JP2005259886A - 固体撮像装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】生産コストの削減と白キズの増加の抑制との両立が図られた固体撮像装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】光電変換領域3が形成された半導体基板1を有する固体撮像装置において、光電変換領域3を半導体基板1の内部に形成する。半導体基板1における光電変換領域3上の領域には、光電変換領域3を覆うように、素子分離として機能する絶縁膜2aを形成する。また、絶縁膜2aと光電変換領域3との間には、絶縁膜2aのチャネルストッパとして機能するP型領域19aを形成する。
【選択図】 図1
【解決手段】光電変換領域3が形成された半導体基板1を有する固体撮像装置において、光電変換領域3を半導体基板1の内部に形成する。半導体基板1における光電変換領域3上の領域には、光電変換領域3を覆うように、素子分離として機能する絶縁膜2aを形成する。また、絶縁膜2aと光電変換領域3との間には、絶縁膜2aのチャネルストッパとして機能するP型領域19aを形成する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、固体撮像装置、特にはMOS型撮像装置、その製造方法に関する。
近年、固体撮像装置の一つとして、MOS型撮像装置が注目されている(例えば、非特許文献1参照)。MOS型撮像装置は、CMOS・Lシリコンプロセスで製造できるため、CCDに比べて、製造コストが低いという利点や、同一チップにLシリコン回路を組み込むことができるという利点がある。
ここで、図7を用いて従来の固体撮像装置の構成について説明する。図7は、従来の固体撮像装置の一例を示す断面図である。図7においては、固体撮像装置の一部分のみを示している。図7に示す固体撮像装置は、MOS型撮像装置である。
図7に示すように、MOS型撮像装置は、p型シリコン基板31上に、光電変換部41と、トランジスタ部42とを設けて構成されている。シリコン基板31上には、LOCOS(シリコン局所酸化:local oxidation of silicon)法によって、素子分離として機能する絶縁膜32a〜32cが設けられている。絶縁膜32a〜32cは、一般にフィールド酸化膜とよばれるものである。
また、各絶縁膜32a〜32cの下層にはチャネルストッパ層49a〜49cが形成されている。チャネルストッパ層49a〜49cはP型領域である。また、光電変換部41は素子分離領域32aと32bとの間に配置されており、トランジスタ部42は素子分離領域32bと32cとの間に配置されている。
光電変換部41は、入射した光に応じて電荷を蓄積する光電変換領域33、光電変換領域33に蓄積された電荷を転送する転送ゲート電極34、転送ゲート電極34から転送された電荷を蓄積する電荷蓄積部37、配線35a及び35bを備えている。
なお、配線35a、配線35b、及び転送ゲート電極34の下層には、それぞれゲート絶縁膜48a〜48cが設けられている。また、図7においては図示していないが、光電変換部41は、アレイ状に複数個形成されており、これら複数の光電変換部41によって画素領域が形成されている。
また、光電変換領域33の表層には高濃度p層43が形成されている。更に、光電変換領域33の上面は透明絶縁膜36に覆われている。また、配線35aは素子分離領域32aの上に形成されており、配線35bは素子分離領域32bの上に形成されている。配線35a及び配線35bは共に、上述の画素領域に形成されたトランジスタのゲート電極に電圧を印加するのに用いられている。
トランジスタ部42は、ゲート電極39と、ドレイン領域(n+)38及びソース領域(n+)40と、pウェル47によって形成されている。トランジスタ部42は、NチャネルMOSトランジスタである。ゲート電極39の下層には、ゲート絶縁膜48dが設けられている。
また、転送ゲート電極34、ゲート電極39、配線35a及び35の側面には、絶縁膜(図8参照)をエッチバックして保護膜(サイドウォール)46が形成されている。44は、サイドウォール46の形成の際にエッチングしないで残置させた絶縁膜である。
このように、図7に示す固体撮像装置においては、光電変換部41によって、入射した光が電気信号へと変換され、トランジスタ部42によって電気信号の信号処理が行われる。
図8及び図9を用いて従来の固体撮像装置の製造方法について説明する。図8は、図7に示す固体撮像装置の製造方法における前半の主な工程を示す断面図である。図9は、図7に示す固体撮像装置の製造方法における後半の主な工程を示す断面図である。なお、図8(a)〜図9(f)は一連の製造工程である。なお、図8及び図9において、図7と同一の部分には同一の符号を付している。
