な高さ方向とを有する。

図２に示すように、第２基板２０は、内面２４及び外面２５を有している。内面２４は、内部空間２６側の面であり、外面２５は、内面２４とは反対側の面である。第２基板２０は、第１基板３０の第１主面３２ａに対向する天面部２１と、天面部２１の外縁に接続されており且つ天面部２１の主面に対して交差する方向に延在する側壁部２２と、を有する。また、第２基板２０は、凹状の開口端部（側壁部２２の第１基板３０に近い側の端部）において第１基板３０の第１主面３２ａに対向する対向面２３を有する。つまり、対向面２３は、開口端部に含まれている。この対向面２３は、水晶振動素子１０の周囲を囲むように枠状に延在している。

第２基板２０の材質は特に限定されるものではないが、例えば金属などの導電材料で構成される。これによれば、第２基板２０を接地電位に電気的に接続させることによりシールド機能を付加することができる。例えば、第２基板２０は、鉄（Ｆｅ）及びニッケル（Ｎｉ）を含む合金（例えば４２アロイ）からなる。また、第２基板２０の最表面に酸化防止等を目的とした金（Ａｕ）層などが設けられてもよい。あるいは、第２基板２０は、絶縁材料で構成されてもよく、導電材料と絶縁材料との複合構造であってもよい。

第１基板３０は水晶振動素子１０を励振可能に保持するものである。第１基板３０は平板状をなしている。第１基板３０は、Ｘ軸方向に平行な長辺が延在する長辺方向と、Ｚ´軸方向に平行な短辺が延在する短辺方向と、Ｙ´軸方向に平行な厚さが延在する厚さ方向とを有する。

第１基板３０は、基体３１を有し、互いに対向する第１主面３２ａ及び第２主面３２ｂを有する。基体３１は、例えば絶縁性セラミック（アルミナ）などの焼結材である。この場合、複数の絶縁性セラミックシートを積層して焼結してもよい。あるいは、基体３１は、無機ガラス材料（例えばケイ酸塩ガラス、又はケイ酸塩以外を主成分とする材料であって、昇温によりガラス転移現象を有する材料）、水晶材料（例えばＡＴカット水晶）、耐熱性を有するエンジニアリングプラスチック（例えばポリイミドや液晶ポリマー）、又は有機無機ハイブリッド材料（例えばガラスエポキシ樹脂などの繊維強化プラスチック）などで形成してもよい。基体３１は耐熱性材料から構成されることが好ましい。基体３１は、単層であっても複数層であってもよく、複数層である場合、第１主面３２ａの最表層に形成された絶縁層を含む。

第１基板３０は、第１主面３２ａに設けられた電極パッド３３ａ，３３ｂと、第２主面３２ｂに設けられた外部電極３５ａ，３５ｂ，３５ｃ，３５ｄと、を有する。電極パッド３３ａ，３３ｂは、第１基板３０と水晶振動素子１０とを電気的に接続するための端子である。また、外部電極３５ａ，３５ｂ，３５ｃ，３５ｄは、図示しない回路基板と水晶振動子１とを電気的に接続するための端子である。電極パッド３３ａは、Ｙ´軸方向に延在するビア電極３４ａを介して外部電極３５ａに電気的に接続され、電極パッド３３ｂは、Ｙ´軸方向に延在するビア電極３４ｂを介して外部電極３５ｂに電気的に接続されている。ビア電極３４ａ，３４ｂは基体３１をＹ´軸方向に貫通するビアホール内に形成される。

導電性保持部材３６ａ，３６ｂは、第１基板３０の一対の電極パッド３３ａ，３３ｂに、水晶振動素子１０の一対の接続電極１６ａ及び１６ｂをそれぞれ電気的に接続している。また、導電性保持部材３６ａ，３６ｂは、第１基板３０の第１主面３２ａに水晶振動素子１０を励振可能に保持している。導電性保持部材３６ａ，３６ｂは、例えば、熱硬化樹脂や紫外線硬化樹脂等を含む導電性接着剤によって形成されており、第１基板と水晶振動素子との間隔を保つためのフィラーや、導電性保持部材に導電性を与えるための導電性粒子、等を含んでいる。

図１に示した構成例において、第１基板３０の電極パッド３３ａ，３３ｂは、第１主面３２ａ上において第１基板３０のＸ軸負方向側の短辺付近に設けられ、当該短辺方向に沿って配列されている。電極パッド３３ａは、導電性保持部材３６ａを介して水晶振動素子１０の接続電極１６ａに接続され、他方、電極パッド３３ｂは、導電性保持部材３６ｂを介して水晶振動素子１０の接続電極１６ｂに接続される。

複数の外部電極３５ａ，３５ｂ，３５ｃ，３５ｄは、第２主面３２ｂのそれぞれの角付近に設けられている。図１に示す例では、外部電極３５ａ，３５ｂが、それぞれ、電極パッド３３ａ，３３ｂの直下に配置されている。これによってＹ´軸方向に延在するビア電極３４ａ，３４ｂによって、外部電極３５ａ，３５ｂを電極パッド３３ａ，３３ｂに電気的に接続することができる。図１に示す例では、４つの外部電極３５ａ〜３５ｄのうち、第１基板３０のＸ軸負方向側の短辺付近に配置された外部電極３５ａ，３５ｂは、水晶振動素子１０の入出力信号が供給される入出力電極である。また、第１基板３０のＸ軸正方向側の短辺付近に配置された外部電極３５ｃ，３５ｄは、水晶振動素子１０の入出力信号が供給されないダミー電極となっている。このようなダミー電極には、水晶振動子１が実装される図示しない回路基板上の他の電子素子の入出力信号も供給されない。あるいは、外部電極３５ｃ，３５ｄは、接地電位が供給される接地用電極であってもよい。第２基板２０が導電材料からなる場合、第２基板２０を接地用電極である外部電極３５ｃ，３５ｄに接続することによって、第２基板２０により遮蔽性能の高い電磁シールド機能を付加することができる。

第１基板３０の第１主面３２ａには、下地部材３７が設けられている。図１に示す例では、下地部材３７は、第１主面３２ａの法線方向から平面視したときに矩形の枠状をなしている。第１主面３２ａの法線方向から平面視したときに、電極パッド３３ａ，３３ｂは、下地部材３７の内側に配置されており、下地部材３７は水晶振動素子１０を囲むように設けられている。下地部材３７は、導電材料により構成されている。例えば、下地部材３７を電極パッド３３ａ，３３ｂと同じ材料で構成することで、電極パッド３３ａ，３３ｂを設ける工程で同時に下地部材３７を設けることができる。下地部材３７上には後述する接合部材４０が設けられ、これによって、第２基板２０が接合部材４０及び下地部材３７を挟んで第１基板３０に接合される。

本構成例において、第１基板３０の電極パッド３３ａ，３３ｂ、外部電極３５ａ〜ｄ及び下地部材３７はいずれも金属膜から構成されている。例えば、電極パッド３３ａ，３３ｂ、外部電極３５ａ〜ｄ及び下地部材３７は、基体３１に近接する側（下層）から離間する側（上層）にかけて、モリブデン（Ｍｏ）層、ニッケル（Ｎｉ）層及び金（Ａｕ）層がこの順に積層されて構成されている。下地部材３７において、Ｍｏ層は後述する密着層に相当し、Ｎｉ層及びＡｕ層は、後述する下地層に相当する。また、ビア電極３４ａ，３４ｂは、基体３１のビアホールにモリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属粉とフラックスなどの添加材料からなるペースト状の複合材料である導電性ペーストを充填して形成することができる。

なお、電極パッド３３ａ，３３ｂや外部電極３５ａ〜３５ｄの配置関係は上記例に限定されるものではない。例えば、電極パッド３３ａが第１基板３０の一方の短辺付近に配置され、電極パッド３３ｂが第１基板３０の他方の短辺付近に配置されてもよい。このような構成においては、水晶振動素子１０が、水晶片１１の長手方向の両端部において第１基板３０に保持されることになる。

また、外部電極の配置は上記例に限るものではなく、例えば、入出力電極である２つが第２主面３２ｂの対角上に設けられていてもよい。あるいは、４つの外部電極は、第２主面３２ｂの角ではなく各辺の中央付近に配置されていてもよい。また、外部電極の個数は４つに限るものではなく、例えば入出力電極である２つのみであってもよい。また、接続電極と外部電極との電気的な接続の態様はビア電極によるものに限らず、第１主面３２ａ又は第２主面３２ｂ上に引出電極を引き出すことによってそれらの電気的な導通を達成してもよい。あるいは、第１基板３０の基体３１を複数層で形成し、ビア電極を中間層に至るまで延在させ、中間層において引出電極を引き出すことによって接続電極と外部電極との電気的な接続を図ってもよい。

第２基板２０及び第１基板３０の両者が下地部材３７及び接合部材４０を挟んで接合されることによって、水晶振動素子１０が、第２基板２０と第１基板３０とによって囲まれた内部空間（キャビティ）２６に封止される。この場合、内部空間２６の圧力は大気圧力よりも低圧な真空状態であることが好ましく、これにより第１励振電極１４ａ，第２励振電極１４ｂの酸化による水晶振動子１の周波数特性の経時変化などが低減できるため好ましい。

接合部材４０は、第２基板２０及び第１基板３０の各全周に亘って設けられている。具体的には、接合部材４０は下地部材３７上に設けられ、閉じた枠状に形成されている。下地部材３７及び接合部材４０が、第２基板２０の側壁部２２の対向面２３と、第１基板３０の第１主面３２ａと、の間に介在することによって、水晶振動素子１０が第２基板２０及び第１基板３０によって封止される。

接合部材４０は、金属粉とフラックスなどの添加材料からなるペースト状の複合材料である接合部材ペースト中の金属材料が凝集したろう部材である。具体的には、接合部材４０は、金（Ａｕ）‐錫（Ｓｎ）共晶合金からなる。こうして、第２基板２０と第１基板３０とを金属接合とする。金属接合によれば封止性を向上させることができる。なお、接合部材４０は、導電材料に限らず、例えば低融点ガラス（例えば鉛ホウ酸系や錫リン酸系等）などのガラス接着材料などの絶縁性材料であってもよい。これによれば、金属接合に比べて低コストであり、また加熱温度を抑えることができ、製造プロセスの簡易化を図ることができる。

本実施形態に係る水晶振動素子１０は、水晶片１１の長辺方向の一方端（導電性保持部材３６ａ，３６ｂが配置される側の端部）が固定端であり、その他方端が自由端となっている。また、水晶振動素子１０、第２基板２０、及び第１基板３０は、ＸＺ´面において、それぞれ矩形状をなしており、互いに長辺方向及び短辺方向が同一である。

但し、水晶振動素子１０の固定端の位置は特に限定されるものではなく、水晶振動素子１０は、水晶片１１の長辺方向の両端において第１基板３０に固定されていてもよい。この場合、水晶振動素子１０を水晶片１１の長辺方向の両端において固定する態様で、水晶振動素子１０及び第１基板３０の各電極を形成すればよい。

