JPH07147348A - 半導体装置用パッケージ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 導体パターン等を同時焼成によって形成し、
反りが発生したセラミックパッケージの曲面上に、半導
体チップ及び気密シール用キャップを平行に搭載し得る
半導体装置用パッケージを提供する。 【構成】 導体パターン１４等が同時焼成されたセラミ
ックパッケージ１０に搭載された半導体チップを気密シ
ールする気密シール用キャップが装着される半導体装置
用パッケージにおいて、該同時焼成によって反りが発生
したセラミックパッケージ１０の一面側を構成する曲面
上に溶融材料が盛り上げられて形成された、前記半導体
チップが搭載される半導体チップ搭載面が平坦面である
ステージ部１６と、前記気密シール用キャップが装着さ
れるシールリングを被着するシールリング被着面が平坦
面であるシールリング用基部１８、１８とを具備し、且
つ前記半導体チップ搭載面とシールリング被着面とが同
一面２４に形成されていることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置用パッケージ
及びその製造方法に関し、更に詳細には導体パターン等
が同時焼成されたセラミックパッケージであって、半導
体チップが搭載される半導体装置用パッケージ及びその
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置用パッケージとして使用され
ているセラミックパッケージは、通常、所定寸法に切断
された複数枚のグリーンシートを積層して焼成すること
によって製造される。しかし、焼成されたセラミックパ
ッケージには、焼成時の収縮等に起因する反りが発生し
ていることが多い。この様な反りを有するセラミックパ
ッケージに半導体チップを搭載すると、搭載された半導
体チップにはセラミックパッケージの曲面に沿った傾斜
が発生する。また、搭載した半導体チップを気密封止す
べく、シールリングを介してセラミックパッケージに装
着された気密シール用キャップにも傾斜が発生する。シ
ールリングがセラミックパッケージ面の曲面に沿って装
着されるためである。

【０００３】ところで、光通信等に使用される発光素子
や受光素子等として使用される半導体チップの様に、セ
ラミックパッケージに半導体チップ及び光透過性の気密
シール用キャップが傾斜して搭載された場合、半導体チ
ップの上面と気密シール用キャップの内側面とを平行面
にすることができず（つまり半導体チップと気密シール
用キャップとを平行に搭載することができず）最終的に
得られる半導体装置の性能が著しく低下することがあ
る。このため、従来、かかる半導体チップを搭載するセ
ラミックパッケージには、導体パターン等を同時焼成す
ることなく焼成されたセラミックパッケージの両面の全
面を研磨し、セラミックパッケージの反りを除去した
後、スクリーン印刷等によって半導体チップの搭載部や
導体パターン等を形成し、次いで、シールリングの装着
や半導体チップの搭載がなされる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】この様に研磨されたセ
ラミックパッケージの一面側に、半導体チップ及び気密
シールキャプを搭載することによって、半導体チップと
気密シールキャップとを平行に搭載できる。しかしなが
ら、焼成されたセラミックパッケージの両面の全面に研
磨を施した後に、半導体チップの搭載部や導体パターン
等を形成することは、セラミックパッケージの製造工程
を複雑化し、最終的に得られるセラミックパッケージの
コストを高くする。また、セラミックパッケージに研磨
を施した後、セラミックパッケージの表面にスクリーン
印刷等によって形成した表面導体パターンは、スクリー
ン印刷材料中に配合された溶液がセラミックパッケージ
中に浸透し難いため、パターンの滲みが発生し易くなる
欠点があり、パターンが脆くなり易い欠点もある。

【０００５】一方、表面導体パターン等を同時焼成によ
って形成されたセラミックパッケージでは、表面導体パ
ターン等に充分な堅牢性を付与することができるが、焼
成されたセラミックパッケージに研磨を施して反りを除
去すると、同時焼成によって形成された表面導体パター
ン等も同時に研磨されて除去される。そこで、本発明の
目的は、導体パターン等を同時焼成によって形成し、反
りが発生したセラミックパッケージの曲面上に、半導体
チップと気密シール用キャップとを平行に搭載し得る半
導体装置用パッケージ及びその製造方法を提供すること
にある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者は、前記目的を
達成すべく検討した結果、反りが発生したセラミックパ
ッケージの曲面上に溶融金属を流し込み、半導体チップ
が搭載されるステージ部と、気密シール用キャップが装
着されるシールリングを被着するシールリング用基部と
の各々を、上端部がセラミックパッケージの反り以上の
高さまで盛り上げた後、前記ステージ部及びシールリン
グ用基部の各上端部に研磨を施すことによって、セラミ
ックパッケージの反りを除去することなくステージ部の
半導体チップ搭載面及びシールリング用基部のシールリ
ング被着面を平坦化でき、半導体チップと気密シールキ
ャップとを平行に搭載できることを見出し、本発明に到
達した。

