JP5244805B2

JP5244805B2 - 磁気検出装置

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Publication number: JP5244805B2
Application number: JP2009531235A
Authority: JP
Inventors: 秀人安藤; 真次杉原
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 2007-09-03
Filing date: 2008-09-02
Publication date: 2013-07-24
Anticipated expiration: 2028-09-02
Also published as: US7834619B2; JPWO2009031539A1; US20100141251A1; WO2009031539A1

Description

本発明は、磁気抵抗効果膜を有するセンサパターンと電極部とを備えて成るセンサ部の抵抗値を、前記センサ部の寸法を大きくすることなく調整可能とした磁気検出装置に関する。

外部磁界を検出する磁気検出装置には、例えば、外部磁界に対して電気抵抗値が変化する磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果膜が使用される。

図１１は従来のセンサ部１の拡大平面図である。前記センサ部１は、前記磁気抵抗効果膜から成るミアンダ形状で形成されたセンサパターン２と、前記センサパターン２の長手方向の両端部２ａ，２ｂに接続された電極部３，４とを有して構成される。

図１１に示すように一方の電極部３には、前記センサパターン２の幅方向（図示Ｘ方向）の外側に引き延ばされた引き出し部５が一体に形成されている。

前記電極部３，４間の抵抗値（以下、センサ部１の抵抗値と言う）を測定し、前記抵抗値が、前記センサ部１と直列接続される固定抵抗部（図示しない）よりも大きいとき、前記センサ部１の抵抗値と、前記固定抵抗部の抵抗値とを一致させるために、前記センサパターン２の途中位置からセンサパターン２と前記引き出し部５とを導体７を介して電気的に接続して、前記センサパターン２の電流経路長を短くすることで、前記センサ部１の抵抗値を、前記固定抵抗部の抵抗値と一致するように調整することが可能となっている。
特開２００４−２０７５４０号公報

しかしながら、図１１に示すセンサ部１の抵抗値の調整方法では、前記センサパターン２の幅方向（図示Ｘ方向）の外側に引き延ばされた引き出し部５によりセンサ部１の幅方向（図示Ｘ方向）の寸法が大きくなってしまうといった問題があった。

特許文献１に記載された発明には、磁気抵抗効果膜を用いたセンサパターンに対する抵抗調整方法は開示されていない。また図１１に示すように、磁気検出装置に使用されるセンサパターン２の折り返し部２ｃを介して対向する磁気抵抗効果膜間の間隔Ｔ１は、１〜１０μｍ程度と非常に狭いため、前記間隔Ｔ１内にだけ導体７を形成して、前記導体７とセンサパターン２とを接触不良なく電気的に安定して繋ぐことは、導体７とセンサパターン２間の接触面積が小さいこともあり、非常に困難である。

そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、磁気抵抗効果膜を有するセンサパターンと電極部とを備えて成るセンサ部の抵抗値を、前記センサ部の寸法を大きくすることなく調整可能とし、且つ磁気特性の劣化やばらつきを小さく抑えることが可能な磁気検出装置を提供することを目的としている。

本発明における磁気検出装置は、
外部磁界に対して電気抵抗値が変化する磁気抵抗効果を利用した複数の磁気抵抗効果膜の長さ方向の端部間が折り返し部を介して連結されたセンサパターンと、前記センサパターンの長手方向の両端部に形成された電極部と、を有して成るセンサ部を備え、
前記折り返し部を介して配置された一方の磁気抵抗効果膜の上面から他方の磁気抵抗効果膜の上面にかけて非磁性の導体が電気的に接続されて、前記電極部間の抵抗値が調整されており、
前記磁気抵抗効果膜は磁性層と非磁性層とを含む積層構造で、最上層が非磁性の保護層であり、
前記保護層の下に磁性層を備え、前記導体と接続される部分での前記保護層及び前記磁性層の一部が除去された状態で、前記導体が前記磁性層の上面に接続されていることを特徴とするものである。

これにより、前記センサ部の寸法を大きくすることなく、電極部間の抵抗値（センサ部の抵抗値）の調整が可能である。しかも前記導体は、前記磁気抵抗効果膜の上面に接続されているので、前記導体と前記磁気抵抗効果膜間の接触面積を大きくでき前記導体と前記磁気抵抗効果膜とを安定して電気的に接続できる。また導体は非磁性であるため、前記導体を前記磁気抵抗効果膜に接続したことによる磁気特性の劣化やばらつきを小さく抑えることができる。

