JP6330896B1 - 3軸磁気センサ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】3軸方位の磁界を高精度に検出することのできる3軸磁気センサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】3軸磁気センサ1は、第1面21及びそれに対向する第2面22を有する基板2と、第1面21上に設けられてなる磁気センサ素子群3とを備える。磁気センサ素子群3は、X軸方向の磁気検出用の第1磁気センサ素子31と、Y軸方向の磁気検出用の第2磁気センサ素子32と、Z軸方向の磁気検出用の第3磁気センサ素子33とを含む。第1〜第3磁気センサ素子31〜33は、それぞれ、磁化固定層42及び自由層44を少なくとも含む積層体により構成される第1〜第3磁気抵抗効果素子4を含み、第1〜第3磁気抵抗効果素子4の各磁化固定層42の磁化方向M42は、第1面21に対して所定の角度θM42で傾斜する方向に固定されている。【選択図】図3
Description
本発明は、3軸磁気センサ及び当該3軸磁気センサを製造する方法に関する。
従来、磁気センサ素子によって地磁気を検出することで方位を計測する電子コンパスが車載型ナビゲーションシステム、携帯電話等の携帯端末等に搭載されている。このような電子コンパスに用いられる、相互に直交する3軸(X軸、Y軸及びZ軸)方位の磁界成分を検出するために用いられる3軸磁気センサとしては、X軸用磁気センサ素子、Y軸用磁気センサ素子及びZ軸用磁気センサ素子の3つの磁気センサ素子を一の基板面に取り付けてなるものが知られている。
かかる3軸磁気センサにおいて、3つの磁気センサ素子のそれぞれにより、相互に直交する3軸方位の磁界成分を検出するために、各磁気センサ素子における磁場の感知方向を直交させる必要がある。磁気センサ素子として、自由層と磁化固定層とを有する積層体であって、外部磁界に応じて自由層の磁化方向が高感度に変化し、それに伴い抵抗が変化する磁気抵抗効果素子(例えばTMR素子)を用いる場合、各磁気センサ素子の磁化固定層の磁化方向が各方位に向くように、各磁気センサ素子が配置される。
例えば、図16に示すように、第1面201及びそれに対向する第2面202を有する基板200の第1面201上にX軸用TMR素子301及びY軸用TMR素子302を積層形成するとともに、第1面201に直交する方向にZ軸用TMR素子303を積層形成する。図16において、各TMR素子301〜303に重ねて表示されている矢印は、各TMR素子301〜303の磁化固定層の磁化方向を示す。このような構成を有する3軸磁気センサにおいては、各TMR素子301〜303の磁化固定層の磁化方向を、3軸方位のぞれぞれに向かせることができる(非特許文献1参照)。
"Development of Tunneling Magnet-resistive Sensors", Futoyoshi KOU, Ricoh Technical Report, No. 31, 2005
図16に示す3軸磁気センサにおいて、X軸用TMR素子301及びY軸用TMR素子302は、同一のプロセスにより作製され得るため、それらの特性を容易に一致させることができる。
しかし、Z軸用TMR素子303の積層方向は、X軸用TMR素子301及びY軸用TMR素子302と異なる(直交する)ため、Z軸用TMR素子303を、X軸用TMR素子301及びY軸用TMR素子302と同一のプロセスにより作製することは極めて困難である。
そのため、X軸用TMR素子301及びY軸用TMR素子302と、Z軸用TMR素子303との特性を一致させることが極めて困難であり、それにより、3軸方位の磁界検出精度が低下してしまうという問題がある。
