JPWO2013065405A1 - 高分子材料の反発弾性率、硬度及びエネルギーロスを評価する方法 - Google Patents
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Abstract
本発明は、X線又は中性子線を高分子材料に照射し、X線散乱測定又は中性子線散乱測定を実施することにより、高分子材料の反発弾性率、硬度又はエネルギーロスを評価する方法に関する。
Description
上記第1の本発明において、上記高分子材料としては、分子構造中に少なくとも1種の金属配位能を有する官能基を含むものが好ましい。
上記第2の本発明において、上記高分子材料は、1種類以上の共役ジエン系化合物を用いて得られるゴム材料であることが好ましい。ここで、上記ゴム材料は、タイヤ用ゴム材料であることが好ましい。
上記第3の本発明において、上記高分子材料は、1種類以上の共役ジエン系化合物を用いて得られるゴム材料であることが好ましい。ここで、上記ゴム材料は、タイヤ用ゴム材料であることが好ましい。
例えば、金属原子を含みかつ金属配位能を有する官能基を含む高分子材料について、SAXS測定やSANS測定を実施した場合、得られた散乱強度曲線を以下の方法で解析でき、慣性半径(Rg1)を求めることができる。
金属原子を含みかつ金属配位能を有する官能基を含む高分子材料や充填剤を含む高分子材料について、SAXS測定やSANS測定を実施した場合、例えば、得られた散乱強度曲線を以下の方法で解析することにより、1nm〜100μmのクラスター(散乱体)の慣性半径(Rg)を求めることができる。
前記のようにSAXS測定やSANS測定を実施し、得られた散乱強度曲線を以下の方法で解析することにより、1nm〜100μmの慣性半径(Rg)を持つ散乱体の単位体積あたりの個数Nを求めることができる。
前述のとおり、金属原子を含みかつ金属配位能を有する官能基を含む高分子材料や充填剤を含む高分子材料について、SAXS測定やSANS測定を実施した場合、例えば、得られた散乱強度曲線を以下の方法で解析することにより、1nm〜100μmのクラスター(散乱体)の慣性半径(Rg)を求めることができる。
前記のようにSAXS測定やSANS測定を実施し、得られた散乱強度曲線を以下の方法で解析することにより、1nm〜100μmの慣性半径(Rg)を持つ散乱体の単位体積あたりの個数Nを求めることができる。
(使用試薬)
シクロへキサン:関東化学(株)製
ピロリジン:関東化学(株)製
ジビニルベンゼン:シグマアルドリッチ社製
1.6M n−ブチルリチウムへキサン溶液:関東化学(株)製
イソプロパノール:関東化学(株)製
スチレン:関東化学(株)製
ブタジエン:高千穂化学工業(株)製
テトラメチルエチレンジアミン:関東化学(株)製
変性剤:アヅマックス社製の3−(N,N−ジメチルアミノプロピル)トリメトキシシラン
NR:RSS#3
シリカ:市販品
シランカップリング剤:市販品
老化防止剤:大内新興化学工業(株)製のノクラック6C(N−1,3−ジメチルブチル−N’−フェニル−p−フェニレンジアミン)
ステアリン酸:日油(株)製のステアリン酸
アロマオイル:出光興産(株)製のダイアナプロセスAH−24
ワックス:大内新興化学工業(株)製のサンノックワックス
酸化亜鉛:東邦亜鉛製の銀嶺R
硫黄:鶴見化学(株)製の粉末硫黄
加硫促進剤(1):大内新興化学工業(株)製のノクセラーCZ
加硫促進剤(2):大内新興化学工業(株)製のノクセラーD
BR730:JSR社製ブタジエンゴム
サンセラーSR:三新化学(株)製
パークミルD:大内新興化学(株)製
TN:東京化成工業(株)製2−ナフタレンチオール
DPDS:住友精化(株)製ジフェニルジスルフィド
PCTP:東京化成工業(株)製ペンタクロロベンゼンチオール
2,6−DCTP:東京化成工業(株)製2,6−ジクロロチオフェノール
(成型品の製造方法)
表1に示す配合処方にしたがい、バンバリー混練機及びロール混練機にて混練し、次いで、混練した材料を170℃で20分間プレス成型して成型品を得た。
厚み約1mmのプレート状試料(成型品)をサンプルホルダーに取り付け、室温にて試料にX線を照射した。SAXS測定で得られた散乱強度曲線I(q)に対して、上記(式1−2)〜(式1−3)を用いてカーブフィッティングを行い、フィッティングパラメーターRg1を最小2乗法で求めた。
10回測定して得られたそれぞれのRg1からCV(変動係数)値を算出した。CV値は、値が小さいほどバラツキが少なく、測定の精度が良いことを示す。
SAXS:財団法人高輝度光科学研究センター所有の大型放射光施設SPring−8のビームラインBL40B2付属のSAXS測定装置
(測定条件)
X線の輝度:5×1012photons/s/mrad2/mm2/0.1%bw
X線の光子数:2×109photons/s
X線のエネルギー:8keV
試料から検出器までの距離:3m
(検出器)
