JPH07147348A - 半導体装置用パッケージ及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置用パッケージ及びその製造方法Info
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- JPH07147348A JPH07147348A JP29632593A JP29632593A JPH07147348A JP H07147348 A JPH07147348 A JP H07147348A JP 29632593 A JP29632593 A JP 29632593A JP 29632593 A JP29632593 A JP 29632593A JP H07147348 A JPH07147348 A JP H07147348A
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- Japan
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- seal ring
- ceramic package
- package
- semiconductor chip
- semiconductor device
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 導体パターン等を同時焼成によって形成し、
反りが発生したセラミックパッケージの曲面上に、半導
体チップ及び気密シール用キャップを平行に搭載し得る
半導体装置用パッケージを提供する。 【構成】 導体パターン14等が同時焼成されたセラミ
ックパッケージ10に搭載された半導体チップを気密シ
ールする気密シール用キャップが装着される半導体装置
用パッケージにおいて、該同時焼成によって反りが発生
したセラミックパッケージ10の一面側を構成する曲面
上に溶融材料が盛り上げられて形成された、前記半導体
チップが搭載される半導体チップ搭載面が平坦面である
ステージ部16と、前記気密シール用キャップが装着さ
れるシールリングを被着するシールリング被着面が平坦
面であるシールリング用基部18、18とを具備し、且
つ前記半導体チップ搭載面とシールリング被着面とが同
一面24に形成されていることを特徴とする。
反りが発生したセラミックパッケージの曲面上に、半導
体チップ及び気密シール用キャップを平行に搭載し得る
半導体装置用パッケージを提供する。 【構成】 導体パターン14等が同時焼成されたセラミ
ックパッケージ10に搭載された半導体チップを気密シ
ールする気密シール用キャップが装着される半導体装置
用パッケージにおいて、該同時焼成によって反りが発生
したセラミックパッケージ10の一面側を構成する曲面
上に溶融材料が盛り上げられて形成された、前記半導体
チップが搭載される半導体チップ搭載面が平坦面である
ステージ部16と、前記気密シール用キャップが装着さ
れるシールリングを被着するシールリング被着面が平坦
面であるシールリング用基部18、18とを具備し、且
つ前記半導体チップ搭載面とシールリング被着面とが同
一面24に形成されていることを特徴とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置用パッケージ
及びその製造方法に関し、更に詳細には導体パターン等
が同時焼成されたセラミックパッケージであって、半導
体チップが搭載される半導体装置用パッケージ及びその
製造方法に関する。
及びその製造方法に関し、更に詳細には導体パターン等
が同時焼成されたセラミックパッケージであって、半導
体チップが搭載される半導体装置用パッケージ及びその
製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置用パッケージとして使用され
ているセラミックパッケージは、通常、所定寸法に切断
された複数枚のグリーンシートを積層して焼成すること
によって製造される。しかし、焼成されたセラミックパ
ッケージには、焼成時の収縮等に起因する反りが発生し
ていることが多い。この様な反りを有するセラミックパ
ッケージに半導体チップを搭載すると、搭載された半導
体チップにはセラミックパッケージの曲面に沿った傾斜
が発生する。また、搭載した半導体チップを気密封止す
べく、シールリングを介してセラミックパッケージに装
着された気密シール用キャップにも傾斜が発生する。シ
ールリングがセラミックパッケージ面の曲面に沿って装
着されるためである。
ているセラミックパッケージは、通常、所定寸法に切断
された複数枚のグリーンシートを積層して焼成すること
によって製造される。しかし、焼成されたセラミックパ
ッケージには、焼成時の収縮等に起因する反りが発生し
ていることが多い。この様な反りを有するセラミックパ
ッケージに半導体チップを搭載すると、搭載された半導
体チップにはセラミックパッケージの曲面に沿った傾斜
が発生する。また、搭載した半導体チップを気密封止す
べく、シールリングを介してセラミックパッケージに装
着された気密シール用キャップにも傾斜が発生する。シ
ールリングがセラミックパッケージ面の曲面に沿って装
着されるためである。
【0003】ところで、光通信等に使用される発光素子
や受光素子等として使用される半導体チップの様に、セ
ラミックパッケージに半導体チップ及び光透過性の気密
シール用キャップが傾斜して搭載された場合、半導体チ
ップの上面と気密シール用キャップの内側面とを平行面
にすることができず(つまり半導体チップと気密シール
用キャップとを平行に搭載することができず)最終的に
得られる半導体装置の性能が著しく低下することがあ
る。このため、従来、かかる半導体チップを搭載するセ
ラミックパッケージには、導体パターン等を同時焼成す
ることなく焼成されたセラミックパッケージの両面の全
面を研磨し、セラミックパッケージの反りを除去した
後、スクリーン印刷等によって半導体チップの搭載部や
導体パターン等を形成し、次いで、シールリングの装着
や半導体チップの搭載がなされる。
や受光素子等として使用される半導体チップの様に、セ
ラミックパッケージに半導体チップ及び光透過性の気密
シール用キャップが傾斜して搭載された場合、半導体チ
ップの上面と気密シール用キャップの内側面とを平行面
にすることができず(つまり半導体チップと気密シール
用キャップとを平行に搭載することができず)最終的に
得られる半導体装置の性能が著しく低下することがあ
る。このため、従来、かかる半導体チップを搭載するセ
ラミックパッケージには、導体パターン等を同時焼成す
ることなく焼成されたセラミックパッケージの両面の全
面を研磨し、セラミックパッケージの反りを除去した
後、スクリーン印刷等によって半導体チップの搭載部や
導体パターン等を形成し、次いで、シールリングの装着
や半導体チップの搭載がなされる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】この様に研磨されたセ
ラミックパッケージの一面側に、半導体チップ及び気密