上記課題に鑑みて、本発明は、3軸方位の磁界を高精度に検出することのできる3軸磁気センサ及びその製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明は、第1面及び当該第1面に対向する第2面を有する基板と、前記基板の前記第1面上に設けられてなる磁気センサ素子群とを備え、前記磁気センサ素子群は、第1軸方向の磁気を検出するための第1磁気センサ素子と、第2軸方向の磁気を検出するための第2磁気センサ素子と、第3軸方向の磁気を検出するための第3磁気センサ素子とを含み、前記第1軸方向と前記第2軸方向とは、前記第1軸方向と前記第2軸方向とを含む平面上において相互に直交する方向であり、前記第3軸方向は、前記第1軸方向と前記第2軸方向とを含む前記平面に直交する方向であり、前記第1〜第3磁気センサ素子は、それぞれ、第1〜第3磁気抵抗効果素子を含み、前記第1〜第3磁気抵抗効果素子は、いずれも、磁化固定層及び自由層を少なくとも含む積層体であり、前記第1〜第3磁気抵抗効果素子の各磁化固定層の磁化方向は、前記基板の前記第1面に対して所定の角度で傾斜する方向に固定されていることを特徴とする3軸磁気センサを提供する(発明1)。
上記発明(発明1)において、前記第1〜第3磁気抵抗効果素子は、いずれも、前記基板の前記第1面に対して直交する方向に沿って前記磁化固定層及び前記自由層が積層されてなる積層体であるのが好ましい(発明2)。
上記発明(発明1,2)において、前記第1〜第3磁気抵抗効果素子の各磁化固定層の磁化方向は、前記基板の前記第1面に対して15〜55°の角度で傾斜する方向に固定されているのが好ましい(発明3)。
上記発明(発明1〜3)において、前記基板の前記第1面の上方から見た平面視において、前記第1磁気抵抗効果素子の前記磁化固定層の磁化方向と、前記第2磁気抵抗効果素子の前記磁化固定層の磁化方向と、前記第3磁気抵抗効果素子の前記磁化固定層の磁化方向とをそれぞれ前記基板の前記第1面に投影したときに、投影された前記磁化方向は、相互に110〜130°異なる方向を向くように固定されているのが好ましい(発明4)。
上記発明(発明1〜4)において、前記磁気抵抗効果素子として、GMR素子又はTMR素子を用いることができる(発明5)。
また、本発明は、上記発明(発明1〜5)に係る3軸磁気センサを製造する方法であって、前記基板の前記第1面上に前記磁化固定層を構成する反強磁性膜及び前記自由層を構成する磁性膜を少なくとも含む積層膜を形成する工程と、前記積層膜をミリングすることで、第1〜第3積層構造体を形成する工程と、前記第1〜第3積層構造体に同時に磁場を印加することで、前記磁化固定層の磁化方向を前記基板の前記第1面に対して所定の角度で傾斜させて固定させる工程とを含むことを特徴とする3軸磁気センサの製造方法を提供する(発明6)。
上記発明(発明6)において、前記磁化固定層の磁化方向を、前記基板の前記第1面に対して15〜55°の角度で傾斜させて固定させるのが好ましく(発明7)、前記基板の前記第1面の上方から見た平面視において、前記第1積層構造体の前記磁化固定層の磁化方向と、前記第2積層構造体の前記磁化固定層の磁化方向と、前記第3積層構造体の前記磁化固定層の磁化方向とをそれぞれ前記基板の前記第1面に投影したときに、投影された前記磁化方向を、相互に110〜130°異なる方向を向くように固定させるのが好ましい(発明8)。
上記発明(発明6〜8)において、前記基板の前記第1面の上方から見た平面視において、前記第1〜第3積層構造体を、前記第1面上における所定の点を中心として周方向に120°の間隔で配置されるように形成し、前記第1面上における所定の点に対向する、前記基板の前記第2面側における位置に磁場印加装置を配置し、当該磁場印加装置から前記第1〜第3積層構造体に磁場を印加するのが好ましい(発明9)。
本発明によれば、3軸方位の磁界を高精度に検出することのできる3軸磁気センサ及びその製造方法を提供することができる。
本発明の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る3軸磁気センサの概略構成を示す平面図であり、図2は、本実施形態における磁気抵抗効果積層体の概略構成を示す断面図であり、図3は、本実施形態における磁気抵抗効果積層体の概略構成を示す断面図であり、図4は、本実施形態における3つの磁気抵抗効果積層体の磁化固定層の磁化方向を説明するための平面図である。