【０００７】すなわち、本発明は、導体パターン等が同
時焼成されたセラミックパッケージに搭載された半導体
チップを気密シールする気密シール用キャップが装着さ
れる半導体装置用パッケージにおいて、該同時焼成によ
って反りが発生したセラミックパッケージの一面側を構
成する曲面上に溶融材料が盛り上げられて形成された、
前記半導体チップが搭載される半導体チップ搭載面が平
坦面であるステージ部と、前記気密シール用キャップを
装着するシールリングが被着されるシールリング被着面
とが平坦面であるシールリング用基部とを具備し、且つ
前記半導体チップ搭載面とシールリング被着面とが同一
平面又は平行面に形成されていることを特徴とする半導
体装置用パッケージにある。

【０００８】また、本発明は、導体パターン等が同時焼
成されたセラミックパッケージに搭載された半導体チッ
プを気密シールする気密シール用キャップが装着される
半導体装置用パッケージを製造する際に、該同時焼成に
よって反りが発生したセラミックパッケージの一面側を
構成する曲面上の所定箇所に溶融材料を流し込み、前記
半導体チップが搭載されるステージ部と、前記気密シー
ル用キャップを装着するシールリングが被着されるシー
ルリング用基部との各々を所定高さまで盛り上げ、次い
で、前記盛り上げたステージ部とシールリング用基部と
の上端部に研磨を施し、半導体チップ搭載面とシールリ
ング被着面とが同一平面又は平行面に形成されるよう
に、前記半導体チップ搭載面とシールリング被着面とを
平坦化することを特徴とする半導体装置用パッケージの
製造方法である。

【０００９】更に、本発明は、導体パターン等が同時焼
成されたセラミックパッケージに搭載された半導体チッ
プを気密シールする気密シール用キャップが装着される
半導体装置用パッケージを製造する際に、該同時焼成に
よって反りが発生したセラミックパッケージの一面側を
構成する曲面上において、前記半導体チップが搭載され
るステージ部と、前記気密シール用キャップを装着する
シールリングが被着されるシールリング用基部との各々
を形成する箇所に、所定量の金属ろう材を載置し、次い
で、前記金属ろう材を載置したセラミックパッケージ
を、互いの対向面が平行面となるように設定された二枚
の板状の治具間に挟み込むと共に、前記治具の対向面の
一方に、前記ステージ部の半導体チップ搭載面とシール
リング用基部のシールリング被着面とが同時に当接する
ように、二枚の治具間の距離を調整した後、前記治具間
に挟まれたセラミックパッケージを金属ろう材が溶融す
る温度に加熱し、前記ステージ部とシールリング用基部
との各々を盛り上げることを特徴とする半導体装置用パ
ッケージの製造方法でもある。

【００１０】かかる構成を有する本発明において、同時
焼成によって反りが発生したセラミックパッケージの他
面側を構成する曲面上に溶融金属が盛り上げられて形成
された、外部端子との接続面が平坦面である接続部を具
備し、且つ前記接続部の接続面を半導体チップ搭載面及
びシールリング被着面に対して平行面に形成することに
よって、最終的に得られる半導体装置を、配線ボード等
の面に対して半導体チップの上面と気密シール用キャッ
プの内側面とが平行面となるように、配線ボード等に搭
載することができる。この様な半導体装置用セラミック
パッケージは、同時焼成によって反りが発生したセラミ
ックパッケージの他面側を構成する曲面上の所定箇所に
溶融金属を流し込み、外部端子と接続される接続部を所
定高さまで盛り上げ、次いで、前記盛り上げた接続部の
上端部に研磨を施し、ステージ搭載面及びシールリング
被着面に対して平行面に形成されるように、外部端子と
の接続面を平坦化することによって得られる。

