DE102019107689A1

DE102019107689A1 - Schichtstruktur für einen magnetoresistiven Magnetfeldsensor, magnetoresistiver Magnetfeldsensor und Verfahren zu deren Herstellung

Info

Publication number: DE102019107689A1
Application number: DE102019107689.7A
Authority: DE
Inventors: Johannes Paul; Jürgen Wahrhusen
Original assignee: Sensitec GmbH
Current assignee: Sensitec GmbH
Priority date: 2019-03-26
Filing date: 2019-03-26
Publication date: 2020-10-01

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Schichtstruktur für einen magnetoresistiven Magnetfeldsensor, zumindest umfassend eine antiferromagnetische Schicht, eine erste ferromagnetische Schicht mit einem ersten magnetischen Moment, wobei zwischen der antiferromagnetischen Schicht und der ersten ferromagnetischen Schicht eine Austauschkopplung besteht, und eine zweite ferromagnetische Schicht mit einem zweiten magnetischen Moment, wobei die zweite ferromagnetische Schicht über eine zwischen der ersten und der zweiten ferromagnetischen Schicht angeordneten nichtmagnetischen Kopplungsschicht mit der ersten ferromagnetischen Schicht antiparallel gekoppelt ist. Es wird vorgeschlagen, dass der Quotient aus dem ersten und dem zweiten magnetischen Moment zwischen 1,7 und 2,3 beträgt.Die Erfindung betrifft weiterhin einen magnetoresistiven Magnetfeldsensor mit einer derartigen Schichtstruktur sowie ein Verfahren zum Herstellen der Schichtstruktur und des magnetoresistiven Magnetfeldsensors.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Schichtstruktur für einen magnetoresistiven Magnetfeldsensor, zumindest umfassend eine antiferromagnetische Schicht, eine erste ferromagnetische Schicht mit einem ersten magnetischen Moment, wobei zwischen der antiferromagnetischen Schicht und der ersten ferromagnetischen Schicht eine Austauschkopplung besteht, und eine zweite ferromagnetische Schicht mit einem zweiten magnetischen Moment, wobei die zweite ferromagnetische Schicht über eine zwischen der ersten und der zweiten ferromagnetischen Schicht angeordneten nichtmagnetischen Kopplungsschicht mit der ersten ferromagnetischen Schicht antiparallel gekoppelt ist. Die Erfindung betrifft weiterhin einen magnetoresistiven Magnetfeldsensor mit einer derartigen Schichtstruktur sowie Verfahren zum Herstellen der Schichtstruktur und des magnetoresistiven Magnetfeldsensors.
STAND DER TECHNIK
Magnetoresistive Magnetfeldsensoren dienen der widerstandsbasierten Messung von Magnetfeldern. Durch geeignete geometrische Anordnungen können weitere physikalische Größen wie beispielsweise Weg, Winkel oder Stromstärke erfasst werden. Magnetoresistive Magnetfeldsensoren beruhen auf einem magnetoresistiven Effekt. Dieser beschreibt eine Änderung des elektrischen Widerstands eines Materials durch Anlegen oder Verändern eines äußeren Magnetfelds. Magnetfeldsensoren mit einem vergleichsweise hohen magnetoresistiven Effekt, welcher durch den Quotienten aus Widerstandsänderung (ΔR = R_Max - R_Min) und dem minimalen Widerstand R_Min beschrieben werden kann, basieren auf dem Riesenmagnetowiderstandseffekt (GMR-Effekt, von Englisch giant magnetoresistance) oder dem Tunnelmagnetoeffekt (TMR-Effekt, von Englisch tunnel magnetoresistance). Alternativ stehen Materialien zur Verfügung, die den AMR Effekt (anisotropic magneto resistance) zeigen. Diese Effekte werden auch zusammenfassend als xMR-Effekt bezeichnet.
GMR- und TMR- Magnetfeldsensoren umfassen einen Dünnschichtaufbau von nichtmagnetischen und magnetischen Materialien, bei welchen eine magnetische Kopplung bzw. ein Spin-Effekt durch die Schichten hindurch einen Einfluss auf den elektrischen Widerstand hat. Bei GMR- und TMR-basierten magnetoresistiven Schichtstrukturen kann eine Veränderung des elektrischen Widerstandes auf Basis eines externen Magnetfeldes von bis zu 50% (GMR) bzw. bis zu 600% (TMR) erreicht werden.
Für die Herstellung von TMR-Magnetfeldsensoren wird ein Schichtaufbau von mindestens zwei ferromagnetischen Schichten und einer elektrisch isolierenden Barriereschicht, die als Tunnelbarriere dient und auch als Zwischenschicht bezeichnet wird, ausgebildet, sodass zwischen den beiden ferromagnetischen Schichten ein Tunnelstrom fließen kann. Im Falle eines TMR-Magnetfeldsensors besteht die Barriereschicht beispielsweise aus Al₂O₃ oder MgO. Im Falle eines GMR-Magnetfeldsensors wird oft eine dünne nichtmagnetische, jedoch leitfähige Schicht aus Cu oder Ru verwendet. Der elektrische Widerstand eines Tunnelelements hängt neben geometrischen Parameter wie die Fläche davon ab, wie die beiden ferromagnetischen Schichten zueinander magnetisiert sind. Sind die beiden ferromagnetischen Schichten parallel zueinander magnetisiert, ist der Widerstand R_Min minimal. Sind sie hingegen antiparallel zueinander magnetisiert, ist der Widerstand R_Max maximal.
In der Praxis wird häufig die Magnetisierungsrichtung einer der beiden ferromagnetischen Schichten fixiert oder gepinnt, sodass die Magnetisierung dieser Schicht nicht oder nur schwach auf äußere Felder reagiert. Diese Schicht wird als Referenzschicht oder auch gepinnte Schicht bezeichnet. Die andere Schicht wird dagegen so gestaltet, dass ihre Magnetisierung in definierter Weise dem äußeren Feld folgen kann. Diese Schicht wird auch Detektionsschicht oder freie Schicht genannt.
Durch die Aufteilung in eine Referenzschicht und eine Detektionsschicht, die unterschiedlich auf äußere Felder reagieren, gelingt es, Widerstandsänderungen bei Veränderung von äußeren Feldern zu erhalten und eine sensorische Vorrichtung zu realisieren. Die Widerstandsabhängigkeit korreliert mit dem Winkel zwischen der Magnetisierungsrichtung der Detektionsschicht, die auch als „free layer“ bezeichnet wird und der Magnetisierungsrichtung der Referenzschicht, die auch als „pinned layer“ bezeichnet wird.
Eine Schichtstruktur ist dabei eine Struktur, die in die eine Achse typischerweise senkrecht zur Substratoberfläche als eine Abfolge von dünnen Schichten beschrieben werden kann, in den anderen dazu orthogonalen Achsen eine geometrische Form besitzt.
Zur Herstellung derartiger Strukturen bzw. Widerstandselemente werden Dünnschichttechnologien eingesetzt. Im Rahmen des Herstellverfahrens kann die Richtung der Magnetisierung der Referenzschicht permanent eingestellt werden, was häufig als Pinning bezeichnet wird. Zum Pinnen der ferromagnetischen Schicht oder der Referenzschicht wird in der Regel die ferromagnetische Schicht an eine antiferromagnetische Nachbarschicht gekoppelt. Zum Einstellen der Magnetisierungsrichtung wird das Widerstandselement, d.h. die Schichtstruktur, über die sogenannte Blocking-Temperatur erhitzt, bei welcher die Austauschkopplung zwischen der antiferromagnetischen Schicht und der ferromagnetischen Schicht verschwindet, wobei in der Regel diese Temperatur niedriger ist als die Curie-Temperatur der ferromagnetischen Schichten. Nach Erreichen der gewünschten Temperatur oberhalb der Blocking-Temperatur und unterhalb der Curie-Temperatur werden die ferromagnetischen Schichten einem externen Pinning-Magnetfeld ausgesetzt, wodurch diese Schichten in eine definierte Magnetisierungsrichtung gezwungen werden. Dazu ist es erforderlich, dass das angelegte Pinning-Magnetfeld groß genug ist, die ferromagnetische Schicht vollständig parallel zum Pinningfeld auszurichten. Diese Magnetisierungsrichtung bleibt erhalten, wenn bei angelegtem Pinning-Magnetfeld die Schichtstruktur wieder abgekühlt und die Blocking-Temperatur unterschritten wird.
In diesem Zusammenhang wird im Weiteren von einem Pinning-Magnetfeld als einem lokal wirkenden Magnetfeld gesprochen, das in einer gewünschten Pinning-Richtung eine ferromagnetische Schicht der Schichtstruktur rechtwinklig zur Schichtenreihenfolge, d.h. tangential zur Substratoberfläche durchdringt und eine lokale magnetische Feldkomponente darstellt. Davon zu unterscheiden ist das sogenannte Vorbehandlungsmagnetfeld als globales Ausrichtungsmagnetfeld, aus dem durch Führung des Magnetfelds, z.B. durch ferromagnetische Strukturierungselemente das Pinning-Magnetfeld abgeleitet wird. Das globale Vorbehandlungsmagnetfeld ist in der Regel stärker und kann in einer anderen Richtung als das lokale Pinning-Magnetfeld ausgerichtet sein.
