JPWO2018008088A1 - 基板処理装置、ガスノズルおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents

基板処理装置、ガスノズルおよび半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2018008088A1
JPWO2018008088A1 JP2018525862A JP2018525862A JPWO2018008088A1 JP WO2018008088 A1 JPWO2018008088 A1 JP WO2018008088A1 JP 2018525862 A JP2018525862 A JP 2018525862A JP 2018525862 A JP2018525862 A JP 2018525862A JP WO2018008088 A1 JPWO2018008088 A1 JP WO2018008088A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nozzle
gas
slit
substrate
processing apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018525862A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6695975B2 (ja
Inventor
周平 西堂
周平 西堂
隆史 佐々木
隆史 佐々木
花島　建夫
建夫 花島
吉田　秀成
秀成 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kokusai Electric Corp
Original Assignee
Kokusai Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kokusai Electric Corp filed Critical Kokusai Electric Corp
Publication of JPWO2018008088A1 publication Critical patent/JPWO2018008088A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6695975B2 publication Critical patent/JP6695975B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

［課題］ 基板の面間均一性を向上させることが可能となる。
［解決手段］ 複数枚の基板を処理する処理室と、処理室内にガスを供給するノズルと、を備え、ノズルは、縦方向に開口したスリットを有し、スリットは、ノズルの先端部の頂点まで形成されている。