【００１１】或いは、同時焼成によって反りが発生した
セラミックパッケージの他面側を構成する曲面上におい
て、外部端子と接続される接続部を形成する箇所に、所
定量の金属ろう材を載置し、次いで、前記金属ろう材を
載置したセラミックパッケージを、互いの対向面が平行
面である二枚の治具間に挟み込むと共に、前記治具の対
向面の各々に、前記ステージ部の半導体チップ搭載面、
シールリング用基部のシールリング被着面、及び接続部
の接続面が同時に当接するように、二枚の治具間の距離
を調整した後、前記治具間に挟み込まれたセラミックパ
ッケージを金属ろう材が溶融する温度に加熱し、前記接
続部を盛り上げることによって、前記半導体装置用セラ
ミックパッケージを得ることができる。

【００１２】また、シールリング基部のシールリング被
着面にシールリングの接合面が直接接合されている半導
体装置用セラミックパッケージによれば、はんだ等の金
属ろう材を使用してシールリングをシールリング被着面
に接合する工程を省略することができる。かかる半導体
装置用セラミックパッケージは、互いの対向面が平行面
である二枚の治具間にセラミックパッケージを挟み込む
際に、ステージ部の半導体チップ搭載面が当接する治具
面に形成された凹溝内に挿入されたシールリングの接合
面と、載置された金属ろう材によって形成されるシール
リング用基部のシールリング被着面とが当接して接合さ
れるように、二枚の治具間の距離を調整し、次いで金属
ろう材が溶融する温度に加熱することによって得ること
ができる。

【００１３】

【作用】本発明によれば、セラミックパッケージの表面
に現れる表面導体パターン等が同時焼成によって形成さ
れるため、導体パターン等の堅牢性を向上することがで
きる。しかも、導体パターン等の同時焼成によってセラ
ミックパッケージに発生した反りを除去することなく、
ステージ部の半導体チップ搭載面とシールリング用基部
のシールリング被着面とを同一平面又は平行面に形成で
きるため、半導体チップ及び気密シール用キャップを平
行に搭載できる。このため、セラミックパッケージの両
面の全面研磨を省略でき、半導体装置用パッケージの製
造工程を簡素化できる。

【００１４】

【実施例】本発明を実施例によって更に詳細に説明す
る。図１は、本発明の半導体装置用パッケージに係る一
実施例を示す縦断面図である。図１に示すセラミックパ
ッケージ１０には、同時焼成によって内部導体パターン
１２とセラミックパッケージ１０の表面に現れる表面導
体パターン１４、１４が形成されている。更に、本実施
例では、表面導体パターン１４、１４や内部導体パター
ン１２等が同時焼成されるため、得られたセラミックパ
ッケージ１０には、焼成時の収縮等に起因する反りが発
生している。この様に反りが発生したセラミックパッケ
ージ１０の上面側となる凹面側には、銀(Ag)−銅(Cu)合
金等の金属ろう材から成るステージ部１６及びシールリ
ング用基部１８が、表面導体パターン１４、１４と共に
同時焼成されたメタライズ層２２、２２上に、セラミッ
クパッケージ１０の反り以上の高さに盛り上げられ、且
つ上端面が平坦面化されている。これら平坦面は、後述
する様に、半導体チップ搭載面及びシールリング被着面
として使用される。かかるステージ部１６の半導体チッ
プ搭載面とシールリング用基部１８、１８のシールリン
グ被着面とは、同一平面２４内に形成されている。

【００１５】本実施例において、セラミックパッケージ
１０の下面側となる凸面側には、内部導体パターンを介
して表面導体パターン１４、１４に連結された、外部端
子と接続される、銀(Ag)−銅(Cu)合金等の金属ろう材か
ら成る接続部２０、２０が、表面導体パターン１４、１
４等と共に同時焼成されたメタライズ層２２、２２上
に、セラミックパッケージ１０の反り以上の高さに盛り
上げられ、且つ下端面が平坦面化されている。この平坦
面は、後述する様に、配線ボード等の外部端子との接続
面として使用される。かかる接続部２０、２０の接続面
を含む平面２６は、ステージ部１６の半導体チップ搭載
面と、シールリング用基部１８、１８のシールリング被
着面とを含む平面２４と平行である。