先ず、シリコン基板31上に、図示していないが、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜を順次形成し、素子分離領域の形成が予定された領域にあるシリコン窒化膜を除去し、更に、P型不純物をイオン注入してチャネルストッパ層49a〜49cを形成する。その後、図8(a)に示すように、シリコン基板31上に、LOCOS法によって素子分離領域32a〜32cを形成する。
次に、図8(b)に示すように、ゲート絶縁膜48a〜48dを形成し、それぞれの上に、転送ゲート電極34、ゲート電極39、配線35a及び35bを形成する。続いて、イオン注入によって、pウェル47、光電変換領域33、電荷蓄積部37、ドレイン領域(n+)38及びソース領域(n+)40を形成する。
なお、図8(b)に示す工程において、転送ゲート電極34、ゲート電極39、配線35a及び35bの形成材料としては、ポリシリコン、ポリメタル(タングステンシリサイド/ポリメタル等)、その他タングステンやアルミニウムといったメタル等が用いられている。
次に、図8(c)に示すように、光電変換領域33の白キズを低減するため、イオン注入によって、光電変換領域33の表層に高濃度p層43を形成する。続いて、光電変換領域33の上面に透明絶縁膜36を形成する。
次に、図9(d)に示すように、シリコン基板31上に、サイドウォール46の形成のための絶縁膜44を成膜する。次いで、図9(e)に示すように、サイドウォール46の形成時に光電変換領域33を保護するため、絶縁膜44上の光電変換領域33と重なる領域にレジストパターン45を形成する。
その後、図9(f)に示すように、絶縁膜44に対してエッチングを行ってサイドウォール46を形成し、更にレジストパターン45を除去する。このとき、レジストパターン45により、光電変換領域33の上面を覆う絶縁膜44の一部はエッチングされずに残ることになる。また、図9(f)の例では、エッチングは異方性のドライエッチングによって行われている。
「アイトリプルイー・トランザクションズ・オン・エレクトロン・デバイス(IEEE Transactions on Electron Devices )」、1999年、第43巻、p.1989−1993
「アイトリプルイー・トランザクションズ・オン・エレクトロン・デバイス(IEEE Transactions on Electron Devices )」、1999年、第43巻、p.1989−1993
ところで、図7に示した従来のMOS型固体撮像装置においては、生産コストの削減のため、工程が削減される場合がある。通常、図8(c)における高濃度p層43の形成工程が削除される。
しかしながら、高濃度p層43を形成しない場合は、光電変換領域33の上面(半導体基板表面)に存在する格子欠陥等によって発生するエネルギー準位から、電子が熱放出されてしまうことがある。このような電子の熱放出が発生すると、蓄積電子数の低下によってリーク電流が増大し、得られた画像に発生する白キズが増加してしまう。
本発明の目的は、上記問題を解消し、生産コストの削減と白キズの増加の抑制との両立が図られた固体撮像装置、及びその製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するために本発明における固体撮像装置は、光電変換領域が形成された半導体基板を有する固体撮像装置であって、前記光電変換領域が前記半導体基板の内部に形成され、前記半導体基板における前記光電変換領域の上に、前記光電変換領域を覆うように、素子分離として機能する絶縁膜が形成され、前記光電変換領域の上に形成された前記絶縁膜と前記光電変換領域との間に、P型領域が形成されていることを特徴とする。
また、上記目的を達成するため本発明における固体撮像装置の製造方法は、光電変換領域が形成された半導体基板を有する固体撮像装置の製造方法であって、(a)前記半導体基板の内部における前記光電変換領域の形成が予定された領域を覆うように、P型領域を形成する工程と、(b)前記P型領域を覆うように絶縁膜を形成する工程と、(c)前記半導体基板の内部における前記光電変換領域の形成が予定された領域に、前記光電変換領域を形成する工程とを少なくとも有することを特徴とする。
以上のように、本発明の固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法によれば、光電変換領域を覆うように、素子分離として機能する絶縁膜が形成され、その下層には、P型領域が形成されている。従って、本発明においては、このP型領域が、図7に示した高濃度p層としても機能するため、従来のように高濃度p層を形成しなくても白キズの増大を抑制できる。また、このP型領域は、少なくとも一部分が、素子分離として機能する絶縁膜のチャネルストッパとして機能できるものであっても良い。