Ein Nachteil eines derartigen Referenz-Schichtsystems mit nur einer ferromagnetischen Referenzschicht, welches auch als „simple spin valve (SSV)“ bezeichnet wird, besteht in einer nur geringen thermischen Stabilität. Insbesondere besteht die Gefahr, dass in einer Anwendung durch Auftreten von hohen Temperaturen und Magnetfeldern die Pinningrichtung gedreht wird. Dieser Effekt bewirkt eine Drift im Verhalten eines Sensors, der diese Referenzschichten verwendet. Dabei gilt, je kleiner das magnetische Moment der Referenzschicht ist, desto schwächer können Magnetfelder einkoppeln und die Schicht drehen. Daher ist es hier günstig, die Schichtdicken der Referenzschicht klein zu halten, damit mögliche Drifts auch klein sind. Allerdings ist der magnetoresistive Effekt bei derartigen SSV-Strukturen vergleichsweise klein. Ein Vorteil besteht jedoch darin, dass zur Ausrichtung der Referenzschicht nur geringe magnetische Feldstärken erforderlich sind.
Bei einer verbesserten Referenz-Schichtstruktur wird zusätzlich zu einer ersten ferromagnetischen Schicht, die auf der antiferromagnetischen Schicht angeordnet ist, eine zweite ferromagnetische Schicht vorgesehen. Zwischen diesen beiden ferromagnetischen Schichten ist eine Kopplungsschicht vorgesehen, welche eine antiparallele, RKKY-Kopplung (Ruderman-Kittel-Kasuya-Yoshida-Wechselwirkung) zwischen den beiden ferromagnetischen Schichten bewirkt. Derartige Schichtstrukturen werden auch als „antiparallelly coupled pinned layer spin valve (APP-SV)“ bezeichnet.
Da die magnetischen Momente der beiden ferromagnetischen Schichten annähernd gleich groß sind und sich das magnetische Gesamtmoment der ferromagnetischen Schichten aufgrund der antiparallelen Ausrichtung zu annähernd Null aufhebt, verursachen externe Magnetfelder im Betrieb nur eine geringe Änderung der Magnetisierungsrichtung des Referenzschichtsystems, sodass ein derartiges APP-SV auch bei höheren Temperaturen stabil ist. Im Vergleich mit einem SSV ist zudem der magnetoresistive Effekt eines APP-SV größer.
Ein wesentlicher Nachteil besteht jedoch darin, dass wegen der sich aufhebenden magnetischen Momente der beiden ferromagnetischen Schichten (magnetisches Gesamtmoment ungefähr Null) ein Pinnen dieser Schichtstruktur nur dann möglich ist, wenn die magnetische Flussdichte so groß ist, dass die RKKY-Kopplung zwischen den ferromagnetischen Schichten überwunden wird. Dazu sind magnetische Flussdichten von mehr als 1 T erforderlich. Dies erfordert einen hohen Aufwand für den Pinning-Prozess. Magnetfeldsensoren, bei denen mehrere Schichtstapel oder Widerstandselemente vorgesehen sind, welche eine unterschiedliche magnetische Ausrichtung aufweisen sollen, lassen sich gar nicht oder nur mit sehr hohem Aufwand herstellen.
Zum Einstellen von Pinningrichtungen ist es bekannt, selektiv räumlich begrenzte Bereiche eines Schichtstrukturen tragenden Substrats mittels selektiver Erwärmungsverfahren, insbesondere mittels Laser zu erhitzen, und ein externes Magnetfeld in eine gewünschte Richtung parallel zur Substratoberfläche zum Pinnen anzulegen. Hierdurch ist es möglich, lokal erhitzte Bereiche mit Schichtstrukturen in eine identische Richtung zu pinnen. Sollen verschiedene Pinningrichtungen auf einem Substrat hergestellt werden, so ist das Verfahren mehrmals mit verschiedenen externen Magnetfeldausrichtungen zu wiederholen, wobei es allerdings nicht möglich ist, räumlich nahe benachbarte Schichtstrukturen in verschiedene Richtungen zu pinnen. Andererseits werden für den Aufbau von üblichen richtungsselektiven Magnetfeldsensoren Schichtstrukturen benötigt, die verschiedene Vorzugsrichtungen haben und die denselben prozesstechnischen Eigenschaften unterliegen, somit ist ein Pinnen von Schichtstrukturen in unterschiedliche Richtungen bei eng benachbarten Schichtstrukturen wünschenswert.
Weiterhin ist das Laserpinning unter einer Sekunde nachteilhaft für antiferromagnetische Materialien, die während des Pinning Prozesses erst in die antiferromagnetische geordnete L1₀ Phase rekristallisieren können, wie z.B. PtMn oder NiMn. Die Rekristallisierungsprozess dauert typischerweise mehrere Stunden und ist mit lokalem Erhitzen durch Laserlicht in der Praxis nicht erreichbar.
Aus WO 2016/078793 A1 sind ein Verfahren und eine Vorrichtung zum multidirektionalen Pinnen von Magnetfeldsensoren bekannt, bei denen weichmagnetische Strukturierungselemente benachbart zu den Schichtstrukturen angeordnet werden, welche ein Vorbehandlungsmagnetfeld in die Schichtstrukturen einkoppeln. Das dort vorgestellte Verfahren ermöglicht ein Einkoppeln des Vorbehandlungs-Magnetfelds rechtwinklig zur Substratoberfläche, wodurch sich beliebige Pinningrichtungen tangential zur Substratoberfläche im Sinne eines Multirichtungspinnens einstellen lassen. Durch ein derartiges Multirichtungspinnen ist es beispielsweise möglich, hochgenaue Winkelsensoren mit Oberwellenfilterung des Sensorsignals, wie sie beispielsweise in der WO 2016/083420 A1 beschrieben sind, herzustellen. Allerdings können im praktischen Einsatz mit diesem Verfahren nur geringe Pinningflussdichten in Bereichen weit unter 1 T erreicht werden, so dass dieses Verfahren bei Multischichtstapelstrukturen mit starken magnetischen Verkopplungen nicht einsetzbar ist.
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Schichtstruktur für einen magnetoresistiven Magnetfeldsensor, einen magnetoresistiven Magnetfeldsensor sowie Verfahren zum Herstellen der Schichtstruktur bzw. des Magnetfeldsensors anzugeben, welche gegenüber dem Stand der Technik verbessert sind.
OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
Die Lösung der Aufgabe erfolgt durch eine Schichtstruktur, einen magnetoresistiven Magnetfeldsensor sowie durch ein Verfahren zum Herstellen einer Schichtstruktur und durch ein Verfahren zum Herstellen eines magnetoresistiven Magnetfeldsensors nach den unabhängigen und nebengeordneten Ansprüchen.
Für die erfindungsgemäße Schichtstruktur wird vorgeschlagen, dass der Quotient aus dem ersten magnetischen Moment der mit der antiferromagnetischen Schicht gekoppelten ersten ferromagnetischen Schicht und dem zweiten magnetischen Moment der zweiten ferromagnetischen Schicht, die antiparallel mit der ersten ferromagnetischen Schicht gekoppelt ist, zwischen 1,7 und 2,3 beträgt. Somit weist die mit der antiferromagnetischen Schicht per Austauschkopplung gekoppelte erste ferromagnetische Schicht ein ungefähr doppelt so hohes magnetisches Moment auf wie die zweite ferromagnetische Schicht, welche sich auf der der antiferromagnetischen Schicht abgewandten Seite der ersten ferromagnetischen Schicht befindet, und die mit der ersten ferromagnetischen Schicht über eine nichtmagnetischen Kopplungsschicht antiparallel gekoppelt ist. Die antiferromagnetische Schicht, die erste und zweite ferromagnetische Schicht und die Kopplungsschicht bilden somit einen Referenzschichtstapel, welcher sich bei sehr geringen Magnetfeldstärken pinnen lässt. Das resultierende magnetische Gesamtmoment M_{_APP_SV} der beiden ferromagnetischen Schichten M_FM1 und M_FM2 der Schichtstruktur ergibt sich aus: $M__{APP}__{SV} = M_{FM 1} - M_{FM 2} < M_{SSV,}$
und ist hierbei wesentlich kleiner als das resultierende Moment M_SSV einer Simple Spin Valve Schichtstruktur (SSV) mit vergleichbaren magnetoresistiven Eigenschaften. Diese Schichtstruktur kann als antiparallel gekoppelte gepinnte Schichtstruktur (APP - antiparalelly coupled pinned layer spinvalve) bezeichnet werden.
Gegenüber der eingangs genannten Schichtstruktur, insbesondere gegenüber APP-Strukturen reduziert sich die benötigte Pinning-Magnetfeldstärke größenordnungsmäßig um einen Faktor 10. Somit stellt die erfindungsgemäße Schichtstruktur eine Optimierung hinsichtlich der Durchführbarkeit des Pinning-Prozesses, der thermischen und magnetischen Stabilität und der Größe des xMR-Effekts dar.
Die antiferromagnetische Schicht kann beispielsweise aus FeMn, IrMn, PtMn, NiMn hergestellt sein, und eine Dicke zwischen 5 nm und 30 nm aufweisen.