また本発明では、導体が接続される少なくとも一方の磁気抵抗効果膜の一部には、前記磁気抵抗効果膜が全て除去された空間部（上記の構成であれば最下層である反強磁性層を含む全ての磁気抵抗効果膜を除去して得られた空間部）が形成され、前記導体は前記空間部内に形成されて前記磁気抵抗効果膜と電気的に接続されている構成でもよい。

本発明では、前記磁気抵抗効果膜は、幅方向の寸法に比べて長さ方向の寸法が長い細長形状であることが好ましい。また、前記センサパターンはミアンダ形状であることが好ましい。

本発明の磁気検出装置によれば、センサ部の寸法を大きくすることなく、電極部間の抵抗値（センサ部の抵抗値）の調整が可能である。しかも磁気抵抗効果膜間を繋ぐ導体は、前記磁気抵抗効果膜の上面に接続されているので、前記導体と前記磁気抵抗効果膜間の接触面積を大きくでき前記導体と前記磁気抵抗効果膜とを安定して電気的に接続できる。また導体は非磁性であるため、前記導体を前記磁気抵抗効果膜に接続したことによる磁気特性の劣化やばらつきを小さく抑えることができる。

図１は本実施形態の磁気検出装置を示す斜視図、図２は、図１の磁気検出装置のＩＩ−ＩＩ線での縦断面図、図３は磁気検出装置の回路構成図、図４は、図１に示すセンサ部２０の拡大平面図、図５は、図４に示すＡ−Ａ線から前記センサ部２０を膜厚方向に切断しその切断面を矢印方向から見た部分断面図、図６は、図４に示すＢ−Ｂ線から前記センサ部２０を膜厚方向に切断しその切断面を矢印方向から見た部分拡大断面図、である。

図１に示す磁気検出装置Ｓは、センサ部２０と固定抵抗部１０および集積回路１１が一体化されてパッケージ化されており、小型で且つ薄型に構成されている。この磁気検出装置Ｓは、磁石Ｍなどの磁界発生部材からの外部磁界を検出するものである。この磁気検出装置Ｓは、折り畳み式の携帯電話等の電子機器や冷蔵庫等の電化製品内に内蔵され、開閉検知等に使用される。あるいは前記磁気検出装置Ｓは磁気エンコーダやポテンショメータ等にも使用可能である。

図１に示すように、センサ部２０及び固定抵抗部１０は、その平面形状がミアンダ形状で形成されており、その基本的な電気抵抗値が高くなっている。

図１に示す形態では、前記センサ部２０及び固定抵抗部１０が夫々１個ずつ設けられ、出力取り出し部１７ａを介して直接接続されているが、例えば、図３に示すように前記センサ部２０及び固定抵抗部１０が夫々２個ずつ設けられてブリッジ回路を構成することが好適である。

図２に示すように、本実施形態における磁気検出装置Ｓは、ケイ素（Ｓｉ）の基板１２上に、差動増幅器やコンパレータ等の各種の能動素子３３，４０、配線層３６、抵抗器４４等から構成される集積回路１１が形成されている。前記集積回路１１上は絶縁層１３で覆われている。
前記絶縁層１３上に前記センサ部２０および固定抵抗部１０が形成される。

図１に示すように、センサ部２０の一方の端部には、低抵抗材料で形成された電極部１６が設けられ、他方の端部には同じく低抵抗材料で形成された電極部１９が設けられている。固定抵抗部１０の一方の端部には、低抵抗材料で形成された電極部１５が設けられ、他方の端部にも、低抵抗材料で形成された電極部１８が設けられている。そして、センサ部２０の電極部１６と固定抵抗部１０の電極部１５とが、リード層１７で接続され、センサ部２０と固定抵抗部１０とが直列に接続されている。

また図２に示すように前記リード層１７は前記絶縁層１３内を貫通して前記配線層３６上に接続され、前記リード層１７の前記配線層３６と接続された部分が、出力取り出し部１７ａとなっている。