シールキャプを搭載することによって、半導体チップと
気密シールキャップとを平行に搭載できる。しかしなが
ら、焼成されたセラミックパッケージの両面の全面に研
磨を施した後に、半導体チップの搭載部や導体パターン
等を形成することは、セラミックパッケージの製造工程
を複雑化し、最終的に得られるセラミックパッケージの
コストを高くする。また、セラミックパッケージに研磨
を施した後、セラミックパッケージの表面にスクリーン
印刷等によって形成した表面導体パターンは、スクリー
ン印刷材料中に配合された溶液がセラミックパッケージ
中に浸透し難いため、パターンの滲みが発生し易くなる
欠点があり、パターンが脆くなり易い欠点もある。
ラミックパッケージの一面側に、半導体チップ及び気密
シールキャプを搭載することによって、半導体チップと
気密シールキャップとを平行に搭載できる。しかしなが
ら、焼成されたセラミックパッケージの両面の全面に研
磨を施した後に、半導体チップの搭載部や導体パターン
等を形成することは、セラミックパッケージの製造工程
を複雑化し、最終的に得られるセラミックパッケージの
コストを高くする。また、セラミックパッケージに研磨
を施した後、セラミックパッケージの表面にスクリーン
印刷等によって形成した表面導体パターンは、スクリー
ン印刷材料中に配合された溶液がセラミックパッケージ
中に浸透し難いため、パターンの滲みが発生し易くなる
欠点があり、パターンが脆くなり易い欠点もある。
【0005】一方、表面導体パターン等を同時焼成によ
って形成されたセラミックパッケージでは、表面導体パ
ターン等に充分な堅牢性を付与することができるが、焼
成されたセラミックパッケージに研磨を施して反りを除
去すると、同時焼成によって形成された表面導体パター
ン等も同時に研磨されて除去される。そこで、本発明の
目的は、導体パターン等を同時焼成によって形成し、反
りが発生したセラミックパッケージの曲面上に、半導体
チップと気密シール用キャップとを平行に搭載し得る半
導体装置用パッケージ及びその製造方法を提供すること
にある。
って形成されたセラミックパッケージでは、表面導体パ
ターン等に充分な堅牢性を付与することができるが、焼
成されたセラミックパッケージに研磨を施して反りを除
去すると、同時焼成によって形成された表面導体パター
ン等も同時に研磨されて除去される。そこで、本発明の
目的は、導体パターン等を同時焼成によって形成し、反
りが発生したセラミックパッケージの曲面上に、半導体
チップと気密シール用キャップとを平行に搭載し得る半
導体装置用パッケージ及びその製造方法を提供すること
にある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者は、前記目的を
達成すべく検討した結果、反りが発生したセラミックパ
ッケージの曲面上に溶融金属を流し込み、半導体チップ
が搭載されるステージ部と、気密シール用キャップが装
着されるシールリングを被着するシールリング用基部と
の各々を、上端部がセラミックパッケージの反り以上の
高さまで盛り上げた後、前記ステージ部及びシールリン
グ用基部の各上端部に研磨を施すことによって、セラミ
ックパッケージの反りを除去することなくステージ部の
半導体チップ搭載面及びシールリング用基部のシールリ
ング被着面を平坦化でき、半導体チップと気密シールキ
ャップとを平行に搭載できることを見出し、本発明に到
達した。
達成すべく検討した結果、反りが発生したセラミックパ
ッケージの曲面上に溶融金属を流し込み、半導体チップ
が搭載されるステージ部と、気密シール用キャップが装
着されるシールリングを被着するシールリング用基部と
の各々を、上端部がセラミックパッケージの反り以上の
高さまで盛り上げた後、前記ステージ部及びシールリン
グ用基部の各上端部に研磨を施すことによって、セラミ
ックパッケージの反りを除去することなくステージ部の
半導体チップ搭載面及びシールリング用基部のシールリ
ング被着面を平坦化でき、半導体チップと気密シールキ
ャップとを平行に搭載できることを見出し、本発明に到
達した。
【0007】すなわち、本発明は、導体パターン等が同
時焼成されたセラミックパッケージに搭載された半導体
チップを気密シールする気密シール用キャップが装着さ
れる半導体装置用パッケージにおいて、該同時焼成によ
って反りが発生したセラミックパッケージの一面側を構
成する曲面上に溶融材料が盛り上げられて形成された、
前記半導体チップが搭載される半導体チップ搭載面が平
坦面であるステージ部と、前記気密シール用キャップを
装着するシールリングが被着されるシールリング被着面
とが平坦面であるシールリング用基部とを具備し、且つ
前記半導体チップ搭載面とシールリング被着面とが同一
平面又は平行面に形成されていることを特徴とする半導
体装置用パッケージにある。
時焼成されたセラミックパッケージに搭載された半導体
チップを気密シールする気密シール用キャップが装着さ
れる半導体装置用パッケージにおいて、該同時焼成によ
って反りが発生したセラミックパッケージの一面側を構
成する曲面上に溶融材料が盛り上げられて形成された、
前記半導体チップが搭載される半導体チップ搭載面が平
坦面であるステージ部と、前記気密シール用キャップを
装着するシールリングが被着されるシールリング被着面
とが平坦面であるシールリング用基部とを具備し、且つ
前記半導体チップ搭載面とシールリング被着面とが同一
平面又は平行面に形成されていることを特徴とする半導
体装置用パッケージにある。
【0008】また、本発明は、導体パターン等が同時焼
成されたセラミックパッケージに搭載された半導体チッ
プを気密シールする気密シール用キャップが装着される
半導体装置用パッケージを製造する際に、該同時焼成に
よって反りが発生したセラミックパッケージの一面側を
構成する曲面上の所定箇所に溶融材料を流し込み、前記
半導体チップが搭載されるステージ部と、前記気密シー
ル用キャップを装着するシールリングが被着されるシー
ルリング用基部との各々を所定高さまで盛り上げ、次い
で、前記盛り上げたステージ部とシールリング用基部と
の上端部に研磨を施し、半導体チップ搭載面とシールリ
ング被着面とが同一平面又は平行面に形成されるよう
に、前記半導体チップ搭載面とシールリング被着面とを
平坦化することを特徴とする半導体装置用パッケージの
製造方法である。
成されたセラミックパッケージに搭載された半導体チッ
プを気密シールする気密シール用キャップが装着される
半導体装置用パッケージを製造する際に、該同時焼成に
よって反りが発生したセラミックパッケージの一面側を
構成する曲面上の所定箇所に溶融材料を流し込み、前記
半導体チップが搭載されるステージ部と、前記気密シー
ル用キャップを装着するシールリングが被着されるシー
ルリング用基部との各々を所定高さまで盛り上げ、次い
で、前記盛り上げたステージ部とシールリング用基部と
の上端部に研磨を施し、半導体チップ搭載面とシールリ
ング被着面とが同一平面又は平行面に形成されるよう
に、前記半導体チップ搭載面とシールリング被着面とを
平坦化することを特徴とする半導体装置用パッケージの