本実施形態に係る水晶振動子１においては、第１基板３０の外部電極３５ａ，３５ｂを介して、水晶振動素子１０を構成する第１励振電極１４ａ及び第２励振電極１４ｂの間に交番電界を印加する。これにより、厚みすべり振動モードなどの所定の振動モードによって水晶片１１が振動し、該振動に伴う共振特性が得られる。

次に、図３〜図１５を参照しつつ、本実施形態に係る電子部品の製造方法について説明する。以下の説明では、上記と共通の事柄についての記述を省略する。特に、同様の構成による同様の作用効果については逐次言及しない。なお、基体１３１及び転写基板１５１の例としてアルミナからなるセラミック基板を挙げて説明する。セラミック基板である転写基板の転写主面を研削することにより、表面粗さが小さく、かつセラミック焼成などのよる反り形状を低減させた平面度の値が小さな転写主面を有する転写基板を準備する。なお、基体１３１及び転写基板１５１は、他の材料によって構成されていてもよい。

図３は、本発明の第１実施形態に係る電子部品の製造方法における転写工程を示すフローチャートである。図４は、本発明の第１実施形態に係る電子部品の製造方法における組立工程を示すフローチャートである。図５は、第１基板の第１主面に設けられた密着層ペーストの構成を概略的に示す断面図である。図６は、下地部材を設ける工程を概略的に示す断面図である。図７は、転写工程に供される第１基板の構成を概略的に示す斜視図である。図８は、接合部材を設ける工程を概略的に示す斜視図である。図９は、転写基板の転写主面に設けられた接合部材ペーストを概略的に示す斜視図である。図１０は、図９に示した接合部材ペーストの構成を概略的に示す平面図である。図１１は、接合部材を下地部材に接合する工程を概略的に示す斜視図である。図１２は、下地部材及び接合部材を挟んだ第１基板及び転写基板の構成を概略的に示す断面図である。図１３は、第１基板と転写基板とによって挟まれた状態のまま固化した接合部材の構成を概略的に示す断面図である。図１４は、転写基板から接合部材を剥離する工程を概略的に示す斜視図である。図１５は、接合部材を介して第１基板に第２基板を接合する工程を概略的に示す断面図である。

まず転写工程について説明する。転写工程を開始したら、図７に示すように、第１基板１３０の第１主面１３２ａに下地部材１３７を設ける（Ｓ１１）。

本工程においては、まず、図５に示すように、アルミナを主原料とするセラミック粉末を用いてグリーンシート１３１Ｐを成形する。次に、基体１３１に、図示を省略したビアホール及びビア電極を設ける。次に、グリーンシート１３１Ｐの第１主面１３２ａに密着層ペースト１３７ＡＰを設ける。密着層ペースト１３７ＡＰは、金属成分（Ｍｏ）とバインダ成分とを含む液状であり、印刷工法によって設けられる。次に、グリーンシート１３１Ｐ及び密着層ペースト１３７ＡＰを水素雰囲気化において約１６００℃で共に焼成する。これにより、グリーンシート１３１Ｐから、焼結体により構成されたセラミック基板である基体１３１が得られる。このとき、基体１３１は、焼成によって例えば約２０％収縮する。この焼成時の収縮が、焼結体であるセラミック基板において、反りを発生させる要因となる。また、密着層ペースト１３７ＡＰから、焼成によってえられた焼結金属（Ｍｏ）でありセラミック基板に接合している密着層１３７Ａが得られる。これによれば、焼結体の基体１３１に物理蒸着（ＰＶＤ）や化学蒸着（ＣＶＤ）によって密着層１３７Ａを設ける場合と比較して、セラミック焼結体にある空孔の内部に密着層ペースト１３７ＡＰ中の金属成分が入り込んで焼結される要因により、基体１３１と密着層１３７Ａとを強固に密着させることができる。したがって密着層１３７Ａと基体１３１の形成面との接合強度を高くできる。

次に、めっき工法によって、密着層１３７Ａの上に、下地層１３７Ｂの第１層１３７Ｃ及び第２層１３７Ｄを順次形成する。第１層１３７ＣはＮｉ層であり、第２層１３７ＤはＡｕ層である。このようにして、図６に示すように、基体１３１の第１主面１３２ａ上に、密着層１３７Ａ及び下地層１３７Ｂを含む下地部材１３７が設けられる。図７に示すように、下地部材１３７は、第１主面１３２ａの法線方向から平面視したとき、電極パッド１３３ａ，１３３ｂを囲むように閉じた枠状に設けられている。つまり、下地部材１３７は、矩形環状に連続するように形成されている。なお、気密封止の効果が不要な場合、例えば回路基板と第1基板とが接合部材を介して電気的に接続し実装される場合、下地部材１３７の形状が開いた枠状、すなわち不連続に形成されていてもよい。

次に、転写基板１５１の転写主面１５２ａに接合部材ペースト１４０Ｐを塗工する（Ｓ１２）。図８に示すように、セラミック（アルミナ）によって形成された板状の転写基板１５１を準備し、その転写主面１５２ａにメタルマスク１６０を重ねる。そして、メタルマスク１６０の上からスキージ（へら）１６５を用いて、はんだ用のろう部材である接合部材ペースト１４０Ｐを塗布する。接合部材ペースト１４０Ｐは、金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）共晶合金とフラックスを含む液状である。メタルマスク１６０は、下地部材１３７に重なるような形状の開口部１６１を有する。接合部材ペースト１４０Ｐは、開口部１６１を通して転写基板１５１の転写主面１５２ａの上に塗布される。なお、転写基板１５１は、転写主面１５２ａが平面である板状の転写板を一例として挙げたが、これに限定されず、転写主面１５２ａが屈折面や曲面を有してもよい。

接合部材１４０が金属材料を含む場合、特に接合部材１４０が金属材料のみである場合、転写基板１５１の転写主面１５２ａは、非金属材料によって構成されることが望ましい。これによれば、金属接合が発生しないため、接合部材１４０と転写主面１５２ａとの密着力を抑制できる。後の剥離工程において接合部材１４０から転写基板１５１を剥離する際に、接合強度が低減効果により、転写基板１５１側に接合部材１４０が残留することを抑制することができる。つまり、接合部材１４０の損傷を抑制することができる。なお、転写基板１５１は、透明なガラスにより構成されてもよい。これによれば、カメラを用いて撮影することで、転写基板１５１越しに接合部材ペースト１４０Ｐの形状などの状態を容易に確認することができる。このため、ガラス製の転写基板１５１を用いることにより、接合部材１４０の頂上部１４０ａの実際の状態と所望の形状及び大きさとの差異とを容易に確認でき、接合部材１４０の形成が容易となる。また、転写基板のたわみなどの変形を低減するため、転写基板の厚みが、第1基板の厚みに比べて１０倍以上であることが好ましく、１００倍以上であることがさらに好ましい。

開口部１６１は、下地部材１３７の一対の長辺にそれぞれ対応する第１スリット１６１ａ及び第３スリット１６１ｃ、並びに、下地部材１３７の一対の短辺にそれぞれ対応する第２スリット１６１ｂ及び第４スリット１６１ｄを有する。開口部１６１は、下地部材１３７と異なり開いた枠状であり、開口部１６１に囲まれた領域のメタルマスクが脱落しないように、ブリッジ部１６３ａ，１６３ｂ，１６３ｃ，１６３ｄを有する。ブリッジ部１６３ａ〜１６３ｄは、メタルマスク１６０の主面の法線方向から平面視したときに、開口部１６１の内側と外側とを繋いでいる。ブリッジ部１６３ａ〜１６３ｄは、それぞれ開口部１６１の角に位置している。第１スリット１６１ａ及び第２スリット１６１ｂはブリッジ部１６３ａによって隔てられ、第２スリット１６１ｂ及び第３スリット１６１ｃはブリッジ部１６３ｂによって隔てられ、第３スリット１６１ｃ及び第４スリット１６１ｄはブリッジ部１６３ｃによって隔てられ、第４スリット１６１ｄ及び第１スリット１６１ａはブリッジ部１６３ｄによって隔てられている。なお、ブリッジ部の位置は上記に限定されるものではなく、例えば、開口部１６１の角から離れ、第１スリット１６１ａ及び第３スリット１６１ｃのそれぞれが複数の不連続なスリットとなるように配置されてもよい。

図９に示すように、接合部材ペースト１４０Ｐは、開口部１６１に対応した形状で、転写主面１５２ａ上に設けられる。すなわち、接合部材ペースト１４０Ｐは、下地部材１３７に積み重なるような形状であるが、転写基板１５１の転写主面１５２ａの法線方向から平面視したとき、矩形環状の角部を空けて形成される。具体的には、接合部材ペースト１４０Ｐは、下地部材１３７の一対の長辺に対応する第１部分１４１ａ及び第３部分１４１ｃ、並びに、下地部材１３７の一対の短辺に対応する第２部分１４１ｂ及び第４部分１４１ｄ、を有している。また、接合部材ペースト１４０Ｐは、角部１４３ａ，１４３ｂ，１４３ｃ，１４３ｄを空けて設けられており、第１部分１４１ａ〜第４部分１４１ｄは、それぞれ互いに離れている。なお、第１部分１４１ａ〜第４部分１４１ｄは、それぞれ第１スリット１６１ａ〜第４スリット１６１ｄに対応し、角部１４３ａ〜１４３ｄは、それぞれブリッジ部１６３ａ〜１６３ｄに対応している。接合部材ペースト１４０Ｐが集まりやすい角部を避けて接合部材ペースト１４０Ｐを塗布することによって、接合部材ペースト１４０Ｐ中にある加熱溶融され液相となった金属成分が濡れ広がり下地部材１３７の角部に集まることで発生する液溜りの発生を抑制することができる。つまり、接合部材の外形不良の発生を抑制することができる。

工程Ｓ１２として上記に説明したのは、いわゆるスクリーン印刷であるが、接合部材１４０の形成方法はこれに限定されるものではなく、例えばニードル吐出工法などの公知な形成工程によって設けられてもよい。

図１０を参照しつつ、工程Ｓ１２によって形成された接合部材ペースト１４０Ｐの寸法の一例を説明する。接合部材ペースト１４０Ｐは、短手方向の幅が一様にＡであり、転写主面１５２ａの法線方向に沿った厚みが一様にＴであるとする。第１部分１４１ａ及び第３部分１４１ｃの長手方向の長さをＬ１、それに角部を含めた長さをＬ２とする。第２部分１４１ｂ及び第４部分１４１ｄの長手方向の長さをＷ１とし、それに角部を含めた長さをＷ２とする。このとき、接合部材ペースト１４０Ｐの体積Ｖ１は、下記の式（１）で表すことができる。
Ｖ１＝２×Ｔ×Ａ×（Ｌ１＋Ｗ１） …（１）
また、もし接合部材が角部１４３ａ〜１４３ｄにも形成されていた場合の体積、すなわち閉じた枠状に形成された場合の接合部材ペースト１４０Ｐの体積Ｖ２は、下記の式（２）で表すことができる。
Ｖ２＝２×Ｔ×Ａ×（Ｗ２−２×Ａ）＋２×Ｔ×Ａ×Ｌ２
＝２×Ｔ×Ａ×（Ｗ２＋Ｌ２−２×Ａ） …（２）
後の工程で接合部材ペースト１４０Ｐが軟化して閉じた枠状に変化するためには、体積Ｖ１が、例えば、体積Ｖ２の８０％以上であることが望ましい。また、後の工程で接合部材ペースト１４０Ｐが軟化する際に角部１４３ａ〜１４３ｄに液溜り形成されないようにするためには、体積Ｖ１が体積Ｖ２の９５％以下であることが望ましい。つまり、
０．８０≦Ｖ１／Ｖ２≦０．９５
を満たすことが望ましい。なお、上記の不等式は、式（１）及び式（２）を代入して整理すると、下記の不等式で表すことができる。
０．８０≦（Ｌ１＋Ｗ１）／（Ｗ＋Ｌ−２×Ａ）≦０．９５
さらに、接合力確保と、液溜まり低減のため、下記の範囲であることがより好ましい。 ０．８６≦（Ｌ１＋Ｗ１）／（Ｗ＋Ｌ−２×Ａ）≦０．９２