また、本発明の固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法によれば、高濃度p層を設けるための工程を実施する必要がなく、工数の削減を図ることができる。更に、光電変換領域を覆う絶縁膜は、エッチングによってサイドウォールを形成する時に光電変換領域の保護膜となる。このため、光電変換領域の保護のために別個に保護膜を設ける必要がなく、このことによっても工数を削減できる。このように、本発明によれば工数が削減されるため、生産スピードの向上及び生産コストの削減を図ることができる。
上記本発明における固体撮像装置においては、前記光電変換領域の上に形成された前記絶縁膜と前記光電変換領域との間の前記P型領域の少なくとも一部がチャネルストッパとして機能するのが好ましい。また、前記光電変換領域の上に形成された前記絶縁膜は、前記半導体基板に設けられた溝の内部に成膜された酸化膜であっても良い。また、前記光電変換領域の上に形成された前記絶縁膜は、シリコン局所酸化法またはSTI法によって前記半導体基板に形成された酸化膜であっても良い。この場合、前記酸化膜と前記半導体基板の前記酸化膜以外の部分とにおける界面の全部又は一部が曲面となっているのが好ましい。
また、上記本発明における固体撮像装置においては、前記光電変換領域に蓄えられた電荷を転送するための電極が、前記半導体基板上に、前記光電変換領域の上に形成された前記絶縁膜と距離をおいて形成され、前記電極の側面には保護膜が形成され、前記保護膜の一部は、前記光電変換領域の上に形成された前記絶縁膜上にあり、前記距離は、前記保護膜の厚みよりも小さく設定されている態様とすることもできる。
上記本発明における固体撮像装置の製造方法においては、前記半導体基板上に、前記光電変換領域に蓄えられた電荷を転送するための電極を、前記絶縁膜と距離をおいて形成する工程と、前記電極の側面に、一部が前記絶縁膜の上にある保護膜を形成する工程とを更に有し、前記電極及び前記保護膜の形成は、前記距離が前記保護膜の厚みよりも小さくなるように行われている態様とすることができる。
(実施の形態1)
以下、本発明の実施の形態1における固体撮像装置及びその製造方法について、図1及び図2を参照しながら説明する。最初に、図1を用いて実施の形態1における固体撮像装置について説明する。図1は、本発明の実施の形態1における固体撮像装置の構成を概略的に示す断面図である。図1に示す固体撮像装置は、MOS型撮像装置である。
以下、本発明の実施の形態1における固体撮像装置及びその製造方法について、図1及び図2を参照しながら説明する。最初に、図1を用いて実施の形態1における固体撮像装置について説明する。図1は、本発明の実施の形態1における固体撮像装置の構成を概略的に示す断面図である。図1に示す固体撮像装置は、MOS型撮像装置である。
図1に示すように、固体撮像装置は半導体基板1を有している。図1の例では、半導体基板1はp型シリコン基板である。半導体基板1には、光電変換部11とトランジスタ部12とが設けられている。なお、図1においては図示していないが、光電変換部11は、アレイ状に複数個形成されており、これら複数の光電変換部11によって画素領域が形成されている。
また、半導体基板1には、LOCOS(local oxidation of silicon)法によって、素子分離として機能する絶縁膜(フィールド酸化膜)2a〜2cが形成されている。更に、各絶縁膜2a〜2cの下層それぞれには、これらのチャネルストッパとして機能するP型領域19a〜19bが形成されている。
絶縁膜2a〜2cのうち、絶縁膜2bと2cとによってトランジスタ部12の素子分離が行われており、絶縁膜2aと2bとによって光電変換部11の素子分離が行われている。但し、素子分離としてのみ機能する絶縁膜2b及び2cと異なり、絶縁膜2aは、光電変換部11の一部を構成している。
具体的には、図1の例では、光電変換部11は、絶縁膜2a、光電変換領域3、転送ゲート電極4、電荷蓄積部7、配線5a及び5bによって形成されている。また、絶縁膜2aは、半導体基板1の内部に設けられた光電変換領域3の上に、この光電変換領域3を覆うように形成されている。図1の例では、絶縁膜2aは、配線5aから転送ゲート電極4に接触するまで広がっている。
また、絶縁膜2aの下層には、絶縁膜2aのチャネルストッパ機能するP型領域19aが形成されている。P型領域19aは、光電変換領域3を覆うように形成されているため、図1に示す固体撮像装置においては、図7に示した高濃度p層(図7参照)としても機能する。
このため、図1に示す固体撮像装置においては、絶縁膜2aのチャネルストッパとして機能するP型領域19aによって、光電変換領域3に存在する格子欠陥等に起因した電子の熱放出が抑制される。よって、蓄積電子数の低下によるリーク電流の増加を抑制でき、結果、白キズの増加を抑制できる。また、高濃度p層を別途に形成しなくて良いため、生産コストの低減を図ることができる。