【００１６】図１に示すセラミックパッケージ１０に
は、ニッケルめっき及び金めっき等を施した後、図２に
示す様に、ステージ部１６の半導体チップ搭載面に光半
導体チップ２８を金(Au)−シリコン(Si)合金等を介して
搭載し、ワイヤボンディングすると共に、シールリング
３０をシールリング用基部１８、１８のシールリング被
着面にはんだ等を介して被着する。かかるシールリング
３０は、セラミックパッケージ１０とは、別体に形成さ
れるため、端面の平坦度及び平行度の精度を向上するこ
とができる。このため、シールリング被着面に被着され
たシールリング３０上に気密シール用キャップとして光
透過用キャップ（以下、キャップと称することがある）
３２を装着することによって、光半導体チップ２８の上
面３６とキャップ３２の内側面３８とが平行面となるよ
うに、光半導体チップ２８とキャップ３２とを平行に搭
載できる。また、セラミックパッケージ１０の接続部２
０、２０の接続面は、配線ボード３４の端子上に載置さ
れ、はんだ３５によって接続される。かかる接続部２
０、２０の接続面は、図１に示す様に、ステージ部１６
の半導体チップ搭載面と、シールリング用基部１８、１
８のシールリング被着面と平行面であるため、配線ボー
ド３４のボード面３４と光半導体チップ２８の上面３６
及びキャップ３２の内側面３８とを平行面とすることが
できる。従って、図２に示す半導体装置によれば、光半
導体チップ２８から発信される光信号又は光半導体チッ
プ２８に受光される光信号を正確に送受信することがで
き、光通信等の信頼性を向上することができる。

【００１７】図１に示す半導体装置用パッケージは、図
３に示す反りが発生したセラミックパッケージ１０から
製造できる。このセラミックパッケージ１０は、複数枚
のグリーンシートを積層し焼成した後、メタライズ層２
２等にニッケルめっき等の下地めっきを施して得られた
ものである。かかるセラミックパッケージ１０には、同
時焼成によって内部導体パターン１２、セラミックパッ
ケージ１０の表面に現れる表面導体パターン１４、１
４、及びメタライズ層２２、２２・・が形成されてい
る。この様な、表面導体パターン１４、１４及びメタラ
イズ層２２、２２・・は、通常、グリーンシート上にタ
ングステン(W) ペースト等のペーストをスクリーン印刷
してパターン形成した後に焼成されたものであり、焼成
したセラミック板上にペーストをスクリーン印刷して形
成した導体パターン等に比較し、得られたパターンの鮮
明性及び堅牢性を共に良好とすることができる。

【００１８】次いで、図４に示す様に、セラミックパッ
ケージ１０の両面に形成したメタライズ層２２、２２・
・上に、銀(Ag)−銅(Cu)合金等の金属ろう材を流し込
み、セラミックパッケージ１０の凹面側にセラミックパ
ッケージ１０の反り以上の高さに盛り上げたステージ部
１６及びシールリング用基部１８を形成すると共に、セ
ラミックパッケージ１０の凸面側にセラミックパッケー
ジ１０の反り以上の高さに盛り上げた接続部２０、２０
を形成する。その後、ステージ部１６の半導体チップ搭
載面とシールリング用基部１８、１８のシールリング被
着面とが同一平面２４となるように、ステージ部１６及
びシールリング用基部１８の各上端部に研磨を施すと共
に、接続部２０、２０の接続面を含む平面２６が平面２
４と平行となるように、接続部２０、２０の上端部に研
磨を施す。この様に、本実施例では、セラミックパッケ
ージ１０の反り以上の高さに盛り上げたステージ部１６
及びシールリング用基部１８、及び接続部２０、２０の
上端部のみに研磨を施せばよく、更にステージ部１６等
は金属ろう材によって形成されているため、セラミック
の研磨よりも極めて容易に研磨できる結果、セラミック
パッケージ１０の両面全面を研磨する従来の製造方法に
比較し、研磨工程を著しく短縮できるのである。しか
も、研磨後に、表面導体パターンを形成するための導体
パターン形成工程を省略でき、半導体装置用パッケージ
の製造工程の簡素化を可能にできる。