図1及び図2に示すように、本実施形態に係る3軸磁気センサ1は、第1面21及び第1面21に対向する第2面22を有する基板2と、基板2の第1面21上に設けられている磁気センサ素子群3とを備える。基板2としては、例えば、シリコンウェハ等の半導体基板;AlTiC基板、アルミナ基板等のセラミック基板;樹脂基板;ガラス基板等が挙げられる。基板2の種類に応じ、基板2の第1面21上にAl2O3等を含む絶縁層が設けられていてもよい。
磁気センサ素子群3は、X軸方向の磁場を検出するために用いられるX軸用磁気抵抗効果素子31と、Y軸方向の磁場を検出するために用いられるY軸用磁気抵抗効果素子32と、Z軸方向の磁場を検出するために用いられるZ軸用磁気抵抗効果素子33とを含む。X軸方向及びY軸方向は、所定の平面上において互いに直交する方向であり、Z軸方向は、X軸方向及びY軸方向を含む平面に直交する方向である。
X軸用磁気抵抗効果素子31、Y軸用磁気抵抗効果素子32及びZ軸用磁気抵抗効果素子33は、いずれもGMR素子又はTMR素子であり、磁気抵抗効果積層体4と、磁気抵抗効果積層体4に電気的に接続される第1及び第2リード電極5,6とを備える。
第1リード電極5及び第2リード電極6は、例えば、Cu、Al、Au、Ta、Ti等のうちの1種の導電材料又は2種以上の導電材料の複合膜により構成され、その厚さは、それぞれ0.3〜2.0μm程度である。
第1リード電極5は、半導体基板2の第1面21上に設けられている。第2リード電極6は、半導体基板2の第1面21上に設けられた各磁気抵抗効果積層体4を被覆するように設けられている。本実施形態における第1及び第2リード電極5,6は、平面視において略L字状を有するが、このような態様に限定されるものではない。
図1〜3に示すように、磁気抵抗効果積層体4は、磁化方向が固定された磁化固定層42と、印加される磁界の方向に応じて磁化方向が変化する自由層44と、磁化固定層42及び自由層44の間に配置される非磁性層43と、反強磁性層41とを有し、平面視において略円形状を有する。
磁気抵抗効果積層体4は、第1リード電極5側から反強磁性層41、磁化固定層42、非磁性層43及び自由層44がこの順に積層された構造を有する。自由層44は、第2リード電極6に電気的に接続され、反強磁性層41は、第1リード電極5に電気的に接続されている。なお、磁気抵抗効果積層体4は、第1リード電極5側から自由層44、非磁性層43、磁化固定層42及び反強磁性層41がこの順に積層された構造を有していてもよい。
自由層44を構成する材料としては、例えば、Ni−Fe、Co−Fe等の合金軟磁性材料;Co−Fe−B、Co−Fe−Si−B等のアモルファス軟磁性材料;Co−Mn−Si、Co−Fe−Mn−Si、Co−Fe−Ge−Ga、Co−Mn−Al等のホイスラー合金;Co−Pt、Fe−Pt、Mn−Ga等の垂直磁気異方性を有する合金;[Co/Pd]n、[Co/Pt]n、[CoFe/Ni]n(nは括弧内の積層構造を繰り返し単位とする積層回数であって、2以上の整数である。)等の垂直磁気異方性を有する多層膜材料等を用いることができる。自由層44は、上記材料の単層膜又は上記材料から任意に選択された2種以上による積層膜として構成され得る。
自由層44は、第1自由層と、Ta、Ru、W等の非磁性材料からなる中間層と、第2自由層とがこの順に積層された積層構造により構成されていてもよい。自由層44がこのような積層構造により構成されることで、MR比の劣化を抑制することができる。この場合における第1自由層及び第2自由層を構成する材料としては、上記の材料の中から任意に選択され得る。
自由層44は、膜面垂直方向を磁化容易軸とする一軸磁気異方性が誘導され得るような材料により構成されていてもよい。これにより、一軸磁気異方性エネルギーKuと自由層44に働く反磁界によって生じる形状異方性エネルギーKdとが打ち消しあい、実効的な垂直磁気異方性エネルギーKeffが実質的にゼロになるため、自由層44の磁化方向を様々な方向に向かせることが容易となる。