Description

本発明は、基板処理装置、ガスノズルおよび半導体装置の製造方法に関するものである。
半導体装置（デバイス）の製造工程における基板処理では、例えば、複数枚の基板を一括して処理する縦型基板処理装置が使用されている。縦型基板処理装置では多孔ノズルを用いて基板に対しガスを供給することがある（例えば、特許文献１）。
特開２００４−６５５１号公報
しかしながら、多孔ノズルの形状とガスの種類によっては、多孔ノズル内でガスが過剰に分解してしまい、基板の面間均一性に悪影響を及ぼすことがある。本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板の面間均一性を向上させることが可能な技術を提供することにある。
本発明の一態様によれば、
複数枚の基板を処理する処理室と、
前記処理室内にガスを供給するノズルと、を備え、
前記ノズルは、
縦方向に開口したスリットを有し、
前記スリットは、前記ガスノズルの先端部の頂点まで形成されている技術が提供される。
本発明によれば、基板の面間均一性を向上させることが可能となる。
本発明の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の一例を概略的に示す縦断面図である。 本発明の実施形態で好適に用いられる処理炉の一例を概略的に示す平面図である。 本発明の実施形態で好適に用いられるノズルの一例を概略的に示す斜視図である。 各ノズル形状におけるガス流量とノズル内圧のシミュレーション結果を示す図である。 各ノズル形状におけるウエハ中央のガス流速のシミュレーション結果を示す図である。 各ノズル形状におけるウエハ中央のガス流速のシミュレーション結果を示す図である。 （Ａ）は本発明の一実施形態におけるノズルの変形例を、（Ｂ）は本発明の一実施形態における他のノズルの変形例を、（Ｃ）は本発明の一実施形態におけるノズルのさらに他の変形例を、（Ｄ）は本発明の一実施形態におけるノズルのさらに他の変形例をそれぞれ示す図である。 第２の実施形態で好適に用いられるノズルの一例を概略的に示す斜視図である。 第２の実施形態で好適に用いられる処理炉の一例を概略的に示す平面図である。 第２の実施形態で好適に用いられるノズルのＳｉラジカル濃度分布のシミュレーション結果を示す図である。 第２の実施形態で好適に用いられるノズルのＳｉラジカル濃度分布のシミュレーション結果を示す図である。 （Ａ）は本発明の第２の実施形態におけるノズルの変形例を、（Ｂ）は本発明の第２の実施形態における他のノズルの変形例をそれぞれ示す図である。
以下、図面を参照しながら、本発明の限定的でない例示の実施形態について説明する。全図面中、同一または対応する構成については、同一または対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
本実施形態において、基板処理装置は、半導体装置（デバイス）の製造方法における製造工程の一工程として熱処理等の基板処理工程を実施する縦型基板処理装置（以下、処理装置と称する）２として構成されている。図１に示すように、処理装置２は、円筒形状の反応管１０と、反応管１０の外周に設置された加熱手段（加熱機構）としてのヒータ１２とを備える。反応管は、例えば石英やＳｉＣにより形成される。反応管１０の内部には、基板としてのウエハＷを処理する処理室１４が形成される。
図２に示すように、反応管１０には、外方に突出するようにガス供給室としての供給バッファ室１０Ａと排気バッファ室１０Ｂが対面して形成されている。供給バッファ室１０Ａ内および排気バッファ室１０Ｂ内は、隔壁１０Ｃによって複数の空間に区画されている。供給バッファ室１０Ａ内の各区画には、後述するノズル４４ａ、４４ｂがそれぞれ設置される。供給バッファ室１０Ａおよび排気バッファ室１０Ｂの内壁側（処理室１４側）には、複数の横長形状のスリット１０Ｄがそれぞれ形成されている。反応管１０には、温度検出器としての温度検出部１６が設置される。温度検出部１６は、反応管１０の外壁に沿って立設されている。
図１に示すように、反応管１０の下端開口部には、円筒形のマニホールド１８が、Ｏリング等のシール部材２０を介して連結され、反応管１０の下端を支持している。マニホールド１８は、例えばステンレス等の金属により形成されている。マニホールド１８の下端開口部は円盤状の蓋部２２によって開閉される。蓋部２２は、例えば金属により形成されている。蓋部２２の上面にはＯリング等のシール部材２０が設置されており、これにより、反応管１０内と外気とが気密にシールされている。蓋部２２上には、中央に上下に亘って孔が形成された断熱部２４が載置されている。断熱部２４は、例えば石英により形成されている。
処理室１４は、複数枚、例えば２５〜１５０枚のウエハＷを垂直に棚状に支持する基板保持具としてのボート２６を内部に収納する。ボート２６は、例えば石英やＳｉＣより形成される。ボート２６は、蓋部２２および断熱部２４を貫通する回転軸２８により、断熱部２４の上方に支持される。蓋部２２の回転軸２８が貫通する部分には、例えば、磁性流体シールが設けられ、回転軸２８は蓋部２２の下方に設置された回転機構３０に接続される。これにより、回転軸２８は反応管１０の内部を気密にシールした状態で回転可能に構成される。蓋部２２は昇降機構としてのボートエレベータ３２により上下方向に駆動される。これにより、ボート２６および蓋部２２が一体的に昇降され、反応管１０に対してボート２６が搬入出される。
処理装置１０は、基板処理に使用されるガスを処理室１４内に供給するガス供給機構３４を備えている。ガス供給機構３４が供給するガスは、成膜される膜の種類に応じて換えられる。ここでは、ガス供給機構３４は、原料ガス供給部、反応ガス供給部および不活性ガス供給部を含む。
