JPWO2013042360A1 - 接着性細胞の培養方法 - Google Patents
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Abstract
Description
また、特許文献2,3の培養方法では、上述した培養プレートやフラスコ形状の容器に適用できる一方、スフェロイドの大きさを制御することができない。このため、均一な直径を有するスフェロイドを作成することができないという問題がある。
また、培養したスフェロイドすべてのうち60%以上が、培養後のスフェロイドの直径の平均値のプラスマイナス5%の範囲内の直径であることが好ましく、スフェロイドが、がん細胞であることが好ましい。
加えて、培養空間の表面が、ガラス処理により、または、プラズマ処理で官能基を形成させることにより、水接触角を45度以下になるように処理されたことが好ましい。
さらに加えて、培養空間の表面に、温度、光のいずれかにより親水性と疎水性とが変化するポリマーがコートされていること、細胞接着を阻害する親水性のポリマー鎖が固定化されていること、及び、リン脂質、または、リン脂質・高分子複合体が固定化されていること、のうちのいずれかが実施されていることが好ましい。
培養容器10は、培養空間11と、壁12と、底部13とを有する。
培養空間11は、壁12と底部13とで仕切られた領域であり、細胞を培養する三次元の空間領域(培養領域)となる。培養空間11は、単に「空間」または「マイクロ空間」とも称する。
壁12は、培養空間11を仕切る隔壁であり、培養容器10に凹凸パターンを形成する凸部ともいえる。
底部13は、培養容器10の基板として機能するとともに、培養空間11が配置される側の表面は、培養領域(培養表面)の一部となる。
相当直径Dは、培養空間11に内接する内接円の直径をいう。より詳しくは、相当直径Dは、培養空間11の底部13と平行する面の形状(正面の形状)、言い換えると、培養空間11の高さHの方向と垂直になる面の形状の内接円の直径をいう。培養空間11の正面の形状が、高さHに応じて異なる場合、接着性細胞を培養する空間領域の最大値を相当直径を相当直径とする。
高さHは、培養空間11の底から壁12の上面までの長さであり、培養空間11の深さでもあるともいえる。また、培養底面が平面の場合は高さHは、壁12の高さと同じである。壁12の幅Wは、隣接する培養空間11間の距離であるともいえる。
各ウェル21内、言い換えると、培養容器10内において、複数の培養空間11は、図1に示すようにアレイ状に配置される。各ウェル21に含まれる培養空間11の数は、培養プレートに作製されるウェル21の数(ウェル21の大きさ)と培養空間11及び壁12の大きさに依存するものである。図3では、構成を説明するための、培養空間11の数を少なくして表した概略図であり、各ウェル21に含まれる培養空間11の数は実際とは異なる。加えて、図1、2では、9個の培養空間11を示している。これは説明のために示したものであり、実際の培養容器10(ウェル21)に含まれる培養空間11の数に対応するものではない。
培養空間11の相当直径について、スフェロイドの大きさが、細胞が増殖するに従いその直径が大きくなることを考慮する必要がある。そこで重要なことは、スフェロイドが隣り合う培養空間11の細胞と接触しないような培養空間11を確保することである。従って、培養空間11の相当直径Dは、所望するスフェロイドの直径の1〜5倍の範囲が好ましく、1.5〜3倍の範囲がより好ましい。
本発明の培養方法の一態様では、直径100μmの接着性細胞のスフェロイドを形成させるために、所望するスフェロイドの直径の1〜5倍の範囲、即ち、相当直径Dが100〜500μmの範囲で、高さHが相当直径の0.3〜5倍の範囲の培養空間11が規則的に配置されている底部13を有する培養容器10を用いる。
一方、本発明では、後述するように細胞接着性を抑制しているため、アミノ酸や酸素などの供給が可能、かつ、スフェロイドが脱離しない最適な高さHを設計する必要がある。培養空間11に関して、さまざまな高さH、相当直径Dを検討した結果、培養空間11の高さHの最適な範囲は、培養空間11の相当直径Dの0.3倍〜5倍の範囲であり、0.5〜2倍の範囲がより好ましいことを見いだした。その理由の一つは、培養空間11の高さHは、培地交換時にスフェロイドが培養空間11から脱離しなければよく、かつ、培地中に含まれるアミノ酸や酸素供給栄養分を十分に行うために空間の深さは浅いほどよいからである。