図２に示すように、センサ部２０及び固定抵抗部１０上は、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）等の絶縁層１４によって保護されている。また図１に示すように磁気検出装置Ｓの表面には、電源パッド３２、接地パッド３４、出力パッド４２が露出している。

図３に示すように、電源パッド３２に電源電圧Ｖｃｃが与えられ、接地パッド３４が接地電位に設定される。図３に示すように、センサ部２０と固定抵抗部１０とでブリッジ回路が構成されている場合、前記ブリッジ回路の各出力取り出し部１７ａ，１７ｂが差動増幅器４５に接続される。前記ブリッジ回路から得られた出力電圧は、前記差動増幅器４５で差動増幅される。この出力は、例えば、シュミットトリガー型のコンパレータ３９を経てノイズが除去された矩形波とされ、出力トランジスタ４１と出力抵抗４３とで決められる出力電位が、図１に示す出力パッド４２に与えられる。

次にセンサ部２０の構成について説明する。上記したように前記センサ部２０は基板１２上に設けられた表面が平坦化された絶縁層１３上に形成されている。

図４に示すように前記センサ部２０は、ミアンダ形状で形成されたセンサパターン３５と、前記センサパターン３５の長手方向（センサパターン３５に沿った方向）の両端部に形成された前記電極部１６，１９とを有して構成される。

図４に示すように前記センサパターン３５は幅方向（図示Ｘ方向）の寸法Ｔ２に比べて長さ方向（図示Ｙ方向）の寸法Ｌ１が長い直線状に延びる細長形状の複数の磁気抵抗効果膜６０〜６５と、各磁気抵抗効果膜６０〜６５の長さ方向（図示Ｙ方向）の端部間を連結する折り返し部３７とを備える。

この実施形態では前記折り返し部３７をハードバイアス層で形成することが可能である。

図６に示すように、各磁気抵抗効果膜６０〜６５（図６では代表的に磁気抵抗効果膜６２を示すが、他の全ての磁気抵抗効果素子も同じ積層構造である）は下から反強磁性層５１、固定磁性層５２、非磁性材料層５３、フリー磁性層５４及び保護層５５の順に積層形成されている。例えば、前記反強磁性層５１はＩｒＭｎで形成され、固定磁性層５２はＣｏＦｅで形成され、非磁性材料層５３はＣｕで形成され、フリー磁性層５４はＮｉＦｅで形成され保護層５５はＴａで形成される。前記固定磁性層５２の磁化は一方向に固定されており、この実施形態では図１に示すように図示Ｘ方向に磁化固定されている（図１のＰＩＮ方向を参照）。一方、前記フリー磁性層５４の磁化は固定されず外部磁界を受けて変動する。この実施形態では外部磁界が作用しない無磁場状態での前記フリー磁性層５４の磁化は、ハードバイアス層で形成された折り返し部３７からのバイアス磁界を受けて、図示Ｙ方向に揃えられている。前記磁気抵抗効果膜６０〜６５を構成する層あるいは積層順が図６に示す形態に限定されるものでないが、少なくとも、反強磁性層５１、固定磁性層５２、非磁性材料層５３、フリー磁性層５４及び保護層５５を有することが好適である。

また固定抵抗部１０は、抵抗膜の単層や積層構造で形成される。前記固定抵抗部１０を積層構造で形成するとき、磁気抵抗効果膜６０〜６５と同じ構成層とし、フリー磁性層５４と非磁性材料層５３とを逆積層すればフリー磁性層５４に相当する層は外部磁界に対して変動しなくなり固定抵抗にできる。またこの構成では、固定抵抗部１０とセンサ部２０との温度係数（ＴＣＲ）のばらつきを小さくできて好適である。

図４，図５に示すように、折り返し部３７を介して対向する図示左側の磁気抵抗効果膜６１の上面６１ａから図示右側の磁気抵抗効果膜６２の上面６２ａにかけて非磁性の導体６６が電気的に接続されている。この導体６６は、図５に示すように、前記磁気抵抗効果膜６１，６２の上面６１ａ，６２ａから図示Ｘ方向の側面６１ｂ，６２ｂ、及び前記磁気抵抗効果膜６１，６２間に露出する絶縁層１３上にかけて形成されている。