また、図1に示す固体撮像装置において、転送ゲート電極4は、光電変換領域3に蓄積された電荷を電荷蓄積部7に転送する。電荷蓄積部7はイオン注入によって形成されたN型領域であり、転送ゲート電極4から転送された電荷を蓄積する。配線5aは絶縁膜2aの上に形成されており、配線5bは絶縁膜2bの上に形成されている。
配線5a及び配線5bは共に、上述の画素領域に形成されたトランジスタのゲート電極に電圧を印加するのに用いられている。配線5a、配線5b、及び転送ゲート電極4の下層には、それぞれゲート絶縁膜18a〜18cが設けられている。
また、配線5aの両側面には保護膜13が、転送ゲート電極4の両側面には保護膜14が、配線5bの両側面には保護膜15が、ゲート電極9の両側面には保護膜16が設けられている。保護膜13〜16は、一般に「サイドウォール」と呼ばれるものであり、絶縁膜をエッチバックして形成されている。
また、図1に示す固体撮像装置においては、光電変換領域3における読み出し特性の向上を図るため、素子分離領域2aの深さは、半導体基板1の基板表面を基準として100nm〜300nm程度、特には100nm〜150nm程度に設定するのが好ましい。
更に、図1に示す固体撮像装置においては、光電変換領域3は、その基板上部側の界面と半導体基板の基板表面との距離が、10nm〜300nm程度となるように形成するのが好ましい。この距離が大きすぎると、転送ゲート4への電圧印加による光電変換領域3から電荷蓄積部7への電子の移動が困難となり、移動する電子の数が少なくなるからである。
また、図1に示す固体撮像装置において、トランジスタ部12は、半導体基板1上に設けられたゲート電極9と、半導体基板1にイオン注入を行って形成したドレイン領域(n+)8及びソース領域(n+)10と、pウェル17とによって形成されている。また、ゲート電極9の下層には、ゲート絶縁膜18dが形成されている。トランジスタ部12は、NチャネルMOSトランジスタである。
次に、図2を用いて実施の形態1における固体撮像装置の製造方法について説明する。図2は、本発明の実施の形態1における固体撮像装置の製造方法を示す断面図であり、図2(a)〜(e)は一連の主な工程を示している。なお、図2において、図1と同一の部分には同一の符号を付している。
最初に、図2(a)に示すように、半導体基板1上に熱酸化によってシリコン酸化膜26を形成し、その上にシリコン窒化膜25を形成する。更に、絶縁膜2a〜2c(図1参照)の形成が予定された領域を覆うシリコン窒化膜25の一部を除去して、シリコン酸化膜26の一部を露出させる。更に、シリコン窒化膜25をマスクとしてP型不純物のイオン注入を行って、チャネルストッパとして機能するP型領域19a〜19cを形成する。
なお、絶縁膜2aの形成が予定された領域は、光電変換領域3(図1参照)形成が予定された領域3aの上にあり、半導体基板1の上面から見るとこの領域3aを覆っている。このため、一部が除去されたシリコン窒化膜25をマスクとしてP型領域19aを形成すると、P型領域19aは領域3aを覆うように形成される。
次に、図2(b)に示すように、LOCOS法(シリコン局所酸化法)を実施して絶縁膜2a〜2cを形成する。具体的には、シリコン窒化膜25をマスクとして、熱酸化を行ってフィールド酸化膜を形成する。このフィールド酸化膜が絶縁膜2a〜2cとなる。このとき、絶縁膜2aとなるフィールド酸化膜は、P型領域19aの上に、光電変換領域3の形成が予定された領域3aを覆うように形成される。
なお、図2(b)の例では、絶縁膜2a〜2cは、LOCOS法(シリコン局所酸化法)によって形成されるが、後述の実施の形態2に示すように、STI(Shallow Trench Isolation)法によって形成することもできる。
次に、図2(c)に示すように、As+やP+などのN型不純物をイオン注入して光電変換領域3を形成し、B+やB++等のP型不純物をイオン注入してpウェル17を形成する。
次に、図2(d)に示すように、ゲート絶縁膜18a〜18dとなるシリコン酸化膜と、電極となる多結晶シリコン膜等を成膜した後、パターンエッチングが行われる。これにより、ゲート絶縁膜18a〜18dが形成され、それぞれの上に、配線5a、転送ゲート電極4、配線5b、及びゲート電極9が形成される。なお、このとき、転送ゲート電極4は、その一部が絶縁膜2aに重なるように形成されている。また、配線5aは絶縁膜2aの上に、配線5bは絶縁膜2bの上に形成される。
続いて、As+やP+などのN型不純物をイオン注入して、電荷蓄積部7、ドレイン領域8及びソース領域10を形成する。その後、保護膜13〜16(図2(d)参照)を形成するための絶縁膜6を成膜する。