原料ガス供給部は、ガス供給管３６ａを備え、ガス供給管３６ａには、上流方向から順に、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）３８ａおよび開閉弁であるバルブ４０ａが設けられている。ガス供給管３６ａはマニホールド１８の側壁を貫通するノズル４４ａに接続される。ノズル４４ａは、供給バッファ室１０Ａ内に上下方向に沿って立設し、ボート２６に保持されるウエハＷに向かって開口するガス供給口としての縦長形状のスリット４５ａが形成されている。ノズル４４ａのスリット４５ａを通して供給バッファ室１０Ａ内に原料ガスが拡散され、供給バッファ室１０Ａのスリット１０Ｄを介してウエハＷに対して原料ガスが供給される。ノズル４４ａの詳細については後述する。
以下、同様の構成にて、反応ガス供給部からは、供給管３６ｂ、ＭＦＣ３８ｂ、バルブ４０ｂ、ノズル４４ｂおよびスリット１０Ｄを介して、反応ガスがウエハＷに対して供給される。ノズル４４ｂには、ボート２６に保持されるウエハＷに向かって開口する複数のガス供給孔４５ｂが形成されている。不活性ガス供給部からは、供給管３６ｃ、３６ｄ、ＭＦＣ３８ｃ、３８ｄ、バルブ４０ｃ、４０ｄ、ノズル４４ａ、４４ｂおよびスリット１０Ｄを介して、ウエハＷに対して不活性ガスが供給される。
反応管１０には、排気バッファ室１０Ｂに連通するように、排気管４６が取り付けられている。排気管４６には、処理室１４内の圧力を検出する圧力検出器（圧力検出部）としての圧力センサ４８および圧力調整器（圧力調整部）としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ５０を介して、真空排気装置としての真空ポンプ５２が接続されている。このような構成により、処理室１４内の圧力を処理に応じた処理圧力とすることができる。
回転機構３０、ボートエレベータ３２、ガス供給機構３４のＭＦＣ３８ａ〜ｄおよびバルブ４０ａ〜ｄ、ＡＰＣバルブ５０には、これらを制御するコントローラ１００が電気的に接続されている。コントローラ１００は、例えば、ＣＰＵを備えたマイクロプロセッサ（コンピュータ）からなり、処理装置２の動作を制御するよう構成されている。コントローラ１００には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置１０２が接続されている。
コントローラ１００には記憶媒体としての記憶部１０４が接続されている。記憶部１０４には、処理装置１０の動作を制御する制御プログラムや、処理条件に応じて処理装置２の各構成部に処理を実行させるためのプログラム（レシピとも言う）が、読み出し可能に格納される。
記憶部１０４は、コントローラ１００に内蔵された記憶装置（ハードディスクやフラッシュメモリ）であってもよいし、可搬性の外部記録装置（磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）であってもよい。また、コンピュータへのプログラムの提供は、インターネットや専用回線等の通信手段を用いて行ってもよい。プログラムは、必要に応じて、入出力装置１０２からの指示等にて記憶部１０４から読み出され、読み出されたレシピに従った処理をコントローラ１００が実行することで、処理装置２は、コントローラ１００の制御のもと、所望の処理を実行する。
次に、上述の処理装置２を用い、基板上に膜を形成する処理（成膜処理）について説明する。ここでは、ウエハＷに対して、原料ガスとしてＨＣＤＳ（Ｓｉ２Ｃｌ６ ：ヘキサクロロジシラン）ガスと、反応ガスとしてＮＨ３（アンモニア）ガスとを供給することで、ウエハＷ上にシリコン窒化（ＳｉＮ）膜を形成する例について説明する。なお、以下の説明において、処理装置２を構成する各部の動作はコントローラ１００により制御される。
（ウエハチャージおよびボートロード）
複数枚のウエハＷがボート２６に装填（ウエハチャージ）されると、ボート２６は、ボートエレベータ３２によって処理室１４内に搬入（ボートロード）され、反応管１０の下部開口は蓋部２２によって気密に閉塞（シール）された状態となる。
（圧力調整および温度調整）
処理室１４内が所定の圧力（真空度）となるように、真空ポンプ５２によって真空排気（減圧排気）される。処理室１４内の圧力は、圧力センサ４８で測定され、この測定された圧力情報に基づきＡＰＣバルブ５０がフィードバック制御される。また、処理室１４内のウエハＷが所定の温度となるように、ヒータ１２によって加熱される。この際、処理室１４が所定の温度分布となるように、温度検出部１６が検出した温度情報に基づきヒータ１２への通電具合がフィードバック制御される。また、回転機構３０によるボート２６およびウエハＷの回転を開始する。
（成膜処理）
［原料ガス供給工程］
処理室１４内の温度が予め設定された処理温度に安定すると、処理室１４内のウエハＷに対してＨＣＤＳガスを供給する。ＨＣＤＳガスは、ＭＦＣ３８ａにて所望の流量となるように制御され、ガス供給管３６ａ、ノズル４４ａおよびスリット１０Ｄを介して処理室１４内に供給される。
［原料ガス排気工程］
次に、ＨＣＤＳガスの供給を停止し、真空ポンプ５２により処理室１４内を真空排気する。この時、不活性ガス供給部から不活性ガスとしてＮ２ガスを処理室１４内に供給しても良い（不活性ガスパージ）。
［反応ガス供給工程］
次に、処理室１４内のウエハＷに対してＮＨ３ガスを供給する。ＮＨ３ガスは、ＭＦＣ３８ｂにて所望の流量となるように制御され、ガス供給管３６ｂ、ノズル４４ｂおよびスリット１０Ｄを介して処理室１４内に供給される。
［反応ガス排気工程］
次に、ＮＨ３ガスの供給を停止し、真空ポンプ５２により処理室１４内を真空排気する。この時、不活性ガス供給部からＮ２ガスを処理室１４内に供給しても良い（不活性ガスパージ）。