Die Kopplungsschicht, welche eine antiparallele Ausrichtung der zweiten ferromagnetischen Schicht bezüglich der ersten ferromagnetischen Schicht bewirkt, kann beispielsweise aus einem metallischen, nichtmagnetischen Material bestehen, beispielsweise aus Ru oder Rh, und eine Dicke zwischen 0,3 nm und 1,5 nm aufweisen.
Bevorzugte Ausgestaltungen der ersten und zweiten ferromagnetischen Schichten werden nachfolgend noch näher beschrieben.
Der genannte Quotient der ersten und zweiten magnetischen Momente bezieht sich beispielsweise auf den Zustand der abgeschiedenen, jedoch noch nicht gepinnten ersten und zweiten ferromagnetischen Schichten oder kann sich auch auf den Zustand nach dem Pinnen der beiden Schichten beziehen.
Gemäß einer vorteilhaften Ausführungsform umfasst die Schichtstruktur eine dritte ferromagnetische Schicht, welche an der der Kopplungsschicht abgewandten Seite der zweiten ferromagnetischen Schicht angeordnet ist, wobei insbesondere zwischen der zweiten und dritten ferromagnetischen Schicht eine nichtmagnetische, insbesondere nichtleitende Barriereschicht, bevorzugt aus MgO, angeordnet ist. Die dritte ferromagnetische Schicht ist üblicherweise als Detektionsschicht ausgestaltet. Die dritte ferromagnetische Schicht ist bevorzugt aus Co, CoFe, NiFe oder CoNi hergestellt, wobei gegebenenfalls ein oder mehrere weitere Elemente mit einlegiert sein können, insbesondere Bor oder Silizium. Sie kann auch als Mehrschichtsystem verschiedener Materialien bestehen, die weichmagnetisches CoFe oder NiFe enthalten. Die Barriereschicht dient insbesondere dazu, den magnetoelektrischen Tunneleffekt zu optimieren.
Vorteilhafterweise umfasst die Schichtstruktur zumindest eine nichtmagnetische, insbesondere metallische Deckschicht, welche an der der zweiten ferromagnetischen Schicht abgewandten Seite der dritten ferromagnetischen Schicht angeordnet ist. Die Deckschicht grenzt die Schichtstruktur gegenüber darüberliegenden benachbarten Elementen ab und kann insbesondere auch zur Durchleitung der Messströme dienen.
Im Anschluss an eine Deckschicht oder ggf. direkt auf der dritten ferromagnetischen Schicht kann eine abschließende Abschlusselektrodenschicht aufgesetzt werden, die als Kontaktelektrode für die elektrische Kontaktierung dienen kann.
Die Schichtstruktur ist vorteilhafterweise auf einem Substrat aufgebracht, wobei zwischen dem Substrat und der antiferromagnetischen Schicht eine sogenannte Saatschicht aufgebracht werden kann, welche das Aufwachsen der antiferromagnetischen Schicht fördern kann, und die als Basiselektrode dienen kann. Grundsätzlich kann die Schichtstruktur zwischen der Saat und der Deck- bzw. Abschlusselektrodenschicht in umgekehrter Reihenfolge als hier beschrieben auf einem Substrat aufgebracht werden.
Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung besteht die erste ferromagnetische Schicht aus einer ersten ferromagnetischen Materialzusammensetzung und die zweite ferromagnetische Schicht aus einer zweiten ferromagnetischen Materialzusammensetzung, wobei die erste ferromagnetische Materialzusammensetzung von der zweiten ferromagnetischen Materialzusammensetzung verschieden ist. Durch die unterschiedlichen Materialzusammensetzungen, welche sich hinsichtlich der enthaltenen chemischen Elemente und/oder deren Anteile unterscheiden können, wird die Ausbildung der unterschiedlichen magnetischen Momente der ferromagnetischen Schichten des Referenzschichtstapels gefördert.
Vorteilhafterweise ist die erste ferromagnetische Materialzusammensetzung eine CoFe-Legierung, wobei insbesondere der Stoffmengenanteil, bzw. der Atomprozentanteil an Fe zwischen 5% und 15%, bevorzugt 10% beträgt.
Vorteilhafterweise ist die zweite ferromagnetische Materialzusammensetzung eine CoFeB-Legierung, wobei im Rahmen einer jeweiligen Toleranzabweichung der Stoffmengenanteil, bzw. der Atomprozentanteil an Co und Fe jeweils 40% und der Anteil an B 20% beträgt, wobei die Toleranzabweichung umfasst, dass ein jeweiliger Anteil um nicht mehr als 5 Prozentpunkte, bevorzugt um nicht mehr als 2,5 Prozentpunkte von dem jeweiligen genannten Wert für den Anteil abweicht.
Die vorstehend genannten Materialzusammensetzungen haben sich als besonders geeignet erwiesen, um die ferromagnetischen Schichten mit dem gewünschten Verhältnis ihrer magnetischen Momente auszubilden.
Gemäß einer vorteilhaften Ausführungsform weist die erste ferromagnetische Schicht eine erste Schichtdicke ΔI1 und die zweite ferromagnetische Schicht ΔI2 eine zweite Schichtdicke auf, wobei der Quotient ΔI1/ΔI2 aus der ersten und der zweiten Schichtdicke zwischen 1,2 und 2,5 beträgt.
Vorteilhafterweise beträgt die erste Schichtdicke ΔI1 zwischen 0,5 nm und 2,0 nm, bevorzugt 1,2 nm, und die zweite Schichtdicke ΔI2 ist derart gewählt, dass der Quotient aus dem ersten und dem zweiten magnetischen Moment zwischen 1,7 und 2,3 beträgt, wobei insbesondere der Quotient der magnetischen Momente auf den Zustand der abgeschiedenen, jedoch noch nicht gepinnten ersten und zweiten ferromagnetischen Schichten bezogen ist.
Für die beiden vorstehend genannten bevorzugten Materialzusammensetzungen, d. h. Co90Fe10 für die erste ferromagnetische Schicht und Co40Fe40B20 für die zweite ferromagnetische Schicht, beträgt der Quotient aus der ersten und der zweiten Schichtdicke vorzugsweise zwischen 1,36 und 1,84, insbesondere 1,6.
Gemäß einer vorteilhaften Ausführungsform umfasst die Kopplungsschicht, insbesondere ausschließlich, Ru und weist eine Dicke zwischen 0,35 nm und 0,85 nm, bevorzugt 0,5 nm auf. Eine derartige Bemessung der Kopplungsschicht hat sich als besonders geeignet erwiesen.
Vorteilhafterweise kann die antiferromagnetische Schicht als eine Manganlegierung ausgebildet sein. Insbesondere bietet sich hierfür eine Legierung aus Iridium-Mangan (IrMn), Platin-Mangan (PtMn), Nickel-Mangan (NiMn), Eisenmangan (FeMn) oder eine Legierungsgemisch hiervon an. Bevorzugt liegt die Manganlegierung, insbesondere Platin-Mangan (PtMn), Nickel-Mangan (NiMn) in einer in der geordneten L1₀-Phase vor. Eine L1₀-Phase ist eine intermetallische Ordnungsphase der Metalllegierung, die sich durch eine regelmäßige Struktur der Mischkristalle auszeichnet, durch die die antiferromagnetischen Eigenschaften der Manganlegierung sehr ausgeprägt erscheinen. Derartige antiferromagnetische Schichten auf Manganbasis behalten bzw. erreichen ihre ausgezeichneten antiferromagnetischen Eigenschaften selbst bei mehrstündigen Pinningzeiten und Temperaturen oberhalb der Blockingtemperatur. Für gesputterte PtMn und NiMn Schichten ist bekannt, dass erst bei mehrstündigem Heizen bei Temperaturen oberhalb 225°C sich die bevorzugte L1₀ Kristallordnung eingestellt hat, wobei eine derartige Kristallordnung optimale antiferromagnetische Eigenschaften erreicht, und dies durch kurzfristiges Erhitzen wie bei einem selektiven Laserpinningverfahren nicht erreichbar ist.
Vorteilhafterweise ist die Schichtstruktur als ein TMR-System ausgebildet. Hierzu kann die Schichtstruktur eine untere Basiselektrode und eine obere Abschlusselektrode aufweisen, so dass die Schichtstruktur elektrisch kontaktierbar und senkrecht zum Schichtaufbau von Strom, d.h. senkrecht zur Substratoberfläche durchflossen werden kann. Bevorzugt ist die Saatschicht, die als Basisschicht auf dem Substrat zum Aufbau der Schichtstruktur, insbesondere der antiferromagnetischen Schicht genutzt wird, als elektrisch leitende Basiselektrode ausgebildet. Weiterhin kann in der ersten ferromagnetischen Schicht eine Magnetisierung in einer Pinningrichtung eingeprägt sein, und sich in der zweiten ferromagnetischen Schicht eine hierzu antiparallel ausgerichtete Magnetisierung einstellen, so dass eine sehr hohe Empfindlichkeit der Widerstandsänderung auf ein externes Magnetfeld in Pinningrichtung erreicht werden kann. Somit hat sich die erfindungsgemäße Schichtstruktur einschließlich ihrer vorteilhaften Ausführungsformen als besonders geeignet für die Anwendung in TMR-basierten Magnetfeldsensoren erwiesen. Eine Verwendung bei GMR-basierten Magnetfeldsensoren ist jedoch alternativ ebenfalls möglich, wobei hierzu die Basis- und Abschlusselektrode seitlich an der Schichtstruktur angeordnet sein können.