自由層44を構成する材料として、Co−Pt、Fe−Pt、[Co/Pd]n等の垂直磁気異方性を有する材料を用いることで、膜面垂直方向を磁化容易軸とする一軸磁気異方性を自由層44に好適に誘導することができる。また、後述する非磁性層43が金属酸化物(例えばMgO)により構成される場合、自由層44のうち、非磁性層43に接する層をCo−Fe−Bにより構成することで、金属酸化物と強磁性材料との界面に働く界面垂直磁気異方性を、上記一軸磁気異方性として利用することができる。
自由層44における一軸磁気異方性エネルギーKuと形状異方性エネルギーKdとは、自由層44を構成する合金材料の組成、膜厚(自由層44が複数層の積層膜により構成される場合には各層の膜厚)、自由層44の形状、寸法等により適宜調整され得る。
磁化固定層42を構成する材料としては、上述した自由層44として用いられ得る種々の材料と同一材料を用いることができ、磁化固定層42は、上記材料の単層膜又は上記材料から任意に選択された2種以上による積層膜として構成され得る。
磁化固定層42は、第1磁化固定層と、Ru、Rh、Cr、Ir、Cu等の非磁性材料からなる中間層と、第2磁化固定層とがこの順に積層された積層構造であって、第1磁化固定層の磁化と第2磁化固定層の磁化とが相互に反平行に結合される合成反強磁性(Synthetic Antiferromagnets,SAF)構造を有していてもよい。磁化固定層42を構成する2つの強磁性層(第1磁化固定層及び第2磁化固定層)間に強い交換結合を与え、反強磁性層41からの交換結合力を実効的に増大させることができ、しかも磁化固定層42から発生する静磁界が自由層44に及ぼす影響を減らすことも可能となる。
磁化固定層42は、膜面垂直方向を磁化容易軸とする一軸磁気異方性が誘導され得るような材料により構成される。磁化固定層42において、一軸磁気異方性エネルギーKuと磁化固定層42に働く反磁界による形状異方性エネルギーKdとから与えられる実効的な垂直磁気異方性エネルギーKeffを所定の範囲(ゼロに近い所定の範囲)に設定した上で、反強磁性層41と磁化固定層42との間に適度な交換磁気異方性(一方向磁気異方性エネルギーJk)を所定の角度に誘導することで、磁化固定層42の磁化方向を膜面(半導体基板2の第1面21)から所定の角度をもって傾斜させて固定することができる。
磁化固定層42における一軸磁気異方性エネルギーKuと形状異方性エネルギーKdとは、自由層44と同様、磁化固定層42を構成する合金材料の組成、膜厚(磁化固定層42が複数層の積層膜により構成される場合には各層の膜厚)、磁化固定層42の形状、寸法等により適宜調整され得る。
上述したように、自由層44及び磁化固定層42の材料、膜厚等は、一軸磁気異方性エネルギーKuと形状異方性エネルギーKdとにより設定され得る。そのため、自由層44及び磁化固定層42の厚さは、一軸磁気異方性エネルギーKuと形状異方性エネルギーKdとから与えられる実効的な垂直磁気異方性エネルギーKeffを考慮した上で、それぞれ、例えば1〜10nm程度で設定され得る。
非磁性層43は、スペーサ層であり、本実施形態における磁気抵抗効果積層体4にトンネル磁気抵抗効果(TMR効果)又は巨大磁気抵抗効果(GMR効果)を発現させるための必須の膜である。非磁性層43を構成する材料としては、MgO、Mg−Al−O、Al−O等の酸化物;Cu、Au、Ag、Cr、Ag−Zn、Ni−Al等の金属材料;等が挙げられる。なお、非磁性層43の厚さは、0.1〜5nm程度である。
反強磁性層41は、例えば、Pt,Ru,Rh,Pd,Ni,Cu,Ir,Cr及びFeのグループの中から選ばれる少なくとも1種の元素と、Mnとを含むMn含有反強磁性材料や、CoO、Cr2O3等の酸化物反強磁性材料等により構成される。このMn含有反強磁性材料におけるMnの含有量は、例えば35〜95原子%程度である。Mn含有反強磁性材料は、L12−Mn3Ir、L10−PtMn等の規則合金であってもよいし、γ−MnIr等の不規則合金であってもよい。反強磁性材料により構成される反強磁性層41は、磁化固定層42との間での交換結合により、磁化固定層42の磁化の方向を固定する役割を果たす。
なお、本実施形態における磁気抵抗効果積層体4は、反強磁性層41と第1リード電極5との間に位置する下地層を含んでいてもよく、自由層44と第2リード電極6との間に位置するキャップ層を含んでいてもよい。