次に、下地部材１３７及び接合部材１４０を第１基板１３０と転写基板１５１とで挟む（Ｓ１３）。図１１及び図１２に示すように、第１基板１３０の第１主面１３２ａと転写基板１５１の転写主面１５２ａとによって、下地部材１３７及び接合部材ペースト１４０Ｐを挟む。第１基板１３０と転写基板１５１とを重ねた状態において、第１基板１３０の第１主面１３２ａを平面視して、第１基板１３０の第１主面１３２ａ上に接合部材ペースト１４０Ｐを下地部材１３７の配置パターンに重なるように設ける。下地部材１３７及び接合部材ペースト１４０Ｐは重ねられる。接合部材ペースト１４０Ｐが適度な粘性を有しているため、接合部材ペースト１４０Ｐによって転写基板１５１と第１基板１３０とが貼り合わされる。そして、転写基板１５１の上に第１基板１３０が載った状態で、昇温された炉の中で加熱され、接合部材ペースト１４０Ｐが軟化する。なお、下地部材１３７及び接合部材１４０の接合に際しては、接合部材ペースト１４０Ｐの粘度が、炉内の熱風１７０の風圧、あるいは製造設備の振動などの外乱によって第１基板１３０が転写基板１５１から脱落しないように定められることが好ましい。

接合部材ペースト１４０Ｐの下地部材１３７に対する濡れ性βは、接合部材ペースト１４０Ｐの第１基板１３０の第１主面１３２ａに対する濡れ性αよりも大きい。これによれば、接合部材ペースト１４０Ｐは、第１基板１３０側において、下地部材１３７に沿って濡れ広がり、形状が閉じた枠状（矩形環状）に変化する。また、接合部材ペースト１４０Ｐは、第１主面１３２ａ上での濡れ広がりを抑制することができ、接合部材１４０の形状不良の発生を抑制することができる。接合部材ペースト１４０Ｐの下地部材１３７に対する濡れ性βは、接合部材ペースト１４０Ｐの転写基板１５１の転写主面１５２ａに対する濡れ性γより大きい。これによれば、接合部材ペースト１４０Ｐは、第１基板１３０側における濡れ広がりを抑制することができ、接合部材１４０の形状不良の発生を抑制することができる。

次に、接合部材１４０を下地部材１３７に接合する（Ｓ１４）。接合部材ペースト１４０Ｐを第１基板１３０と転写基板１５１とに挟まれた状態のまま固化させて、下地部材１３７に接合された接合部材１４０を形成する。接合部材ペースト１４０Ｐは、加熱されて軟化した後、冷却されて固化する。このとき、図１３に示すように、フラックス１４０Ｆは、接合部材１４０を覆う。第１基板１３０と転写基板１５１とで挟まれた接合部材ペースト１４０Ｐの軟化及び固化工程において、フラックス１４０Ｆが接合部材ペースト１４０Ｐ中の溶融した金属の外側に位置することで、フラックス１４０Ｆが流れ止めの役割となって、接合部材ペースト１４０Ｐの転写基板１５１への不必要な濡れ広がりを抑止し、接合部材１４０の形状を安定化させることができる。また、フラックス１４０Ｆは、第１基板１３０側と転写基板１５１側とを繋ぐように固化することで、第１基板１３０と転写基板１５１との接合を補助する。

接合部材１４０は、接合部材ペースト１４０Ｐの金属成分によって構成されている。接合部材１４０が形成される過程において、下地部材１３７と接合部材１４０とが金属接合を形成する。すなわち、下地部材１３７と接合部材１４０との境界において、合金が形成される。これによれば、下地部材１３７と接合部材１４０との接合強度を向上させることができる。

接合部材１４０に対する転写基板１５１の接合強度Ｆ６は、第１基板１３０と転写基板１５１との間の接合強度の中で最も小さい。すなわち、接合強度Ｆ６は、密着層１３７Ａと第１基板１３０との接合強度Ｆ１よりも小さく、下地層１３７Ｂの第１層１３７Ｃと密着層１３７Ａとの接合強度Ｆ２よりも小さく、下地層１３７Ｂの第１層１３７Ｃと第２層１３７Ｄとの接合強度Ｆ３よりも小さく、下地層１３７Ｂの第２層１３７Ｄと接合部材１４０との接合強度Ｆ４よりも小さく、接合部材１４０と第１基板１３０との接合強度Ｆ５よりも小さい。これによれば、後の転写基板１５１を接合部材１４０から剥離する工程において、接合部材１４０の損傷の発生を抑制することができる。

次に、転写基板１５１を接合部材１４０から剥離する（Ｓ１５）。図１４に示すように、下地部材１３７に接合された接合部材１４０を転写基板１５１から剥離し、第１基板１３０から転写基板１５１を引き離す。これにより、第１基板１３０と接合部材１４０とを備える第２の電子部品１０２が出来上がる。このとき、接合部材１４０の頂上部１４０ａには、転写基板１５１の転写主面１５２ａの形状が転写されている。図１５に示すように、頂上部１４０ａは平面形状となっている。次に、固化したフラックス１４０Ｆを除去することができる溶剤で接合部材１４０が形成された第１基板１３０を洗浄することで、フラックス１４０Ｆを除去する。フラックス１４０Ｆを除去することで、揮発したフラックス１４０Ｆによる他の部材の汚染、損傷、化学反応による変質を抑制することができる。なお、フラックス１４０Ｆを除去した後、又は除去しながら、転写基板を接合部材１４０から剥離してもよい。これによれば、フラックス１４０Ｆの接合力あるいは密着力が無くなり、剥離工程が容易になる効果がある。

転写基板１５１の転写主面１５２ａは、第１基板１３０の第１主面１３２ａよりも表面粗さが小さいことが望ましい。これによれば、接合部材１４０と転写基板１５１との接合強度を低減することができるため、工程Ｓ１５において転写基板１５１側への接合部材１４０の残渣の発生を抑制することができる。

転写基板１５１は、第１基板１３０よりも厚く、剛性が高い。すなわち、転写基板１５１は第１基板１３０よりも反り等の変形が小さい。接合部材１４０の頂上部１４０ａの形状には、第１基板１３０の第１主面１３２ａの平面度の影響は小さく、転写基板１５１の転写主面１５２ａの平面度の影響が大きい。このため、転写基板１５１の転写主面１５２ａは、第１基板１３０の第１主面１３２ａよりも平面度が小さい。少なくとも、工程Ｓ１２において、転写基板１５１の転写主面１５２ａにおける、接合部材ペースト１４０Ｐを介して第１基板１３０の第１主面１３２ａと向かい合う領域は、第１基板１３０の第１主面１３２ａよりも平面度が小さいことが望ましい。これによれば、接合部材１４０の頂上部１４０ａを平面状に形成することができる。したがって、後の工程において接合部材１４０を第２基板１２０の平面状の部分に接合するとき、接合部材１４０の頂上部１４０ａは、接合強度を向上させることができる。特に、第１基板１３０が薄肉化、あるいは多層化の影響などにより反り等の変形が大きくなったとしても、平面度の高い頂上部１４０ａを形成することができる。このため、接合部材１４０は、第１基板１３０と第２基板１２０との接合強度の低下を抑制することができる。従来技術においては、セラミック基板と蓋体との密着性を向上させる為にろう材を厚く形成しようとすると、加熱によって軟化したろう部材が自重で濡れ広がる不必要な領域まで可能性がある。このとき、例えば小型化した水晶振動子ではセラミック基板の配線層と接合層とが近いため、配線層及び接合層がショートして不良品となる問題が発生する。また、第１基板１３０が薄肉化にともない第１基板１３０の強度が低下しても、接合部材１４０が溶融した液相状態で転写主面の形状１５２ａにならい、接合部材１４０がその形状を保ったまま冷却されて固相状態となって固化されるため、第１基板１３０に作用する加工応力を低減できる。なお、本発明の平面度は、ＪＩＳ Ｂ ００２１（１９８４）の平面度公差の定義による。

次に、第１基板１３０に水晶振動素子１１０を搭載する（Ｓ１７）。水晶振動素子１１０は、第１基板１３０の第１主面１３２ａを平面視したときに略矩形形状を有する水晶振動素子である。水晶振動素子１１０は、第１基板１３０の第１主面１３２ａを平面視したとき、接合部材１４０に囲まれた領域に搭載される。水晶振動素子１１０は、導電性保持部材１３６ａを通して、電極パッド１３３ａに電気的に接続される。なお、導電性保持部材１３６ａは、導電性接着剤によって設けられるが、接合部材１４０と同じ材料によって設けられてもよい。このとき、電極パッド１３３ａは下地部材１３７と共に設けられ、導電性保持部材１３６ａは接合部材１４０と共に設けられる。つまり、封止枠と、封止枠から離れている接続端子とが、接合部材１４０によって同時に設けられてもよい。

次に、振動数を調整する（Ｓ１８）。水晶振動素子１１０の励振周波数が所望の値となるように、水晶振動素子１１０をエッチングして厚みを減らす。これによって、水晶振動素子１１０の個体間での特性変動を低減し、歩留りを改善させることができる。

次に、第１基板１３０に第２基板１２０を接合する（Ｓ１９）。これにより、第２の電子部品１０２と第２基板１２０とを備える第１の電子部品１０１が出来上がる。図１５に示すように、下地部材１３７及び接合部材１４０を介して、第１基板１３０を第２基板１２０に接合する。まず、第２基板１２０をステージに静置する。次に、第２基板１２０の対向面１２３に接合部材１４０の頂上部１４０ａが接触するように、第１基板１３０を第２基板１２０に向かって押圧ピンで押し付けつつ加熱する。このとき、第１基板１３０と第２基板１２０との間に下地部材１３７及び接合部材１４０によって囲まれた内部空間１２６を形成する。内部空間１２６は、第１基板１３０の第１主面１３２ａと第２基板１２０の内面１２４に囲まれ、水晶振動素子１１０が気密封止される。なお、気密封止空間は大気に対して減圧雰囲気であることが好ましく、さらに真空雰囲気であることが好ましい。

次に、第１実施形態の変形例について説明する。なお、以下の説明において、上記したのと共通の事柄については記述を省略する。また、以下の第１及び第２変形例においても、上記したのと同様の効果を得ることができる。