Vorteilhafterweise können zumindest zwei, identisch aufgebaute und benachbarten TMR-Elemente auf einem Substrat angeordnet sein und die Magnetisierungsrichtungen der korrespondierten ersten und korrespondierten zweiten ferromagnetischen Schichten können voneinander abweichen, insbesondere entgegengesetzt zueinander ausgerichtet sein. Die benachbarten TMR-Elemente umfassen dabei identische Schichtpakete und sind im identischen Abscheideprozess, insbesondere simultan hergestellt. Dabei kann bevorzugt der Mittenabstand ΔD der benachbarten TMR-Elemente 50 µm oder weniger, insbesondere 20 µm oder weniger betragen. Hierbei kann durch eine zumindest temporäre Anordnung eines weichmagnetischen Strukturierungselements zwischen den beiden TMR-Elementen ein Vorbehandlungsmagnetfeld vorzugsweise senkrecht zur Substratoberfläche in das Strukturierungselement eingekoppelt werden. Entlang der Kanten des Strukturierungselement wirken Streufelder des Strukturierungselements, die Feldkomponenten enthalten, die parallel zur Substratoberfläche und senkrecht zum Seitenflächenverlauf des Strukturierungselements ausgerichtet sind, als wirksames Pinning-Magnetfeld, um die magnetische Ausrichtung der ersten ferromagnetischen Schicht auszurichten. Hierzu kann ein relativ geringer Mittenabstand ΔD der Schichtstrukturen oder der TMR Elemente auf dem Substrat gewählt werden, und dazwischen das Strukturierungselement entweder auf dem Substrat aufgebaut, oder temporär eingebracht, beispielsweise in Form eines Stempels eingebracht werden. Das Vorbehandlungsmagnetfeld kann über dem Substrat vollflächig einwirken, wobei an den Positionen der Strukturierungselemente entsprechend deren Kantenausrichtungen ein Pinning in unterschiedliche Richtungen parallel zur Substratoberfläche durch die vom Vorbehandlungsmagnetfeld abgeleiteten lokal wirkenden Pinning-Magnetfelder erreicht werden kann. Im Gegensatz zu herkömmlichen Laserpinningverfahren, bei denen ein In-Plane Pinning-Magnetfeld, dass parallel zur Oberfläche des Substrats eingekoppelt wird - wobei somit das Vorbehandlungsmagnetfeld gleich dem Pinning-Magnetfeld ist - und die Blocking-Temperatur durch kurzfristiges Lasererhitzen überschritten wird, ist gemäß dieser Weiterentwicklung ein ganzheitliches Pinnen in unterschiedliche Richtungen praktisch aller Schichtstrukturen auf einem Substrat über einen beliebig langen Zeitraum bei niedrigen Magnetfeldstärken möglich. In der Praxis bedeutet das, dass alle TMR Elemente aller Sensoren auf einem Wafersubstrat in einem Schritt gepinnt werden können.
Die vorgenannte Anordnung zweier oder mehrerer benachbarter, identisch aufgebauter und identisch abgeschiedener TMR-Elemente mit zueinander abgewinkelten, insbesondere zueinander antiparallelen Pinningrichtungen kann denkbar auch ohne die Limitierung eines Quotienten aus dem ersten und dem zweiten magnetischen Moment zwischen 1,7 und 2,3 ausgeführt sein. Entscheidend ist lediglich, dass die magnetischen Momente der beiden ferromagnetischen Schichten dergestalt ist, dass ein Pinning mit relativ geringen Magnetfeldstärken möglich ist, so dass ein vorstehend beschriebenes multidirektionales Pinningverfahren mit Strukturierungselementen auch mit TMR-Elementen ermöglicht wird.
Ein erfindungsgemäßer magnetoresistiver Magnetfeldsensor umfasst ein Substrat, zumindest eine, bevorzugt zwei oder mehrere, auf dem Substrat benachbart angeordnete Schichtstrukturen nach einem der vorhergehenden Ausgestaltungen, und zumindest ein zumindest temporär einbringbares und benachbart oder teilweise überlappend zu einer jeweiligen Schichtstruktur angeordnetes weichmagnetisches Strukturierungselement, wobei das Strukturierungselement dazu ausgebildet und angeordnet ist, ein Vorbehandlungsmagnetfeld, welches in das Strukturierungselement eindringt, derart zu beeinflussen, dass zumindest in der ersten ferromagnetischen Schicht Magnetfeldkomponenten als Streumagnetfeld des Strukturierungselements zur Nutzung als Pinning-Magnetfeld wirksam werden, welche parallel zu einer Oberfläche der Schichtstruktur verlaufen. Bevorzugt ist das Vorbehandlungsmagnetfeld senkrecht zur Oberfläche des Substrats in das Strukturierungselement einkoppelbar. In der Regel wird nach dem Pinningvorgang das temporär eingebrachte Strukturierungselement wieder entfernt.
Das weichmagnetische Strukturierungselement, welches beispielsweise aus einer lithografisch strukturierten Nickel-Eisen-Legierung hergestellt ist, wird so angeordnet, dass ein Vorbehandlungsmagnetfeld in das oder die Strukturierungselemente gleichzeitig und senkrecht zur Oberfläche der jeweiligen Schichtstruktur eingekoppelt wird und am Ort der Schichtstruktur auch Magnetfeldkomponenten parallel zur Oberfläche der jeweiligen Schichtstruktur erzeugt, die zumindest bereichsweise die erste und zweite ferromagnetische Schicht durchdringen. Benachbarte Schichtstrukturen können so durch unterschiedlich ausgerichtete, bevorzugt entgegengesetzte Pinning-Magnetfelder durchdrungen werden. So kann das Vorbehandlungsmagnetfeld ein homogenes Magnetfeld sein, das senkrecht auf die Oberfläche der Schichtstruktur auftrifft, und das durch die Magnetfeldführungseigenschaft und die geometrische Gestaltung des Strukturierungselements in Form eines inhomogenen Streufeldes auch parallel zur Schichtstrukturoberfläche an Berandungskanten austritt und ein Pinning der benachbarten Schichtstrukturen vornimmt. Hierdurch können beliebige Pinning-Richtungen in einer jeweiligen Schichtstruktur vorgesehen sein, wobei ein einzelnes Strukturierungselement auch mehrere Schichtstrukturen gleichzeitig und auch in verschiedene Richtungen pinnen kann. Die unterschiedlichen Pinningrichtungen hängen im Wesentlichen von der Umrissform des Strukturierungselements ab, die das Strukturierungselement gegenüber der Oberfläche des Substrats berandet.
Die Anordnung von weichmagnetischen Strukturierungselementen auf einem magnetoresistiven Magnetfeldsensor sowie entsprechende Verfahren zur Herstellung des Magnetfeldsensors, welche ein Pinnen der Schichtstrukturen des Magnetfeldsensors beschreiben, sind beispielhaft in WO 2016/078793 A1 beschrieben, deren Offenbarungsgehalt vollständig durch Bezugnahme in diese Anmeldung aufgenommen wird. Aus diesem Dokument sind auch verschiedene Ausgestaltungen von weichmagnetischen Strukturierungselementen bekannt.
Es hat sich überraschenderweise gezeigt, dass sich weichmagnetische Strukturierungselemente, wie sie in WO 2016/078793 A1 beschrieben sind, in besonderer Weise dafür eignen, Schichtstrukturen auf einem Magnetfeldsensor zu pinnen, was darauf zurückzuführen ist, dass zum Pinnen der erfindungsgemäßen Schichtstruktur nur ein Vorbehandlungsmagnetfeld mit verhältnismäßig niedriger Stärke, kleiner 130 mT benötigt wird, und die hierbei entstehenden Pinning-Magnetfelder, die in der Regel weniger als 80%, meist weniger als 50% der Stärke des Vorbehandlungsmagnetfelds aufweisen, nochmals deutlich geringer sind. Es ist insbesondere möglich, auf einem Magnetfeldsensor mehrere erfindungsgemäße Schichtstrukturen vorzusehen, welche in unterschiedliche Raumrichtungen magnetisiert sind und insbesondere eine Wheatstone-Brücke bilden, wie sie beispielsweise in der WO 2016/083420 A1 beschrieben ist.
Ein erfindungsgemäßes Verfahren zum Herstellen einer Schichtstruktur nach einem der vorhergehenden Aspekte umfasst die Schritte:

- Aufbringen der Schichten auf ein Substrat in der genannten oder der umgekehrten Reihenfolge zwischen Deck- und Saatschicht, Erwärmen der Schichtstruktur auf eine Temperatur oberhalb einer Blocking-Temperatur, bei welcher die Austauschkopplung zwischen der antiferromagnetischen Schicht und der ersten ferromagnetischen Schicht aufgehoben ist,
- Einkoppeln eines Pinning-Magnetfelds in die erwärmte Schichtstruktur zum Einstellen einer Magnetisierungsrichtung der ersten ferromagnetischen Schicht zumindest während einer Zeitdauer, bei welcher die Temperatur der Schichtstruktur größer als die Blocking-Temperatur ist, und
- Abkühlen der Schichtstruktur auf eine Temperatur unterhalb der Blocking- T em peratur.