次に、図2(e)に示すように、絶縁膜6をエッチングする。このとき、エッチングは、転送ゲート電極4、ゲート電極9、配線5a及び5bの側面にのみ、絶縁膜6が残るように行われている(いわゆる「エッチバック」)。これにより、配線5aの両側面の保護膜13、転送ゲート電極4の両側面の保護膜14、配線5bの両側面の保護膜15、ゲート電極9の両側面の保護膜16が形成され、図1に示した固体撮像装置が得られる。
このように、本実施の形態1における固体撮像装置の製造方法においては、光電変換領域3上の高濃度p層としても機能するP型領域19aは、チェンネルストッパの形成工程によって形成されている。このため、従来のように、光電変換領域3上に高濃度p層を形成するためだけの工程を実施する必要がなく、従来に比べて工数の削減を図れる。
また、光電変換領域3上に形成された絶縁膜2aは酸化膜であるため、図2(d)に示すエッチバックによってダメージを受け難い。よって、絶縁膜2aは、素子分離としてだけでなく、エッチバック(図2(e)参照)の際に光電変換領域3を保護する保護膜としても機能する。このため、背景技術に示した図9の例のように、光電変換領域3と重なる絶縁膜6の一部を残す必要がなく、このことによっても工数の削減が図られる。
(実施の形態2)
次に、本発明の実施の形態2における固体撮像装置及びその製造方法について、図3を参照しながら説明する。図3は、本発明の実施の形態2における固体撮像装置の構成を概略的に示す断面図である。なお、図3において、図1と同一の部分には同一の符号を付している。
次に、本発明の実施の形態2における固体撮像装置及びその製造方法について、図3を参照しながら説明する。図3は、本発明の実施の形態2における固体撮像装置の構成を概略的に示す断面図である。なお、図3において、図1と同一の部分には同一の符号を付している。
図3に示すように、本実施の形態2における固体撮像装置においては、素子分離として機能する絶縁膜20a〜20cが、STI法によって半導体基板1に形成されている。これ以外の点は、実施の形態1における固体撮像装置と同様に構成されている。
また、本実施の形態2における固体撮像装置の製造方法においては、図2(a)に示したLOCOS法の代わりに、STI法が実施される。この図2(a)に示す工程以外の工程(図2(b)〜(d)参照)は、実施の形態1と同様に行われる。
具体的には、半導体基板1の所定の位置に、溝21a〜21cを形成し、更に、チャネルストッパとして機能するP型領域19a〜19cを形成する。その後、溝21a〜21cが埋まるように埋め込み用酸化膜(例えばシリコン酸化膜膜:図示せず)を成膜する。その後、化学的機械的研磨法等により半導体基板1の表面を平坦化することにより、絶縁膜20a〜20cが得られる。
また、本実施の形態2においては、溝21a〜21bは、半導体基板1の基板面を基準とした側壁の傾斜角度θが45度以上90度未満となるように形成するのが好ましい。このように形成した場合は、絶縁膜20aの側面から転送ゲート4へと空乏層(図示せず)が広がるのが抑制される。よって、光電変換領域3から電荷蓄積部7への電荷の移動に必要な転送ゲート電極4への電圧の印加において、低電圧化を図ることができる。
つまり、この場合は、光電変換領域3に蓄積された電荷の電荷蓄積部7への転送において、消費電力の低減を図ることが可能となる。また、この側壁の傾斜角度θは、小さいほど空乏層(図示せず)が広がるのが抑制されるため、45度〜70度に設定するのが特に好ましい。
(実施の形態3)
次に、本発明の実施の形態3における固体撮像装置及びその製造方法について、図4を参照しながら説明する。図4は、本発明の実施の形態3における固体撮像装置の構成を概略的に示す断面図である。なお、図4において、図1と同一の部分には同一の符号を付している。
次に、本発明の実施の形態3における固体撮像装置及びその製造方法について、図4を参照しながら説明する。図4は、本発明の実施の形態3における固体撮像装置の構成を概略的に示す断面図である。なお、図4において、図1と同一の部分には同一の符号を付している。
図4に示すように、半導体基板1には、実施の形態1及び2と同様に、素子分離として機能する絶縁膜22a〜22cが設けられており、絶縁膜22aは光電変換領域3を覆うように形成されている。また、絶縁膜22a〜22cの下層にも、チャネルストッパとして機能するP型領域19a〜19cが設けられている。また、本実施の形態3における固体撮像装置においても、絶縁膜22a〜22cは、実施の形態1と同様に、LOCOS法(シリコン局所酸化法)によって形成されたフィールド酸化膜である。
但し、本実施の形態3においては、実施の形態1と異なり、半導体基板1の絶縁膜22a以外の部分と絶縁膜22aとの界面(以下「シリコン/シリコン酸化膜界面」という。)23aの一部は曲面となっている。
このため、実施の形態1及び実施の形態2に比べて、光電変換領域3を覆う絶縁膜22aの側面から転送ゲート4へと空乏層(図示せず)が広がるのを抑制でき、光電変換領域3に蓄積された電荷をより多く電荷蓄積部7へと転送できる。この点について以下に説明する。
