WO2009031539A1 - 磁気検出装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 特に、磁気抵抗効果膜を有するセンサパターンと電極部とを備えて成るセンサ部の抵抗値を、前記センサ部の寸法を大きくすることなく調整可能とし、且つ磁気特性の劣化やばらつきを小さく抑えることが可能な磁気検出装置を提供することを目的としている。 【解決手段】 複数の磁気抵抗効果膜60~65の長さ方向の端部間が折り返し部37を介して連結されたセンサパターン35と、前記センサパターン35の長手方向の両端部に形成された電極部16,19と、を有するセンサ部20を備える。そして前記折り返し部37を介して対向する一方の磁気抵抗効果膜61の上面61aから他方の磁気抵抗効果膜62の上面62aにかけて非磁性の導体66が電気的に接続されている。これにより電極部16,19間の抵抗値を、センサ部20の寸法を大きくすることなく調整可能で、且つ磁気特性の劣化やばらつきを小さく抑えることができる。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010122944A1 (ja) * 2009-04-21 2010-10-28 アルプス電気株式会社 磁気センサパッケージ
WO2010122919A1 (ja) * 2009-04-22 2010-10-28 アルプス電気株式会社 磁気センサ
WO2010143666A1 (ja) * 2009-06-12 2010-12-16 アルプス・グリーンデバイス株式会社 磁気平衡式電流センサ
JP2011103336A (ja) * 2009-11-10 2011-05-26 Denso Corp 磁気抵抗効果素子およびそれを用いたセンサ
WO2013171977A1 (ja) * 2012-05-16 2013-11-21 株式会社村田製作所 ブリッジ回路、及びこれを有する磁気センサ
WO2015182365A1 (ja) * 2014-05-30 2015-12-03 株式会社村田製作所 磁気センサ

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2442118B1 (en) 2009-06-12 2021-11-10 Alps Alpine Co., Ltd. Magnetic balance current sensor
WO2011111493A1 (ja) 2010-03-12 2011-09-15 アルプス・グリーンデバイス株式会社 電流センサ
CN102812376B (zh) 2010-03-12 2016-02-10 阿尔卑斯电气株式会社 磁性传感器和使用磁性传感器的磁性平衡式电流传感器
CN103069282B (zh) 2010-08-23 2015-06-03 阿尔卑斯绿色器件株式会社 磁平衡式电流传感器
US20130241542A1 (en) 2012-03-14 2013-09-19 Wolfgang Raberg Xmr monocell sensors, systems and methods
JP5726260B2 (ja) 2013-10-17 2015-05-27 三菱電機株式会社 磁気センサおよびその製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02205083A (ja) * 1989-02-02 1990-08-14 Nippon Autom Kk 薄膜素子の電気的特性の修正方法とこの方法を実施する薄膜素子
JP2006508528A (ja) * 2002-11-27 2006-03-09 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング 磁気抵抗センサ素子及び磁気抵抗センサ素子の角度誤差を低減する方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58167914A (ja) * 1982-03-29 1983-10-04 Kangiyou Denki Kiki Kk 磁気抵抗素子
JPS6424617A (en) 1987-07-21 1989-01-26 Nec Corp Amplitude limit circuit
FR2752302B1 (fr) * 1996-08-08 1998-09-11 Commissariat Energie Atomique Capteur de champ magnetique a pont de magnetoresistances
EP1284412A4 (en) * 2000-05-15 2006-10-25 Mitsubishi Electric Corp DETECTION ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING
JP2004207540A (ja) 2002-12-26 2004-07-22 Kyocera Corp 複合電子部品及びその特性調整方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02205083A (ja) * 1989-02-02 1990-08-14 Nippon Autom Kk 薄膜素子の電気的特性の修正方法とこの方法を実施する薄膜素子
JP2006508528A (ja) * 2002-11-27 2006-03-09 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング 磁気抵抗センサ素子及び磁気抵抗センサ素子の角度誤差を低減する方法

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010122944A1 (ja) * 2009-04-21 2010-10-28 アルプス電気株式会社 磁気センサパッケージ
JP5107461B2 (ja) * 2009-04-21 2012-12-26 アルプス電気株式会社 磁気センサパッケージ
WO2010122919A1 (ja) * 2009-04-22 2010-10-28 アルプス電気株式会社 磁気センサ
JP5223001B2 (ja) * 2009-04-22 2013-06-26 アルプス電気株式会社 磁気センサ
JP5250108B2 (ja) * 2009-06-12 2013-07-31 アルプス・グリーンデバイス株式会社 磁気平衡式電流センサ
WO2010143666A1 (ja) * 2009-06-12 2010-12-16 アルプス・グリーンデバイス株式会社 磁気平衡式電流センサ
JPWO2010143666A1 (ja) * 2009-06-12 2012-11-29 アルプス・グリーンデバイス株式会社 磁気平衡式電流センサ
JP2011103336A (ja) * 2009-11-10 2011-05-26 Denso Corp 磁気抵抗効果素子およびそれを用いたセンサ
WO2013171977A1 (ja) * 2012-05-16 2013-11-21 株式会社村田製作所 ブリッジ回路、及びこれを有する磁気センサ
JPWO2013171977A1 (ja) * 2012-05-16 2016-01-12 株式会社村田製作所 ブリッジ回路、及びこれを有する磁気センサ
WO2015182365A1 (ja) * 2014-05-30 2015-12-03 株式会社村田製作所 磁気センサ
CN105223523A (zh) * 2014-05-30 2016-01-06 株式会社村田制作所 磁传感器
JPWO2015182365A1 (ja) * 2014-05-30 2017-04-20 株式会社村田製作所 磁気センサ
US9915706B2 (en) 2014-05-30 2018-03-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Magnetic sensor

Also Published As

Publication number Publication date
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