前記導体６６は、磁気抵抗効果膜６０〜６５に比べて十分に小さい抵抗値を有する非磁性導電材料で形成される。具体的には、前記磁気抵抗効果膜６０〜６５の抵抗値は５００Ω〜１００００Ω（抵抗率は２０Ω／□）であり、前記導体６６の抵抗値は５０ｍΩ〜１００Ω（抵抗率は１．７μΩ・ｃｍ〜３０μΩ・ｃｍ）である。前記導体６６はＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ａｌ等で形成される。前記導体６６はスパッタ法やメッキ法等で形成される。

本実施形態では、図４に示すように前記導体６６を折り返し部３７を介して対向する磁気抵抗効果膜６１，６２の上面６１ａ，６２ａ間に電気的に接続して前記電極部１６，１９間の抵抗値（以下、センサ部２０の抵抗値と言う）を調整している。

例えば前記導体６６が無い状態で、且つ外部磁界が作用していない無磁場状態にて前記センサ部２０の抵抗値を測定し、前記センサ部２０と直列接続される固定抵抗部１０の抵抗値と比較する。なお以下、特に断らない限り「抵抗値」と言う場合は、無磁場状態での「抵抗値」を指す。

中点電位を得るため、前記センサ部２０と前記固定抵抗部１０の抵抗値を一致させる場合に、前記センサ部２０側の抵抗値が前記固定抵抗部１０の抵抗値よりも大きいとき、前記導体６６を用いて前記センサ部２０の抵抗値を調整する。なお本実施形態では、導体６６を設けない状態で、予め前記センサ部２０の抵抗値が前記固定抵抗部１０の抵抗値よりも大きくなるように形成しておく。

そして、図４に示すように前記導体６６を磁気抵抗効果膜６１，６２の上面６１ａ，６１ｂ間に電気的に接続すると、前記電極部１６，１９から前記センサパターン３５内に流れる電流の経路長が図４に示すＬ２（なお電流経路長Ｌ２は幅方向の中心位置に模式図的に示したものである）のように短くなるため、前記センサ部２０の抵抗値を前記導体６６を設けない状態に比べて小さくでき、前記固定抵抗部１０の抵抗値と一致するように抵抗調整が可能となる。

図１１に示す従来構造と比較すると本実施形態では、前記導体６６を直接、磁気抵抗効果膜６１，６２の上面６１ａ，６２ａ間に電気的に接続するので、前記センサ部２０の幅方向（図示Ｘ方向）の寸法を大きくすることなく前記センサ部２０の抵抗調整が可能である。なおセンサ部２０の幅方向の寸法のみならず長さ方向（図示Ｙ方向）の寸法も大きくすることが無い。

しかも、前記導体６６は前記磁気抵抗効果膜６１，６２の上面６１ａ，６２ａに接続されるので（好ましくは上面６１ａ，６２ａから側面６１ｂ，６２ｂにかけて接続されるので）、前記導体６６と前記磁気抵抗効果膜６１，６２間の接触面積を大きくでき、接触不良を起こすことなく前記導体６６と前記磁気抵抗効果膜６１，６２とを電気的に安定して接続できる。

また導体６６は非磁性であるので、前記導体６６を前記磁気抵抗効果膜６１，６２に接続しても、磁気特性の劣化やばらつきを、導体６６を接続しない形態に比べて小さく抑えることができる。

具体的数値について説明する。各磁気抵抗効果膜６０〜６５の幅方向の寸法Ｔ２は、２〜１０μｍ、各磁気抵抗効果膜６０〜６５の長さ方向の寸法Ｌ１は、２０〜３００μｍ、前記導体６６の前記磁気抵抗効果膜６１，６２間を繋ぐ方向（図示Ｘ方向）の寸法Ｔ３は、３〜２０μｍ、前記寸法Ｔ３と直交する方向（図示Ｙ方向）の寸法Ｔ４は、５〜２０μｍ、各磁気抵抗効果膜６０〜６５間の間隔Ｔ５は、２〜１０μｍ（いずれも図４参照）、各磁気抵抗効果膜６０〜６５の膜厚Ｈ１は、２０〜３０ｎｍ、前記導体６６の膜厚Ｈ２（前記磁気抵抗効果膜６１，６２の上面６１ａ，６２ａでの膜厚）は、１００〜３００ｎｍ（いずれも図５参照）である。