上述した４つの工程を行うサイクルを所定回数（１回以上）行うことにより、ウエハＷ上に、所定組成および所定膜厚のＳｉＮ膜を形成することができる。
（ボートアンロードおよびウエハディスチャージ）
所定膜厚の膜を形成した後、不活性ガス供給部からＮ２ガスが供給され、処理室１４内の雰囲気がＮ２ガスに置換されると共に、処理室１４の圧力が常圧に復帰される。その後、ボートエレベータ３２により蓋部２２が降下されて、ボート２６が反応管１０から搬出（ボートアンロード）される。その後、処理済ウエハＷはボート２６より取出される（ウエハディスチャージ）。
ウエハＷにＳｉＮ膜を形成する際の処理条件としては、例えば、下記が例示される。
処理温度（ウエハ温度）：３００℃〜７００℃、
処理圧力（処理室内圧力）：１Ｐａ〜４０００Ｐａ、
ＨＣＤＳガス：１００ｓｃｃｍ〜１００００ｓｃｃｍ、
ＮＨ３ガス：１００ｓｃｃｍ〜１００００ｓｃｃｍ、
Ｎ２ガス：１００ｓｃｃｍ〜１００００ｓｃｃｍ、
それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内の値に設定することで、成膜処理を適正に進行させることが可能となる。
次に、第１の実施形態におけるノズル４４ａの形状について説明する。
図３に示すように、ノズル４４ａは先端がドーム状に形成されたロングノズルであり、ノズル４４ａの側面（ウエハＷ側）には、ウエハ配列方向に沿ってガス供給口として細長形状のスリット４５ａが形成されている。スリット４５ａの長さは、好ましくは、ウエハＷの配列長よりも長くするのが良い。例えば、ウエハＷの配列長に、ウエハＷ間（ピッチ間）分の長さを上下に加えた長さが好ましい。すなわち、スリット４５ａの上端の位置がボート２６に保持される最上段のウエハＷの高さ位置より高くなるように、また、スリット４５ａの下端の位置がボート２６に保持される最下段のウエハＷの高さ位置より低くなるように形成することが好ましい。このような構成により、ウエハＷの配列方向において、均等な量でガスを供給することができる。
スリットの幅は、好ましくは、０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下（０．５ｍｍ〜３ｍｍ）であり、より好ましくは、１〜２ｍｍである。言い換えれば、スリットの幅は、好ましくは、ノズル４４ａの内径の０．０２倍以上０．２倍以下（０．０２〜０．２倍）であり、より好ましくは、０．０４〜０．１３倍である。スリット幅が０．５ｍｍより狭い場合（ノズル４４ａの内径の０．０２倍未満の場合）、ノズル内圧が上昇してしまう。また、スリット幅が３ｍｍより広い場合（ノズル４４ａの内径の０．２倍より大きい場合）、ウエハＷの成膜均一性が悪化してしまう。よって、スリットの幅を０．５ｍｍ〜３ｍｍ（ノズル４４ａの内径の０．０２〜０．２倍）とすることにより、ノズル内圧の過剰な上昇を抑制でき、成膜均一性を向上させることができる。また、スリットの幅を１〜２ｍｍ（ノズル４４ａの内径の０．０４〜０．１３倍）とすることにより、より成膜均一性を向上させることができる。
ノズル４４ａのスリット４５ａは、先端部（ドーム状の天井部）の頂点まで形成されている。このような構成により、ノズル４４ａ内先端部のガス滞留を抑制することができる。また、ノズル４４ａ内の残留ガスを効率的にパージすることができ、生産性を向上させることができる。また、供給バッファ室１０Ａ内の上部に向けてガスを供給することにより、供給バッファ室１０Ａの上部におけるガスの滞留を抑制することができる。さらに、供給バッファ室１０Ａ内において、上下方向でガス拡散を均一化することができる。
次に、多孔ノズルおよび先端開放ノズルと第１の実施形態におけるノズル（スリットノズル）との比較結果について説明する。ここでは、処理室温度を６５０℃、処理室圧力を５Ｐａとし、ＨＣＤＳガスを各ノズルより流したものとしてシミュレーションを行った。
まず、図４を用いて、ノズル内圧のシミュレーション結果について説明する。図４に示すように、スリットノズルは多孔ノズルよりもノズル内圧を大幅に下げることができる。また、多孔ノズルは、ガス流量を２倍にすると、ノズル内圧も約２倍となり、さらに、ノズル内圧は高い圧力のままになっている。これに対し、スリットノズルは、ガス流量を２倍にしても、ノズル内圧は低いままである。すなわち、スリットノズルにおいては、ガス流量を増加させても、ノズルの内圧をガスがノズル内で分解する所定の圧力よりも低い圧力に維持することができることが分かる。また、スリットノズルのスリット幅が広いほど、ノズル内圧を低くさせることができる。
次に、図５および図６を用いて、ウエハ中央部でのガス流速のシミュレーション結果について説明する。図５に示すように、多孔ノズルとスリットノズルとの間で、流速の面間均一性に大きな差はない。すなわち、スリットノズルにおいては、流速の面間均一性を確保しつつ、ノズル内圧を低減させることができる。
図６に示すように、先端開放ノズルでは、ガス流量を２倍とすると、面間の流速分布が大きく変化する。すなわち、ガス流量を増やすと、下部のウエハの流速はほとんど変化しない一方で、上部のウエハの流速が速くなる。先端開放ノズルでは、ガス流量を増やすことにより、ガスの噴き上げ高さが高くなるため、上部のウエハではガスが大量に流れ込み、ガス流速が速くなる。一方で、下部のウエハではガスの流れ込み量に変化がないため、ガスの流速はほとんど変わらない。これに対し、スリットノズルでは面間の流速分布の形状はほとんど変化せずに、全体的に流速が速くなっている。すなわち、スリットノズルとすることにより、面間の流速分布を確保したままガス流量を変化させることができる。
＜本実施形態による効果＞
