JP2013506141A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 強磁性薄膜ベースの磁場センサーであって、
   平面を有する基板と、
   第１の磁気抵抗センサーであって、
   前記基板の平面に平行な第１の面を有する第１の検知素子であって、該第１の検知素子は前記第１の面に対向する第２の面を有し、かつ第１および第２の対向端部を有する、前記第１の検知素子と、
   前記第１の検知素子の第１の面に対して非平行に配置され、前記第１の検知素子の前記第１の端部および第１の面に近接する端部を有する第１の磁束ガイドとを含む前記第１の磁気抵抗センサーと
   を備える強磁性薄膜ベースの磁場センサー。
2. 前記第１の磁気抵抗センサーは、
   前記第１の検知素子の第１の面に非平行に配置され、前記第１の検知素子の第２の端部と第２の面とに近接する端部を有する第２の磁束ガイドをさらに備える、
   請求項１に記載の強磁性薄膜ベースの磁場センサー。
3. 前記第１の磁気抵抗センサーは、強磁性薄膜ベースの磁場センサーのアレイの１つを備える、請求項１に記載の強磁性薄膜ベースの磁場センサー。
4. 前記第１の磁束ガイドおよび前記第２の磁束ガイドの少なくとも１つは、前記基板の平面と実質的に直交して配置される、請求項２に記載の強磁性薄膜ベースの磁場センサー。
5. 第１の方向に直交する第２の方向の磁場を検出する第２の検知素子を有する第２の磁気抵抗センサーと、
   前記第２の検知素子に直交し、前記第１の方向および前記第２の方向に直交する第３の方向の磁場を検出する第３の検知素子を有する第３の磁気抵抗センサーと
   をさらに備え、
   前記第３の検知素子は前記第１の検知素子および前記第２の検知素子と同一平面内にある、請求項１に記載の強磁性薄膜ベースの磁場センサー。
6. 強磁性薄膜ベースの磁場センサーであって、
   前記センサーの平面に直交する磁場を検知するホイートストンブリッジとして結合された第１、第２、第３、および第４の磁気トンネル接合センサーを備える第１のブリッジ回路を備え、
   前記第１の磁気トンネル接合センサーは、
   第１の基準層と、
   前記第１の基準層に形成され、第１および第２の端部と第１および第２の面を有する第１の検知素子と、
   前記第１の検知素子の第１の端部と第１の面とに直交しかつ離間して配置された第１の磁束ガイドとを含み、
   前記第２の磁気トンネル接合センサーは、
   第２の基準層と、
   前記第２の基準層に形成され、第１および第２の端部と第１および第２の面を有する第２の検知素子と、
   前記第２の検知素子の第１の端部と第１の面とに直交しかつ離間して配置された第２の磁束ガイドとを含み、
   前記第３の磁気トンネル接合センサーは、
   第３の基準層と、
   前記第３の基準層に形成され、第１および第２の端部と第１および第２の面を有する第３の検知素子と、
   前記第３の検知素子の第１の端部と第１の面とに直交しかつ離間して配置された第３の磁束ガイドとを含み、
   前記第４の磁気トンネル接合センサーは、
   第４の基準層と、
   前記第４の基準層に形成され、第１および第２の端部と第１および第２の面を有する第４の検知素子と、
   前記第４の検知素子の第１の端部と第１の面とに直交しかつ離間して配置された第４の磁束ガイドとを含む、強磁性薄膜ベースの磁場センサー。
7. 第１の方向に直交する第２の方向の磁場を検知する第２のホイートストンブリッジとして結合された第５、第６、第７、および第８の磁気トンネル接合センサーを含む第２のブリッジ回路と、
   前記第１の方向および前記第２の方向に直交する第３の方向の磁場を検知する第３のホイートストンブリッジとして結合された第９、第１０、第１１、および第１２の磁気トンネル接合センサーを含む第３のブリッジ回路と、
   をさらに備える、請求項６に記載の強磁性薄膜ベースの磁場センサー。