＜第１変形例＞
図１６を参照して、第１実施形態の第１変形例に係る水晶振動子３０１の構成について説明する。このとき、図１６は、第１変形例に係る水晶振動子の構成を概略的に示す断面図である。第１変形例は、第２基板３２０が平板状をなしており第１基板３３０が凹状をなしている点で、図２に示した構成例と相違している。また、第１基板３３０と第２基板３２０とが、下地部材３３７及び接合部材３４０を介して接合され、水晶振動素子３１０を収容する内部空間３２６を形成する点は、図２に示した構成例と同様である。

第１変形例において、基体３３１は、第１主面３３２ａに段差３３９を有する。基体３３１は、第１主面３３２ａの法線方向から平面視したときに中央部が凹状をなし、中央部の外側の周縁部が第２基板３２０へ突出している。水晶振動素子３１０は、第１主面３３２ａの法線方向から平面視したとき、段差３３９に囲まれている。第２基板３２０は平板状であり、側壁部が省略され、天面部３２１の第１基板３３０と対向する側に対向面３２３が設けられている。

＜第２変形例＞
図１７を参照しつつ、本実施形態の第２変形例に係る水晶振動素子９１０の構成について説明する。このとき、図１７は、第２変形例に係る水晶振動素子の構成を概略的に示す斜視図である。

第２変形例における水晶振動素子９１０は、水晶片９１１が音叉形状である点で、図１に示した水晶振動素子１０と相違している。つまり、第２変形例に係る水晶振動子は、音叉型の水晶振動子である。水晶片９１１は、具体的には、平行に配置された２つの振動腕部９１９ａ，９１９ｂを有する。振動腕部９１９ａ，９１９ｂは、Ｘ軸方向に延在し、Ｚ´軸方向に並び、端面９１２ｃ側の基部９１９ｃで互いに連結されている。言い換えると、基部９１９ｃから複数の振動腕部９１９ａ，９１９ｂが延出している。振動腕部９１９ａでは、ＸＺ´面に平行であり互いに対向する一対の主面にそれぞれ励振電極９１４ａが設けられ、当該一対の主面と交差し互いに対向する一対の側端面にそれぞれ励振電極９１４ｂが設けられている。振動腕部９１９ｂでは、一対の主面にそれぞれ励振電極９１４ｂが設けられ、一対の側端面にそれぞれ励振電極９１４ａが設けられている。

以上のとおり、第２変形例によれば、圧電振動素子９１０は、複数の振動腕部９１９ａ，９１９ｂを有する音叉型水晶振動素子である。なお、圧電振動素子９１０の構成は特に限定されるものではなく、振動腕部の形状や本数、励振電極の配置などが異なっていてもよい。

＜第２実施形態＞
図１８及び図１９を参照しつつ、第２実施形態に係る電子部品５０２の構成について説明する。図１８は、第２実施形態に係る電子部品の構成を概略的に示す平面図である。図１９は、図１８に示した電子部品のＸＩＸ−ＸＩＸ線に沿った断面の構成を概略的に示す平面図である。なお、電子部品５０２は、第１実施形態の工程Ｓ１９において接合する前の第１基板１３０側の部品に相当する。電子部品５０２は、第１実施形態において説明した製造方法によって形成されている。したがって、上記したのと同様の構成要素には同様の符号を付し、上記したのと共通の構成要素については記述を省略する。上記したのと同様の効果についても、記述を省略する。

電子部品５０２は、第１基板５３０、水晶振動素子５１０、下地部材５３７、及び接合部材５４０を備えている。

第１基板５３０は、互いに対向する第１主面５３２ａ及び第２主面５３２ｂを有する基体５３１を備えている。第１基板５３０は、焼結体により構成されたセラミック基板である。基体５３１は、第１主面５３２ａの中心部が凹形状となるような、断面が第1主面と反対側に凸となる反り形状を有している。

水晶振動素子５１０は、第１基板５３０の第１主面５３２ａ側に設けられている。水晶振動素子５１０は、電極パッド５３３ａ及び導電性保持部材５３６ａによって、第１基板５３０に搭載され、第１基板５３０と電気的に接続されている。

下地部材５３７は、第１基板５３０の第１主面５３２ａと接合部材５４０との間に設けられている。下地部材５３７は、密着層５３７Ａ及び下地層５３７Ｂを備えている。密着層５３７Ａは、第１基板５３０の第１主面５３２ａに接合されている。密着層５３７Ａは、セラミック基板である基体５３１と接触している。密着層５３７Ａは、焼結金属であり、焼結体である基体５３１と共に焼成されている。下地層５３７Ｂは、密着層５３７Ａに接合された第１層５３７Ｃと、第１層５３７Ｃに接合された第２層５３７Ｄとを備えている。

接合部材５４０は、下地部材５３７を覆っている。接合部材５４０の材料は金属のみであり、接合部材５４０は下地部材５３７と合金を形成している。接合部材５４０の下地部材５３７に対する接合強度は、接合部材５４０の第１基板５３０に対する接合強度よりも大きい。接合部材５４０は、第１基板５３０の第１主面５３２ａを平面視したとき、水晶振動素子５１０を囲む枠状に設けられている。

接合部材５４０は、第２基板と接合されることとなる頂上部５４０ａを有する。接合部材５４０の頂上部５４０ａは、平面内に設けられている。これによれば、第２基板の接合面の形状が第１基板５３０の第１主面５３２ａの形状と異なる平面形状などである場合でも、接合部材５４０は、第１基板５３０を第２基板に対して強固に接合することができる。接合部材５４０の頂上部５４０ａは、露出されており、且つ平面形状である。これによれば、接合部材５４０は、第１基板５３０を第２基板に対して強固に接合することができる。

次に、接合部材５４０の性能評価について説明する。実施例は、第１実施形態の電子部品の製造方法を利用した構成である。比較例は、下地部材の上に接合部材ペーストを塗工し、そのまま接合部材ペーストを固化させた構成である。実施例及び比較例の、その他の製造条件は同様である。

（平面形状評価）
図２０及び図２１を参照しつつ、封止枠としての接合部材５４０の平面形状に関する評価結果について説明する。図２０は、接合部材ペーストの過剰による接合部材の形状不良の発生率を示すグラフである。図２１は、接合部材ペーストの不足による接合部材の形状不良の発生率を示すグラフである。図２０及び図２１において、各々のグラフの横軸は、２４００個の接合部材５４０の質量（以下、「形成量」と呼称する。）を示す。これは、集合基板に２４００個の接合部材５４０を設けたときの質量変化によって算出した。図２０及び図２１において、各々のグラフの縦軸は、２４００個の接合部材５４０のうち、形状不良と判定されたものの発生率を示す。図２０の縦軸は、接合部材５４０が角部に集まる形状不良の発生率を示すものであり、形状不良率（半田溜りモード）と呼称する。図２１の縦軸は、接合部材５４０が辺部で細くなる又は途切れる形状不良の発生率を示すものであり、形状不良率（枠切れモード）と呼称する。黒丸プロットは比較例のデータを示し、黒三角プロットは実施例のデータを示す。

第１基板５３０の個片化前の集合基板に、平面視した形状が、幅１００μｍの略矩形の環状の下地部材５３７を２４００個設けた。それぞれの下地部材５３７は、長辺方向の長さが１．５ｍｍ、短辺方向の長さが１．１ｍｍ、面積０．５ｍｍ^２とした。図１８に示すように電子部品５０２を平面視して、カメラで撮影した画像データを二値化して接合部材５４０部分の撮影輪郭画像を求めた。次に、接合部材５４０部分の撮影輪郭画を４つの角部と４つの辺部の８区画に分割して比較した。各区画のいずれか１つの区画において、幾何学な接合部材５４０の基準輪郭画像と一致する基準輪郭画像の面積が元の基準輪郭画像の面積の６０%以下のとき不良と判定して、形状不良率を算出した。

図２０に示すように、接合部材５４０の形成量が２８０ｍｇのとき、実施例の形状不良率（半田溜りモード）が０．１％程度であったのに対し、比較例では４．０％程度であった。さらに、接合部材５４０の形成量が３００ｍｇのとき、実施例の形状不良率（半田溜りモード）が１．０％程度であったのに対し、比較例では１５％程度と発生率となり、いずれの条件でも、比較例の不良率が、実施例の不良率の１０倍以上になった。図２１に示すように、接合部材５４０の形成量が２６０ｍｇのとき、実施例の形状不良率（枠切れモード）が１．０％程度であったのに対し、比較例では９．０％程度であった。

この結果から、本発明の実施形態を適応することで、固化時の軟化の影響を低減して、形状変化が小さな接合部材５４０を得られることが確認できた。なお、実施例において、形状不良率（半田溜りモード）１０％以下且つ形状不良率（枠切れモード）１．０％以下となるように接合部材５４０を製造するためには、接合部材５４０の形成量が、２６０ｍｇよりも多く、３６０ｍｇよりも少なくなるように調整する必要がある。対して、比較例において、形状不良率（半田溜りモード）１０％以下且つ形状不良率（枠切れモード）１．０％以下となるように接合部材５４０を製造するためには、接合部材５４０の形成量が、略２９０ｍｇとなるように調整する必要がある。このように、本発明の実施形態によれば、接合部材の形状が安定するため、接合部材の形成量に関する製造条件の変動の許容範囲を広くすることができる。

（表面形状評価）
図２２及び図２３を参照しつつ、封止枠としての接合部材５４０の平面形状に関する評価結果について説明する。図２２は、図１８に示した電子部品のＡ−Ｂ線及びＡ´−Ｂ´線に沿った表面形状を示す図である。図２３は、比較例として下地部材の上に接合部材ペーストを塗工乾燥させた構成における、Ａ−Ｂ線及びＡ´−Ｂ´線に相当する位置での表面形状を示す図である。図２０及び図２１において、各々のグラフの横軸は、測定位置を示す。図２０及び図２１において、各々のグラフの縦軸は、高さの相対値を示す。破線は比較例のデータを示し、実線は実施例のデータを示す。

図２２に示すように、実施例においては、第１基板５３０の第１主面５３２ａの表面形状は、中央部で低く両端部で高い下に凸の形状であった。接合部材５４０の頂上部５４０ａの形状は、基礎となる第１基板５３０の第１主面５３２ａの形状変化の形状が小さく、平面度が小さくなっていた。下記の表１に、試料１〜５における、基板の平面度（Ａ´−Ｂ´線に沿った表面の平面度）、接合部材の平面度（Ａ−Ｂ線に沿った表面の平面度）、及び比率を示す。なお比率とは、第１基板５３０の第１主面５３２ａの平面度に対する接合部材５４０の頂上部５４０ａの平面度の比率（接合部材の平面度／基板の平面度）である。

図２２に示すように、実施例においては、第１基板５３０の第１主面５３２ａに相当するＡ´−Ｂ´線に沿った表面の形状は、中央部で低く両端部で高い下に凸の形状であった。接合部材５４０の頂上部５４０ａの形状も基礎となる第１基板５３０の第１主面５３２ａの形状変化に追従するため、同様に下に凸の形状であった。下記の表２に、比較例の場合のデータを示す。