イメージング・インテンシファイアー及びCCDカメラ
球状に成型した試料(成型品)に質量が200gのアルミニウム製の中空円柱を45m/sの速度で衝突させ、衝突前後における中空円柱の速度及び衝突後の試料の速度を計測し、試料の反発弾性率を求めた。12回測定して得られたデータの平均値を試料の反発弾性率とし、これをもとに、CV(変動係数)値を算出した。CV値は、値が小さいほどバラツキが少なく、測定の精度が良いことを示す。
JIS K6301に準じ、タイプC硬さ計を用い、25℃で測定した。
(成型品の製造方法)
表2に示す配合処方にしたがい、バンバリー混練機及びロール混練機にて混練し、次いで、混練した材料を170℃で20分間プレス成型して成型品を得た。
厚み約1mmのプレート状試料(成型品)を重水素化トルエンで平衡膨潤させた状態でサンプルホルダーに取り付け、室温にて試料に中性子線を照射した。試料から検出器までの距離が2.5m、10m、及びフォーカシングレンズ測定から得られた絶対散乱強度曲線を最小2乗法にて結合させた。3つの曲線の結合は、試料から検出器までの距離が2.5mの測定から得られる散乱強度曲線を固定し、10m、フォーカシングレンズ測定から得られる散乱強度曲線をシフトさせた。得られた散乱強度曲線I(q)に対して、(式2−2)〜(式2−5)を用いてカーブフィッティングを行い、フィッティングパラメーターGを最小2乗法で求めた。ポリブタジエン(散乱体、重水素化トルエン平衡膨潤)の散乱長密度差σ5.22×1010(cm−2)を用いて、散乱体(慣性半径Rg1nm〜100μmのクラスター)の単位体積あたりの個数Nを求めた。得られたNの値について、実施例2−1を100として指数表示した。数値が大きいほど硬度が高いことを示す。
SANS:独立行政法人日本原子力研究開発機構所有のJRR−3研究炉のビームラインSANS−J付属のSANS測定装置
(測定条件)
中性子線の波長:6.5Å
中性子線の中性子束強度:9.9×107neutrons/cm2/s
試料から検出器までの距離:2.5m、10m(なお、更に小角側の情報を得るために試料から検出器までの距離10mの条件下、フォーカシングレンズを用いた測定を行った。)
(検出器)
2次元検出器(3He 2次元検出器及び2次元フォトマル+ZnS/6LiF検出器)
JIS K6253に準じ、タイプA硬度計にて測定した。
(モノマー(1)の合成)
十分に窒素置換した100ml容器に、シクロヘキサン50ml、ピロリジン4.1ml、ジビニルベンゼン8.9mlを加え、0℃にて1.6M n−ブチルリチウムヘキサン溶液0.7mlを加えて攪拌した。1時間後、イソプロパノールを加えて反応を停止させ、抽出・精製を行うことでモノマー(1)を得た。
十分に窒素置換した1000ml耐圧製容器に、シクロヘキサン600ml、スチレン12.6ml、ブタジエン71.0ml、モノマー(1)0.06g、テトラメチルエチレンジアミン0.11mlを加え、40℃で1.6M n−ブチルリチウムヘキサン溶液0.2mlを加えて撹拌した。3時間後、変性剤を0.5ml加えて攪拌した。1時間後、イソプロパノール3mlを加えて重合を停止させた。反応溶液に2,6−tert−ブチル−p−クレゾール1gを添加後、メタノールで再沈殿処理を行い、加熱乾燥させて重合体(1)を得た。
モノマー(1)を0.17gとし、上記重合体(1)と同様の方法で重合体(2)を得た。
モノマー(1)を0.29gとし、上記重合体(1)と同様の方法で重合体(3)を得た。
表3−1〜3−4に示す配合処方にしたがい、バンバリー混練機及びロール混練機にて混練し、次いで、混練した材料を170℃で20分間プレス成型して成型品を得た。
(1)慣性半径Rg
厚み約1mmのプレート状試料(成型品)をサンプルホルダーに取り付け、室温にて試料にX線を照射した。BL03XUでの測定から得られた散乱強度曲線と、BL20XUでの測定から得られた散乱強度曲線を最小2乗法にて結合させた。2つの曲線の結合は、広角側のBL03XUから得られる散乱強度曲線を固定し、小角側のBL20XUから得られる散乱強度曲線をシフトさせた。得られた散乱強度曲線I(q)に対して、(式3−2)〜(式3−3)を用いてカーブフィッティングを行い、フィッティングパラメーターRg(1nm〜100μmの慣性半径)を最小2乗法で求めた。得られた慣性半径Rgの値の逆数について、実施例3−1、又は実施例3−11を100として指数表示した。数値が大きいほどエネルギーロスが小さいことを示す。
(条件)
抽出温度:60℃
抽出時間:60時間
酸性混合溶媒;6N塩酸/アセトン混合溶液(混合比=3/7)
得られた散乱強度曲線I(q)に対して、(式3−2)〜(式3−5)を用いてカーブフィッティングを行い、フィッティングパラメーターGを最小2乗法で求めた。シリカ配合材料の電子密度差σ3.8×1023(electron・cm−3)を用いて、散乱体(慣性半径Rg1nm〜100μmのクラスター)の単位体積あたりの個数Nを求めた。得られたNの値の逆数について、実施例3−4を100として指数表示した。数値が大きいほどエネルギーロスが小さいことを示す。