下地層を構成する材料としては、例えば、Ta,Cr,Hf,Nb,Zr,Ti,Mo,W,Ru,Pt,Rh,Ir,Cu,Ag,Au等の金属材料;NiCr,CrTi等の合金材料等を用いることができ、下地層は、これらの単層構造であってもよいし、2種以上の積層構造であってもよい。反強磁性層41を構成する材料としてMn−Irを用いる場合、下地層がTa/Ru、Ta/NiCrにより構成されると、大きな一方向磁気異方性エネルギーJkが誘導され得る。
キャップ層を構成する材料としては、例えば、Ru,Ta,W,Ti,Cr,Cu,Ag,Au等の金属材料や、これらのうちの少なくとも1種を含む合金材料等を用いることができる。キャップ層は、極めて薄膜(例えば0.5nm程度)のMgO、Al−O等の絶縁材料層を含んでいてもよい。自由層44に接触するキャップ層の材料によって、自由層44の一軸磁気異方性エネルギーKuを調整可能である。
本実施形態において、X軸用磁気抵抗効果素子31、Y軸用磁気抵抗効果素子32及びZ軸用磁気抵抗効果素子33の各磁化固定層42の磁化方向M42は、半導体基板2の第1面21に対して所定の角度で傾斜する方向に固定されている。好ましくは、当該磁化方向M42は、半導体基板2の第1面21に対して15〜55°の角度θM42で傾斜する方向に固定され、特に好ましくは、25〜45°の角度で傾斜する方向に固定される。各磁化固定層42の磁化方向M42が半導体基板2の第1面21に対して仰角を有することで、各磁化固定層42の磁化方向M42を相互に直交させることができる。よって、X軸用磁気抵抗効果素子31においては、その磁化固定層42の磁化方向の向き(X軸方向)の磁場成分を検出することができ、同様に、Y軸用磁気抵抗効果素子32及びZ軸用磁気抵抗効果素子33においては、それぞれ、各磁化固定層42の磁化方向の向き(Y軸方向及びZ軸方向)の磁場成分を検出することができる。
図4に示すように、X軸用磁気抵抗効果素子31、Y軸用磁気抵抗効果素子32及びZ軸用磁気抵抗効果素子33の各磁気抵抗効果積層体4(4X,4Y,4Z)の磁化固定層42の磁化方向M421〜M423を半導体基板2の第1面21に投影したとき、第1面21に投影された各磁化方向M421〜M423は、相互に110〜130°異なる方向を向くように固定されている。すなわち、X軸用磁気抵抗効果素子31の磁化固定層42の磁化方向M421とY軸用磁気抵抗効果素子32の磁化固定層42の磁化方向M422とのなす角度θXY、X軸用磁気抵抗効果素子31の磁化固定層42の磁化方向M421とZ軸用磁気抵抗効果素子33の磁化固定層42の磁化方向M423とのなす角度θXZ、Y軸用磁気抵抗効果素子32の磁化固定層42の磁化方向M422とZ軸用磁気抵抗効果素子33の磁化固定層42の磁化方向M423とのなす角度θYZは、いずれも110〜130°である。各磁化固定層42の磁化方向M42(M421〜M423)が半導体基板2の第1面21に対して所定の角度θM42で傾斜するとともに、相互に110〜130°異なる方向を向くように固定されていることで、各磁化固定層42の磁化方向M42(M421〜M423)が相互に実質的に直交し、3軸方位の磁場を高精度に検出することができる。
X軸用磁気抵抗効果素子31、Y軸用磁気抵抗効果素子32及びZ軸用磁気抵抗効果素子33の各磁気抵抗効果積層体4は、所定の点Pを中心として周方向に略120°の間隔で配置されている。すなわち、X軸用磁気抵抗効果素子31、Y軸用磁気抵抗効果素子32及びZ軸用磁気抵抗効果素子33の各磁気抵抗効果積層体4は、所定の点Pを重心とする正三角形の各頂点に位置するように配置されている。
なお、本実施形態に係る3軸磁気センサ1は、第2リード電極6を覆う保護層7と、第1リード電極5及び第2リード電極6のそれぞれに電気的に接続される、Au等からなる第1電極パッド81及び第2電極パッド82をさらに備える。
上述した構成を有する3軸磁気センサ1の製造方法を説明する。図5〜15は、本実施形態に係る3軸磁気センサ1の製造工程を順に示す工程図であって、各図(A)は平面図であり、各図(B)は、各図(A)におけるI−I線断面図である。