実施例では、表面度の比率は、平均値：２６．４％、最小値：１３．４％、最大値３７．２％となった。比較例では、平面度の比率は、平均値：６２．９％、最小値：４９．５％、最大値：７５．４％となった。実施例において、基板の平面度は１２．５μｍであり、接合部材の平面度の平均値は３．３μｍであった。比較例において、基板の平面度は１８．７μｍであり、接合部材の平面度の平均値は１１．７μｍであった。このように、頂上部５４０ａの平面度は、第１基板５３０の第１主面５３２ａの平面度の４０％以下であることが望ましい。また、頂上部５４０ａの平面度は、望ましくは９．０μｍ以下であり、さらに望ましくは５．０μｍ以下である。このとき、第１基板５３０の第１主面５３２ａの平面度は、１０μｍ以上である。つまり、第１主面５３２ａの平面度が１０μｍ以上である場合であっても、実施例によれば、接合部材５４０の形状を安定化させ、接合強度を向上させることができる。

（断面形状評価）
図２４から図２６を参照しつつ、接合部材５４０の断面形状に関する評価結果について説明する。図２４は、図１８に示した電子部品における接合部材の拡大断面図である。図２５は、第２実施形態に係る電子部品における接合部材の断面を撮影した写真である。図２６は、比較例として下地部材の上に接合部材ペーストを塗工乾燥させた構成における接合部材の断面を撮影した写真である。図２５及び図２６は、図２４に相当する断面の写真である。

下記の表３に、実施例における、接合部材５４０の第１基板５３０側の底面の幅Ｗ５１、頂上部５４０ａの幅Ｗ５２、及び幅Ｗ５１に対する幅Ｗ５２の比率（Ｗ５２／Ｗ５１）を示す。なお、比較例においては、図２６に示すように頂上部の幅が略ゼロであるため、記載を省略する。

幅の比率Ｗ５２／Ｗ５１は、平均値：３４％、最小値：４２％、最大値：３５％となった。このように、接合部材５４０の第１基板５３０側の底面の幅Ｗ５１に対して、頂上部５４０ａの幅Ｗ５２は３０％以上であることが望ましい。

（密着性評価）
図２７を参照しつつ、接合部材５４０による第１基板５３０と第２基板との密着性に関する評価結果について説明する。図２７は、第２実施形態に係る電子部品において、接合部材によって封止した場合のリーク不良の発生率を示すグラフである。リーク不良の判断は、公知なリーク不良の測定方法を用いて、水晶振動子に周波数特性の変動値を測定して判断した。図２７に示すグラフの横軸は、接合部材５４０の形成量を示す。図２７に示すグラフの縦軸は、接合部材５４０を封止枠として利用した場合において発生したリーク不良率を示す。黒丸プロットは比較例のデータを示し、黒三角プロットは実施例のデータを示す。

図２７に示すように、実施例のリーク不良率は、比較例のリーク不良率よりも低い。特に、接合部材５４０の成形量が小さい条件である２６５ｍｇ近傍では、比較例のリーク不良率が１．０%程度であるのに対して、実施例のリーク不良率は０．２％程度に低減していることが分かる。すなわち、実施例では、比較例に比べて、リーク不良の発生が低減できたと考えられる。

以上の評価結果から、次のことが言える。すなわち、比較例において接合部材５４０の形成量が３００ｍｇより大きくなると、比較例の形状不良率（半田溜りモード）が１０％以上になる問題が発生する。さらに、接合部材５４０の形成量が大きくなると、接合部材５４０の高さも大きくなり、電子部品５０２の低背化の制約要因となる。実施例の形状不良率（半田溜りモード）の近似曲線によれば、接合部材５４０の形成量が３６０ｍｇより大きいときに形状不良率（半田溜りモード）が１０％以上となる。このため、リーク不良を低減させるために、形状不良を発生させない範囲で、接合部材５４０の形成量を比較例に比べて大きくすることができる。別の視点では、実施例では、接合部材５４０の形成量が小さいときでもリーク不良を低減できる。このため、実施例では、比較例に比べて、低背にでき、材料の消費量を低減することができる。なお、比較例において接合部材５４０の成形量が２８０ｍｇ以上となる条件では、形状不良率（半田溜りモード）が１０％より大きくなる場合がある。リーク試験は、形状評価の結果が良品である電子部品５０２選別して実施するため、適切な良品率を確保できない条件である、比較例において接合部材５４０の成形量が２８０ｍｇ以上の範囲では、リーク試験を実施していない。

＜第３実施形態＞
図２８及び図２９を参照しつつ、第３実施形態に係る電子部品の製造方法について説明する。図２８は、第３実施形態に係る電子部品の構成を概略的に示す平面図である。図２９は、図２８に示したＸＸＩＸ−ＸＸＩＸ線に沿った断面の構成を概略的に示す断面図である。

電子部品６０１は、第１基板６３０、複数の第１接合部材６４５、及び複数の第２接合部材６４６を含む電子部品６０２に、第２基板６２０を接合することによって製造される。第１基板６３０は、再配線層６８１、集積回路６８２、モールド層６８３を備えている。再配線層６８１は、第１基板６３０の第１主面６３２ａ側に設けられている。集積回路６８２は、電気素子に相当する。集積回路６８２は、再配線層６８１の第２主面６３２ｂ側に設けられている。モールド層６８３は、集積回路６８２を覆っている。

複数の第１接合部材６４５は、それぞれ、第１頂上部６４５ａを備えている。複数の第２接合部材６４６は、それぞれ、第２頂上部６４６ａを備えている。第１基板６３０の第１主面６３２ａを平面視したとき、第１接合部材６４５及び第２接合部材６４６は、互いに形状又は大きさが異なっている。第１頂上部６４５ａ及び第２頂上部６４５ｃは、互いに形状又は大きさが異なっている。なお、複数の第１接合部材６４５及び複数の第２接合部材６４６は、それぞれ、複数の下地部材６３７に重なるようにもうけられている。具体的には、電子部品の電極パッドの一部として機能する３つ以上の下地部材６３７が、再配線層６８１を通して、集積回路６８２と、複数の第１接合部材６４５及び複数の第２接合部材６４６と、を電気的に接続している。

複数の頂上部６４５ａ及び複数の頂上部６４６ａは、第２実施形態に係る接合部材５４０の頂上部５３０ａと同様の構成であることが望ましい。すなわち、複数の頂上部６４５ａ及び複数の頂上部６４６ａは、露出されており且つ平面形状である。このとき、複数の接合部材６４５，６４６の第１基板６３０側の底面の幅に対して、複数の頂上部６４５ａ及び複数の頂上部６４６ａの幅は、３０％以上であることが望ましい。また、複数の頂上部６４５ａ及び複数の頂上部６４６ａは、仮想的な平面内に設けられている。複数の頂上部６４５ａ及び複数の頂上部６４６ａの平面度は、第１基板６３０の第１主面６３２ａの平面度の４０％以下である。また、複数の頂上部６４５ａ及び複数の頂上部６４６ａの平面度は、９．０μｍ以下であり、５．０μｍ以下であることが望ましい。

＜付記＞
以下に、本発明の実施形態の一部又は全部を付記として記載する。なお、本発明は以下の付記に限定されるものではない。

下地部材を第１基板の第１主面に設ける第１工程と、
前記第１基板の前記第１主面と転写基板の転写主面とによって、前記下地部材及び接合部材ペーストを挟む第２工程と、
前記接合部材ペーストを前記第１基板と前記転写基板とに挟まれた状態のまま、前記下地部材に接合された接合部材を形成する第３工程と、
前記下地部材に接合された前記接合部材から前記転写基板を剥離する第４工程と、
を備えることを特徴とする、電子部品の製造方法。

前記第３工程は、
前記接合部材ペーストを加熱する工程と、
前記加熱する工程の後に、前記接合部材を冷却する工程と、
を備える、電子部品の製造方法。

下地部材を第１基板の第１主面に設ける第１工程と、
前記第１基板の前記第１主面と転写基板の転写主面とによって、前記下地部材及び前記下地部材上に設けられた接合部材ペーストを挟む第２工程と、
前記接合部材ペーストを前記第１基板と前記転写基板とに挟まれた状態のまま加熱および冷却することによって、前記接合部材ペーストを軟化および固化させて接合部材を形成する第３工程と、
前記下地部材に接合された前記接合部材から前記転写基板を剥離する第４工程と、
を備えることを特徴とする、電子部品の製造方法。

前記第２工程は、前記接合部材ペーストを前記転写基板の前記転写主面に設ける工程を備える、電子部品の製造方法。

前記第４工程において、前記接合部材に対する前記転写基板の接合強度は、前記接合部材に対する前記下地部材の接合強度よりも小さい、電子部品の製造方法。

前記第４工程において、前記接合部材に対する前記転写基板の接合強度は、前記下地部材に対する前記第１基板の接合強度よりも小さい、電子部品の製造方法。

前記第４工程において、前記接合部材に対する前記転写基板の接合強度は、前記第１基板と前記転写基板との間の接合強度の中で最も小さい、電子部品の製造方法。

前記接合部材ペーストは、金属とフラックスを含む、電子部品の製造方法。

前記接合部材は、金属により構成される、電子部品の製造方法。

前記第３工程において、前記下地部材と前記接合部材とが金属接合を形成する、電子部品の製造方法。

前記第３工程において、前記接合部材ペーストに含まれていたフラックスが、前記接合部材を覆う、電子部品の製造方法。

前記フラックスを除去する工程をさらに備える、電子部品の製造方法。

前記転写基板の前記転写主面は、非金属材料により構成される、電子部品の製造方法。

前記転写基板は、セラミックにより構成される、電子部品の製造方法。

前記転写基板は、ガラスにより構成される、電子部品の製造方法。

前記転写基板の前記転写主面は、前記第１基板の前記第１主面よりも表面粗さが小さい、電子部品の製造方法。

前記転写基板の前記転写主面は、前記第１基板の前記第１主面よりも平面度が小さい、電子部品の製造方法。

前記第２工程において、前記転写基板の前記転写主面における、前記接合部材ペーストを介して前記第１基板の前記第１主面と向かい合う領域は、前記第１基板の前記第１主面よりも平面度が小さい、電子部品の製造方法。

前記第１工程において、複数の前記下地部材を設け、
前記第３工程において、前記複数の下地部材のそれぞれに接触するように、複数の前記接合部材を形成する、電子部品の製造方法。

前記複数の接合部材は、第１接合部材と、前記第１基板の前記第１主面を平面視したときに前記第１接合部材とは形状又は大きさが異なる第２接合部材と、を含む、電子部品の製造方法。

前記第２工程において、前記第１基板の前記第１主面を平面視したとき、前記接合部材ペーストは、前記下地部材の形状と重なるように設けられる、電子部品の製造方法。

前記接合部材ペーストの前記下地部材に対する濡れ性は、前記接合部材ペーストの前記転写基板の前記転写主面に対する濡れ性より大きい、電子部品の製造方法。

前記接合部材ペーストの前記下地部材に対する濡れ性は、前記接合部材ペーストの前記第１基板の前記第１主面に対する濡れ性より大きい、電子部品の製造方法。

前記第４工程において、前記接合部材の頂上部には、前記転写基板の前記転写主面の形状が転写されている、電子部品の製造方法。

前記第１工程において、前記下地部材は、前記第１基板の前記第１主面を平面視したときに環状に設けられる、電子部品の製造方法。

前記第１工程において、前記下地部材は、前記第１基板の前記第１主面を平面視したときに矩形環状に設けられ、
前記第２工程において、前記接合部材ペーストは、前記第１基板の前記第１主面を平面視したときに、前記下地部材の前記矩形環状の角部を避けて設けられる、電子部品の製造方法。