In einem ersten Schritt wird auf einem Chipsubstrat mindestens eine, insbesondere eine Vielzahl von magnetoresistiven Schichtstrukturen aufgebracht, vorzugsweise GMR- oder TMR-Schichtstrukturen, die einen Schichtaufbau entsprechend einem oder mehrerer der vorstehend genannten Aspekte aufweisen. Zum Ausrichten der ersten ferromagnetischen Schicht oder Schichten wird eine Temperatur höher als die Blocking-Temperatur angelegt, sodass die Austauschwechselwirkung zwischen der ersten ferromagnetischen Schicht und der antiferromagnetischen Schicht aufgehoben wird. Die ferromagnetische Schicht ist nun nicht mehr durch die benachbarte antiferromagnetische Schicht gepinnt und verhält sich ähnlich wie eine freie Schicht. Anschließend erfolgt ein Einkoppeln eines externen Magnetfeldes, das auch als Vorbehandlungsmagnetfeld bezeichnet wird, wobei die Feldlinien des Magnetfeldes so geführt werden, dass diese an geeigneter Stelle in die Schichtstruktur als Pinning-Magnetfeld parallel zur Schichtebene eintreten und dort eine einstellbare Magnetisierung der ersten ferromagnetischen Schicht bewirken.
Vorteilhafterweise wird die Schichtstruktur auf mindestens 260°C, bevorzugt auf 280°C, erwärmt, was insbesondere bei Iridiummangan ausreicht, um die Neel-Temperatur zu erreichen, oberhalb der die antiferromagnetische Schicht paramagnetisch wird, und somit ein Pinning, d.h. eine Ausrichtung der Magnetisierung der ersten ferromagnetischen Schicht ermöglicht wird. Im Falle einer antiferromagnetischen Schicht umfassend eine PtMn- oder NiMn-Legierung liegen die typischen Temperaturen bei vorzugsweise über 300°C, insbesondere zwischen 300°C und 350°C.
Vorteilhafterweise beträgt die magnetische Flussdichte des eingekoppelten Vorbehandlungsmagnetfelds nicht mehr als 200 mT, bevorzugt nicht mehr als 100 mT, so dass TMR-Elemente oder GMR-Elemente auf Basis von antiparallel gekoppelten Spin Valve Schichtstrukturen (APP - antiparalelly coupled pinned layer spinvalve) leicht und kostengünstig herstellbar sind.
Vorteilhafterweise beträgt eine Zeitdauer, für welche das Pinning-Magnetfeld in die oberhalb der Blocking-Temperatur erwärmte Schichtstruktur eingekoppelt wird, mindestens 1 h, bevorzugt mindestens 5 h, besonders bevorzugt mindestens 12 h. Durch die sehr lange Einkoppelzeit bei hohen Temperaturen kann eine geordnete L1₀ Schichtausrichtung der antiferromagnetischen Schicht erreicht und somit die antiferromagnetischen Eigenschaften wesentlich verbessert werden.
Ein erfindungsgemäßen Verfahren zum Herstellen eines erfindungsgemäßen magnetoresistiven Magnetfeldsensors, welcher gemäß dem vorstehend beschriebenen Aspekt zumindest ein weichmagnetisches Strukturierungselement umfasst, umfasst das vorstehend beschriebene erfindungsgemäße Verfahren zum Herstellen einer Schichtstruktur einschließlich der vorteilhaften Ausgestaltungen des Verfahrens, und ein zumindest temporäres Aufbringen des zumindest einen Strukturierungselements. Erfindungsgemäß wird das Vorbehandlungsmagnetfeld über das Strukturierungselement als Pinning-Magnetfeld in die Schichtstruktur eingekoppelt. Bevorzugt kann das Strukturierungselement nach Abschluss des Pinnings wieder entfernt werden, so dass es beispielsweise mit üblichen lithographischen und galvanischen Verfahren auf dem Substrat temporär aufgebracht und mittels Ätzverfahren bzw. materialabtragenden Verfahren wieder entfernt werden kann. Auch ist denkbar, die Strukturierungselemente in Form eines Stempels temporär über das Substrat abzusenken, und das Vorbehandlungsmagnetfeld derart einzukoppeln. Alternativ können die weichmagnetischen Strukturierungselemente auch als Flussführungselemente für das externe Magnetfeld zumindest bereichsweise erhalten bleiben.
In einer vorteilhaften Weiterbildung des voranstehenden Herstellverfahrens können zumindest zwei benachbarte und zueinander beabstandete Schichtstrukturen auf dem Substrat aufgebracht werden, und das Strukturierungselement zwischen den Schichtstrukturen zumindest temporär aufgebracht werden. Während des Erwärmens über die Blocking-Temperatur kann ein Vorbehandlungsmagnetfeld senkrecht zur Oberfläche des Substrats in das bzw. die Vielzahl von Strukturierungselementen eingekoppelt werden, so dass ein von den Strukturierungselementen erzeugtes inhomogenes Streumagnetfeld im Wesentlichen parallel zur Oberfläche des Substrats die gewünschten Ausrichtungen des Pinning-Magnetfelds bereitstellt. Die Ausrichtung der pinningwirksamen Magnetfeldanteile parallel zur Substratoberfläche aus dem Vorbehandlungsmagnetfeld hängt von der Kantengeometrie des Strukturierungselements ab, so dass bevorzugt die Ausrichtung des Pinning-Magnetfelds der benachbarten Schichtstrukturen voneinander abweichen, insbesondere entgegengesetzt ausgerichtet sind. Durch diese Weiterbildung des Herstellverfahrens können mit einem relativ schwachen Vorbehandlungsmagnetfeld, geringer als 200mT bevorzugt geringer als 100 mT, GMR- und TMR-Elemente in räumlich eng benachbarter Anordnung in unterschiedliche Vorzugsrichtungen gepinnt werden, obwohl die Referenzschichten der GMR- bzw. TMR Elemente zwei antiparallel gekoppelte Ferromagnete enthalten.
Durch die Kombination der Verfahren, insbesondere der Möglichkeit des zeitlich langen Pinnens und der speziellen Abfolge der Schichtstrukturen bei eng benachbarten Anordnungen und Materialien (Materialwahl) ist es also möglich, thermisch besonders robuste antiferromagnetische Materialien wie PtMn und NiMn in einer optimierten L1₀ Phase mit zusätzlich thermisch robusten antiferromagnetischen gekoppelten ersten und zweiten ferromagnetischen Schichten in Sensoren einzusetzen und zusätzlich verschiedene TMR Elemente auf engem Raum zu platzieren, die identisch ausgeprägt und hergestellt sind bis auf die Pinningrichtungen der Referenzschicht, welche teilweise in der Richtung abweichen bevorzugt entgegengesetzt ausgerichtet sind.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Schichtstruktur, des magnetoresistiven Magnetfeldsensors und der Herstellungsverfahren ergeben sich aus der Beschreibung, den Figuren und den Unteransprüchen.
Figurenliste
Weitere Vorteile ergeben sich aus den vorliegenden Zeichnungen und den zugehörigen Zeichnungsbeschreibungen. In den Zeichnungen sind Ausführungsbeispiele der Erfindung dargestellt. Die Zeichnungen, die Beschreibung und die Ansprüche enthalten zahlreiche Merkmale in Kombination. Der Fachmann wird die Merkmale zweckmäßigerweise auch einzeln betrachten und zu sinnvollen weiteren Kombinationen zusammenfassen.
Es zeigen:

1 eine schematische Schnittdarstellung einer Schichtstruktur gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung,
2a,b schematisch eine Schnittdarstellung einer, eine Ausführungsform einer Schichtstruktur umfassendes TMR-Element gemäß eines Ausführungsbeispiels der Erfindung,
3 schematisch eine Schnittdarstellung eines Paares von, eine Ausführungsform einer Schichtstruktur umfassenden TMR-Elementen gemäß eines Ausführungsbeispiels der Erfindung,
4 eine perspektivische Ansicht eines magnetoresistiven Magnetfeldsensors mit mehreren Schichtstrukturen und einem weichmagnetischen Strukturierungselement gemäß einem Ausführungsbeispiel,
5 schematisch ein Pinningschritt des in 4 dargestellten Magnetfeldsensors, und
6 eine Draufsicht auf einen magnetoresistiven Magnetfeldsensor während eines Pinningprozesses gemäß einem Ausführungsbeispiel.

In den Figuren sind gleichartige Elemente mit gleichen Bezugszeichen beziffert.
1 zeigt eine erfindungsgemäße Schichtstruktur 100, welche im vorliegenden Ausführungsbeispiel als TMR-System beschrieben ist. Für eine Ausgestaltung als GMR-System gemäß einer Abwandlung des Ausführungsbeispiels sind dem Fachmann die Änderungen, die er in Abweichung von einem TMR-System vornehmen muss, allgemein bekannt.
Die verschiedenen Schichten der Schichtstruktur 100 werden durch Beschichtungsverfahren aufgebracht, welche in der Halbleitertechnologie allgemein bekannt und gebräuchlich sind, beispielsweise Verfahren zur chemischen oder physikalischen Gasphasenabscheidung.
Eine oder mehrere Schichtstrukturen 100 sind auf einem Halbleitersubstrat oder Substrat 110 aufgebracht. Zunächst wird auf dem Substrat 110 eine Saatschicht 112 aufgebracht, welche so gewählt ist, dass eine nachfolgend aufgebrachte antiferromagnetische Schicht 114 mit optimalen Eigenschaften aufwächst. Die Saatschicht 112 zeichnet sich durch eine hinreichend große elektrische Leitfähigkeit und eine möglichst geringe Oberflächenrauigkeit aus, so dass diese als Basiselektrode 132 einen ersten elektrischen Anschlusspunkt bildet.