【００１９】また、図１に示す半導体装置用パッケージ
は、研磨工程を省略しても製造可能である。この場合、
図５に示す様に、反りが発生したセラミックパッケージ
１０のメタライズ層２２、２２・・上に、ステージ部１
６、シールリング用基部１８、及び接続部２０、２０の
各々を形成する箇所に、所定量の銀(Ag)−銅(Cu)合金等
の金属ろう材を載置する。次いで、所定箇所に所定量の
金属ろう材が載置されたセラミックパッケージ１０を、
互いの対向面が平行面となるように設定された板状の炭
素製治具４０、４２の間に挟み込む。この炭素製治具４
０、４２は、予め炭素製治具４０、４２の対向面の各々
に、ステージ部１６の半導体チップ搭載面、シールリン
グ用基部１８、１８のシールリング被着面、及び接続部
２０、２０の接続面が同時に当接するように、距離調整
されている。その後、セラミックパッケージ１０を炭素
製治具４０、４２の間に挟み込みつつ金属ろう材が溶融
する温度に加熱することによって、図１に示す半導体装
置用パッケージを製造することができる。

【００２０】図５に示す製造方法によれば、研磨工程を
省略できるため、半導体装置用パッケージの製造工程を
更に一層簡素化でき、半導体装置用パッケージの製造コ
ストの低減を図ることができる。また、得られた半導体
装置用パッケージにおいて、ステージ部１６の半導体チ
ップ搭載面、シールリング用基部１８、１８のシールリ
ング被着面、及び接続部２０、２０の接続面の各々の粗
度は、研磨を施した場合（図４）に比較して粗いが、半
導体チップ搭載面と半導体チップとを接合する際に用い
られる金(Au)−シリコン(Si)合金等との接合力を向上し
得る。尚、本実施例では、治具４０、４０として炭素製
治具を使用したが、溶融金属に濡れない材質から成る治
具であれば使用することができる。

【００２１】以上、述べてきた図１〜図５に示す半導体
装置用パッケージは、セラミックパッケージ１０の凹面
側にステージ部１６及びシールリング用基部１８、１８
を形成し、セラミックパッケージ１０の凸面側に接続部
２０、２０を形成したが、図６に示す様に、セラミック
パッケージ１０の凸面側にステージ部１６及びシールリ
ング用基部１８、１８を形成し、セラミックパッケージ
１０の凹面側に接続部２０、２０を形成してもよいこと
は勿論のことである。また、ステージ部１６の半導体チ
ップ搭載面とシールリング用基部１８、１８のシールリ
ング被着面とが平行面であれば、高さが異なっていても
よく、シールリング用基部１８、１８を樹脂製としても
よい。

【００２２】更に、図７に示す様に、セラミックパッケ
ージ１０にキャビティ凹部４４を形成し、キャビティ凹
部４４内にステージ部１６を形成すると共に、キャビテ
ィ凹部４４の開口縁近傍にシールリング用基部１８、１
８を形成してもよい。この場合、ステージ部１６の半導
体チップ搭載面とシールリング用基部１８、１８のシー
ルリング被着面とを平行面とする。かかる図７に示す半
導体装置用パッケージの製造は、セラミックパッケージ
１０上に金属ろう材を盛り上げて形成したステージ部１
６とシールリング用基部１８、１８との各上端部に、エ
ンドミル等によって研磨を施してもよいが、図８に示す
製造方法によれば、図７の半導体装置用パッケージを容
易に製造できる。図８に示す製造方法においては、所定
箇所に所定量の金属ろう材が載置されたセラミックパッ
ケージ１０を炭素製治具４０、４２の間に挟み込みつ
つ、金属ろう材が溶融される温度に加熱する。

【００２３】この図８に示す炭素製治具４０の内側面に
は、セラミックパッケージ１０のキャビティ凹部４４内
に進入し、ステージ部１６の半導体チップ搭載面に当接
する凸部４６が形成され、且つ炭素製治具４０の内側面
の平坦面は、シールリング用基部１８、１８のシールリ
ング被着面に当接する。尚、炭素製治具４０の内側面と
の対向面である炭素製治具４２の内側面は、炭素製治具
４０の内側面の平坦面と平行面であって、セラミックパ
ッケージ１０の接続部２０、２０と当接する。

【００２４】これまで述べてきた半導体装置用パッケー
ジは、セラミックパッケージ１０の各曲面上に、ステー
ジ部１６、シールリング用基部１８、１８、及び接続部
２０、２０が形成されているものであるため、図２に示
す様に、はんだ等の金属ろう材によってシールリング３
０をシールリング用基部１８、１８に接合することを必
要とする。この点、図９に示す様に、セラミックパッケ
ージ１０上に形成したシールリング用基部１８、１８の
シールリング被着面に、シールリング３０、３０を直接
接合しておくことによって、はんだ等の金属ろう材によ
ってシールリング３０をシールリング用基部１８、１８
に接合する工程を省略でき、半導体装置の製造工程を簡
略化することができる。しかも、ステージ部１６の半導
体チップ搭載面２４とシールリング３０、３０のキャッ
プ搭載面４８とを確実に平行面とすることもできる。