半導体基板2の第1面21上に絶縁層IL1及び第1導電材料膜50をこの順にスパッタリング等により積層形成し、フォトリソグラフィー工程を経てX軸用磁気抵抗効果素子31、Y軸用磁気抵抗効果素子32及びZ軸用磁気抵抗効果素子33のそれぞれの第1リード電極5を形成し、第1リード電極5の周囲に絶縁層IL2を形成する(図5(A)〜8(A)、図5(B)〜8(B)参照)。
次に、第1リード電極5を被覆するようにして磁気抵抗効果膜(反強磁性膜、強磁性膜、非磁性膜及び強磁性膜をこの順で積層した積層膜)40をスパッタリング等により形成し(図9(A),(B)参照)、フォトリソグラフィー工程を経て第1リード電極5上の所定の領域に、平面視略円形状の磁気抵抗効果積層体4を形成し、磁気抵抗効果積層体4の周囲に絶縁層IL3を形成する(図10(A)〜11(A)、図10(B)〜11(B)参照)。各磁気抵抗効果積層体4は、所定の点Pを中心として周方向に120°の間隔で配置されるようにして形成される。
続いて、磁気抵抗効果積層体4に対してアニール処理を施しながら、ソレノイド装置等を用いて磁場を印加する(図12(A),(B)参照)。このとき、半導体基板2の第2面22における上記所定の点Pに対応する位置から、半導体基板2の第2面22に対する鉛直方向に離れた位置にソレノイド装置を設置する。そして、各磁気抵抗効果積層体4の各層の構成材料、各層の膜厚、寸法、形状、磁化固定層42の垂直磁気異方性エネルギーKuと形状異方性エネルギーKdとから与えられる実効的な垂直磁気異方性エネルギーKeff等に応じ、反強磁性層41と磁化固定層42との間に所定の交換磁気異方性を誘導させるよう、半導体基板2の第1面21に対して所望の角度で傾斜する方向の磁場を各磁気抵抗効果積層体4に印加する。例えば、磁場印加前の状態における磁化固定層42の磁化の角度(膜面内方向に対する角度)に応じて、ソレノイド装置と半導体基板2の第2面22との間の距離やソレノイド装置のコイルへの印加電流を制御することにより、所望の角度で傾斜する方向の磁場を各磁気抵抗効果積層体4に印加することができる。これにより、各磁気抵抗効果積層体4における磁化固定層42の磁化方向を、半導体基板2の第1面21に対して15〜55°、好ましくは25〜45°の角度θM42で傾斜する方向、かつ相互に110〜130°異なる方向を向くように固定することができる。
各磁気抵抗効果積層体4上に第2導電材料膜をスパッタリング等により形成し、当該各磁気抵抗効果積層体4に電気的に接続する第2リード電極6を、フォトリソグラフィー工程を経て形成し、第2リード電極6を被覆する保護層7を形成する(図13(A),(B)参照)。
続いて、保護層7にコンタクトホールCH1,CH2を形成し、第1リード電極5及び第2リード電極6の一部を露出させる(図14(A),(B)参照)。最後に、当該コンタクトホールCH1,CH2内にAu等を埋設させて第1及び第2電極パッド81,82を形成する(図15(A),(B)参照)。このようにして、本実施形態に係る3軸磁気センサ1が製造され得る。
上述したように、本実施形態に係る3軸磁気センサ1においては、X軸用磁気抵抗効果素子31、Y軸用磁気抵抗効果素子32及びZ軸用磁気抵抗効果素子33が、いずれも、半導体基板2の第1面21に実質的に直交する方向に積層形成された磁気抵抗効果積層体4を含み、各磁気抵抗効果積層体4が同一プロセスにより作製されることで実質的に同一の特性を有する。そして、各磁気抵抗効果積層体4の磁化固定層42の磁化方向が、半導体基板2の第1面21に対して15〜55°、好ましくは25〜45°の角度θM42で傾斜する方向、かつ相互に110〜130°異なる方向を向くように固定されていることで、3軸方位のそれぞれに対応するように互いに直交する。したがって、本実施形態に係る3軸磁気センサ1によれば、3軸方位の磁界を高精度に検出することができる。
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
以下、実施例等を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は下記の実施例等に何ら限定されるものではない。
〔実施例1〕