Auf die Saatschicht 112 wird die antiferromagnetische Schicht 114 aufgetragen, welche auch als Pinningschicht bezeichnet werden kann. Die antiferromagnetische Schicht 114 besteht beispielsweise aus FeMn, NiMn, IrMn oder PtMn mit einer typischen Schichtdicke zwischen 5 nm und 30 nm.
Auf die antiferromagnetische Schicht 114 wird nachfolgend eine erste ferromagnetische Schicht 116 aufgetragen, welche aus einer CoFe-Legierung, typischerweise Co90Fe10 (Angaben in Massen-Prozentanteilen) mit einer Dicke von 0,5 nm bis 2,0 nm, typischerweise 1,2 nm aufgetragen wird.
An die erste ferromagnetische Schicht 116 schließt sich eine Zwischenschicht oder Kopplungsschicht 118 an, welche beispielsweise aus Ru mit einer Dicke zwischen 0,35 nm und 0,85 nm, typisch 0,5 nm, hergestellt ist. Die Kopplungsschicht 118 bewirkt über die RKKY-Kopplung eine antiparallele magnetische Ausrichtung einer zweiten ferromagnetischen Schicht 120 in Bezug auf die erste ferromagnetische Schicht 116.
Auf die Kopplungsschicht 118 wird die zweite ferromagnetische Schicht 120 abgeschieden, welche aus einer CoFeB-Legierung, typischerweise Co40Fe40B20, hergestellt ist. Die Schichtdicke der zweiten ferromagnetischen Schicht 120 wird dabei so gewählt, dass die magnetischen Momente der abgeschiedenen, noch nicht gepinnten ferromagnetischen Schichten 116, 120 ein gewünschtes Verhältnis annehmen. Gemäß der vorliegenden Erfindung soll dieses Verhältnis, genauer der Quotient aus dem magnetischen Moment M1 der ersten ferromagnetischen Schicht 116 und dem magnetischen Moment M2 der zweiten ferromagnetischen Schicht 120, M1/M2 einen Wert zwischen 1,7 und 2,3, typisch 2,0 annehmen. Bezogen auf die oben genannten Materialzusammensetzungen der ferromagnetischen Schichten 116, 120 entspricht dies einem Verhältnis oder Quotienten der physikalischen Dicke D1 der ersten ferromagnetischen Schicht 116 und der physikalischen Dicke D2 der zweiten ferromagnetischen Schicht 120, D1/D2 in einem Bereich zwischen 1,36 und 1,94, typisch 1,6.
Die antiferromagnetische Schicht 114, die erste ferromagnetische Schicht 116, die Kopplungsschicht 118 und die zweite ferromagnetische Schicht 120 bilden zusammen einen Referenzschichtstapel 126. Die beiden ferromagnetischen Schichten 116, 120 können zur Erzielung der verschiedenen magnetischen Momente unterschiedliche Materialzusammensetzungen und/oder unterschiedliche Schichtdicken aufweisen. Hierzu ist die erste ferromagnetische Schicht 116 mit der Dicke ΔI1 und die ferromagnetische Schicht 120 mit der Dicke ΔI2 dargestellt, wobei eine verringerte Dicke ein herabgesetztes magnetisches Moment indiziert.
Auf den Referenzschichtstapel 126 bzw. auf die Oberseite der zweiten ferromagnetischen Schicht 120 wird des Weiteren eine Barriereschicht 122 in Form einer nichtleitenden Schicht aus MgO aufgebracht, wobei deren Dicke so gewählt ist, dass der magnetoelektrische Tunneleffekt, welcher typischerweise zwischen 20% und 200% liegt, und der Tunnelwiderstand des Gesamtschichtstapels, welcher typischerweise zwischen 100 Ω und 30 kΩ liegen kann, für die betreffende Anwendung optimiert sind. Auf die Barriereschicht 122 wird schließlich eine dritte ferromagnetische Schicht 124 aufgebracht, welche CoFe, Co oder NiFe enthält, wobei zusätzlich ein oder mehrere weitere Elemente einlegiert sein können, beispielsweise B. Die dritte ferromagnetische Schicht 124 wird so ausgestaltet, dass der TMR-Effekt maximal wird.
Auf der dritten ferromagnetischen Schicht 124 können gegebenenfalls noch weitere ferromagnetische Schichten mit gleichen oder unterschiedlichen Materialzusammensetzungen oder Dicken aufgebracht sein, sodass die magnetischen Eigenschaften der dritten elektromagnetischen Schicht 124, ggf. einschließlich der weiteren ferromagnetischen Schichten, als Detektionsschicht optimiert werden können.
Weiterhin können auf der Schichtstruktur 100 eine oder mehrere nichtmagnetische, metallische Abschlussschichten bzw. Deckschichten 128 vorgesehen sein, um die Schichtstruktur 100 gegenüber Umwelteinflüssen bzw. darüber liegenden benachbarten Elementen abzugrenzen.
In der 2a ist ein gegenüber dem Schichtstruktur 100 der 1 ergänzte Schichtstruktur als TMR-Element 140 dargestellt. Diese weist direkt auf dem Substrat 110 aufbauend eine Basiselektrodenschicht 132 und eine abschließende Deckelektrodenschicht 130 auf, sowie eine Deckschicht 128. Die Elektroden 130, 132 dienen zum elektrischen Anschluss des TMR-Elements z.B. für einen Anschluss in einer Messbrückenkonfiguration eines Magnetfeldsensors 10. Aufgrund der Elektrodenkonfiguration in Z-Richtung senkrecht zum Substrat 110 kann die Schichtstruktur 100 als TMR-Element 140 ausgeführt sein, eine seitliche Elektrodenkonfiguration kann auch ein GMR-Element bereitstellen.
Eine Isolationsschicht 134 überdeckt die Seitenflächen des TMR-Elements 140, so dass beim Aufbau eine definierte Schichtenreihenfolge und eine seitliche Abgrenzung zu benachbarten Schichtstrukturen ermöglicht wird.
Die genannten Schichten 114-124 können auch in umgekehrter Reihenfolge zwischen Deckschicht 128 und Saatschicht 112 auf dem Substrat 110 aufgebracht werden, d.h. beginnend mit der dritten ferromagnetischen Schicht 124 und abschließend mit der antiferromagnetischen Schicht 114, bzw. einer weiteren Deckschicht 128 und einer Basiselektrode 132.
Die Saatschicht 112 kann gleichfalls als unterer elektrischer Anschlusspunkt einer Basiselektrode 132 genutzt werden, alternativ kann die Basiselektrode 132 separat und vertikal benachbart zur Saatschicht 112 direkt auf dem Substrat 110 aufgebaut sein. Auf der Deckschicht 128 kann eine Abschlusselektrode 130 als oberer Anschlusspunkt der Schichtstruktur aufgebracht werden. Somit kann ein elektrischer Strom vertikal durch die Schichtstruktur geführt werden, so dass die Schichtstruktur als magnetoresistiver Widerstand mit einer entsprechend der magnetischen Ausrichtung der beiden ferromagnetischen Schichten definierten magnetischen Vorzugsrichtung ausgestattet ist. Die hieraus resultierende magnetoresistive Widerstandsschichtanordnung kann in Magnetfeldsensoranordnungen oder in magnetischen Speicheranordnungen mit hohen Sensitivitätsanforderungen genutzt werden.
In der 2b ist verkleinert das in der 2a dargestellte TMR-Element 140 dargestellt, wobei eine weitergehende Isolationsschicht 134 das TMR-Element 140 einkapselt und gegenüber benachbarten Strukturen auf dem Substrat 110 isoliert und passiviert.
3 stellt schematisch eine Anordnung zweier benachbarter TMR-Elemente 140 mit einem Abstand der Mittelachsen im Größenbereich von 5 µm bis 50 µm dar, wobei jedes TMR-Element 140 im Wesentlichen der in 2a dargestellten Ausführung entspricht. Allerdings ist die Basiselektrode 132 als leitfähige Saatschicht 112 ausgeführt, so dass die Saatschicht 112 gleichzeitig zum elektrischen Anschluss des TMR-Elements 140 dient. Zur Anwendung in einem Magnetfeldsensor sind abweichende Pinningrichtungen von magnetoresistiven Widerständen einer Messbrücke erforderlich, die zur Homogenisierung des Widerstandsverhaltens idealerweise identisch aufgebaut und räumlich eng benachbart sind. Dies ist in 3 dadurch erreicht, dass der Mittenabstand ΔD der Referenzschichtstapel 126 zwischen 5 µm bis 50 µm beträgt, und die Pinningrichtungen der benachbarten Referenzschichtstapel 126 entgegengesetzt ausgerichtet sind. Somit verhalten sich die elektrischen Widerstände der beiden Stapel bei einem externen Magnetfeld gegenläufig.
Damit die beiden Pinningrichtungen verschieden ausgerichtet werden können, kann vorteilhaft temporär ein weichmagnetisches Strukturierungselement 18 zwischen die beiden TMR-Elemente 140 eingebracht und in Z-Richtung von einem Vorbehandlungsmagnetfeld durchflutet werden, dies ist perspektivisch in 4 und schematisch in einer Seitenansicht in 5 dargestellt.