図６に示すように前記磁気抵抗効果膜６２の最上層であり、フリー磁性層５４の酸化を防止する役割を担う前記保護層５５の表面には薄い酸化層５５ａが形成されている。

よって図６に示すように、少なくとも前記導体６６が接続される部分では、前記保護層５５の上面に形成された酸化層５５ａをエッチングにて除去した状態で、前記導体６６が前記保護層５５の上面５５ｂに接続されると、前記導体６６と磁気抵抗効果膜６１，６２との電気的接続を安定化できる。

また図７に示すように、前記導体６６が接続される部分での前記保護層５５及びフリー磁性層５４の一部が除去された状態で、前記導体６６が前記フリー磁性層５４の上面５４ａに接続されていてもよい。

図４に示すように各磁気抵抗効果膜６０〜６５は幅方向の寸法Ｔ２より長さ方向の寸法Ｌ１のほうが長い細長形状で形成されており、各磁気抵抗効果膜６０〜６５には長さ方向（図示Ｙ方向）に形状異方性（反磁界）が付与されている。

形状異方性の大きさは、非磁性層の部分をエッチング等で除去しても影響ないが、磁性層の部分を削ると変動するので、導体６６を形成しない形態に対する磁気特性の劣化やばらつきを小さくするには、なるべく前記磁性層の部分を削らないほうがよい。よって図７よりも図６の形態のほうが、導体６６が接続される磁気抵抗効果膜６１，６２の形状異方性の変化を小さくでき（最も好ましくは変化をゼロにでき）、その結果、導体６６を形成しない形態に対するセンサ部２０の磁気特性の劣化やばらつきを小さくできる。

ただし、図７の形態では、フリー磁性層５４を一部残しており、フリー磁性層５４が磁気的に分断されているわけではないため、導体６６が接続される磁気抵抗効果膜６１，６２に付与される形状異方性を、導体６６が接続されない磁気抵抗効果膜６０，６３，６４，６５に付与される形状異方性に比べて大きく変化しないようにできる。

また図８に示すように、前記導体６６が接続される例えば磁気抵抗効果膜６２の一部には、前記磁気抵抗効果膜６２が全て除去された空間部７０が形成され、前記導体６６は前記空間部７０内に形成されて、前記磁気抵抗効果膜６２と電気的に接続される構成であっても、前記空間部７０における磁気抵抗効果膜６２の切断方向（長さ方向：図示Ｙ方向）への寸法Ｔ６を小さくして（具体的には２〜１０μｍ程度）、空間部７０を介して切断されたフリー磁性層５４や固定磁性層５２間が磁気的には完全に分断されないようにすれば、形状異方性の急激な変化を抑制することができる。

またセンサパターン３５を構成する磁気抵抗効果膜６０〜６５の数は、具体的には２〜３０程度であるが、前記磁気抵抗効果膜６０〜６５の数を多くすると、センサパターン３５全体から見た、導体６６が接続される磁気抵抗効果膜６１，６２の形状異方性の変化は相対的に小さくなり、センサパターン３５全体における磁気特性の劣化やばらつきを小さくできる。

図８に示す空間部７０の形成は、前記導体６６を介して電気的に接続される磁気抵抗効果膜６１，６２の双方に形成してもよい。

また特に図８の形態においては、前記導体６６が接続される磁気抵抗効果膜６１，６２での電流経路が長くなるように導体６６の形成位置を、磁気抵抗効果膜６１，６２間を連結する折り返し部３７寄りに調整することで、電流経路を担う部分での磁気抵抗効果膜６１，６２に付与される長さ方向への形状異方性の減少を抑制でき、導体６６を形成しない形態に対する磁気特性の劣化やばらつきを小さくできる。なお、導体６６の形成位置を、磁気抵抗効果膜６１，６２間を連結する折り返し部３７寄りに調整する構成は、図８の形態に限らず他の形態にも適宜適用できる。

また図９に示すように、３つ以上の磁気抵抗効果膜６１，６２，６３の各上面６１ａ，６２ａ，６３ａを連結するように導体７５を形成してもよいし、また導体７５，７６をセンサパターン３５の２箇所以上に設けてもよい。