本実施形態によれば、以下に示す１つ又は複数の効果が得られる。
（１）スリットを天井部の頂上まで形成することにより、ノズル内のガス滞留を抑制することができる。ガスの滞留部があると、その部分でガスの分解が進むことにより、ガスの濃度が面間で不均一になってしまうことがある。また、ガス滞留を抑制することにより、ノズル内に残った原料ガスを不活性ガスによってパージするための時間を短縮することができ、生産性を向上させることができる。
（２）ガス供給口をスリット形状とすることにより、ガス流量を増加させてもノズル内圧の上昇を抑制することができ、また、ガス流量を増加させることができるため、プロセスウインドウを広げることができ、成膜の品質を向上させることができる。また、ノズル内圧が上昇すると、ノズル内でガスが成膜してしまい、パーティクルの発生源となってしまうことがある。本発明のノズルによれば、ノズル内圧の上昇を抑制できるため、パーティクルの発生を抑制することができる。
（３）ガスを２段階で整流させることにより、面間の均一性を向上させることができる。ノズルから供給されたガスは、
ノズルスリットで整流されて均一に流れ、さらに供給バッファ室のスリットでもう一段階整流されることにより、上下方向に均一の濃度でウエハに供給することができる。
（変形例）
本実施形態におけるノズルは、上述の態様に限定されず、以下に示す変形例のような態様に変更することができる。
（変形例１）
図７（Ａ）に示すように、スリット４５ａは先端部の頂点までではなく、頂点を超えて後ろ側（反対側）まで形成しても良い。このような構成により、ガスが滞留しやすいバッファ室１０Ａの上部の角部へもガスを直接供給できるため、角部におけるガスの滞留を抑制することができ、膜の品質を向上させることができる。
（変形例２）
図７（Ｂ）に示すように、スリット４５ａの上方（例えば、スリット４５ａ上部の１／３程度）の幅を下方の幅よりも大きく形成しても良い。このような構成により、上部におけるガス流量を増加させることができ、面間均一性を向上させることができる。
（変形例３）
図７（Ｃ）に示すように、スリット４５ａの上端は開放されていても良い。このとき、スリット４５ａは上端まで形成されていなくても良い。このような構成により、上部におけるガス流量を増加させることができ、面間均一性を向上させることができる。また、ノズル内のガス滞留を抑制することができ、膜の特性を向上させることができる。
（変形例４）
図７（Ｄ）に示すように、スリットは複数に複数に分割されていても良い。このような構成により、ノズルの強度を向上させることができる。
次に、第２の実施形態のノズル４４ａについて説明する。ここで、スリット４５ａの形状は第１の実施形態と同様に構成される。
図８に示すように、ノズル４４ａは上方に立ち上がり、折り返し部７０で下方に折り返す逆Ｕ字形状に形成されている。折り返し部７０より下流側の下流部７２には、ガス供給口としてのスリット４５ａが形成されている。このような構成により、折り返し部７０より上流側の上流部７４において、ガスをヒータ１２より加熱させることができる。上流部７４においてガスを効率的に加熱することができるため、所望の分解状態でガスをウエハＷに供給することができる。例えば、ガスの分解状態は上下間でモル分率１０％以下とすることができる。ガスの分解状態が上下間でモル分率１０％よりも大きい場合、面間均一性に悪影響を及ぼしてしまう。
上流部７４の下方には、ガス供給管と接続する基部７８が形成される。また、基部７８と上流部７４とを接続するように傾斜部７６が形成される。上流部７４、下流部７２および基部７８は互いに平行に形成される。ノズル４４ａは、正面視において、基部７８の中心線Ｃ１が上流部７４の中心線Ｃ２と下流部７２の中心線Ｃ３との間に位置するように構成される。ここでは、例えば基部７８の中心線Ｃ１が上流部７４の内側の外壁に、上流部７４の中心線Ｃ２が基部７８の外側の外壁に位置するように構成されている。基部７８の中心線Ｃ１が上流部７４の中心線Ｃ２と下流部７２の中心線Ｃ３との中間に位置するように構成されていても良い。このような構成により、ノズル４４ａを安定して支持することができ、ノズル４４ａ内のガス流れをスムーズにすることができる。
正面視において、第２の実施形態におけるノズル４４ａのスリット４５ａの形成位置は、第１の実施形態におけるノズルのスリットの形成位置よりも、水平方向にずれている。すなわち、第１の実施形態においては、第２の実施形態における基部７８の中心線Ｃ１上にスリットが形成されている。これに対し、第２の実施形態においては、スリット４５ａは下流部７２の中心線Ｃ３上に形成されている。下流部７２は、ウエハ領域をカバーできる位置まで下方に延伸して形成されている。例えば、下流部７２の先端部は、ボート２６の下板と同じ高さ位置以下となるように形成されている。また、折り返し部７０は、ボート２６の上板と同じ高さ位置以上となるように形成される。このような構成により、スリット４５ａを、ウエハＷの配列長よりも長く形成することができる。
図９に示すように、スリット４５ａがウエハＷの中心を向くように、ノズル４４ａは供給バッファ室１０Ａ内で斜めに設置される。つまり、ノズル４４ａは、隣接するノズル４４ｂの中心とウエハＷの中心とを結ぶ線を半径ｒとした仮想円Ｒ上に、上流部７４の中心と下流部７２の中心とが位置するように設置される。好ましくは、平面視において、上流部７４の中心と下流部７２の中心とを結ぶ線Ｌ１と、基部７８の中心とウエハＷの中心を結ぶ線Ｌ２とのなす角（Ｌ１からＬ２へ反時計回りに向かう角）が０度〜９０度となるように配置される。線Ｌ１と線Ｌ２とのなす角が０度よりも小さい場合、または、９０度よりも大きい場合、供給バッファ室１０Ａの壁面に対して供給されるガスが多くなってしまい、ガスの流速や流量が抑制されてしまうことがある。よって、ノズル４４ａは、線Ｌ１と線Ｌ２とのなす角が０度〜９０度となるように配置されることが好ましい。言い換えれば、上流部７４の方が下流部７２よりもヒータ１２に近く、下流部７２の方が上流部７４よりもウエハＷに近くなるように設置されても良い。より好ましくは、線Ｌ１と線Ｌ２とのなす角が直角となるように配置される。このような構成により、ガスをウエハＷ中央に向けて供給することができる。また、ウエハＷと各ノズルのガス供給孔との距離を同一とすることができる。