【００２５】かかる図９に示す半導体装置用パッケージ
は、図１０に示す様に、セラミックパッケージ１０の一
面側を構成する曲面上に、ステージ部１６とシールリン
グ用基部１８、１８との各々を形成する箇所に、所定量
の金属ろう材を載置した後、金属ろう材を載置したセラ
ミックパッケージを、互いの対向面が平行面となるよう
に上下方向に配設された二枚の板状の治具４０、４２の
間に挟み込み、次いで、金属ろう材が溶融する温度に加
熱し、ステージ部１６とシールリング用基部１８、１８
との各々を盛り上げることによって製造することができ
る。この際に、治具４０、４２のうち、下側の治具４２
の内側面にステージ部１６の半導体チップ搭載面との当
接と、治具４２の内側面に開口する凹溝５０、５０内に
挿入されたシールリング３０、３０の接合面とシールリ
ング用基部１８、１８のシールリング被着面との当接が
同時になされるように、二枚の治具４０、４２間の距離
を調整する。

【００２６】ところで、図１〜図１０において述べてき
た半導体装置用パッケージでは、外部端子との接続に使
用される接続部２０は、セラミックパッケージ１０と同
時焼成したメタライズ層２２上に金属ろう材を盛り上げ
て形成している。しかし、接続部２０、２０の接続面を
含む平面２６と、ステージ部１６の半導体チップ搭載面
及びシールリング用基部１８、１８のシールリング被着
面を含む平面２４との平行度が厳格に要求されない場
合、メタライズ層２２上に従来から使用されてきたピン
タイプやはんだボールタイプの接続部を形成してもよ
い。

【００２７】

【発明の効果】本発明によれば、導体パターン等の同時
焼成によって反りが発生したセラミックパッケージを使
用し、搭載される半導体チップと気密シール用キャップ
との平行度が厳格に要求される半導体装置用パッケージ
の製造工程の簡素化を図ることができる。また、導体パ
ターン等も同時焼成によって形成されるため、導体パタ
ーン等の堅牢性を向上でき、最終的に得られる半導体装
置の信頼性の向上を図ることも可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体装置用パッケージに係る一実施
例を示す縦断面図である。