図3に示す培養プレート1で培養する場合、ウェル21毎に培養条件の設定、培地の交換等を実施することになる。そのため、各ウェル21に複数の培養空間11を形成することが可能であるため、同条件で複数のスフェロイドを培養することが可能になる。加えて、ウェルプレートを用いてスフェロイドを培養することができるため、従来の細胞培養で用いる装置等を利用することが可能になる。
スフェロイド9の直径DSPを値dsp(dspは正の数値)とすると、培養空間11の相当直径Dは、値dspから値dspの5倍の範囲(dsp≦D≦5dsp)となる。また、培養空間11の高さHは、値dspの0.3倍から値dspの25倍(5×5)の範囲(0.3dsp≦H≦25dsp)となる。
培養空間11の側面の形状は、図2に示す円柱状に限定されるものではなく、例えば、図6A〜6Cに示すような形状であってもよい。
水接触角を45度以下にする方法としては、ガラスを培養底面に蒸着する方法、プラズマ処理法を用いて、表面に官能基を形成させる方法が挙げられる。プラズマ処理などにより、表面に官能基を形成させる、または、光や温度により親水・疎水性が制御可能なポリマーをコートする方法を用いることができる。さらに、リン脂質・高分子複合体をコートしてもよい。上述した表面処理を行った後、ポリエチレングリコールやリン脂質−高分子複合体などの親水性ポリマーを固定化しても良い。
1.培養容器の作製
実施例1,2及び比較例1について、図1,2に示す培養空間11が規則的に配列している培養容器10であって、以下の相当直径D、幅W、及び高さHのパターンをフォトリソグラフィにより作製し、Ni電解メッキを行い、対応する凹凸形状を有する金型を得た。
・実施例1:D=100μm、W=20μm、H=50μm(H/D=0.5)
・実施例2:D=200μm、W=20μm、H=100μm(H/D=0.5)
・比較例1:D=200μm、W=20μm、H=50μm(H/D=0.25)
実施例1,2,比較例1は、その金型を用い、ホットエンボス成形によりポリスチレン上に凹凸パターン形状の転写を行い、上記寸法の樹脂基材を作製した。その樹脂基材表面へ真空蒸着により二酸化ケイ素膜を100nm形成させたフィルムを作製し、ポリスチレン製の底面のない24穴プレートに、レーザ溶着法でフィルムを貼り付けた後、γ線滅菌を行った。このようにして、各ウェルに複数の培養空間11を有する培養容器10を形成した24ウェルの培養プレートを作製した。
比較例2は、市販(ベクトン・ディッキンソン製、ファルコン(登録商標))のγ線滅菌済み平面状の24ウェル培養プレートを用いた。比較例2は、平面状で培養する、従来の二次元培養となる。
全ての培養プレートのウェルに、1vol%MPC溶液を300μL入れ、4℃で24時間放置した後、アスピレータで溶液を吸い取り、完全に乾燥させた培養プレートを用いた。
細胞はHuman HT29 Colon Cancer(DSファーマバイオメディカル社)を用いた。
観察結果について、スフェロイド形成率(A)、スフェロイド直径平均(DAv)、及び、スフェロイド直径の平均値±5%の直径のスフェロイドの割合(B)を以下の計算式を用いて計算した。計算結果を表1に示す。
・スフェロイド形成率A(%)=
(スフェロイドの個数)×100/(倒立顕微鏡で観察した1視野の空間の数)
・スフェロイド直径平均DAv(μm)=
(各スフェロイドの直径の合計値)/(スフェロイド全ての数)
・スフェロイド直径の平均値±5%の直径のスフェロイドの割合B(%)=
(平均値±5%の直径のスフェロイドの数)×100/(スフェロイド全ての数)
1.培養容器の作製
図1,2に示す培養空間11が規則的に配列している培養容器10であって、以下の相当直径D、幅W、及び高さHのパターンをフォトリソグラフィにより作製し、Ni電解メッキを行い、対応する凹凸形状を有する金型を得た。
D=200μm、W=200μm、H=100μm(H/D=0.5)
実施例3では、この金型と96穴プレートとを用いたことを除いて、実施例1,2と同様の方法で培養プレートを作製し、96ウェルの培養プレートを得た。
全ての培養プレートのウェルに、培養表面をマイクロ波プラズマ処理の後、燐酸緩衝液で洗浄した後、0.01vol%MPC溶液でコートした。クリーンベンチ内で室温下にて24時間放置しMPC溶液を乾燥させた。