また前記折り返し部３７の部分はハードバイアス層であることに限定されず、特にフリー磁性層５４の磁化方向をハードバイアス層からのバイアス磁界で制御する必要のない形態では、図１０に示すように折り返し部７８が、前記磁気抵抗効果膜６０〜６５と同じ積層構造で形成され、前記折り返し部３７と前記磁気抵抗効果膜６０〜６５とが一体的に形成されたセンサパターン７７でもよい。

図７に示す磁気抵抗効果膜６２の積層構造は巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ効果）を利用した素子構造（ＧＭＲ素子）であるが、前記非磁性材料層５３の部分がＡｌ_２Ｏ_３等の絶縁材料で形成されたトンネル型磁気抵抗効果（ＴＭＲ効果）を利用した素子構造（ＴＭＲ素子）や、異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）素子構造であってもよい。

本実施形態の磁気検出装置を示す斜視図、図１の磁気検出装置のＩＩ−ＩＩ線での縦断面図、磁気検出装置の回路構成図、図１に示すセンサ部の拡大平面図、図４に示すＡ−Ａ線から前記センサ部を膜厚方向に切断しその切断面を矢印方向から見た部分断面図、図４に示すＢ−Ｂ線から前記センサ部を膜厚方向に切断しその切断面を矢印方向から見た部分拡大断面図、図６とは別の本実施形態のセンサ部の部分断面図、図６とは別の本実施形態のセンサ部の部分断面図、図４とは別の本実施形態のセンサ部の平面図、図４とは別の本実施形態のセンサ部の平面図、従来構造のセンサ部の平面図、

符号の説明

１０固定抵抗部
２０センサ部
１５、１６、１８、１９電極部
１７リード層
３２電源パッド
３４接地パッド
３５、７７センサパターン
３７、７８折り返し部
４２出力パッド
４５差動増幅器
５１反強磁性層
５２固定磁性層
５３非磁性材料層
５４フリー磁性層
５５保護層
５５ａ酸化層
６０〜６５磁気抵抗効果膜
６６、７５、７６導体
７０空間部

Claims

外部磁界に対して電気抵抗値が変化する磁気抵抗効果を利用した複数の磁気抵抗効果膜の長さ方向の端部間が折り返し部を介して連結されたセンサパターンと、前記センサパターンの長手方向の両端部に形成された電極部と、を有して成るセンサ部を備え、
前記折り返し部を介して配置された一方の磁気抵抗効果膜の上面から他方の磁気抵抗効果膜の上面にかけて非磁性の導体が電気的に接続されて、前記電極部間の抵抗値が調整されており、
前記磁気抵抗効果膜は磁性層と非磁性層とを含む積層構造で、最上層が非磁性の保護層であり、
前記保護層の下に磁性層を備え、前記導体と接続される部分での前記保護層及び前記磁性層の一部が除去された状態で、前記導体が前記磁性層の上面に接続されていることを特徴とする磁気検出装置。
前記磁気抵抗効果膜は、下から反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層、フリー磁性層及び保護層の順に積層され、前記導体と接続される部分での前記保護層及び前記フリー磁性層の一部が除去された状態で、前記導体が前記フリー磁性層の上面に電気的に接続されている請求項１記載の磁気検出装置。
外部磁界に対して電気抵抗値が変化する磁気抵抗効果を利用した複数の磁気抵抗効果膜の長さ方向の端部間が折り返し部を介して連結されたセンサパターンと、前記センサパターンの長手方向の両端部に形成された電極部と、を有して成るセンサ部を備え、
前記折り返し部を介して配置された一方の磁気抵抗効果膜の上面から他方の磁気抵抗効果膜の上面にかけて非磁性の導体が電気的に接続されて、前記電極部間の抵抗値が調整されており、
前記導体が接続される少なくとも一方の磁気抵抗効果膜の一部には、前記磁気抵抗効果膜が全て除去された空間部が形成され、前記導体は前記空間部内に形成されて前記磁気抵抗効果膜と電気的に接続されていることを特徴とする磁気検出装置。
前記磁気抵抗効果膜は、幅方向の寸法に比べて長さ方向の寸法が長い細長形状である請求項１ないし３のいずれかに記載の磁気検出装置。
前記センサパターンはミアンダ形状である請求項１ないし４のいずれかに記載の磁気検出装置。