製造方法である。
【0009】更に、本発明は、導体パターン等が同時焼
成されたセラミックパッケージに搭載された半導体チッ
プを気密シールする気密シール用キャップが装着される
半導体装置用パッケージを製造する際に、該同時焼成に
よって反りが発生したセラミックパッケージの一面側を
構成する曲面上において、前記半導体チップが搭載され
るステージ部と、前記気密シール用キャップを装着する
シールリングが被着されるシールリング用基部との各々
を形成する箇所に、所定量の金属ろう材を載置し、次い
で、前記金属ろう材を載置したセラミックパッケージ
を、互いの対向面が平行面となるように設定された二枚
の板状の治具間に挟み込むと共に、前記治具の対向面の
一方に、前記ステージ部の半導体チップ搭載面とシール
リング用基部のシールリング被着面とが同時に当接する
ように、二枚の治具間の距離を調整した後、前記治具間
に挟まれたセラミックパッケージを金属ろう材が溶融す
る温度に加熱し、前記ステージ部とシールリング用基部
との各々を盛り上げることを特徴とする半導体装置用パ
ッケージの製造方法でもある。
成されたセラミックパッケージに搭載された半導体チッ
プを気密シールする気密シール用キャップが装着される
半導体装置用パッケージを製造する際に、該同時焼成に
よって反りが発生したセラミックパッケージの一面側を
構成する曲面上において、前記半導体チップが搭載され
るステージ部と、前記気密シール用キャップを装着する
シールリングが被着されるシールリング用基部との各々
を形成する箇所に、所定量の金属ろう材を載置し、次い
で、前記金属ろう材を載置したセラミックパッケージ
を、互いの対向面が平行面となるように設定された二枚
の板状の治具間に挟み込むと共に、前記治具の対向面の
一方に、前記ステージ部の半導体チップ搭載面とシール
リング用基部のシールリング被着面とが同時に当接する
ように、二枚の治具間の距離を調整した後、前記治具間
に挟まれたセラミックパッケージを金属ろう材が溶融す
る温度に加熱し、前記ステージ部とシールリング用基部
との各々を盛り上げることを特徴とする半導体装置用パ
ッケージの製造方法でもある。
【0010】かかる構成を有する本発明において、同時
焼成によって反りが発生したセラミックパッケージの他
面側を構成する曲面上に溶融金属が盛り上げられて形成
された、外部端子との接続面が平坦面である接続部を具
備し、且つ前記接続部の接続面を半導体チップ搭載面及
びシールリング被着面に対して平行面に形成することに
よって、最終的に得られる半導体装置を、配線ボード等
の面に対して半導体チップの上面と気密シール用キャッ
プの内側面とが平行面となるように、配線ボード等に搭
載することができる。この様な半導体装置用セラミック
パッケージは、同時焼成によって反りが発生したセラミ
ックパッケージの他面側を構成する曲面上の所定箇所に
溶融金属を流し込み、外部端子と接続される接続部を所
定高さまで盛り上げ、次いで、前記盛り上げた接続部の
上端部に研磨を施し、ステージ搭載面及びシールリング
被着面に対して平行面に形成されるように、外部端子と
の接続面を平坦化することによって得られる。
焼成によって反りが発生したセラミックパッケージの他
面側を構成する曲面上に溶融金属が盛り上げられて形成
された、外部端子との接続面が平坦面である接続部を具
備し、且つ前記接続部の接続面を半導体チップ搭載面及
びシールリング被着面に対して平行面に形成することに
よって、最終的に得られる半導体装置を、配線ボード等
の面に対して半導体チップの上面と気密シール用キャッ
プの内側面とが平行面となるように、配線ボード等に搭
載することができる。この様な半導体装置用セラミック
パッケージは、同時焼成によって反りが発生したセラミ
ックパッケージの他面側を構成する曲面上の所定箇所に
溶融金属を流し込み、外部端子と接続される接続部を所
定高さまで盛り上げ、次いで、前記盛り上げた接続部の
上端部に研磨を施し、ステージ搭載面及びシールリング
被着面に対して平行面に形成されるように、外部端子と
の接続面を平坦化することによって得られる。
【0011】或いは、同時焼成によって反りが発生した
セラミックパッケージの他面側を構成する曲面上におい
て、外部端子と接続される接続部を形成する箇所に、所
定量の金属ろう材を載置し、次いで、前記金属ろう材を
載置したセラミックパッケージを、互いの対向面が平行
面である二枚の治具間に挟み込むと共に、前記治具の対
向面の各々に、前記ステージ部の半導体チップ搭載面、
シールリング用基部のシールリング被着面、及び接続部
の接続面が同時に当接するように、二枚の治具間の距離
を調整した後、前記治具間に挟み込まれたセラミックパ
ッケージを金属ろう材が溶融する温度に加熱し、前記接
続部を盛り上げることによって、前記半導体装置用セラ
ミックパッケージを得ることができる。
セラミックパッケージの他面側を構成する曲面上におい
て、外部端子と接続される接続部を形成する箇所に、所
定量の金属ろう材を載置し、次いで、前記金属ろう材を
載置したセラミックパッケージを、互いの対向面が平行
面である二枚の治具間に挟み込むと共に、前記治具の対
向面の各々に、前記ステージ部の半導体チップ搭載面、
シールリング用基部のシールリング被着面、及び接続部
の接続面が同時に当接するように、二枚の治具間の距離
を調整した後、前記治具間に挟み込まれたセラミックパ
ッケージを金属ろう材が溶融する温度に加熱し、前記接
続部を盛り上げることによって、前記半導体装置用セラ
ミックパッケージを得ることができる。
【0012】また、シールリング基部のシールリング被
着面にシールリングの接合面が直接接合されている半導
体装置用セラミックパッケージによれば、はんだ等の金
属ろう材を使用してシールリングをシールリング被着面
に接合する工程を省略することができる。かかる半導体
装置用セラミックパッケージは、互いの対向面が平行面
である二枚の治具間にセラミックパッケージを挟み込む
際に、ステージ部の半導体チップ搭載面が当接する治具
面に形成された凹溝内に挿入されたシールリングの接合
面と、載置された金属ろう材によって形成されるシール
リング用基部のシールリング被着面とが当接して接合さ
れるように、二枚の治具間の距離を調整し、次いで金属
ろう材が溶融する温度に加熱することによって得ること
ができる。
着面にシールリングの接合面が直接接合されている半導
体装置用セラミックパッケージによれば、はんだ等の金
属ろう材を使用してシールリングをシールリング被着面
に接合する工程を省略することができる。かかる半導体
装置用セラミックパッケージは、互いの対向面が平行面
である二枚の治具間にセラミックパッケージを挟み込む
際に、ステージ部の半導体チップ搭載面が当接する治具
面に形成された凹溝内に挿入されたシールリングの接合
面と、載置された金属ろう材によって形成されるシール
リング用基部のシールリング被着面とが当接して接合さ
れるように、二枚の治具間の距離を調整し、次いで金属
ろう材が溶融する温度に加熱することによって得ること
ができる。
【0013】