スリット４５ａは、平面視において、線Ｌ１よりもウエハＷ側の領域に形成されることが好ましい。言い換えれば、スリット４５ａは、平面視において、線Ｌ１を基準として、反時計回りに０度〜１８０度の範囲（半円上）に形成されることが好ましい。すなわち、正面視において下流部７２の中心線Ｃ３上ではなく、中心線Ｃ３よりも上流部７４側（内側）または外側に片寄って形成されていても良い。このような構成により、上述のように、ノズル４４ａを、線Ｌ１と、線Ｌ２とのなす角が０度〜９０度となるように設置した場合においても、ウエハＷ中央に向けてガスを供給することができる。
次に、第１の実施形態におけるノズル（スリットノズル）と第２の実施形態におけるノズル（Ｕ形スリットノズル）のシミュレーション結果について説明する。ここでは、ＨＣＤＳガスを用いてシミュレーションを行った。
図１０に示すように、Ｕ形スリットノズルを用いることで、Ｓｉラジカル濃度の面間均一性をさらに向上させることができる。特に、ウエハの中心部分において、上下間のＨＣＤＳガスの分解状態をより揃えることができる。
また、Ｕ形スリットノズルの先端部において、多少の原料ガスの分解がみられるが、原料ガスの分解箇所がウエハ下部に位置しているため、面間の均一性に対する影響を少なくすることができる。すなわち、図１１に示すように、面間のＳｉラジカル濃度の分圧のばらつきをより平坦とすることができる。
一般に、多孔ノズル等の通常のノズル、すなわち、折り返し部と下流部を備えない上流部で構成されるノズル（ストレートノズル）内では、ノズル先端に行くほど、ノズル内におけるガスの滞留時間が長くなるため、ガスの分解が促進される。したがって、通常のノズルでは分解された成分は上部で多くなる。これに対し、Ｕ形スリットノズルでは、分解成分ガス濃度を通常のスリットノズルと上下逆転させることができ、分解成分ガス濃度をＵ形スリットノズルの下部で多くすることができる。すなわち、Ｕ形スリットノズルの下流部の下端（ノズルの先端）に近付くほどノズル内でのガス滞留時間が長くなるため、分解状態のガスを多く供給することができる。言い換えれば、Ｕ形スリットノズルはストレートノズルと比較して、ノズル内でのガス滞留時間を長くすることが可能となる。これにより、ウエハＷ中心部において、分解成分ガス濃度を面間で揃えることができ、面間均一性を向上させることができる。
第２の実施形態におけるノズルは、上述の態様に限定されず、以下に示す変形例のような態様に変更することができる。
（変形例５）
図１２（Ａ）に示すように、上流部７４にもスリットを形成しても良い。例えば、下流部７２のスリットの幅よりも上流部７４のスリットの幅を狭くしても良い。また例えば、上流部７４にスリットではなく多孔を形成しても良い。このような構成により、所望の分解状態でガスをウエハＷに供給することができる。
（変形例６）
図１２（Ｂ）に示すように、スリット４５ａの長さをウエハＷの配列長よりも短い長さで形成しても良い。例えば、スリット４５ａの上端の位置がボート２６に保持される最上段〜中段のウエハＷの高さ位置になるように、また、スリット４５ａの下端の位置がボート２６に保持される最下段のウエハＷの高さ位置より低くなるように形成しても良い。言い換えれば、スリット４５ａの長さは、下段〜中段に保持されたウエハＷの配列長をカバーする長さであっても良い。このような構成により、上段に保持されたウエハＷへのガスの過剰供給を抑制することができ、面間均一性を向上させることができる。
以上、本発明の実施形態を具体的に説明した。しかしながら、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
例えば、上述の実施形態では、原料ガスとしてＨＣＤＳガスを用いる例について説明したが、本発明は、このような態様に限定されない。例えば、原料ガスの分解がウエハ面間の均一性に影響を与えるガスに本ノズルを用いることが望ましい。また例えば、原料ガスの分解温度とプロセス温度とが近い場合にも好適に用いられる。
また例えば、原料ガスとしては、ＨＣＤＳガスの他、ＤＣＳ（ＳｉＨ２Ｃｌ２：ジクロロシラン）ガス、ＭＣＳ（ＳｉＨ３Ｃｌ：モノクロロシラン）ガス、ＴＣＳ（ＳｉＨＣｌ３：トリクロロシラン）ガス等の無機系ハロシラン原料ガスや、３ＤＭＡＳ（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］３Ｈ：トリスジメチルアミノシラン）ガス、ＢＴＢＡＳ（ＳｉＨ２［ＮＨ（Ｃ４Ｈ９）］２：ビスターシャリブチルアミノシラン）ガス等のハロゲン基非含有のアミノ系（アミン系）シラン原料ガスや、ＭＳ（ＳｉＨ４：モノシラン）ガス、ＤＳ（Ｓｉ２Ｈ６：ジシラン）ガス等のハロゲン基非含有の無機系シラン原料ガスを用いることができる。
また例えば、本発明は、ウエハＷ上に、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等の金属元素を含む膜、すなわち、金属系膜を形成する場合においても、好適に適用可能である。
また、上述の実施形態や変形例は、適宜組み合わせて用いることができる。
１４ 処理室
４４ａ ノズル
４５ａ スリット