一般に、光電変換領域3から電荷蓄積部7までの電荷のチャネルとなる領域(図示せず)を、光電変換領域3上の絶縁膜22aの側面から広がる空乏層(図示せず)から遠ざける程、光電変換領域3に蓄積された電子をより多く転送することができる。また、光電変換領域3上の絶縁膜22aの側面での電界集中が大きくなる程、空乏層は大きく広がる。よって、電子をより多く転送するためには、絶縁膜膜22aの側面に電界集中が生じ難いようにすることが求められる。
また、電界集中は、シリコン/シリコン酸化膜界面が急峻に変化する程生じやすい。例えば、実施の形態2のように、STI法によって、素子分離となる絶縁膜21a(図3参照)を形成すると、この絶縁膜21aの底面と側面との境界部分では、シリコン/シリコン酸化膜界面は急峻に変化し、この部分で電界集中が生じやすい。
一方、本実施の形態3では、光電変換領域3上の絶縁膜23aの側面は曲面で形成されており、底面と側面とは滑らかな面で接続されている。このため、本実施の形態3によれば、実施の形態1及び2に比べて電界集中が生じ難にくく、光電変換領域3に蓄積された電荷をより多く電荷蓄積部7へと転送できる。
また、シリコン/シリコン酸化膜界面が急峻に変化していると、急峻に変化している部分に、シリコンとシリコン酸化膜との熱膨張係数の差によって熱応力が集中し、結晶欠陥が生じる場合がある。更に、結晶欠陥が生じるとリーク電流が増加する。
一方、本実施の形態3においては、上述したようにシリコン/シリコン酸化膜界面23aの一部は曲線であるため、熱応力は曲面全体に分散され、特定の一箇所に熱応力が集中するのを緩和できる。このため、本実施の形態3によれば、熱応力によるリーク電流の増加も抑制できる。
更に、本実施の形態3においては、絶縁膜22bとそれ以外の部分とのシリコン/シリコン酸化膜界面23b、及び絶縁膜22cとそれ以外の部分とのシリコン/シリコン酸化膜界面23cにも曲面が形成されている。このため、絶縁膜22b及び22cにおいても、熱応力の集中が緩和され、リーク電流の増加が抑制されている。
なお、本実施の形態3における固体撮像装置は、シリコン/シリコン酸化膜界面23a〜23cが曲面となっている点以外は、実施の形態1と同様に構成されている。また、本実施の形態3における固体撮像装置の製造方法においては、シリコン/シリコン酸化膜界面23a〜23cの一部を曲面にするため、図2(b)に示した工程が実施の形態1と異なっているが、それ以外の工程は実施の形態1と同様に行われる。
具体的には、本実施の形態3においては、実施の形態1に比べて、LOCOS方法を実施するための熱酸化の時間が長く設定され、又シリコン窒化膜25の厚みが大きく設定されている。このため、実施の形態1に比べて、深さ方向の酸素の拡散速度が高くなるので、シリコン/シリコン酸化膜界面23a〜23cに曲面が形成される。
(実施の形態4)
次に、本発明の実施の形態4における固体撮像装置及びその製造方法について、図5を参照しながら説明する。最初に、図5を用いて実施の形態4における固体撮像装置について説明する。図5は、本発明の実施の形態4における固体撮像装置の構成を概略的に示す断面図である。なお、図5において、図1と同一の部分には同一の符号を付している。
次に、本発明の実施の形態4における固体撮像装置及びその製造方法について、図5を参照しながら説明する。最初に、図5を用いて実施の形態4における固体撮像装置について説明する。図5は、本発明の実施の形態4における固体撮像装置の構成を概略的に示す断面図である。なお、図5において、図1と同一の部分には同一の符号を付している。
図5に示すように、本実施の形態4における固体撮像装置においても、実施の形態1と同様に、素子分離となる絶縁膜24a〜24cが形成されている。また、絶縁膜のうち絶縁膜24aは、半導体基板1の光電変換領域3上の領域に光電変換領域3を覆うように、形成されている。また、絶縁膜24a〜24cも、実施の形態1と同様に、LOCOS法によって形成されたフィールド酸化膜である。
但し、本実施の形態4における固体撮像装置においては、実施の形態1と異なり、転送ゲート電極4は、光電変換領域3を覆う絶縁膜24aに接触しないように、つまり、絶縁膜24aと距離Lをおいて形成されている。
具体的には、絶縁膜24aと転送ゲート電極4との距離Lは、保護膜14の厚みWよりも小さく設定されている。また、転送ゲート電極4の保護膜14の一部は絶縁膜24aの上にあり、絶縁膜2aと転送ゲート電極4との間の半導体基板1の表面は保護膜14に覆われている。
このため、本実施の形態4においては、実施の形態1に比べ、光電変換領域3から電荷蓄積部7までの電荷のチャネルとなる領域(図示せず)は、光電変換領域3上の絶縁膜24aの側面から広がる空乏層(図示せず)から遠ざかることになる。よって、本実施の形態4によれば、光電変換領域3に蓄積された電荷をより多く電荷蓄積部7に転送できる。