【作用】本発明によれば、セラミックパッケージの表面
に現れる表面導体パターン等が同時焼成によって形成さ
れるため、導体パターン等の堅牢性を向上することがで
きる。しかも、導体パターン等の同時焼成によってセラ
ミックパッケージに発生した反りを除去することなく、
ステージ部の半導体チップ搭載面とシールリング用基部
のシールリング被着面とを同一平面又は平行面に形成で
きるため、半導体チップ及び気密シール用キャップを平
行に搭載できる。このため、セラミックパッケージの両
面の全面研磨を省略でき、半導体装置用パッケージの製
造工程を簡素化できる。
に現れる表面導体パターン等が同時焼成によって形成さ
れるため、導体パターン等の堅牢性を向上することがで
きる。しかも、導体パターン等の同時焼成によってセラ
ミックパッケージに発生した反りを除去することなく、
ステージ部の半導体チップ搭載面とシールリング用基部
のシールリング被着面とを同一平面又は平行面に形成で
きるため、半導体チップ及び気密シール用キャップを平
行に搭載できる。このため、セラミックパッケージの両
面の全面研磨を省略でき、半導体装置用パッケージの製
造工程を簡素化できる。
【0014】
【実施例】本発明を実施例によって更に詳細に説明す
る。図1は、本発明の半導体装置用パッケージに係る一
実施例を示す縦断面図である。図1に示すセラミックパ
ッケージ10には、同時焼成によって内部導体パターン
12とセラミックパッケージ10の表面に現れる表面導
体パターン14、14が形成されている。更に、本実施
例では、表面導体パターン14、14や内部導体パター
ン12等が同時焼成されるため、得られたセラミックパ
ッケージ10には、焼成時の収縮等に起因する反りが発
生している。この様に反りが発生したセラミックパッケ
ージ10の上面側となる凹面側には、銀(Ag)−銅(Cu)合
金等の金属ろう材から成るステージ部16及びシールリ
ング用基部18が、表面導体パターン14、14と共に
同時焼成されたメタライズ層22、22上に、セラミッ
クパッケージ10の反り以上の高さに盛り上げられ、且
つ上端面が平坦面化されている。これら平坦面は、後述
する様に、半導体チップ搭載面及びシールリング被着面
として使用される。かかるステージ部16の半導体チッ
プ搭載面とシールリング用基部18、18のシールリン
グ被着面とは、同一平面24内に形成されている。
る。図1は、本発明の半導体装置用パッケージに係る一
実施例を示す縦断面図である。図1に示すセラミックパ
ッケージ10には、同時焼成によって内部導体パターン
12とセラミックパッケージ10の表面に現れる表面導
体パターン14、14が形成されている。更に、本実施
例では、表面導体パターン14、14や内部導体パター
ン12等が同時焼成されるため、得られたセラミックパ
ッケージ10には、焼成時の収縮等に起因する反りが発
生している。この様に反りが発生したセラミックパッケ
ージ10の上面側となる凹面側には、銀(Ag)−銅(Cu)合
金等の金属ろう材から成るステージ部16及びシールリ
ング用基部18が、表面導体パターン14、14と共に
同時焼成されたメタライズ層22、22上に、セラミッ
クパッケージ10の反り以上の高さに盛り上げられ、且
つ上端面が平坦面化されている。これら平坦面は、後述
する様に、半導体チップ搭載面及びシールリング被着面
として使用される。かかるステージ部16の半導体チッ
プ搭載面とシールリング用基部18、18のシールリン
グ被着面とは、同一平面24内に形成されている。
【0015】本実施例において、セラミックパッケージ
10の下面側となる凸面側には、内部導体パターンを介
して表面導体パターン14、14に連結された、外部端
子と接続される、銀(Ag)−銅(Cu)合金等の金属ろう材か
ら成る接続部20、20が、表面導体パターン14、1
4等と共に同時焼成されたメタライズ層22、22上
に、セラミックパッケージ10の反り以上の高さに盛り
上げられ、且つ下端面が平坦面化されている。この平坦
面は、後述する様に、配線ボード等の外部端子との接続
面として使用される。かかる接続部20、20の接続面
を含む平面26は、ステージ部16の半導体チップ搭載
面と、シールリング用基部18、18のシールリング被
着面とを含む平面24と平行である。
10の下面側となる凸面側には、内部導体パターンを介
して表面導体パターン14、14に連結された、外部端
子と接続される、銀(Ag)−銅(Cu)合金等の金属ろう材か
ら成る接続部20、20が、表面導体パターン14、1
4等と共に同時焼成されたメタライズ層22、22上
に、セラミックパッケージ10の反り以上の高さに盛り
上げられ、且つ下端面が平坦面化されている。この平坦
面は、後述する様に、配線ボード等の外部端子との接続
面として使用される。かかる接続部20、20の接続面
を含む平面26は、ステージ部16の半導体チップ搭載
面と、シールリング用基部18、18のシールリング被
着面とを含む平面24と平行である。
【0016】図1に示すセラミックパッケージ10に
は、ニッケルめっき及び金めっき等を施した後、図2に
示す様に、ステージ部16の半導体チップ搭載面に光半
導体チップ28を金(Au)−シリコン(Si)合金等を介して
搭載し、ワイヤボンディングすると共に、シールリング
30をシールリング用基部18、18のシールリング被
着面にはんだ等を介して被着する。かかるシールリング
30は、セラミックパッケージ10とは、別体に形成さ
れるため、端面の平坦度及び平行度の精度を向上するこ
とができる。このため、シールリング被着面に被着され
たシールリング30上に気密シール用キャップとして光
透過用キャップ(以下、キャップと称することがある)
32を装着することによって、光半導体チップ28の上
面36とキャップ32の内側面38とが平行面となるよ
うに、光半導体チップ28とキャップ32とを平行に搭
載できる。また、セラミックパッケージ10の接続部2
0、20の接続面は、配線ボード34の端子上に載置さ
れ、はんだ35によって接続される。かかる接続部2
0、20の接続面は、図1に示す様に、ステージ部16
の半導体チップ搭載面と、シールリング用基部18、1
8のシールリング被着面と平行面であるため、配線ボー
ド34のボード面34と光半導体チップ28の上面36
及びキャップ32の内側面38とを平行面とすることが
できる。従って、図2に示す半導体装置によれば、光半
導体チップ28から発信される光信号又は光半導体チッ
プ28に受光される光信号を正確に送受信することがで
き、光通信等の信頼性を向上することができる。
は、ニッケルめっき及び金めっき等を施した後、図2に
示す様に、ステージ部16の半導体チップ搭載面に光半
導体チップ28を金(Au)−シリコン(Si)合金等を介して
搭載し、ワイヤボンディングすると共に、シールリング
30をシールリング用基部18、18のシールリング被
着面にはんだ等を介して被着する。かかるシールリング
30は、セラミックパッケージ10とは、別体に形成さ
れるため、端面の平坦度及び平行度の精度を向上するこ
とができる。このため、シールリング被着面に被着され