Claims (14)

  1. 縦方向に多段に保持された複数枚の基板を処理する処理室と、
    前記処理室内にガスを供給するノズルと、を備え、
    前記ノズルは、
    縦方向に開口したスリットを有し、
    前記スリットは、前記ノズルの先端部の頂点まで形成されている基板処理装置。
  2. 前記スリットの上端は、複数枚の前記基板の最上段の基板の位置よりも高い位置に形成され、
    前記スリットの下端は、複数枚の前記基板の最下段の基板の位置よりも低い位置に形成される請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記処理室に隣接して形成されたガス供給室をさらに有し、
    前記ノズルは前記ガス供給室内に配置される請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記ノズルの内圧は、前記ノズル内でガスが分解する圧力よりも低い圧力である請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 前記スリットの幅は、前記ノズルの内径の０．０２倍以上０．２倍以下の範囲である請求項１に記載の基板処理装置。
  6. 前記ノズルは、
    折り返し部と、
    前記折り返し部よりも上流側である上流部と、
    前記折り返し部よりも下流側である下流部と、を有し、
    前記スリットは前記下流部に形成される請求項１に記載の基板処理装置。
  7. 前記ノズルは、
    前記上流部よりもさらに上流側に位置する基部と、
    前記基部と前記上流部とを接続する傾斜部と、を有し、
    前記基部の中心線は、前記上流部の中心線と前記下流部の中心線との間に位置する請求項６に記載の基板処理装置。
  8. 前記ノズル内でのガス滞留時間を、ストレートノズル内におけるガス滞留時間よりも長くすることにより、前記下流部の下端に近付くほど分解した状態のガスの量を多くする請求項７に記載の基板処理装置。
  9. 前記スリットの上端は、複数枚の前記基板の最上段の基板の位置よりも低い位置に形成され、
    前記スリットの下端は、複数枚の前記基板の最下段の基板の位置よりも低い位置に形成される請求項８に記載の基板処理装置。
  10. 前記処理室に隣接して形成され、前記ノズルが配置されるガス供給室と、
    前記ガス供給室に設置され、複数のガス供給孔を有する多孔ノズルと、をさらに有し、
    前記ノズルは、前記基板の中心と前記多孔ノズルの前記ガス供給孔とを結ぶ線を半径とする仮想円上に前記スリットが位置するように前記ガス供給室内に斜めに設置される請求項７に記載の基板処理装置。
  11. 前記ノズルは、前記基板の中心と前記基部の中心とを結ぶ線と、前記上流部の中心と前記下流部の中心とを結ぶ線とのなす角度が０度〜９０度となるように、前記ガス供給室内に設置される請求項１０に記載の基板処理装置。
  12. 複数枚の基板を処理室内で処理する基板処理装置内に設置され、前記処理室内にガスを供給するノズルであって、
    前記ノズルは、
    縦方向に開口したスリットを有し、
    前記スリットは、前記ノズルの先端部の頂点まで形成されているノズル。
  13. 前記ノズルは、
    折り返し部と、
    前記折り返し部よりも上流側である上流部と、
    前記折り返し部よりも下流側である下流部と、
    前記上流部よりもさらに上流側に位置する基部と、
    前記基部と前記上流部とを接続する傾斜部と、を有し、
    前記スリットは前記下流部に形成され、
    前記基部の中心線は、前記上流部の中心線と前記下流部の中心線との間に位置する請求項１２に記載のノズル。
  14. 複数枚の基板を処理する処理室内に前記基板を搬入する工程と、
    縦方向に開口したスリットが先端部の頂点まで形成されているノズルから前記処理室内にガスを供給し、前記処理室内で前記基板を処理する工程と、
    を有する半導体装置の製造方法。
JP2018525862A 2016-07-05 2016-07-05 基板処理装置、ガスノズルおよび半導体装置の製造方法 Active JP6695975B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2016/069897 WO2018008088A1 (ja) 2016-07-05 2016-07-05 基板処理装置、ガスノズルおよび半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2018008088A1 true JPWO2018008088A1 (ja) 2019-01-31
JP6695975B2 JP6695975B2 (ja) 2020-05-20