Gemäß einem beispielhaften Verfahren zur Herstellung einer erfindungsgemäßen Schichtstruktur kann die Schichtstruktur 100 einem Pinning-Prozess unterzogen werden. Hierzu wird die Schichtstruktur 100 auf eine Temperatur oberhalb der Blocking-Temperatur der Schichtstruktur 100 erwärmt, vorzugsweise auf mehr als 260°C, typisch 280°C. Die Schichtstruktur 100 wird dann einem Vorbehandlungsmagnetfeld mit einer relativ kleinen Magnetfeldstärke von nicht mehr als 130 mT, bevorzugt nicht mehr als 100 mT ausgesetzt, wobei die Feldlinien des hieraus abgeleiteten, durch Strukturierungselemente gestreutes Pinning-Magnetfeldes parallel zu den Oberflächen der Schichtstruktur 100 verlaufen.
Das Pinning der Schichtstrukturen kann in besonders vorteilhafter Weise mithilfe von einem oder mehreren weichmagnetischen Strukturierungselementen 18 erfolgen. Eine entsprechende Magnetfeldsensoranordnung ist perspektivisch in 4 und schematisch in einer Seitendarstellung mit einer skizzenhaften Darstellung des Feldstärkenverlaufs des Pinning-Magnetfelds in 5 dargestellt. Ein magnetoresistiver Magnetfeldsensor 10, wie er in Draufsicht in 6 mit aufgebrachten Strukturierungselementen 18 gezeigt ist, umfasst mehrere Widerstandselemente 14, welche durch eine jeweilige Schichtstruktur 100 gemäß 1 gebildet sind. Der Magnetfeldsensor 10 umfasst ein Halbleiterchipsubstrat oder Substrat 12, auf dem Widerstandselemente 14 angeordnet sind. Die Widerstandselemente können zu einer Wheatstone-Messbrücke verschaltet werden. Zur magnetischen Vorausrichtung, dem sogenannten Pinnen der ferromagnetischen Schichten der Widerstandselemente 14, wird ein Vorbehandlungsmagnetfeld 38 eingesetzt, das senkrecht zur Oberfläche 36 des Substrats 12 ausgerichtet ist.
Das Magnetfeld 38 wird von einem nicht dargestellten Magnetpol ausgesendet, durchdringt das Substrat 12 und wird von einer ebenfalls nicht dargestellten Gegenpoloberfläche 58, die unterhalb des Substrats 12 angeordnet ist, wieder aufgenommen. Das Vorbehandlungsmagnetfeld 38 dringt senkrecht in ein weichmagnetisches Strukturierungselement 18 ein und wird dort konzentriert geführt, wobei es als Pinning-Magnetfeld 60, d.h. als inhomogenes Streufeld rechtwinklig von einer Oberfläche 44 des Strukturierungselements 18 und im Wesentlichen parallel zur Oberfläche des Substrats 110 austritt.
Wie in 5 skizzenhaft veranschaulicht führt das Strukturierungselement 18 das Vorbehandlungsmagnetfeld 38 derart, dass es an Berandungskanten 20 parallel zur Substratoberfläche 36 als Pinning-Magnetfeld 60 austritt und die Widerstandselemente 14, die als TMR-Elemente 140 ausgeführt sind, parallel zur Oberfläche des Substrates 110 durchdringt. Ein verbessertes Durchdringen der Widerstandselemente 14 wird insbesondere dadurch erreicht, dass eine Temperatur oberhalb der Blocking-Temperatur der antiferromagnetischen Schichten der Widerstandselemente 14 eingestellt ist, sodass eine verbesserte Flussführung durch die Widerstandselemente 14 erfolgen kann.
Die Berandungskanten 20 des Strukturierungselements 18 überlappen in einer vorteilhaften Ausführung die Berandungskanten 22 der Widerstandselemente 14. Die Widerstandselemente 14 werden so in ihrer gesamten Breite von Magnetfeldern durchsetzt, die auch eine Komponente parallel zur Substratoberfläche 36 aufweisen. Letztlich werden die magnetischen Feldlinien durch das Substrat 12 auf die Gegenpoloberfläche 58 gelenkt, sodass verschiedene Pinning-Magnetfeldrichtungen in Abhängigkeit der Ausrichtung der Berandungskanten 20 der Strukturierungselemente 18 auf dem Substrat 12 einstellbar sind.
In 6 ist die Herstellung eines komplexen Winkelsensors bestehend aus zwei Wheatstone-Messbrücken zur Messung zweier rechtwinkliger Magnetfeldkomponenten X und Y eines Magnetfeldsensors 10 dargestellt. Zur verbesserten Veranschaulichung ist die Verdrahtungsebene nicht dargestellt, welche die Widerstandselemente in Serienschaltungen bzw. in Parallelschaltungen z.B. zur Ausbildung einer Wheatstone-Messbrücke, verbindet. Ebenso sind die Terminals bzw. die Pads zur Kontaktierung mit der Außenwelt nicht dargestellt. In 6 ist der Pinning-Schritt eines Magnetfeldsensors 10 dargestellt, wobei auf einer Substratoberfläche 36 eines Substrats 12 eine Vielzahl von Widerstandselementen 14, z.B. TMR-Widerstandselemente 14 entsprechend der Schichtstruktur 140 von 2, angeordnet ist. Diese sind zumindest für die paarweise abgewinkelten - hier antiparallel gepinnten TMR-Elementen 140 in einem Mittenabstand ΔD zueinander angeordnet. In diesen Beabstandungsbereichen ΔD sind teilweise überlappend zu den Berandungskanten 22 der Widerstandselemente 14 weichmagnetische Strukturierungselemente 18 z.B. aus NiFe aufgebracht, deren Berandungskanten 20 die Berandungskanten 22 der Widerstandselemente 14 zumindest teilweise überdecken. Durch Aufbringen eines senkrecht zur Substratoberfläche 36 gerichteten Magnetfeldes werden, wie mit den kleinen Pfeilen angedeutet, Berandungskanten-Streufelder 46 der Strukturierungselemente 18 erzeugt, die ein Pinnen der Widerstandselemente 14 durchführen. Die Strukturierungselemente 18 können nach dem Pinnen durch ein materialabtragenden Verfahren wieder vom Substrat 110 entfernt werden.
6 demonstriert, dass aufgrund dieser Erfindung komplexe Sensoren mit einer Vielzahl von Pinningrichtungen hergestellt werden können, unter Verwendung thermisch robuster Antiferromagnete wie PtMn oder NiMn und thermisch robuster Schichtstapel mit einer antiferromagnetisch gekoppelten Referenzschicht. Alle auf einem Wafersubstrat gebauten Sensoren können in einem Schritt gleichzeitig in beliebige Richtungen über lange Zeit gepinnt werden, was eine wirtschaftliche Umsetzung auch bei Verwendung von Antiferromagneten, die ein langes Pinning zur Ausprägung der bevorzugten L1₀ Phase erfordern, ermöglicht.
Grundsätzlich kann das Pinnen einer erfindungsgemäßen Schichtstruktur 100 (1) auch auf jede andere geeignete Weise erfolgen. Auch kann die Anordnung von weichmagnetischen Strukturierungselementen 18 auch als von oben kurzfristig in die Substratstruktur eintauchender Stempel ausgebildet sein.
Bezugszeichenliste

10: Magnetfeldsensor
12: Substrat
14: Widerstandselement
18: weichmagnetisches Strukturierungselement
20: Berandungskante des Strukturierungselements
22: Berandungskante des Widerstandselements
36: Substratoberfläche
38: Vorbehandlungsmagnetfeld
42: Substratunterseite
44: Oberfläche des Strukturierungselements
46: Berandungskanten-Streufeld
58: Gegenpoloberfläche
60: Pinning-Magnetfeld
100: Schichtstruktur
110: Substrat
112: Saatschicht
114: antiferromagnetische Schicht
116: erste ferromagnetische Schicht
118: Kopplungsschicht
120: zweite ferromagnetische Schicht
122: Barriereschicht
124: dritte ferromagnetische Schicht, Detektionsschicht
126: Referenzschichtstapel
128: Deckschicht
130: Abschlusselektrode
132: Basiselektrode
134: Isolationsschicht
140: TMR-Element
Hz: Pinning-Magnetfeld in Z-Richtung
ΔI1: Breite der ersten ferromagnetischen Schicht
ΔI2: Breite der zweiten ferromagnetischen Schicht
ΔD: Mittenabstand benachbarter Schichtstrukturen

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

WO 2016/078793 A1 [0016, 0043, 0044]
WO 2016/083420 A1 [0016, 0044]

Claims

Schichtstruktur (100) für einen magnetoresistiven Magnetfeldsensor (10), zumindest umfassend eine antiferromagnetische Schicht (114), eine erste ferromagnetische Schicht (116) mit einem ersten magnetischen Moment, wobei zwischen der antiferromagnetischen Schicht (114) und der ersten ferromagnetischen Schicht (116) eine Austauschkopplung besteht, und eine zweite ferromagnetische Schicht (120) mit einem zweiten magnetischen Moment, wobei die zweite ferromagnetische Schicht (120) über eine zwischen der ersten und der zweiten ferromagnetischen Schicht (116, 120) angeordneten nichtmagnetischen Kopplungsschicht (118) mit der ersten ferromagnetischen Schicht (116) antiparallel gekoppelt ist, dadurch gekennzeichnet, dass der Quotient aus dem ersten und dem zweiten magnetischen Moment zwischen 1,7 und 2,3 beträgt.