たシールリング30上に気密シール用キャップとして光
透過用キャップ(以下、キャップと称することがある)
32を装着することによって、光半導体チップ28の上
面36とキャップ32の内側面38とが平行面となるよ
うに、光半導体チップ28とキャップ32とを平行に搭
載できる。また、セラミックパッケージ10の接続部2
0、20の接続面は、配線ボード34の端子上に載置さ
れ、はんだ35によって接続される。かかる接続部2
0、20の接続面は、図1に示す様に、ステージ部16
の半導体チップ搭載面と、シールリング用基部18、1
8のシールリング被着面と平行面であるため、配線ボー
ド34のボード面34と光半導体チップ28の上面36
及びキャップ32の内側面38とを平行面とすることが
できる。従って、図2に示す半導体装置によれば、光半
導体チップ28から発信される光信号又は光半導体チッ
プ28に受光される光信号を正確に送受信することがで
き、光通信等の信頼性を向上することができる。
【0017】図1に示す半導体装置用パッケージは、図
3に示す反りが発生したセラミックパッケージ10から
製造できる。このセラミックパッケージ10は、複数枚
のグリーンシートを積層し焼成した後、メタライズ層2
2等にニッケルめっき等の下地めっきを施して得られた
ものである。かかるセラミックパッケージ10には、同
時焼成によって内部導体パターン12、セラミックパッ
ケージ10の表面に現れる表面導体パターン14、1
4、及びメタライズ層22、22・・が形成されてい
る。この様な、表面導体パターン14、14及びメタラ
イズ層22、22・・は、通常、グリーンシート上にタ
ングステン(W) ペースト等のペーストをスクリーン印刷
してパターン形成した後に焼成されたものであり、焼成
したセラミック板上にペーストをスクリーン印刷して形
成した導体パターン等に比較し、得られたパターンの鮮
明性及び堅牢性を共に良好とすることができる。
3に示す反りが発生したセラミックパッケージ10から
製造できる。このセラミックパッケージ10は、複数枚
のグリーンシートを積層し焼成した後、メタライズ層2
2等にニッケルめっき等の下地めっきを施して得られた
ものである。かかるセラミックパッケージ10には、同
時焼成によって内部導体パターン12、セラミックパッ
ケージ10の表面に現れる表面導体パターン14、1
4、及びメタライズ層22、22・・が形成されてい
る。この様な、表面導体パターン14、14及びメタラ
イズ層22、22・・は、通常、グリーンシート上にタ
ングステン(W) ペースト等のペーストをスクリーン印刷
してパターン形成した後に焼成されたものであり、焼成
したセラミック板上にペーストをスクリーン印刷して形
成した導体パターン等に比較し、得られたパターンの鮮
明性及び堅牢性を共に良好とすることができる。
【0018】次いで、図4に示す様に、セラミックパッ
ケージ10の両面に形成したメタライズ層22、22・
・上に、銀(Ag)−銅(Cu)合金等の金属ろう材を流し込
み、セラミックパッケージ10の凹面側にセラミックパ
ッケージ10の反り以上の高さに盛り上げたステージ部
16及びシールリング用基部18を形成すると共に、セ
ラミックパッケージ10の凸面側にセラミックパッケー
ジ10の反り以上の高さに盛り上げた接続部20、20
を形成する。その後、ステージ部16の半導体チップ搭
載面とシールリング用基部18、18のシールリング被
着面とが同一平面24となるように、ステージ部16及
びシールリング用基部18の各上端部に研磨を施すと共
に、接続部20、20の接続面を含む平面26が平面2
4と平行となるように、接続部20、20の上端部に研
磨を施す。この様に、本実施例では、セラミックパッケ
ージ10の反り以上の高さに盛り上げたステージ部16
及びシールリング用基部18、及び接続部20、20の
上端部のみに研磨を施せばよく、更にステージ部16等
は金属ろう材によって形成されているため、セラミック
の研磨よりも極めて容易に研磨できる結果、セラミック
パッケージ10の両面全面を研磨する従来の製造方法に
比較し、研磨工程を著しく短縮できるのである。しか
も、研磨後に、表面導体パターンを形成するための導体
パターン形成工程を省略でき、半導体装置用パッケージ
の製造工程の簡素化を可能にできる。
ケージ10の両面に形成したメタライズ層22、22・
・上に、銀(Ag)−銅(Cu)合金等の金属ろう材を流し込
み、セラミックパッケージ10の凹面側にセラミックパ
ッケージ10の反り以上の高さに盛り上げたステージ部
16及びシールリング用基部18を形成すると共に、セ
ラミックパッケージ10の凸面側にセラミックパッケー
ジ10の反り以上の高さに盛り上げた接続部20、20
を形成する。その後、ステージ部16の半導体チップ搭
載面とシールリング用基部18、18のシールリング被
着面とが同一平面24となるように、ステージ部16及
びシールリング用基部18の各上端部に研磨を施すと共
に、接続部20、20の接続面を含む平面26が平面2
4と平行となるように、接続部20、20の上端部に研
磨を施す。この様に、本実施例では、セラミックパッケ
ージ10の反り以上の高さに盛り上げたステージ部16
及びシールリング用基部18、及び接続部20、20の
上端部のみに研磨を施せばよく、更にステージ部16等
は金属ろう材によって形成されているため、セラミック
の研磨よりも極めて容易に研磨できる結果、セラミック
パッケージ10の両面全面を研磨する従来の製造方法に
比較し、研磨工程を著しく短縮できるのである。しか
も、研磨後に、表面導体パターンを形成するための導体
パターン形成工程を省略でき、半導体装置用パッケージ
の製造工程の簡素化を可能にできる。
【0019】また、図1に示す半導体装置用パッケージ
は、研磨工程を省略しても製造可能である。この場合、
図5に示す様に、反りが発生したセラミックパッケージ
10のメタライズ層22、22・・上に、ステージ部1
6、シールリング用基部18、及び接続部20、20の
各々を形成する箇所に、所定量の銀(Ag)−銅(Cu)合金等
の金属ろう材を載置する。次いで、所定箇所に所定量の
金属ろう材が載置されたセラミックパッケージ10を、
互いの対向面が平行面となるように設定された板状の炭
素製治具40、42の間に挟み込む。この炭素製治具4
0、42は、予め炭素製治具40、42の対向面の各々
に、ステージ部16の半導体チップ搭載面、シールリン
グ用基部18、18のシールリング被着面、及び接続部
20、20の接続面が同時に当接するように、距離調整
されている。その後、セラミックパッケージ10を炭素
製治具40、42の間に挟み込みつつ金属ろう材が溶融
する温度に加熱することによって、図1に示す半導体装
置用パッケージを製造することができる。
は、研磨工程を省略しても製造可能である。この場合、
図5に示す様に、反りが発生したセラミックパッケージ
10のメタライズ層22、22・・上に、ステージ部1
6、シールリング用基部18、及び接続部20、20の
各々を形成する箇所に、所定量の銀(Ag)−銅(Cu)合金等
の金属ろう材を載置する。次いで、所定箇所に所定量の