図1〜4に示す構造を有し、寸法φ1μm、平面視円形状、表1に示す各層構造、各層の構成材料及び膜厚の磁気抵抗効果積層体4を含むX軸用磁気抵抗効果素子31、Y軸用磁気抵抗効果素子32及びZ軸用磁気抵抗効果素子33を、図5〜15に示す方法によりSi基板2の第1面21上に作製した。なお、磁化固定層42の垂直磁気異方性エネルギーKuと形状異方性エネルギーKdとから与えられる実効的な垂直磁気異方性エネルギーKeffが−0.16erg/cm2であることから、磁化固定層42と反強磁性層41との間に所定の交換磁気異方性(Jk=0.3erg/cm2)を誘導させるように、各磁気抵抗効果積層体4の面直に対して24°傾いた方向に磁場を印加した。その結果、磁化固定層42の磁化方向を、Si基板2の第1面21に対して35.3°の角度で傾斜する方向に固定することができた。
図1〜4に示す構造を有し、寸法φ1μm、平面視円形状、表1に示す各層構造、各層の構成材料及び膜厚の磁気抵抗効果積層体4を含むX軸用磁気抵抗効果素子31、Y軸用磁気抵抗効果素子32及びZ軸用磁気抵抗効果素子33を、図5〜15に示す方法によりSi基板2の第1面21上に作製した。なお、磁化固定層42の垂直磁気異方性エネルギーKuと形状異方性エネルギーKdとから与えられる実効的な垂直磁気異方性エネルギーKeffが−0.16erg/cm2であることから、磁化固定層42と反強磁性層41との間に所定の交換磁気異方性(Jk=0.3erg/cm2)を誘導させるように、各磁気抵抗効果積層体4の面直に対して24°傾いた方向に磁場を印加した。その結果、磁化固定層42の磁化方向を、Si基板2の第1面21に対して35.3°の角度で傾斜する方向に固定することができた。
〔実施例2〕
図1〜4に示す構造を有し、寸法φ1μm、平面視円形状、表2に示す各層構造、各層の構成材料及び膜厚の磁気抵抗効果積層体4を含むX軸用磁気抵抗効果素子31、Y軸用磁気抵抗効果素子32及びZ軸用磁気抵抗効果素子33を、図5〜15に示す方法によりSi基板2の第1面21上に作製した。なお、磁化固定層42の垂直磁気異方性エネルギーKuと形状異方性エネルギーKdとから与えられる実効的な垂直磁気異方性エネルギーKeffが0.15erg/cm2であることから、磁化固定層42と反強磁性層41との間に所定の交換磁気異方性(Jk=0.4erg/cm2)を誘導させるように、各磁気抵抗効果積層体4の面直に対して75°傾いた方向に磁場を印加した。その結果、磁化固定層42の磁化方向を、Si基板2の第1面21に対して35.3°の角度で傾斜する方向に固定することができた。
図1〜4に示す構造を有し、寸法φ1μm、平面視円形状、表2に示す各層構造、各層の構成材料及び膜厚の磁気抵抗効果積層体4を含むX軸用磁気抵抗効果素子31、Y軸用磁気抵抗効果素子32及びZ軸用磁気抵抗効果素子33を、図5〜15に示す方法によりSi基板2の第1面21上に作製した。なお、磁化固定層42の垂直磁気異方性エネルギーKuと形状異方性エネルギーKdとから与えられる実効的な垂直磁気異方性エネルギーKeffが0.15erg/cm2であることから、磁化固定層42と反強磁性層41との間に所定の交換磁気異方性(Jk=0.4erg/cm2)を誘導させるように、各磁気抵抗効果積層体4の面直に対して75°傾いた方向に磁場を印加した。その結果、磁化固定層42の磁化方向を、Si基板2の第1面21に対して35.3°の角度で傾斜する方向に固定することができた。
1…3軸磁気センサ
2…半導体基板(基板)
21…第1面
22…第2面
3…磁気センサ素子群
31…X軸用磁気抵抗効果素子(第1磁気センサ素子)
32…Y軸用磁気抵抗効果素子(第2磁気センサ素子)
33…Z軸用磁気抵抗効果素子(第3磁気センサ素子)
4…磁気抵抗効果積層体(第1〜第3磁気抵抗効果素子)
42…磁化固定層
44…自由層
2…半導体基板(基板)
21…第1面
22…第2面
3…磁気センサ素子群
31…X軸用磁気抵抗効果素子(第1磁気センサ素子)
32…Y軸用磁気抵抗効果素子(第2磁気センサ素子)
33…Z軸用磁気抵抗効果素子(第3磁気センサ素子)
4…磁気抵抗効果積層体(第1〜第3磁気抵抗効果素子)