Schichtstruktur (100) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Schichtstruktur (100) eine dritte ferromagnetische Schicht (124) umfasst, welche an der Kopplungsschicht (118) abgewandten Seite der zweiten ferromagnetischen Schicht (120) angeordnet ist, wobei insbesondere zwischen der zweiten und dritten ferromagnetischen Schicht (120, 124) eine nichtmagnetische, insbesondere nichtleitende Barriereschicht (122), bevorzugt aus MgO, angeordnet ist.
Schichtstruktur (100) nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Schichtstruktur (100) zumindest eine nichtmagnetische, insbesondere metallische Deckschicht (128) umfasst, welche an der der zweiten ferromagnetischen Schicht (120) abgewandten Seite der dritten ferromagnetischen Schicht (124) angeordnet ist.
Schichtstruktur (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erste ferromagnetische Schicht (116) aus einer ersten ferromagnetischen Materialzusammensetzung und die zweite ferromagnetische Schicht (120) aus einer zweiten ferromagnetischen Materialzusammensetzung besteht, wobei die erste ferromagnetischen Materialzusammensetzung von der zweiten ferromagnetischen Materialzusammensetzung verschieden ist.
Schichtstruktur (100) nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die erste ferromagnetischen Materialzusammensetzung eine CoFe-Legierung ist, wobei insbesondere der Stoffmengenanteil an Fe zwischen 5 und 15%, bevorzugt 10% beträgt.
Schichtstruktur (100) nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite ferromagnetische Materialzusammensetzung eine CoFeB-Legierung ist, wobei im Rahmen einer jeweiligen Toleranzabweichung der Stoffmengenanteil an Co und Fe jeweils 40% und der Anteil an B 20% beträgt, wobei die Toleranzabweichung umfasst, dass ein jeweiliger Anteil um nicht mehr als 5 Prozentpunkte, bevorzugt um nicht mehr als 2,5 Prozentpunkte von dem jeweiligen genannten Wert für den Anteil abweicht.
Schichtstruktur (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erste ferromagnetische Schicht (116) eine erste Schichtdicke ΔI1 und die zweite ferromagnetische Schicht (120) eine zweite Schichtdicke ΔI2 aufweist, wobei der Quotient AI1/ΔI2 aus der ersten und der zweiten Schichtdicke zwischen 1,2 und 2,5 beträgt.
Schichtstruktur (100) nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Schichtdicke AI1 zwischen 0,5 nm und 2,0 nm, bevorzugt 1,2 nm, beträgt und die zweite Schichtdicke ΔI2 derart gewählt ist, dass der Quotient aus dem ersten und dem zweiten magnetischen Moment zwischen 1,7 und 2,3 beträgt.
Schichtstruktur (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Kopplungsschicht (118), insbesondere ausschließlich, aus Ruthenium besteht und eine Dicke zwischen 0,35 nm und 0,85 nm, bevorzugt 0,5 nm aufweist.
Schichtstruktur (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die antiferromagnetische Schicht (114) eine Manganlegierung, insbesondere Iridium-Mangan (IrMn), Platin-Mangan (PtMn), Nickel-Mangan (NiMn), Eisenmangan (FeMn) oder ein Legierungsgemisch hiervon ist, wobei bevorzugt die Manganlegierung, insbesondere Platin-Mangan (PtMn), Nickel-Mangan (NiMn) in einer in der geordneten L1₀ Phase vorliegen.
Schichtstruktur (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schichtstruktur (100) als ein TMR-Element (140) mit einer unteren Basiselektrode (132), bevorzugt einer als Saatschicht (112) ausgebildeten Basiselektrode (132) und einer oberen Abschlusselektrode (130) ausgebildet ist, wobei in der ersten ferromagnetischen Schicht (116) eine Magnetisierung in einer Pinningrichtung eingeprägt ist, und sich in der zweiten ferromagnetischen Schicht (120) eine hierzu antiparallel ausgerichtete Magnetisierung einstellt.
Schichtstruktur (100) nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest zwei benachbarte, identisch aufgebaute TMR-Elemente (14) auf einem Substrat (110) angeordnet sind und die Magnetisierung der korrespondierten ersten und korrespondierten zweiten ferromagnetischen Schichten (116, 120) voneinander abweichen, insbesondere entgegengesetzt zueinander ausgerichtet sind, wobei bevorzugt der Mittenabstand ΔD der benachbarten TMR-Elemente (14) 50 µm oder weniger, insbesondere 20 µm oder weniger beträgt.
Magnetoresistiver Magnetfeldsensor (10), umfassend ein Substrat (110),zumindest eine, bevorzugt zwei oder mehrere auf dem Substrat (110) benachbart angeordnete Schichtstrukturen (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, und zumindest ein zumindest temporär einbringbares und benachbart oder teilweise überlappend zu einer jeweiligen Schichtstruktur (100), bevorzugt überlappend zwischen zwei oder mehreren benachbart angeordneten Schichtstrukturen (100) angeordnetes weichmagnetisches Strukturierungselement (18), wobei das Strukturierungselement (18) dazu ausgebildet und angeordnet ist, ein Vorbehandlungsmagnetfeld (38), welches in das bzw. die Strukturierungselemente (18) eindringt, derart zu beeinflussen, dass zumindest in der ersten ferromagnetischen Schicht (116) Magnetfeldkomponenten als Streumagnetfeld des Strukturierungselements (18) als Pinning-Magnetfeld (60) wirksam werden, welche parallel zu einer Oberfläche der Schichtstruktur (100) verlaufen, wobei bevorzugt das Vorbehandlungsmagnetfeld (38) senkrecht zur Oberfläche des Substrats (110) in das Strukturierungselement (18) einkoppelbar ist.
Verfahren zum Herstellen einer Schichtstruktur (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, mit den Schritten: Aufbringen der Schichten auf ein Substrat (110) in der genannten, oder in umgekehrter Reihenfolge zwischen einer Deckschicht (128) und einer Saatschicht (112), Erwärmen der Schichtstruktur (100) auf eine Temperatur oberhalb einer Blocking-Temperatur bei welcher die Austauschkopplung zwischen der antiferromagnetischen Schicht (114) und der ersten ferromagnetischen Schicht (116) aufgehoben ist, und Einkoppeln eines Pinning-Magnetfelds (60) in die erwärmte Schichtstruktur (100) zum Einstellen einer Magnetisierungsrichtung zumindest der ersten ferromagnetischen Schicht (116) zumindest während einer Zeitdauer, bei welcher die Temperatur der Schichtstruktur (100) größer als die Blocking-Temperatur ist, und Abkühlen der Schichtstruktur (100) auf eine Temperatur unterhalb einer Blocking-Temperatur.
Verfahren nach Anspruch 14, wobei die Schichtstruktur (100) auf mindestens 260°C, bevorzugt 280°C, insbesondere mindestens 300°C erwärmt wird.
Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, wobei die magnetische Flussdichte des eingekoppelten Vorbehandlungsmagnetfelds (38) nicht mehr als 200 mT, bevorzugt nicht mehr als 100 mT beträgt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 16, wobei eine Zeitdauer, für welche das Vorbehandlungsmagnetfeld (38) in die oberhalb der Blocking-Temperatur erwärmte Schichtstruktur (100) eingekoppelt wird, mindestens 1 h, bevorzugt mindestens 5 h, besonders bevorzugt mindestens 12 h beträgt.
Verfahren zum Herstellen eines magnetoresistiven Magnetfeldsensors (10) nach Anspruch 13, mit den Schritten: Herstellen der Schichtstruktur (100) gemäß dem Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 17, und zumindest temporäres Aufbringen des zumindest einen Strukturierungselements (18), wobei das Vorbehandlungsmagnetfeld (38) über das Strukturierungselement (18) als Pinning-Magnetfeld (60) in die Schichtstruktur (100) eingekoppelt wird, und wonach bevorzugt das Strukturierungselement (18) nach Abschluss des Pinnings wieder entfernt wird.
Verfahren nach Anspruch 18, wobei zumindest zwei benachbarte und zueinander beabstandete Schichtstrukturen (100) auf dem Substrat (110) aufgebracht werden und das Strukturierungselement (18) zwischen den Schichtstrukturen (100) zumindest temporär aufgebracht wird, und wobei das Vorbehandlungsmagnetfeld (38) senkrecht zur Oberfläche des Substrats (110) in das Strukturierungselement (18) eingekoppelt wird, so dass ein vom Strukturierungselement (18) erzeugtes Streumagnetfeld als Pinning-Magnetfeld (60) im Wesentlichen parallel zur Oberfläche des Substrats (110) eine gewünschte Ausrichtung des Pinning-Magnetfelds (60) bereitstellt, dessen Ausrichtung von der Seitengeometrie des Strukturierungselements (18) abhängt, so dass bevorzugt die Ausrichtung des Pinning-Magnetfelds (60) der benachbarten Schichtstrukturen (100) voneinander abweichen, insbesondere entgegengesetzt ausgerichtet sind.