前記下地部材及び前記接合部材を介して、前記第１基板を第２基板に接合する第５工程をさらに備える、電子部品の製造方法。

前記第５工程において、前記第１基板と前記第２基板との間に前記下地部材及び前記接合部材によって囲まれた内部空間を形成する、電子部品の製造方法。

前記第１基板に電子素子を設ける工程をさらに備える、電子部品の製造方法。

前記電子素子は、封止された前記内部空間に配置されている、電子部品の製造方法。

前記電子素子は、前記第１基板の前記第１主面を平面視したときに略矩形形状を有する圧電振動素子である、電子部品の製造方法。

前記電子素子は、複数の振動腕部を有する音叉型水晶振動素子である、電子部品の製造方法。

前記下地部材は、前記第１基板に接触する密着層と、前記密着層と前記接合部材との間に位置する下地層と、を含む、電子部品の製造方法。

前記第１工程は、
セラミックのグリーンシートを設ける工程と、
前記グリーンシートの第１主面に密着層ペーストを設ける工程と、
前記グリーンシート及び前記密着層ペーストを焼成して、前記グリーンシートから前記第１基板を形成し且つ前記密着層ペーストから前記密着層を形成する工程と、
前記密着層に下地層をめっき形成する工程と、
を含む、電子部品の製造方法。

反り形状の第１主面を有する第１基板と、
前記第１基板の前記第１主面側に設けられ、第２基板と接合されることとなる頂上部を有する接合部材と、
を備え、
前記接合部材の頂上部は平面内に設けられている、電子部品。

第１主面を有する第１基板と、
前記第１基板の前記第１主面側に設けられ、頂上部を有する接合部材と、
を備え、
前記接合部材の前記頂上部は、露出されており且つ平面形状である、電子部品。

前記頂上部の平面度は、前記第１基板の前記第１主面の平面度の４０％以下である、電子部品。

前記頂上部の平面度は、９．０μｍ以下である、電子部品。

前記頂上部の平面度は、５．０μｍ以下である、電子部品。

前記接合部材の前記第１基板側の底面の幅に対して、前記頂上部の幅は３０％以上である、電子部品。

前記第１基板は、焼結体により構成されたセラミック基板であり、
前記第１基板の前記第１主面と前記接合部材との間には、密着層を含む下地部材が設けられている、電子部品。

前記密着層は、焼結金属であり、前記セラミック基板と接触している、の電子部品。

前記第１基板の前記第１主面は、反り形状を有している、電子部品。

前記第１基板の前記第１主面の平面度は、１０μｍ以上である、電子部品。

前記接合部材は、前記第１基板の前記第１主面を平面視したときに環状に設けられている、電子部品。

前記接合部材は、前記第１基板の前記第１主面を平面視したときに矩形環状に設けられている、電子部品。

前記第１基板の前記第１主面を平面視したとき、形状又は大きさが異なる複数の前記接合部材を備えている、電子部品。

第１主面を有する第１基板と、
前記第１基板の前記第１主面側に設けられ、少なくとも３つの頂上部を有する複数の接合部材と、
を備え、
前記少なくとも３つの頂上部の平面度は、前記第１基板の前記第１主面の平面度の４０％以下である、電子部品。

第１主面を有する第１基板と、
前記第１基板の前記第１主面側に設けられ、少なくとも３つの頂上部を有する複数の接合部材と、
を備え、
前記少なくとも３つの頂上部の平面度は、９．０μｍ以下である、電子部品。

前記少なくとも３つの頂上部の平面度は、５．０μｍ以下である、電子部品。

第１主面を有する第１基板と、
前記第１基板の前記第１主面側に設けられ、少なくとも３つの頂上部を有する複数の接合部材と、
を備え、
前記少なくとも３つの頂上部は、露出されており且つ平面形状である、電子部品。

前記複数の接合部材の前記第１基板側の底面の幅に対して、前記少なくとも３つの頂上部の幅は、３０％以上である、電子部品。

前記第１基板と前記接合部材との間に設けられた下地部材をさらに備え、
前記接合部材の前記下地部材に対する接合強度は、前記接合部材の前記第１基板に対する接合強度よりも大きい、電子部品。

前記接合部材は、前記下地部材と合金を形成している、電子部品。

前記接合部材の材料は、金属のみである、電子部品。

前記第１基板は、前記第１主面に設けられた電極パッドを備え、
前記接合部材は、前記電極パッド上に配置されている、電子部品。

前記第１基板に電子素子が設けられている、電子部品。

前記電子素子は、圧電振動素子である、電子部品。

前記電子素子は、前記第１基板の前記第１主面側に設けられ、
前記接合部材のすくなくとも１つは、前記第１基板の前記第１主面を平面視したとき、前記電子素子を囲む枠状に設けられている、電子部品。

以上説明したように、本発明によれば、接合部材の形状の安定を図ることができる電子部品の製造方法を提供することが可能となる。

なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るととともに、本発明にはその等価物も含まれる。即ち、各実施形態に当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、各実施形態が備える各要素及びその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、各実施形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。

１…水晶振動子 １０…水晶振動素子
２０…第２基板 ２１…天面部 ２２…側壁部 ２３…対向面
３０，１３０…第１基板 ３１，１３１…基体
３２ａ，１３２ａ…第１主面 ３２ｂ，１３２ｂ…第２主面
３３ａ，３３ｂ，１３３ａ，１３３ｂ…電極パッド
３７，１３７…下地部材 １５１…転写基板 １５２ａ…転写主面
１６０…メタルマスク １６１…開口部 １６１ａ…第１スリット
１６１ｂ…第２スリット １６１ｃ…第３スリット １６１ｄ…第４スリット
１６３ａ，１６３ｂ，１６３ｃ，１６３ｄ…ブリッジ部 １６５…スキージ
４０，１４０…接合部材 １４１ａ…第１部分 １４１ｂ…第２部分
１４１ｃ…第３部分 １４１ｄ…第４部分
１４３ａ，１４３ｂ，１４３ｃ，１４３ｄ…角部

図１は、本発明の第１実施形態に係る電子部品に相当する水晶振動子の一例を示す分解斜視図である。 図２は、図１に示した水晶振動子のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。 図３は、本発明の第１実施形態に係る電子部品の製造方法における転写工程を示すフローチャートである。 図４は、本発明の第１実施形態に係る電子部品の製造方法における組立工程を示すフローチャートである。 図５は、第１基板の第１主面に設けられた密着層ペーストの構成を概略的に示す断面図である。 図６は、下地部材を設ける工程を概略的に示す断面図である。 図７は、転写工程に供される第１基板の構成を概略的に示す斜視図である。 図８は、接合部材を設ける工程を概略的に示す斜視図である。 図９は、転写基板の転写主面に設けられた接合部材ペーストを概略的に示す斜視図である。 図１０は、図９に示した接合部材ペーストの構成を概略的に示す平面図である。 図１１は、接合部材を下地部材に接合する工程を概略的に示す斜視図である。 図１２は、下地部材及び接合部材を挟んだ第１基板及び転写基板の構成を概略的に示す断面図である。 図１３は、第１基板と転写基板とによって挟まれた状態のまま固化した接合部材の構成を概略的に示す断面図である。 図１４は、転写基板から接合部材を剥離する工程を概略的に示す斜視図である。 図１５は、接合部材を介して第１基板に第２基板を接合する工程を概略的に示す断面図である。 図１６は、第１変形例に係る水晶振動子の構成を概略的に示す断面図である。 図１７は、第２変形例に係る水晶振動素子の構成を概略的に示す斜視図である。 図１８は、第２実施形態に係る電子部品の構成を概略的に示す平面図である。 図１９は、図１８に示した電子部品のＸＩＸ−ＸＩＸ線に沿った断面の構成を概略的に示す断面図である。 図２０は、接合部材ペーストの過剰による接合部材の形状不良の発生率を示すグラフである。 図２１は、接合部材ペーストの不足による接合部材の形状不良の発生率を示すグラフである。 図２２は、図１８に示した電子部品のＡ−Ｂ線及びＡ´−Ｂ´線に沿った表面形状を示す図である。 図２３は、比較例として下地部材の上に接合部材ペーストを塗工乾燥させた構成における、Ａ−Ｂ線及びＡ´−Ｂ´線に相当する位置での表面形状を示す図である。 図２４は、図１８に示した電子部品における接合部材の拡大断面図である。 図２５は、第２実施形態に係る電子部品における接合部材の断面を撮影した写真である。 図２６は、比較例として下地部材の上に接合部材ペーストを塗工乾燥させた構成における接合部材の断面を撮影した写真である。 図２７は、第２実施形態に係る電子部品において、接合部材によって封止した場合のリーク不良の発生率を示すグラフである。 図２８は、第３実施形態に係る電子部品の構成を概略的に示す平面図である。 図２９は、図２８に示したＸＸＩＸ−ＸＸＩＸ線に沿った断面の構成を概略的に示す断面図である。

ＡＴカット型の水晶片１１は、Ｘ軸方向に平行な長辺が延在する長辺方向と、Ｚ´軸方向に平行な短辺が延在する短辺方向と、Ｙ´軸方向に平行な厚さが延在する厚さ方向を有する。水晶片１１は、第１主面１２ａの法線方向から平面視したときに略矩形形状をなしており、中央に位置し励振に寄与する励振部１７と、Ｘ軸の負方向側で励振部１７と隣り合う周縁部１８と、Ｘ軸の正方向側で励振部１７と隣り合う周縁部１９と、を有している。励振部１７と周縁部１９との間には段差１３が設けられている。水晶片１１は、励振部１７が周縁部１８，１９よりも厚いメサ型構造である。但し、水晶片１１の形状はこれに限定されるものではなく、例えば、第１主面１２ａの法線方向から平面視したときに、一対の平行な両腕部と、両腕部を連結する連結部と、を有する櫛歯型であってもよい。また、水晶片１１は、Ｘ軸方向及びＺ´軸方向の厚みが略均一な平板構造であってもよく、励振部１７が周縁部１８，１９よりも薄い逆メサ型構造であってもよい。また、励振部１７と周縁部１８，１９との厚みの変化が連続的に変化するコンベックス形状又はベベル形状であってもよい。

