JPWO2011111493A1 - 電流センサ - Google Patents
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Abstract
Description
Vdd−Gnd1間抵抗=R1+R3=2×Rcom
Vdd−Gnd2間抵抗=R2+(R4−ΔR)=2×Rcom−ΔR
Out1電位=(Rcom)/(2×Rcom)×Vdd
Out2電位=(Rcom−ΔR)/(2×Rcom−ΔR)×Vdd
Out1−Out2電位差=ΔR/{2×(2×Rcom−ΔR)}×Vdd
Vdd−Gnd1間抵抗=(R1−ΔR)+R3=2×Rcom−ΔR
Vdd−Gnd2間抵抗=R2+(R4−ΔR)=2×Rcom−ΔR
Out1電位=(Rcom)/(2×Rcom−ΔR)×Vdd
Out2電位=(Rcom−ΔR)/(2×Rcom−ΔR)×Vdd
Out1−Out2電位差=ΔR/(2×Rcom−ΔR)×Vdd
式(1)
eff Hk=2(K・t1+K・t2)/(Ms・t1−Ms・t2)
したがって、本発明の磁気平衡式電流センサに用いる磁気抵抗効果素子は、反強磁性層を有しない膜構成を有する。
Vdd−Gnd1間抵抗=(R1−ΔR)+(R3+ΔR)=R1+R3=2×Rcom
Vdd−Gnd2間抵抗=(R2+ΔR)+(R4−ΔR)=R2+R4=2×Rcom
Out1電位=(R3+ΔR)/(R1+R3)×Vdd
=(Rcom+ΔR)/(2×Rcom)×Vdd
Out2電位=(R4−ΔR)/(R2+R4)×Vdd
=(Rcom−ΔR)/(2×Rcom)×Vdd
Out1−Out2電位差=(2×ΔR)/(2×Rcom)×Vdd
=ΔR/Rcom×Vdd
Vdd−Gnd1間抵抗=(R1−ΔR)+(R3+ΔR)=R1+R3=2×Rcom
Vdd−Gnd2間抵抗=(R2+ΔR)+(R4−ΔR)=R2+R4=2×Rcom
Out1電位=(R3+ΔR)/(R1+R3)×Vdd
=(Rcom+ΔR)/(2×Rcom)×Vdd
Out2電位=(R4−ΔR)/(R2+R4)×Vdd
=(Rcom−ΔR)/(2×Rcom)×Vdd
Out1−Out2電位差=(2×ΔR)/(2×Rcom)×Vdd
=ΔR/Rcom×Vdd
Claims (6)
- 被測定電流からの誘導磁界の印加により抵抗値が変化する4つの磁気抵抗効果素子で構成され、2つの磁気抵抗効果素子間の出力を備える磁界検出ブリッジ回路を有する電流センサであって、前記4つの磁気抵抗効果素子は、抵抗変化率が同じであり、反平行結合膜を介して第1の強磁性膜と第2の強磁性膜とを反強磁性的に結合させてなるセルフピン止め型の強磁性固定層と、非磁性中間層と、軟磁性自由層とを有し、前記出力を与える2つの磁気抵抗効果素子の強磁性固定層の磁化方向が互いに180°異なる方向であり、前記磁気検出ブリッジ回路は、電源供給点に対して対称である配線を有することを特徴とする電流センサ。
- 前記磁気抵抗効果素子の近傍に配置され、前記誘導磁界を相殺するキャンセル磁界を発生するフィードバックコイルと、前記誘導磁界を減衰させると共に前記キャンセル磁界をエンハンスする磁気シールドと、をさらに具備し、前記磁気検出ブリッジ回路で得られる電圧差により前記フィードバックコイルに通電して前記誘導磁界と前記キャンセル磁界とが相殺される平衡状態となったときの前記フィードバックコイルに流れる電流に基づいて前記被測定電流を測定することを特徴とする請求項1記載の電流センサ。
- 前記4つの磁気抵抗効果素子は、その長手方向が互いに平行になるように配置された複数の帯状の長尺パターンが折り返してなる形状を有し、前記誘導磁界及び前記キャンセル磁界が前記長手方向に直交する方向に沿うように印加されることを特徴とする請求項2記載の電流センサ。
- 前記磁界検出ブリッジ回路により、前記誘導磁界に比例した前記4つの磁気抵抗効果素子の出力により前記被測定電流を測定することを特徴とする請求項1記載の電流センサ。
- 前記第1の強磁性膜が40原子%〜80原子%のFeを含むCoFe合金で構成され、前記第2の強磁性膜が0原子%〜40原子%のFeを含むCoFe合金で構成されていることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の電流センサ。
- 前記磁気シールドは、アモルファス磁性材料、パーマロイ系磁性材料、及び鉄系微結晶材料からなる群より選ばれた高透磁率材料で構成されていることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載の電流センサ。
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