Family

ID=60912665

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018525862A Active JP6695975B2 (ja) 2016-07-05 2016-07-05 基板処理装置、ガスノズルおよび半導体装置の製造方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6695975B2 (ja)
KR (1) KR102165711B1 (ja)
TW (1) TWI648806B (ja)
WO (1) WO2018008088A1 (ja)

Families Citing this family (315)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102613349B1 (ko) 2016-08-25 2023-12-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
JP6856576B2 (ja) * 2018-05-25 2021-04-07 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
JP7365973B2 (ja) 2020-06-19 2023-10-20 東京エレクトロン株式会社 ガスノズル、基板処理装置及び基板処理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
JP7315607B2 (ja) * 2021-03-16 2023-07-26 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
KR20230029414A (ko) * 2021-08-24 2023-03-03 삼성전자주식회사 Ale용 배치-타입 장치, 및 그 장치에 기반한 ale 방법과 반도체 소자 제조방법
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
JP2024049208A (ja) 2022-09-28 2024-04-09 株式会社Kokusai Electric ガス供給体、処理装置及び半導体装置の製造方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62263629A (ja) * 1986-05-12 1987-11-16 Hitachi Ltd 気相成長装置
JP2006319201A (ja) * 2005-05-13 2006-11-24 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2009295729A (ja) * 2008-06-04 2009-12-17 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2011142347A (ja) * 2011-04-08 2011-07-21 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2012069723A (ja) * 2010-09-24 2012-04-05 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置およびガスノズルならびに基板の処理方法
WO2013054652A1 (ja) * 2011-10-11 2013-04-18 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法、および記録媒体
JP2013157491A (ja) * 2012-01-31 2013-08-15 Tokyo Electron Ltd 成膜装置
JP2013197329A (ja) * 2012-03-21 2013-09-30 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法
JP2014063959A (ja) * 2012-09-24 2014-04-10 Tokyo Electron Ltd 縦型熱処理装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004006551A (ja) 2002-06-03 2004-01-08 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および基板処理方法
JP2006093411A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP5117856B2 (ja) * 2005-08-05 2013-01-16 株式会社日立国際電気 基板処理装置、冷却ガス供給ノズルおよび半導体装置の製造方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62263629A (ja) * 1986-05-12 1987-11-16 Hitachi Ltd 気相成長装置
JP2006319201A (ja) * 2005-05-13 2006-11-24 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2009295729A (ja) * 2008-06-04 2009-12-17 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2012069723A (ja) * 2010-09-24 2012-04-05 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置およびガスノズルならびに基板の処理方法
JP2011142347A (ja) * 2011-04-08 2011-07-21 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
WO2013054652A1 (ja) * 2011-10-11 2013-04-18 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法、および記録媒体
JP2013157491A (ja) * 2012-01-31 2013-08-15 Tokyo Electron Ltd 成膜装置
JP2013197329A (ja) * 2012-03-21 2013-09-30 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法
JP2014063959A (ja) * 2012-09-24 2014-04-10 Tokyo Electron Ltd 縦型熱処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR102165711B1 (ko) 2020-10-14
KR20180058808A (ko) 2018-06-01
WO2018008088A1 (ja) 2018-01-11
JP6695975B2 (ja) 2020-05-20
TWI648806B (zh) 2019-01-21
TW201804551A (zh) 2018-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6695975B2 (ja) 基板処理装置、ガスノズルおよび半導体装置の製造方法
JP6616258B2 (ja) 基板処理装置、蓋部カバーおよび半導体装置の製造方法
US11155920B2 (en) Substrate processing apparatus, and method for manufacturing semiconductor device
JP6703496B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
US9177786B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device, method of processing substrate, substrate processing apparatus, and recording medium
US10388512B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium
TWI696722B (zh) 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式
US12009201B2 (en) Method of processing substrate, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium
JP6462161B2 (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
US10907253B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus and recording medium
US11170995B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium
KR20170110518A (ko) 질화막의 형성 방법 및 기억 매체
JP2018101687A (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
KR20210015944A (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 및 프로그램
KR102308807B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 및 프로그램
JP7055219B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置、およびプログラム
JP2019110340A (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体
WO2018163399A1 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180921

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180921

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20191126

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200110

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200128

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200327

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200409

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200422

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6695975

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250