細胞は、HepG2を用いた。
培地は10vol%ウシ胎児血清を含むDMEM培養液を用いた。培養方法は、実施例1,2と同様である。
9 スフェロイド
10 培養容器
11 培養空間
12 壁
13 底部
21 ウェル
22 仕切り部
Claims (14)
- 相当直径が所望するスフェロイドの直径の1から5倍であり、高さが前記相当直径の0.3倍から5倍である培養空間を2つ以上配置するととともに、該培養空間表面の水接触角が45度以下である培養容器を使用し、複数の培養空間で接着性細胞のスフェロイドを培養する接着性細胞の培養方法。
- 前記培養空間の相当直径が100μmから5000μmの範囲である請求項1の培養方法。
- 隣り合う前記培養空間を隔てる壁の厚さが、5μmから50μmの範囲であることを特徴とする請求項1または2記載の培養方法。
- 隣り合う前記培養空間を隔てる壁の上面と側面とがなす角度が90度から135度の範囲であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の培養方法。
- 培養したスフェロイドすべてのうち60%以上が、培養後のスフェロイドの直径の平均値のプラスマイナス5%の範囲内の直径であることを特徴とする1乃至4のいずれか一項に記載の培養方法。
- 前記スフェロイドが、がん細胞であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の培養方法。
- 前記培養容器がアクリル系樹脂、ポリ乳酸、ポリグリコール酸、スチレン系樹脂、アクリル・スチレン系共重合樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂、エチレン・ビニルアルコール系共重合樹脂、熱可塑性エラストマー、塩化ビニル系樹脂、及びシリコン樹脂のうちの1つまたはこれらの組み合わせからなる樹脂成形品であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の培養方法。
- 前記培養空間の表面が、ガラス処理により、水接触角を45度以下になるように処理されたことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の培養方法。
- 前記培養空間の表面が、プラズマ処理により官能基を形成させて、水接触角を45度以下になるように処理されたことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の培養方法。
- 前記培養空間の表面に、温度、光のいずれかにより親水性と疎水性とが変化するポリマーがコートされていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の培養方法。
- 前記培養空間の表面に、細胞接着を阻害する親水性のポリマー鎖が固定化されていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の培養方法。
- 前記培養空間の表面に、リン脂質、または、リン脂質・高分子複合体が固定化されていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の培養方法。
- 前記培養空間の表面が、ガラス処理により、水接触角を45度以下になるように処理した後、温度、光のいずれかにより親水性と疎水性とが変化するポリマー、細胞接着を阻害する親水性のポリマー鎖、及び、リン脂質、または、リン脂質・高分子複合体のうちのいずれか一つのポリマーが、前記培養容器の表面に固定化されていること特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の培養方法。
- 前記培養空間の表面が、プラズマ処理により官能基を形成させて水接触角を45度以下になるように処理された後、温度、光のいずれかにより親水性と疎水性とが変化するポリマー、細胞接着を阻害する親水性のポリマー鎖、及び、リン脂質、または、リン脂質・高分子複合体のうちのいずれか一つのポリマーが、前記培養容器の表面に固定化されていること特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の培養方法。
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