本工程においては、まず、図５に示すように、アルミナを主原料とするセラミック粉末を用いてグリーンシート１３１Ｐを成形する。次に、基体１３１に、図示を省略したビアホール及びビア電極を設ける。次に、グリーンシート１３１Ｐの第１主面１３２ａに密着層ペースト１３７ＡＰを設ける。密着層ペースト１３７ＡＰは、金属成分（Ｍｏ）とバインダ成分とを含む液状であり、印刷工法によって設けられる。次に、グリーンシート１３１Ｐ及び密着層ペースト１３７ＡＰを水素雰囲気下において約１６００℃で共に焼成する。これにより、グリーンシート１３１Ｐから、焼結体により構成されたセラミック基板である基体１３１が得られる。このとき、基体１３１は、焼成によって例えば約２０％収縮する。この焼成時の収縮が、焼結体であるセラミック基板において、反りを発生させる要因となる。また、密着層ペースト１３７ＡＰから、焼成によってえられた焼結金属（Ｍｏ）でありセラミック基板に接合している密着層１３７Ａが得られる。これによれば、焼結体の基体１３１に物理蒸着（ＰＶＤ）や化学蒸着（ＣＶＤ）によって密着層１３７Ａを設ける場合と比較して、セラミック焼結体にある空孔の内部に密着層ペースト１３７ＡＰ中の金属成分が入り込んで焼結される要因により、基体１３１と密着層１３７Ａとを強固に密着させることができる。したがって密着層１３７Ａと基体１３１の形成面との接合強度を高くできる。

次に、転写基板１５１の転写主面１５２ａに接合部材ペースト１４０Ｐを塗工する（Ｓ１２）。図８に示すように、セラミック（アルミナ）によって形成された板状の転写基板１５１を準備し、その転写主面１５２ａにメタルマスク１６０を重ねる。そして、メタルマスク１６０の上からスキージ（へら）１６５を用いて、はんだ用のろう部材である接合部材ペースト１４０Ｐを塗布する。接合部材ペースト１４０Ｐは、金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）共晶合金とフラックスを含む液状である。メタルマスク１６０は、下地部材１３７に重なるような形状の開口部１６１を有する。接合部材ペースト１４０Ｐは、開口部１６１を通して転写基板１５１の転写主面１５２ａの上に塗布される。なお、転写基板１５１は、転写主面１５２ａが平面である板状の転写板を一例として挙げたが、これに限定されず、転写主面１５２ａが屈曲面や曲面を有してもよい。

接合部材１４０が金属材料を含む場合、特に接合部材１４０が金属材料のみである場合、転写基板１５１の転写主面１５２ａは、非金属材料によって構成されることが望ましい。これによれば、金属接合が発生しないため、接合部材１４０と転写主面１５２ａとの密着力を抑制できる。後の剥離工程において接合部材１４０から転写基板１５１を剥離する際に、接合強度の低減効果により、転写基板１５１側に接合部材１４０が残留することを抑制することができる。つまり、接合部材１４０の損傷を抑制することができる。なお、転写基板１５１は、透明なガラスにより構成されてもよい。これによれば、カメラを用いて撮影することで、転写基板１５１越しに接合部材ペースト１４０Ｐの形状などの状態を容易に確認することができる。このため、ガラス製の転写基板１５１を用いることにより、接合部材１４０の頂上部１４０ａの実際の状態と所望の形状及び大きさとの差異とを容易に確認でき、接合部材１４０の形成が容易となる。また、転写基板のたわみなどの変形を低減するため、転写基板の厚みが、第1基板の厚みに比べて１０倍以上であることが好ましく、１００倍以上であることがさらに好ましい。

図１０を参照しつつ、工程Ｓ１２によって形成された接合部材ペースト１４０Ｐの寸法の一例を説明する。接合部材ペースト１４０Ｐは、短手方向の幅が一様にＡであり、転写主面１５２ａの法線方向に沿った厚みが一様にＴであるとする。第１部分１４１ａ及び第３部分１４１ｃの長手方向の長さをＬ１、それに角部を含めた長さをＬ２とする。第２部分１４１ｂ及び第４部分１４１ｄの長手方向の長さをＷ１とし、それに角部を含めた長さをＷ２とする。このとき、接合部材ペースト１４０Ｐの体積Ｖ１は、下記の式（１）で表すことができる。
Ｖ１＝２×Ｔ×Ａ×（Ｌ１＋Ｗ１） …（１）
また、もし接合部材が角部１４３ａ〜１４３ｄにも形成されていた場合の体積、すなわち閉じた枠状に形成された場合の接合部材ペースト１４０Ｐの体積Ｖ２は、下記の式（２）で表すことができる。
Ｖ２＝２×Ｔ×Ａ×（Ｗ２−２×Ａ）＋２×Ｔ×Ａ×Ｌ２
＝２×Ｔ×Ａ×（Ｗ２＋Ｌ２−２×Ａ） …（２）
後の工程で接合部材ペースト１４０Ｐが軟化して閉じた枠状に変化するためには、体積Ｖ１が、例えば、体積Ｖ２の８０％以上であることが望ましい。また、後の工程で接合部材ペースト１４０Ｐが軟化する際に角部１４３ａ〜１４３ｄに液溜り形成されないようにするためには、体積Ｖ１が体積Ｖ２の９５％以下であることが望ましい。つまり、
０．８０≦Ｖ１／Ｖ２≦０．９５
を満たすことが望ましい。なお、上記の不等式は、式（１）及び式（２）を代入して整理すると、下記の不等式で表すことができる。
０．８０≦（Ｌ１＋Ｗ１）／（Ｗ２＋Ｌ２−２×Ａ）≦０．９５
さらに、接合力確保と、液溜まり低減のため、下記の範囲であることがより好ましい。 ０．８６≦（Ｌ１＋Ｗ１）／（Ｗ２＋Ｌ２−２×Ａ）≦０．９２

接合部材ペースト１４０Ｐの下地部材１３７に対する濡れ性βは、接合部材ペースト１４０Ｐの第１基板１３０の第１主面１３２ａに対する濡れ性αよりも大きい。これによれば、接合部材ペースト１４０Ｐは、第１基板１３０側において、下地部材１３７に沿って濡れ広がり、形状が閉じた枠状（矩形環状）に変化する。また、接合部材ペースト１４０Ｐは、第１主面１３２ａ上での濡れ広がりを抑制することができ、接合部材１４０の形状不良の発生を抑制することができる。接合部材ペースト１４０Ｐの下地部材１３７に対する濡れ性βは、接合部材ペースト１４０Ｐの転写基板１５１の転写主面１５２ａに対する濡れ性γより大きい。これによれば、接合部材ペースト１４０Ｐは、転写基板１５１側における濡れ広がりを抑制することができ、接合部材１４０の形状不良の発生を抑制することができる。

転写基板１５１は、第１基板１３０よりも厚く、剛性が高い。すなわち、転写基板１５１は第１基板１３０よりも反り等の変形が小さい。接合部材１４０の頂上部１４０ａの形状には、第１基板１３０の第１主面１３２ａの平面度の影響は小さく、転写基板１５１の転写主面１５２ａの平面度の影響が大きい。このため、転写基板１５１の転写主面１５２ａは、第１基板１３０の第１主面１３２ａよりも平面度が小さい。少なくとも、工程Ｓ１２において、転写基板１５１の転写主面１５２ａにおける、接合部材ペースト１４０Ｐを介して第１基板１３０の第１主面１３２ａと向かい合う領域は、第１基板１３０の第１主面１３２ａよりも平面度が小さいことが望ましい。これによれば、接合部材１４０の頂上部１４０ａを平面状に形成することができる。したがって、後の工程において接合部材１４０を第２基板１２０の平面状の部分に接合するとき、接合部材１４０の頂上部１４０ａは、接合強度を向上させることができる。特に、第１基板１３０が薄肉化、あるいは多層化の影響などにより反り等の変形が大きくなったとしても、平面度の高い頂上部１４０ａを形成することができる。このため、接合部材１４０は、第１基板１３０と第２基板１２０との接合強度の低下を抑制することができる。従来技術においては、セラミック基板と蓋体との密着性を向上させる為にろう材を厚く形成しようとすると、加熱によって軟化したろう部材が自重で濡れ広がる不必要な領域まで可能性がある。このとき、例えば小型化した水晶振動子ではセラミック基板の配線層と接合層とが近いため、配線層及び接合層がショートして不良品となる問題が発生する。また、第１基板１３０が薄肉化にともない第１基板１３０の強度が低下しても、接合部材１４０が溶融した液相状態で転写主面１５２ａの形状にならい、接合部材１４０がその形状を保ったまま冷却されて固相状態となって固化されるため、第１基板１３０に作用する加工応力を低減できる。なお、本発明の平面度は、ＪＩＳ Ｂ ００２１（１９８４）の平面度公差の定義による。

第２変形例における水晶振動素子９１０は、水晶片９１１が音叉形状である点で、図１に示した水晶振動素子１０と相違している。つまり、第２変形例に係る水晶振動子は、音叉型の水晶振動子である。水晶片９１１は、具体的には、平行に配置された２つの振動腕部９１９ａ，９１９ｂを有する。振動腕部９１９ａ，９１９ｂは、Ｘ軸方向に延在し、Ｚ´軸方向に並び、端面９１２ｃ側の基部９１９ｃで互いに連結されている。言い換えると、基部９１９ｃから複数の振動腕部９１９ａ，９１９ｂが延出している。振動腕部９１９ａでは、ＸＺ´面に平行であり互いに対向する一対の主面にそれぞれ励振電極９１４ｂが設けられ、当該一対の主面と交差し互いに対向する一対の側端面にそれぞれ励振電極９１４ａが設けられている。振動腕部９１９ｂでは、一対の主面にそれぞれ励振電極９１４ａが設けられ、一対の側端面にそれぞれ励振電極９１４ｂが設けられている。

＜第２実施形態＞
図１８及び図１９を参照しつつ、第２実施形態に係る電子部品５０２の構成について説明する。図１８は、第２実施形態に係る電子部品の構成を概略的に示す平面図である。図１９は、図１８に示した電子部品のＸＩＸ−ＸＩＸ線に沿った断面の構成を概略的に示す断面図である。なお、電子部品５０２は、第１実施形態の工程Ｓ１９において接合する前の第１基板１３０側の部品に相当する。電子部品５０２は、第１実施形態において説明した製造方法によって形成されている。したがって、上記したのと同様の構成要素には同様の符号を付し、上記したのと共通の構成要素については記述を省略する。上記したのと同様の効果についても、記述を省略する。

（表面形状評価）
図２２及び図２３を参照しつつ、封止枠としての接合部材５４０の平面形状に関する評価結果について説明する。図２２は、図１８に示した電子部品のＡ−Ｂ線及びＡ´−Ｂ´線に沿った表面形状を示す図である。図２３は、下地部材の上に接合部材ペーストを塗工乾燥させた構成における、Ａ−Ｂ線及びＡ´−Ｂ´線に相当する位置での表面形状を示す図である。図２０及び図２１において、各々のグラフの横軸は、測定位置を示す。図２２及び図２３において、各々のグラフの縦軸は、高さの相対値を示す。破線は比較例のデータを示し、実線は実施例のデータを示す。

実施例では、平面度の比率は、平均値：２６．４％、最小値：１３．４％、最大値３７．２％となった。比較例では、平面度の比率は、平均値：６２．９％、最小値：４９．５％、最大値：７５．４％となった。実施例において、基板の平面度は１２．５μｍであり、接合部材の平面度の平均値は３．３μｍであった。比較例において、基板の平面度は１８．７μｍであり、接合部材の平面度の平均値は１１．７μｍであった。このように、頂上部５４０ａの平面度は、第１基板５３０の第１主面５３２ａの平面度の４０％以下であることが望ましい。また、頂上部５４０ａの平面度は、望ましくは９．０μｍ以下であり、さらに望ましくは５．０μｍ以下である。このとき、第１基板５３０の第１主面５３２ａの平面度は、１０μｍ以上である。つまり、第１主面５３２ａの平面度が１０μｍ以上である場合であっても、実施例によれば、接合部材５４０の形状を安定化させ、接合強度を向上させることができる。