金属ろう材が載置されたセラミックパッケージ10を、
互いの対向面が平行面となるように設定された板状の炭
素製治具40、42の間に挟み込む。この炭素製治具4
0、42は、予め炭素製治具40、42の対向面の各々
に、ステージ部16の半導体チップ搭載面、シールリン
グ用基部18、18のシールリング被着面、及び接続部
20、20の接続面が同時に当接するように、距離調整
されている。その後、セラミックパッケージ10を炭素
製治具40、42の間に挟み込みつつ金属ろう材が溶融
する温度に加熱することによって、図1に示す半導体装
置用パッケージを製造することができる。
【0020】図5に示す製造方法によれば、研磨工程を
省略できるため、半導体装置用パッケージの製造工程を
更に一層簡素化でき、半導体装置用パッケージの製造コ
ストの低減を図ることができる。また、得られた半導体
装置用パッケージにおいて、ステージ部16の半導体チ
ップ搭載面、シールリング用基部18、18のシールリ
ング被着面、及び接続部20、20の接続面の各々の粗
度は、研磨を施した場合(図4)に比較して粗いが、半
導体チップ搭載面と半導体チップとを接合する際に用い
られる金(Au)−シリコン(Si)合金等との接合力を向上し
得る。尚、本実施例では、治具40、40として炭素製
治具を使用したが、溶融金属に濡れない材質から成る治
具であれば使用することができる。
省略できるため、半導体装置用パッケージの製造工程を
更に一層簡素化でき、半導体装置用パッケージの製造コ
ストの低減を図ることができる。また、得られた半導体
装置用パッケージにおいて、ステージ部16の半導体チ
ップ搭載面、シールリング用基部18、18のシールリ
ング被着面、及び接続部20、20の接続面の各々の粗
度は、研磨を施した場合(図4)に比較して粗いが、半
導体チップ搭載面と半導体チップとを接合する際に用い
られる金(Au)−シリコン(Si)合金等との接合力を向上し
得る。尚、本実施例では、治具40、40として炭素製
治具を使用したが、溶融金属に濡れない材質から成る治
具であれば使用することができる。
【0021】以上、述べてきた図1〜図5に示す半導体
装置用パッケージは、セラミックパッケージ10の凹面
側にステージ部16及びシールリング用基部18、18
を形成し、セラミックパッケージ10の凸面側に接続部
20、20を形成したが、図6に示す様に、セラミック
パッケージ10の凸面側にステージ部16及びシールリ
ング用基部18、18を形成し、セラミックパッケージ
10の凹面側に接続部20、20を形成してもよいこと
は勿論のことである。また、ステージ部16の半導体チ
ップ搭載面とシールリング用基部18、18のシールリ
ング被着面とが平行面であれば、高さが異なっていても
よく、シールリング用基部18、18を樹脂製としても
よい。
装置用パッケージは、セラミックパッケージ10の凹面
側にステージ部16及びシールリング用基部18、18
を形成し、セラミックパッケージ10の凸面側に接続部
20、20を形成したが、図6に示す様に、セラミック
パッケージ10の凸面側にステージ部16及びシールリ
ング用基部18、18を形成し、セラミックパッケージ
10の凹面側に接続部20、20を形成してもよいこと
は勿論のことである。また、ステージ部16の半導体チ
ップ搭載面とシールリング用基部18、18のシールリ
ング被着面とが平行面であれば、高さが異なっていても
よく、シールリング用基部18、18を樹脂製としても
よい。
【0022】更に、図7に示す様に、セラミックパッケ
ージ10にキャビティ凹部44を形成し、キャビティ凹
部44内にステージ部16を形成すると共に、キャビテ
ィ凹部44の開口縁近傍にシールリング用基部18、1
8を形成してもよい。この場合、ステージ部16の半導
体チップ搭載面とシールリング用基部18、18のシー
ルリング被着面とを平行面とする。かかる図7に示す半
導体装置用パッケージの製造は、セラミックパッケージ
10上に金属ろう材を盛り上げて形成したステージ部1
6とシールリング用基部18、18との各上端部に、エ
ンドミル等によって研磨を施してもよいが、図8に示す
製造方法によれば、図7の半導体装置用パッケージを容
易に製造できる。図8に示す製造方法においては、所定
箇所に所定量の金属ろう材が載置されたセラミックパッ
ケージ10を炭素製治具40、42の間に挟み込みつ
つ、金属ろう材が溶融される温度に加熱する。
ージ10にキャビティ凹部44を形成し、キャビティ凹
部44内にステージ部16を形成すると共に、キャビテ
ィ凹部44の開口縁近傍にシールリング用基部18、1
8を形成してもよい。この場合、ステージ部16の半導
体チップ搭載面とシールリング用基部18、18のシー
ルリング被着面とを平行面とする。かかる図7に示す半
導体装置用パッケージの製造は、セラミックパッケージ
10上に金属ろう材を盛り上げて形成したステージ部1
6とシールリング用基部18、18との各上端部に、エ
ンドミル等によって研磨を施してもよいが、図8に示す
製造方法によれば、図7の半導体装置用パッケージを容
易に製造できる。図8に示す製造方法においては、所定
箇所に所定量の金属ろう材が載置されたセラミックパッ
ケージ10を炭素製治具40、42の間に挟み込みつ
つ、金属ろう材が溶融される温度に加熱する。
【0023】この図8に示す炭素製治具40の内側面に
は、セラミックパッケージ10のキャビティ凹部44内
に進入し、ステージ部16の半導体チップ搭載面に当接
する凸部46が形成され、且つ炭素製治具40の内側面
の平坦面は、シールリング用基部18、18のシールリ
ング被着面に当接する。尚、炭素製治具40の内側面と
の対向面である炭素製治具42の内側面は、炭素製治具
40の内側面の平坦面と平行面であって、セラミックパ
ッケージ10の接続部20、20と当接する。
は、セラミックパッケージ10のキャビティ凹部44内
に進入し、ステージ部16の半導体チップ搭載面に当接
する凸部46が形成され、且つ炭素製治具40の内側面
の平坦面は、シールリング用基部18、18のシールリ
ング被着面に当接する。尚、炭素製治具40の内側面と
の対向面である炭素製治具42の内側面は、炭素製治具
40の内側面の平坦面と平行面であって、セラミックパ
ッケージ10の接続部20、20と当接する。
【0024】これまで述べてきた半導体装置用パッケー
ジは、セラミックパッケージ10の各曲面上に、ステー
ジ部16、シールリング用基部18、18、及び接続部
20、20が形成されているものであるため、図2に示
す様に、はんだ等の金属ろう材によってシールリング3
0をシールリング用基部18、18に接合することを必
要とする。この点、図9に示す様に、セラミックパッケ
ージ10上に形成したシールリング用基部18、18の
シールリング被着面に、シールリング30、30を直接
接合しておくことによって、はんだ等の金属ろう材によ
ってシールリング30をシールリング用基部18、18
に接合する工程を省略でき、半導体装置の製造工程を簡
略化することができる。しかも、ステージ部16の半導
体チップ搭載面24とシールリング30、30のキャッ