なお、絶縁膜24b及び24cは、実施の形態1において図1に示した絶縁膜2b及び2cと同様に形成されている。また、本明細書でいう「保護膜の厚み」とは、電極側面の法線方向における厚みをいう。
次に、図6を用いて実施の形態4における固体撮像装置の製造方法について説明する。図6は、本発明の実施の形態4における固体撮像装置の製造方法を示す断面図である。なお、図6において、図5と同一の部分には同一の符号を付している。
最初に、図6(a)に示すように、半導体基板1上にシリコン酸化膜26、シリコン窒化膜25を順次形成し、絶縁膜24a〜24c(図5参照)の形成が予定された領域を覆うシリコン窒化膜25の一部を除去して、シリコン酸化膜26の一部を露出させる。更に、シリコン窒化膜25をマスクとしてP型不純物のイオン注入を行って、チャネルストッパとして機能するP型領域19a〜19cを形成する。なお、図6(a)に示す工程は、実施の形態1における図2(a)に示した工程と同様に行われる。
次に、図6(b)に示すように、シリコン窒化膜25をマスクとして、熱酸化を行ってフィールド酸化膜を形成する。このフィールド酸化膜が絶縁膜24a〜24cとなる。このとき、絶縁膜24aとなるフィールド酸化膜は、P型領域19aの上に、光電変換領域3の形成が予定された領域3aを覆うように形成される。なお、図6(b)に示す工程は、実施の形態1における図2(b)に示した工程と同様に行われる。
次に、図6(c)に示すように、N型不純物とP型不純物とを交互にイオン注入して、光電変換領域3とpウェル17とを形成する。図6(c)に示す工程は、実施の形態1における図2(c)に示した工程と同様に行われる。
次に、図6(d)に示すように、実施の形態1における図2(d)に示した工程と同様に、転送ゲート電極4、ゲート電極9、配線5a及び5bを形成し、更に、電荷蓄積部7、ドレイン領域8及びソース領域10を形成する。その後、保護膜13〜16(図2(d)参照)を形成するための絶縁膜6を成膜する。
但し、本実施の形態4において、図6(d)に示す工程は、転送ゲート電極4が、絶縁膜2aに接触しないように、つまり転送ゲート電極4と絶縁膜24aとの距離Lが確保されるように行われており、この点で図2(d)に示した工程と異なっている。
次に、図6(e)に示すように、絶縁膜6をエッチバックして、保護膜13〜16を形成する。このとき、絶縁膜2a側の保護膜14の形成は、絶縁膜24aと転送ゲート電極4との距離Lが保護膜14の厚みWよりも小さくなるように行われる。
このため、絶縁膜6のエッチング時において、光電変換領域3上の絶縁膜24aと転送ゲート電極4との間の半導体基板1の表面は、この保護膜14に覆われており、外部に露出することはない。よって、絶縁膜24aと転送ゲート電極4との間の半導体基板1の表面がエッチングダメージを受けるのが抑制され、エッチングダメージによって基板表面に誘起欠陥が発生するのが抑制される。この結果、白キズ数が増加するのが抑制される。
このように、本実施の形態4における固体撮像装置の製造方法によれば、転送ゲート電極4と絶縁膜24aとが接触しないように、これらを形成でき、これによって読み出し特性の向上を図ることができる。また、絶縁膜24aと転送ゲート電極4との距離L、及び転送ゲート電極4の保護膜の厚みWを調整することによって、転送ゲート電極4と絶縁膜24aとを接触させない場合に、これらの間の基板表面がエッチングダメージを受けないようにしている。
本発明によれば、白キズの増大の抑制と生産コストの低減とが図られた固体撮像装置を提供できる。このため、ビデオカメラ、デジタルカメラ、及び携帯電話等の固体撮像装置を備える機器において、画質の確保を図りつつ、生産コストを低減できる。
1 半導体基板
2a〜2c、21a〜21c、22a〜22c、24a〜24c 絶縁膜
3 光電変換領域
3a 光電変換領域の形成が予定された領域
4 転送ゲート電極
5a、5b 配線
6 絶縁膜
7 電荷蓄積部
8 ドレイン領域
9 ゲート電極
10 ソース領域
11 光電変換部
12 トランジスタ部
13、14、15、16 保護膜(サイドウォール)
17 pウェル
18a〜18c ゲート絶縁膜
19a〜19c P型領域(チャネルストッパ層)
21a〜21c 溝
23a〜23c シリコン/シリコン酸化膜界面
25 シリコン窒化膜
26 シリコン酸化膜
2a〜2c、21a〜21c、22a〜22c、24a〜24c 絶縁膜
3 光電変換領域
3a 光電変換領域の形成が予定された領域
4 転送ゲート電極
5a、5b 配線
6 絶縁膜
7 電荷蓄積部
8 ドレイン領域
9 ゲート電極
10 ソース領域
11 光電変換部
12 トランジスタ部
13、14、15、16 保護膜(サイドウォール)
17 pウェル
18a〜18c ゲート絶縁膜