Claims (59)

1. 下地部材を第１基板の第１主面に設ける第１工程と、
   前記第１基板の前記第１主面と転写基板の転写主面とによって、前記下地部材及び接合部材ペーストを挟む第２工程と、
   前記接合部材ペーストを前記第１基板と前記転写基板とに挟まれた状態のまま、前記下地部材に接合された接合部材を形成する第３工程と、
   前記下地部材に接合された前記接合部材から前記転写基板を剥離する第４工程と、
   を備えることを特徴とする、電子部品の製造方法。
2. 前記第３工程は、
   前記接合部材ペーストを加熱する工程と、
   前記加熱する工程の後に、前記接合部材を冷却する工程と、
   を備える、
   請求項１に記載の電子部品の製造方法。
3. 下地部材を第１基板の第１主面に設ける第１工程と、
   前記第１基板の前記第１主面と転写基板の転写主面とによって、前記下地部材及び前記下地部材上に設けられた接合部材ペーストを挟む第２工程と、
   前記接合部材ペーストを前記第１基板と前記転写基板とに挟まれた状態のまま加熱および冷却することによって、前記接合部材ペーストを軟化および固化させて接合部材を形成する第３工程と、
   前記下地部材に接合された前記接合部材から前記転写基板を剥離する第４工程と、
   を備えることを特徴とする、電子部品の製造方法。
4. 前記第２工程は、前記接合部材ペーストを前記転写基板の前記転写主面に設ける工程を備える、
   請求項１から３のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
5. 前記第４工程において、前記接合部材に対する前記転写基板の接合強度は、前記接合部材に対する前記下地部材の接合強度よりも小さい、
   請求項１から４のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
6. 前記第４工程において、前記接合部材に対する前記転写基板の接合強度は、前記下地部材に対する前記第１基板の接合強度よりも小さい、
   請求項１から５のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
7. 前記第４工程において、前記接合部材に対する前記転写基板の接合強度は、前記第１基板と前記転写基板との間の接合強度の中で最も小さい、
   請求項１から６のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
8. 前記接合部材ペーストは、金属とフラックスを含む、
   請求項１から７のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
9. 前記接合部材は、金属により構成される、
   請求項１から８のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
10. 前記第３工程において、前記下地部材と前記接合部材とが金属接合を形成する、
    請求項１から９のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
11. 前記第３工程において、前記接合部材ペーストに含まれていたフラックスが、前記接合部材を覆う、
    請求項１から１０のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
12. 前記フラックスを除去する工程をさらに備える、
    請求項１１に記載の電子部品の製造方法。
13. 前記転写基板の前記転写主面は、非金属材料により構成される、
    請求項１から１２のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
14. 前記転写基板は、セラミックにより構成される、
    請求項１３に記載の電子部品の製造方法。
15. 前記転写基板は、ガラスにより構成される、
    請求項１３に記載の電子部品の製造方法。
16. 前記転写基板の前記転写主面は、前記第１基板の前記第１主面よりも表面粗さが小さい、
    請求項１から１５のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
17. 前記転写基板の前記転写主面は、前記第１基板の前記第１主面よりも平面度が小さい、
    請求項１から１６のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
18. 前記第２工程において、前記転写基板の前記転写主面における、前記接合部材ペーストを介して前記第１基板の前記第１主面と向かい合う領域は、前記第１基板の前記第１主面よりも平面度が小さい、
    請求項１から１７のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
19. 前記第１工程において、複数の前記下地部材を設け、
    前記第３工程において、前記複数の下地部材のそれぞれに接触するように、複数の前記接合部材を形成する、
    請求項１から１８のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
20. 前記複数の接合部材は、第１接合部材と、前記第１基板の前記第１主面を平面視したときに前記第１接合部材とは形状又は大きさが異なる第２接合部材と、を含む、
    請求項１９に記載の電子部品の製造方法。
21. 前記第２工程において、前記第１基板の前記第１主面を平面視したとき、前記接合部材ペーストは、前記下地部材の形状と重なるように設けられる、
    請求項１から２０のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
22. 前記接合部材ペーストの前記下地部材に対する濡れ性は、前記接合部材ペーストの前記転写基板の前記転写主面に対する濡れ性より大きい、
    請求項１から２１のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
23. 前記接合部材ペーストの前記下地部材に対する濡れ性は、前記接合部材ペーストの前記第１基板の前記第１主面に対する濡れ性より大きい、
    請求項１から２２のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
24. 前記第４工程において、前記接合部材の頂上部には、前記転写基板の前記転写主面の形状が転写されている、
    請求項１から２３のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
25. 前記第１工程において、前記下地部材は、前記第１基板の前記第１主面を平面視したときに環状に設けられる、
    請求項１から２４のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
26. 前記第１工程において、前記下地部材は、前記第１基板の前記第１主面を平面視したときに矩形環状に設けられ、
    前記第２工程において、前記接合部材ペーストは、前記第１基板の前記第１主面を平面視したときに、前記下地部材の前記矩形環状の角部を避けて設けられる、
    請求項１から２５のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
27. 前記下地部材及び前記接合部材を介して、前記第１基板を第２基板に接合する第５工程をさらに備える、
    請求項１から２６のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
28. 前記第５工程において、前記第１基板と前記第２基板との間に前記下地部材及び前記接合部材によって囲まれた内部空間を形成する、
    請求項２７に記載の電子部品の製造方法。
29. 前記第１基板に電子素子を設ける工程をさらに備える、
    請求項１から２８のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
30. 前記電子素子は、封止された内部空間に配置されている、
    請求項２９に記載の電子部品の製造方法。
31. 前記電子素子は、前記第１基板の前記第１主面を平面視したときに略矩形形状を有する圧電振動素子である、
    請求項３０に記載の電子部品の製造方法。
32. 前記電子素子は、複数の振動腕部を有する音叉型水晶振動素子である、
    請求項３０に記載の電子部品の製造方法。
33. 前記下地部材は、前記第１基板に接触する密着層と、前記密着層と前記接合部材との間に位置する下地層と、を含む、
    請求項１から３２のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
34. 前記第１工程は、
    セラミックのグリーンシートを設ける工程と、
    前記グリーンシートの第１主面に密着層ペーストを設ける工程と、
    前記グリーンシート及び前記密着層ペーストを焼成して、前記グリーンシートから前記第１基板を形成し且つ前記密着層ペーストから前記密着層を形成する工程と、
    前記密着層に下地層をめっき形成する工程と、
    を含む、
    請求項３３に記載の電子部品の製造方法。
35. 反り形状の第１主面を有する第１基板と、
    前記第１基板の前記第１主面側に設けられ、第２基板と接合されることとなる頂上部を有する接合部材と、
    を備え、
    前記接合部材の頂上部は平面内に設けられている、電子部品。
36. 第１主面を有する第１基板と、
    前記第１基板の前記第１主面側に設けられ、頂上部を有する接合部材と、
    を備え、
    前記接合部材の前記頂上部は、露出されており且つ平面形状である、電子部品。
37. 前記頂上部の平面度は、前記第１基板の前記第１主面の平面度の４０％以下である、
    請求項３５又は３６に記載の電子部品。
38. 前記頂上部の平面度は、９．０μｍ以下である、
    請求項３５から３７のいずれか１項に記載の電子部品。
39. 前記頂上部の平面度は、５．０μｍ以下である、
    請求項３８に記載の電子部品。
40. 前記接合部材の前記第１基板側の底面の幅に対して、前記頂上部の幅は３０％以上である、
    請求項３５から３９のいずれか１項に記載の電子部品。
41. 前記第１基板は、焼結体により構成されたセラミック基板であり、
    前記第１基板の前記第１主面と前記接合部材との間には、密着層を含む下地部材が設けられている、
    請求項３５から４０のいずれか１項に記載の電子部品。
42. 前記密着層は、焼結金属であり、前記セラミック基板と接触している、
    請求項４１に記載の電子部品。
43. 前記第１基板の前記第１主面は、反り形状を有している、
    請求項３６に記載の電子部品。
44. 前記第１基板の前記第１主面の平面度は、１０μｍ以上である、
    請求項３５から４３のいずれか１項に記載の電子部品。
45. 前記接合部材は、前記第１基板の前記第１主面を平面視したときに環状に設けられている、
    請求項３５から４４のいずれか１項に記載の電子部品。
46. 前記接合部材は、前記第１基板の前記第１主面を平面視したときに矩形環状に設けられている、
    請求項４５に記載の電子部品。
47. 前記第１基板の前記第１主面を平面視したとき、形状又は大きさが異なる複数の前記接合部材を備えている、
    請求項３５から４６のいずれか１項に記載の電子部品。
48. 第１主面を有する第１基板と、
    前記第１基板の前記第１主面側に設けられ、少なくとも３つの頂上部を有する複数の接合部材と、
    を備え、
    前記少なくとも３つの頂上部の平面度は、前記第１基板の前記第１主面の平面度の４０％以下である、電子部品。
49. 第１主面を有する第１基板と、
    前記第１基板の前記第１主面側に設けられ、少なくとも３つの頂上部を有する複数の接合部材と、
    を備え、
    前記少なくとも３つの頂上部の平面度は、９．０μｍ以下である、電子部品。
50. 前記少なくとも３つの頂上部の平面度は、５．０μｍ以下である、
    請求項４９に記載の電子部品。
51. 第１主面を有する第１基板と、
    前記第１基板の前記第１主面側に設けられ、少なくとも３つの頂上部を有する複数の接合部材と、
    を備え、
    前記少なくとも３つの頂上部は、露出されており且つ平面形状である、電子部品。
52. 前記複数の接合部材の前記第１基板側の底面の幅に対して、前記少なくとも３つの頂上部の幅は、３０％以上である、
    請求項５１に記載の電子部品。
53. 前記第１基板と前記接合部材との間に設けられた下地部材をさらに備え、
    前記接合部材の前記下地部材に対する接合強度は、前記接合部材の前記第１基板に対する接合強度よりも大きい、
    請求項３５から５２のいずれか１項に記載の電子部品。
54. 前記接合部材は、前記下地部材と合金を形成している、
    請求項５３に記載の電子部品。
55. 前記接合部材の材料は、金属のみである、
    請求項３５から５４のいずれか１項に記載の電子部品。
56. 前記第１基板は、前記第１主面に設けられた電極パッドを備え、
    前記接合部材は、前記電極パッド上に配置されている、
    請求項３５から５５のいずれか１項に記載の電子部品。
57. 前記第１基板に電子素子が設けられている、
    請求項３５から５６のいずれか１項に記載の電子部品。
58. 前記電子素子は、圧電振動素子である、
    請求項５７に記載の電子部品。
59. 前記電子素子は、前記第１基板の前記第１主面側に設けられ、
    前記接合部材のすくなくとも１つは、前記第１基板の前記第１主面を平面視したとき、前記電子素子を囲む枠状に設けられている、
    請求項５８に記載の電子部品。