42…磁化固定層
44…自由層
Claims (9)
- 第1面及び当該第1面に対向する第2面を有する基板と、
前記基板の前記第1面上に設けられてなる磁気センサ素子群と
を備え、
前記磁気センサ素子群は、第1軸方向の磁気を検出するための第1磁気センサ素子と、第2軸方向の磁気を検出するための第2磁気センサ素子と、第3軸方向の磁気を検出するための第3磁気センサ素子とを含み、
前記第1軸方向と前記第2軸方向とは、前記第1軸方向と前記第2軸方向とを含む平面上において相互に直交する方向であり、
前記第3軸方向は、前記第1軸方向と前記第2軸方向とを含む前記平面に直交する方向であり、
前記第1〜第3磁気センサ素子は、それぞれ、第1〜第3磁気抵抗効果素子を含み、
前記第1〜第3磁気抵抗効果素子は、いずれも、磁化固定層及び自由層を少なくとも含む積層体であり、
前記第1〜第3磁気抵抗効果素子の各磁化固定層の磁化方向は、前記基板の前記第1面に対して所定の角度で傾斜する方向に固定されていることを特徴とする3軸磁気センサ。 - 前記第1〜第3磁気抵抗効果素子は、いずれも、前記基板の前記第1面に対して直交する方向に沿って前記磁化固定層及び前記自由層が積層されてなる積層体であることを特徴とする請求項1に記載の3軸磁気センサ。
- 前記第1〜第3磁気抵抗効果素子の各磁化固定層の磁化方向は、前記基板の前記第1面に対して15〜55°の角度で傾斜する方向に固定されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の3軸磁気センサ。
- 前記基板の前記第1面の上方から見た平面視において、前記第1磁気抵抗効果素子の前記磁化固定層の磁化方向と、前記第2磁気抵抗効果素子の前記磁化固定層の磁化方向と、前記第3磁気抵抗効果素子の前記磁化固定層の磁化方向とをそれぞれ前記基板の前記第1面に投影したときに、投影された前記磁化方向は、相互に110〜130°異なる方向を向くように固定されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の3軸磁気センサ。
- 前記磁気抵抗効果素子が、GMR素子又はTMR素子であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の3軸磁気センサ。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の3軸磁気センサを製造する方法であって、
前記基板の前記第1面上に前記磁化固定層を構成する反強磁性膜及び前記自由層を構成する磁性膜を少なくとも含む積層膜を形成する工程と、
前記積層膜をミリングすることで、第1〜第3積層構造体を形成する工程と、
前記第1〜第3積層構造体に同時に磁場を印加することで、前記磁化固定層の磁化方向を前記基板の前記第1面に対して所定の角度で傾斜させて固定させる工程と
を含むことを特徴とする3軸磁気センサの製造方法。 - 前記磁化固定層の磁化方向を、前記基板の前記第1面に対して15〜55°の角度で傾斜させて固定させることを特徴とする請求項6に記載の3軸磁気センサの製造方法。
- 前記基板の前記第1面の上方から見た平面視において、前記第1積層構造体の前記磁化固定層の磁化方向と、前記第2積層構造体の前記磁化固定層の磁化方向と、前記第3積層構造体の前記磁化固定層の磁化方向とをそれぞれ前記基板の前記第1面に投影したときに、投影された前記磁化方向を、相互に110〜130°異なる方向を向くように固定させることを特徴とする請求項6又は7に記載の3軸磁気センサの製造方法。
- 前記基板の前記第1面の上方から見た平面視において、前記第1〜第3積層構造体を、前記第1面上における所定の点を中心として周方向に120°の間隔で配置されるように形成し、
前記第1面上における所定の点に対向する、前記基板の前記第2面側における位置に磁場印加装置を配置し、当該磁場印加装置から前記第1〜第3積層構造体に磁場を印加することを特徴とする請求項6〜8のいずれかに記載の3軸磁気センサの製造方法。
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