プ搭載面48とを確実に平行面とすることもできる。
ジは、セラミックパッケージ10の各曲面上に、ステー
ジ部16、シールリング用基部18、18、及び接続部
20、20が形成されているものであるため、図2に示
す様に、はんだ等の金属ろう材によってシールリング3
0をシールリング用基部18、18に接合することを必
要とする。この点、図9に示す様に、セラミックパッケ
ージ10上に形成したシールリング用基部18、18の
シールリング被着面に、シールリング30、30を直接
接合しておくことによって、はんだ等の金属ろう材によ
ってシールリング30をシールリング用基部18、18
に接合する工程を省略でき、半導体装置の製造工程を簡
略化することができる。しかも、ステージ部16の半導
体チップ搭載面24とシールリング30、30のキャッ
プ搭載面48とを確実に平行面とすることもできる。
【0025】かかる図9に示す半導体装置用パッケージ
は、図10に示す様に、セラミックパッケージ10の一
面側を構成する曲面上に、ステージ部16とシールリン
グ用基部18、18との各々を形成する箇所に、所定量
の金属ろう材を載置した後、金属ろう材を載置したセラ
ミックパッケージを、互いの対向面が平行面となるよう
に上下方向に配設された二枚の板状の治具40、42の
間に挟み込み、次いで、金属ろう材が溶融する温度に加
熱し、ステージ部16とシールリング用基部18、18
との各々を盛り上げることによって製造することができ
る。この際に、治具40、42のうち、下側の治具42
の内側面にステージ部16の半導体チップ搭載面との当
接と、治具42の内側面に開口する凹溝50、50内に
挿入されたシールリング30、30の接合面とシールリ
ング用基部18、18のシールリング被着面との当接が
同時になされるように、二枚の治具40、42間の距離
を調整する。
は、図10に示す様に、セラミックパッケージ10の一
面側を構成する曲面上に、ステージ部16とシールリン
グ用基部18、18との各々を形成する箇所に、所定量
の金属ろう材を載置した後、金属ろう材を載置したセラ
ミックパッケージを、互いの対向面が平行面となるよう
に上下方向に配設された二枚の板状の治具40、42の
間に挟み込み、次いで、金属ろう材が溶融する温度に加
熱し、ステージ部16とシールリング用基部18、18
との各々を盛り上げることによって製造することができ
る。この際に、治具40、42のうち、下側の治具42
の内側面にステージ部16の半導体チップ搭載面との当
接と、治具42の内側面に開口する凹溝50、50内に
挿入されたシールリング30、30の接合面とシールリ
ング用基部18、18のシールリング被着面との当接が
同時になされるように、二枚の治具40、42間の距離
を調整する。
【0026】ところで、図1〜図10において述べてき
た半導体装置用パッケージでは、外部端子との接続に使
用される接続部20は、セラミックパッケージ10と同
時焼成したメタライズ層22上に金属ろう材を盛り上げ
て形成している。しかし、接続部20、20の接続面を
含む平面26と、ステージ部16の半導体チップ搭載面
及びシールリング用基部18、18のシールリング被着
面を含む平面24との平行度が厳格に要求されない場
合、メタライズ層22上に従来から使用されてきたピン
タイプやはんだボールタイプの接続部を形成してもよ
い。
た半導体装置用パッケージでは、外部端子との接続に使
用される接続部20は、セラミックパッケージ10と同
時焼成したメタライズ層22上に金属ろう材を盛り上げ
て形成している。しかし、接続部20、20の接続面を
含む平面26と、ステージ部16の半導体チップ搭載面
及びシールリング用基部18、18のシールリング被着
面を含む平面24との平行度が厳格に要求されない場
合、メタライズ層22上に従来から使用されてきたピン
タイプやはんだボールタイプの接続部を形成してもよ
い。
【0027】
【発明の効果】本発明によれば、導体パターン等の同時
焼成によって反りが発生したセラミックパッケージを使
用し、搭載される半導体チップと気密シール用キャップ
との平行度が厳格に要求される半導体装置用パッケージ
の製造工程の簡素化を図ることができる。また、導体パ
ターン等も同時焼成によって形成されるため、導体パタ
ーン等の堅牢性を向上でき、最終的に得られる半導体装
置の信頼性の向上を図ることも可能である。
焼成によって反りが発生したセラミックパッケージを使
用し、搭載される半導体チップと気密シール用キャップ
との平行度が厳格に要求される半導体装置用パッケージ
の製造工程の簡素化を図ることができる。また、導体パ
ターン等も同時焼成によって形成されるため、導体パタ
ーン等の堅牢性を向上でき、最終的に得られる半導体装
置の信頼性の向上を図ることも可能である。
【図1】本発明の半導体装置用パッケージに係る一実施
例を示す縦断面図である。
例を示す縦断面図である。
【図2】図1に示す半導体装置用パッケージを使用した
半導体装置を示す縦断面図である。
半導体装置を示す縦断面図である。
【図3】図1に示す半導体装置用パッケージに使用され
るセラミックパッケージを示す縦断面図である。
るセラミックパッケージを示す縦断面図である。
【図4】図1に示す半導体装置用パッケージの製造方法
の一例を説明するための説明図である。
の一例を説明するための説明図である。
【図5】図1に示す半導体装置用パッケージの製造方法
の他の例を説明するための説明図である。
の他の例を説明するための説明図である。
【図6】本発明の半導体装置用パッケージに係る他の実
施例を示す縦断面図である。
施例を示す縦断面図である。
【図7】本発明の半導体装置用パッケージに係る他の実
施例を示す縦断面図である。
施例を示す縦断面図である。
【図8】図7に示す半導体装置用パッケージの製造方法
の一例を説明するための説明図である。
の一例を説明するための説明図である。
【図9】本発明の半導体装置用パッケージに係る他の実
施例を示す縦断面図である。
施例を示す縦断面図である。
【図10】図10に示す半導体装置用パッケージの製造
方法の一例を説明するための説明図である。
方法の一例を説明するための説明図である。
10 セラミックパッケージ 12 内部配線 14 表面導体パターン 16 ステージ部 18 シールリング用基部 20 接続部 22 メタライズ層
Claims (8)
- 【請求項1】 導体パターン等が同時焼成されたセラミ
ックパッケージに搭載された半導体チップを気密シール
する気密シール用キャップが装着される半導体装置用パ
ッケージにおいて、 該同時焼成によって反りが発生したセラミックパッケー
ジの一面側を構成する曲面上に溶融材料が盛り上げられ
て形成された、前記半導体チップが搭載される半導体チ
ップ搭載面が平坦面であるステージ部と、前記気密シー
ル用キャップを装着するシールリングが被着されるシー
ルリング被着面とが平坦面であるシールリング用基部と
を具備し、 且つ前記半導体チップ搭載面とシールリング被着面とが
同一平面又は平行面に形成されていることを特徴とする