19a〜19c P型領域(チャネルストッパ層)
21a〜21c 溝
23a〜23c シリコン/シリコン酸化膜界面
25 シリコン窒化膜
26 シリコン酸化膜
Claims (7)
- 光電変換領域が形成された半導体基板を有する固体撮像装置であって、
前記光電変換領域が前記半導体基板の内部に形成され、
前記半導体基板における前記光電変換領域の上に、前記光電変換領域を覆うように、素子分離として機能する絶縁膜が形成され、
前記光電変換領域の上に形成された前記絶縁膜と前記光電変換領域との間に、P型領域が形成されていることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記光電変換領域の上に形成された前記絶縁膜と前記光電変換領域との間の前記P型領域の少なくとも一部がチャネルストッパとして機能する請求項1に記載の固体撮像装置
- 前記光電変換領域の上に形成された前記絶縁膜が、前記半導体基板に設けられた溝の内部に成膜された酸化膜である請求項1または2に記載の固体撮像装置。
- 前記光電変換領域の上に形成された前記絶縁膜が、シリコン局所酸化法またはSTI法によって前記半導体基板に形成された酸化膜であり、前記酸化膜と前記半導体基板の前記酸化膜以外の部分とにおける界面の全部又は一部が曲面となっている請求項1から3のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記光電変換領域に蓄えられた電荷を転送するための電極が、前記半導体基板上に、前記光電変換領域の上に形成された前記絶縁膜と距離をおいて形成され、
前記電極の側面には保護膜が形成され、前記保護膜の一部は、前記光電変換領域の上に形成された前記絶縁膜上にあり、
前記距離は、前記保護膜の厚みよりも小さく設定されている請求項1から4のいずれかに記載の固体撮像装置。 - 光電変換領域が形成された半導体基板を有する固体撮像装置の製造方法であって、
(a)前記半導体基板の内部における前記光電変換領域の形成が予定された領域を覆うように、P型領域を形成する工程と、
(b)前記P型領域を覆うように絶縁膜を形成する工程と、
(c)前記半導体基板の内部における前記光電変換領域の形成が予定された領域に、前記光電変換領域を形成する工程とを少なくとも有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 前記半導体基板上に、前記光電変換領域に蓄えられた電荷を転送するための電極を、前記絶縁膜と距離をおいて形成する工程と、
前記電極の側面に、一部が前記絶縁膜の上にある保護膜を形成する工程とを更に有し、
前記電極及び前記保護膜の形成は、前記距離が前記保護膜の厚みよりも小さくなるように行われている請求項5記載の固体撮像装置の製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004067608A JP2005259886A (ja) | 2004-03-10 | 2004-03-10 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
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JP2004067608A JP2005259886A (ja) | 2004-03-10 | 2004-03-10 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
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JP2004067608A Withdrawn JP2005259886A (ja) | 2004-03-10 | 2004-03-10 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
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JP (1) | JP2005259886A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11722112B2 (en) | 2017-01-19 | 2023-08-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Manufacturing method for electronic component |
-
2004
- 2004-03-10 JP JP2004067608A patent/JP2005259886A/ja not_active Withdrawn
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