【図２】図１に示す半導体装置用パッケージを使用した
半導体装置を示す縦断面図である。

【図３】図１に示す半導体装置用パッケージに使用され
るセラミックパッケージを示す縦断面図である。

【図４】図１に示す半導体装置用パッケージの製造方法
の一例を説明するための説明図である。

【図５】図１に示す半導体装置用パッケージの製造方法
の他の例を説明するための説明図である。

【図６】本発明の半導体装置用パッケージに係る他の実
施例を示す縦断面図である。

【図７】本発明の半導体装置用パッケージに係る他の実
施例を示す縦断面図である。

【図８】図７に示す半導体装置用パッケージの製造方法
の一例を説明するための説明図である。

【図９】本発明の半導体装置用パッケージに係る他の実
施例を示す縦断面図である。

【図１０】図１０に示す半導体装置用パッケージの製造
方法の一例を説明するための説明図である。

【符号の説明】

１０ セラミックパッケージ １２ 内部配線 １４ 表面導体パターン １６ ステージ部 １８ シールリング用基部 ２０ 接続部 ２２ メタライズ層

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導体パターン等が同時焼成されたセラミ
   ックパッケージに搭載された半導体チップを気密シール
   する気密シール用キャップが装着される半導体装置用パ
   ッケージにおいて、 該同時焼成によって反りが発生したセラミックパッケー
   ジの一面側を構成する曲面上に溶融材料が盛り上げられ
   て形成された、前記半導体チップが搭載される半導体チ
   ップ搭載面が平坦面であるステージ部と、前記気密シー
   ル用キャップを装着するシールリングが被着されるシー
   ルリング被着面とが平坦面であるシールリング用基部と
   を具備し、 且つ前記半導体チップ搭載面とシールリング被着面とが
   同一平面又は平行面に形成されていることを特徴とする
   半導体装置用パッケージ。
2. 【請求項２】 同時焼成によって反りが発生したセラミ
   ックパッケージの他面側を構成する曲面上に溶融金属が
   盛り上げられて形成された、外部端子との接続面が平坦
   面である接続部を具備し、 且つ前記接続部の接続面が、半導体チップ搭載面及びシ
   ールリング被着面に対して平行面に形成されている請求
   項１記載の半導体装置用パッケージ。
3. 【請求項３】 シールリング基部のシールリング被着面
   にシールリングの接合面が直接接合されている請求項１
   記載の半導体装置用パッケージ。
4. 【請求項４】 導体パターン等が同時焼成されたセラミ
   ックパッケージに搭載された半導体チップを気密シール
   する気密シール用キャップが装着される半導体装置用パ
   ッケージを製造する際に、 該同時焼成によって反りが発生したセラミックパッケー
   ジの一面側を構成する曲面上の所定箇所に溶融材料を流
   し込み、前記半導体チップが搭載されるステージ部と、
   前記気密シール用キャップを装着するシールリングが被
   着されるシールリング用基部との各々を所定高さまで盛
   り上げ、 次いで、前記盛り上げたステージ部とシールリング用基
   部との上端部に研磨を施し、半導体チップ搭載面とシー
   ルリング被着面とが同一平面又は平行面に形成されるよ
   うに、前記半導体チップ搭載面とシールリング被着面と
   を平坦化することを特徴とする半導体装置用パッケージ
   の製造方法。
5. 【請求項５】 同時焼成によって反りが発生したセラミ
   ックパッケージの他面側を構成する曲面上の所定箇所に
   溶融金属を流し込み、外部端子と接続される接続部を所
   定高さまで盛り上げ、 次いで、前記盛り上げた接続部の上端部に研磨を施し、
   ステージ搭載面及びシールリング被着面に対して平行面
   に形成されるように、外部端子との接続面を平坦化する
   請求項４記載の半導体装置用パッケージの製造方法。
6. 【請求項６】 導体パターン等が同時焼成されたセラミ
   ックパッケージに搭載された半導体チップを気密シール
   する気密シール用キャップが装着される半導体装置用パ
   ッケージを製造する際に、 該同時焼成によって反りが発生したセラミックパッケー
   ジの一面側を構成する曲面上において、前記半導体チッ
   プが搭載されるステージ部と、前記気密シール用キャッ
   プを装着するシールリングが被着されるシールリング用
   基部との各々を形成する箇所に、所定量の金属ろう材を
   載置し、 次いで、前記金属ろう材を載置したセラミックパッケー
   ジを、互いの対向面が平行面となるように設定された二
   枚の板状の治具間に挟み込むと共に、 前記治具の対向面の一方に、前記ステージ部の半導体チ
   ップ搭載面とシールリング用基部のシールリング被着面
   とが同時に当接するように、二枚の治具間の距離を調整
   した後、 前記治具間に挟まれたセラミックパッケージを金属ろう
   材が溶融する温度に加熱し、前記ステージ部とシールリ
   ング用基部との各々を盛り上げることを特徴とする半導
   体装置用パッケージの製造方法。
7. 【請求項７】 同時焼成によって反りが発生したセラミ
   ックパッケージの他面側を構成する曲面上において、外
   部端子と接続される接続部を形成する箇所に、所定量の
   金属ろう材を載置し、 次いで、前記金属ろう材を載置したセラミックパッケー
   ジを、互いの対向面が平行面である二枚の治具間に挟み
   込むと共に、 前記治具の対向面の各々に、前記ステージ部の半導体チ
   ップ搭載面、シールリング用基部のシールリング被着
   面、及び接続部の接続面が同時に当接するように、二枚
   の治具間の距離を調整した後、 前記治具間に挟み込まれたセラミックパッケージを金属
   ろう材が溶融する温度に加熱し、前記接続部を盛り上げ
   る請求項６記載の半導体装置用パッケージの製造方法。
8. 【請求項８】 ステージ部の半導体チップ搭載面が当接
   する治具面に形成された凹溝内に挿入されたシールリン
   グの接合面と、載置された金属ろう材によって形成され
   るシールリング用基部のシールリング被着面とが当接し
   て接合されるように、二枚の治具間の距離を調整する請
   求項６記載の半導体装置用パッケージの製造方法。