半導体装置用パッケージ。 - 【請求項2】 同時焼成によって反りが発生したセラミ
ックパッケージの他面側を構成する曲面上に溶融金属が
盛り上げられて形成された、外部端子との接続面が平坦
面である接続部を具備し、 且つ前記接続部の接続面が、半導体チップ搭載面及びシ
ールリング被着面に対して平行面に形成されている請求
項1記載の半導体装置用パッケージ。 - 【請求項3】 シールリング基部のシールリング被着面
にシールリングの接合面が直接接合されている請求項1
記載の半導体装置用パッケージ。 - 【請求項4】 導体パターン等が同時焼成されたセラミ
ックパッケージに搭載された半導体チップを気密シール
する気密シール用キャップが装着される半導体装置用パ
ッケージを製造する際に、 該同時焼成によって反りが発生したセラミックパッケー
ジの一面側を構成する曲面上の所定箇所に溶融材料を流
し込み、前記半導体チップが搭載されるステージ部と、
前記気密シール用キャップを装着するシールリングが被
着されるシールリング用基部との各々を所定高さまで盛
り上げ、 次いで、前記盛り上げたステージ部とシールリング用基
部との上端部に研磨を施し、半導体チップ搭載面とシー
ルリング被着面とが同一平面又は平行面に形成されるよ
うに、前記半導体チップ搭載面とシールリング被着面と
を平坦化することを特徴とする半導体装置用パッケージ
の製造方法。 - 【請求項5】 同時焼成によって反りが発生したセラミ
ックパッケージの他面側を構成する曲面上の所定箇所に
溶融金属を流し込み、外部端子と接続される接続部を所
定高さまで盛り上げ、 次いで、前記盛り上げた接続部の上端部に研磨を施し、
ステージ搭載面及びシールリング被着面に対して平行面
に形成されるように、外部端子との接続面を平坦化する
請求項4記載の半導体装置用パッケージの製造方法。 - 【請求項6】 導体パターン等が同時焼成されたセラミ
ックパッケージに搭載された半導体チップを気密シール
する気密シール用キャップが装着される半導体装置用パ
ッケージを製造する際に、 該同時焼成によって反りが発生したセラミックパッケー
ジの一面側を構成する曲面上において、前記半導体チッ
プが搭載されるステージ部と、前記気密シール用キャッ
プを装着するシールリングが被着されるシールリング用
基部との各々を形成する箇所に、所定量の金属ろう材を
載置し、 次いで、前記金属ろう材を載置したセラミックパッケー
ジを、互いの対向面が平行面となるように設定された二
枚の板状の治具間に挟み込むと共に、 前記治具の対向面の一方に、前記ステージ部の半導体チ
ップ搭載面とシールリング用基部のシールリング被着面
とが同時に当接するように、二枚の治具間の距離を調整
した後、 前記治具間に挟まれたセラミックパッケージを金属ろう
材が溶融する温度に加熱し、前記ステージ部とシールリ
ング用基部との各々を盛り上げることを特徴とする半導
体装置用パッケージの製造方法。 - 【請求項7】 同時焼成によって反りが発生したセラミ
ックパッケージの他面側を構成する曲面上において、外
部端子と接続される接続部を形成する箇所に、所定量の
金属ろう材を載置し、 次いで、前記金属ろう材を載置したセラミックパッケー
ジを、互いの対向面が平行面である二枚の治具間に挟み
込むと共に、 前記治具の対向面の各々に、前記ステージ部の半導体チ
ップ搭載面、シールリング用基部のシールリング被着
面、及び接続部の接続面が同時に当接するように、二枚
の治具間の距離を調整した後、 前記治具間に挟み込まれたセラミックパッケージを金属
ろう材が溶融する温度に加熱し、前記接続部を盛り上げ
る請求項6記載の半導体装置用パッケージの製造方法。 - 【請求項8】 ステージ部の半導体チップ搭載面が当接
する治具面に形成された凹溝内に挿入されたシールリン
グの接合面と、載置された金属ろう材によって形成され
るシールリング用基部のシールリング被着面とが当接し
て接合されるように、二枚の治具間の距離を調整する請
求項6記載の半導体装置用パッケージの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29632593A JPH07147348A (ja) | 1993-11-26 | 1993-11-26 | 半導体装置用パッケージ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29632593A JPH07147348A (ja) | 1993-11-26 | 1993-11-26 | 半導体装置用パッケージ及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07147348A true JPH07147348A (ja) | 1995-06-06 |
Family
ID=17832081
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29632593A Pending JPH07147348A (ja) | 1993-11-26 | 1993-11-26 | 半導体装置用パッケージ及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07147348A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011222791A (ja) * | 2010-04-12 | 2011-11-04 | Murata Mfg Co Ltd | モジュール基板の製造方法 |
JP2015065188A (ja) * | 2013-09-24 | 2015-04-09 | Ngkエレクトロデバイス株式会社 | 電子部品収納用パッケージ |
WO2018135650A1 (ja) * | 2017-01-19 | 2018-07-26 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及び電子部品の製造方法 |
JP2020113686A (ja) * | 2019-01-16 | 2020-07-27 | 三菱マテリアル株式会社 | ヒートシンク付き絶縁回路基板の製造方法及びヒートシンク付き絶縁回路基板 |
-
1993
- 1993-11-26 JP JP29632593A patent/JPH07147348A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US11722112B2 (en) | 2017-01-19 | 2023-08-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Manufacturing method for electronic component |
JP2020113686A (ja) * | 2019-01-16 | 2020-07-27 | 三菱マテリアル株式会社 | ヒートシンク付き絶縁回路基板の製造方法及びヒートシンク付き絶縁回路基板 |
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