SAXS:財団法人高輝度光科学研究センター所有の大型放射光施設SPring−8のビームラインBL03XU及びBL20XU付属のSAXS測定装置
(測定条件)
X線の輝度:5×1012photons/s/mrad2/mm2/0.1%bw
X線の光子数:2×109photons/s
X線のエネルギー:8keV(BL03XU)、23keV(BL20XU)
試料から検出器までの距離:3m(BL03XU)、160m(BL20XU)
(検出器)
2次元検出器(イメージング・インテンシファイアー及びCCDカメラ)
厚み約1mmのプレート状試料(成型品)を重水素化トルエンで平衡膨潤させた状態でサンプルホルダーに取り付け、室温にて試料に中性子線を照射した。試料から検出器までの距離が2.5m、10m、及びフォーカシングレンズ測定から得られた絶対散乱強度曲線を最小2乗法にて結合させた。3つの曲線の結合は、試料から検出器までの距離が2.5mの測定から得られる散乱強度曲線を固定し、10m、フォーカシングレンズ測定から得られる散乱強度曲線をシフトさせた。得られた散乱強度曲線I(q)に対して、(式3−2)〜(式3−3)を用いてカーブフィッティングを行い、フィッティングパラメーターRg(1nm〜100μmの慣性半径)を最小2乗法で求めた。得られた慣性半径Rgの値の逆数について、実施例3−7を100として指数表示した。数値が大きいほどエネルギーロスが小さいことを示す。
SANS:独立行政法人日本原子力研究開発機構所有のJRR−3研究炉のビームラインSANS−J付属のSANS測定装置
(測定条件)
中性子線の波長:6.5Å
中性子線の中性子束強度:9.9×107neutrons/cm2/s
試料から検出器までの距離:2.5m、10m(なお、更に小角側の情報を得るために試料から検出器までの距離10mの条件下、フォーカシングレンズを用いた測定を行った。)
(検出器)
2次元検出器(3He 2次元検出器及び2次元フォトマル+ZnS/6LiF検出器)
(株)上島製作所製のスペクトロメーターを用いて、動的歪振幅1%、周波数10Hz、温度60℃でtanδを測定した。得られたtanδの逆数の値について、比較例3−1、比較例3−4、又は比較例3−8を100として指数表示した。数値が大きいほどエネルギーロスが小さいことを示す。
実施例3−11〜3−16、比較例3−8〜3−10の各配合をタイヤ部材に適用した試供タイヤについて、転がり抵抗試験機を用い、リム(15×6JJ)、内圧(230kPa)、荷重(3.43kN)、速度(80km/h)で走行させたときの転がり抵抗を測定し、実施例3−11を100として指数で表示した。指数が大きい方がタイヤの転がり性能が良く、エネルギーロスが小さいことを示している。
Claims (21)
- X線又は中性子線を高分子材料に照射し、X線散乱測定又は中性子散乱測定を実施することにより、高分子材料の反発弾性率を評価する方法。
- X線散乱測定が小角X線散乱測定、中性子散乱測定が小角中性子散乱測定である請求項1記載の高分子材料の反発弾性率を評価する方法。
- 高分子材料が分子構造中に少なくとも1種の金属配位能を有する官能基を含むものである請求項1又は2記載の高分子材料の反発弾性率を評価する方法。
- X線又は中性子線を高分子材料に照射し、X線散乱測定又は中性子散乱測定を実施することにより、高分子材料の硬度を評価する方法。
- X線散乱測定が小角X線散乱測定、中性子散乱測定が小角中性子散乱測定である請求項6記載の高分子材料の硬度を評価する方法。
- 高分子材料が1種類以上の共役ジエン系化合物を用いて得られるゴム材料である請求項6又は7記載の高分子材料の硬度を評価する方法。
- ゴム材料がタイヤ用ゴム材料である請求項8記載の高分子材料の硬度を評価する方法。
- X線又は中性子線を高分子材料に照射し、X線散乱測定又は中性子散乱測定を実施することにより、高分子材料のエネルギーロスを評価する方法。
- X線散乱測定が小角X線散乱測定、中性子散乱測定が小角中性子散乱測定である請求項13記載の高分子材料のエネルギーロスを評価する方法。
- 高分子材料が1種類以上の共役ジエン系化合物を用いて得られるゴム材料である請求項13又は14記載の高分子材料のエネルギーロスを評価する方法。
- ゴム材料がタイヤ用ゴム材料である請求項15記載の高分子材料のエネルギーロスを評価する方法。
- 高分子材料が金属及び/又は金属化合物の含有量を低減した材料である請求項13〜16のいずれかに記載の高分子材料のエネルギーロスを評価する方法。
- 高分子材料が酸性溶媒を用いて金属及び/又は金属化合物を低減した材料である請求項13〜17のいずれかに記載の高分子材料のエネルギーロスを評価する方法。
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