JP2016130686A - 磁気センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】外部磁界の特定方向の成分を検出するための磁気センサは、それぞれが磁気抵抗効果素子を有する複数の抵抗素子部50,60,70から構成された抵抗アレイ10を有している。複数の抵抗素子部50,60,70は、外部磁界の特定方向の成分に対する出力特性が互いに異なる。
【選択図】図8
Description
抵抗アレイは、互いに直列に接続された、出力特性が異なる24個のTMR素子から構成されているとした。具体的には、フリー層に対するx軸方向(図2参照)のオフセット磁場Hinの強度の違いによって、5種類のTMR素子に分類されているとした。より具体的には、オフセット磁場Hinの強度が30mT、18mT、0mT、−18mT、−30mTのものが、それぞれ4個、5個、6個、5個、4個であるとした。
抵抗アレイは、互いに直列に接続された、出力特性が同一である24個のTMR素子から構成されているとした。各TMR素子では、フリー層に対するオフセット磁場Hinをゼロとし、その代わりに、ピンド層の磁化方向に垂直な方向(図2のy軸方向)に強度が146.97mTのバイアス磁界が印加されているとした。したがって、外部磁界がゼロのとき、フリー層の磁化は、バイアス磁界の方向(すなわちピンド層の磁化方向に垂直な方向)を向いているとした。なお、ケース2が、特許文献5に記載の方法を適用したものに相当する。
抵抗アレイは、互いに直列に接続された、出力特性が同一である24個のTMR素子から構成されているとした。各TMR素子では、フリー層に対するオフセット磁場Hinをゼロとし、y軸方向にもバイアス磁界は印加されていないとした。
2 ハーフブリッジ回路
10 第1の抵抗アレイ
20 第2の抵抗アレイ
30 MR素子
31 反強磁性層
32 ピンド層
33 スペーサ層
34 フリー層
41 下部電極
42 上部電極
50 第1の抵抗素子部
60 第2の抵抗素子部
70 第3の抵抗素子部
51,61,71,81 バイアス磁界発生部
52,53,62,63,72,73 硬磁性体
Claims (10)
- 外部磁界の特定方向の成分を検出するための磁気センサであって、
それぞれが磁気抵抗効果素子を有する複数の抵抗素子部から構成された抵抗アレイを有し、
前記複数の抵抗素子部は、前記外部磁界の前記特定方向の成分に対する出力特性が互いに異なる、磁気センサ。 - 前記複数の抵抗素子部が、少なくとも第1の種類の抵抗素子部と第2の種類の抵抗素子部とに分類され、前記第1の種類の抵抗素子部と前記第2の種類の抵抗素子部とは、前記外部磁界の前記特定方向の成分に対する出力特性が互いに異なる、請求項1に記載の磁気センサ。
- 前記磁気抵抗効果素子は、磁化方向が固定されたピンド層と、前記外部磁界に応じて磁化方向が変化するフリー層と、前記ピンド層と前記フリー層との間に挟まれたスペーサ層と、を有する、請求項1または2に記載の磁気センサ。
- 前記磁気抵抗効果素子の前記ピンド層は、前記特定方向に沿って磁化が固定され、
前記複数の抵抗素子部は、前記磁気抵抗効果素子の前記フリー層の磁化容易軸方向が互いに異なる、請求項3に記載の磁気センサ。 - 前記各抵抗素子部が、前記磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を印加するバイアス磁界発生部をさらに有し、
前記複数の抵抗素子部は、前記磁気抵抗効果素子の前記フリー層に印加される前記バイアス磁界の前記特定方向の強度が互いに異なる、請求項4に記載の磁気センサ。 - 前記複数の抵抗素子部は、前記磁気抵抗効果素子に対する前記バイアス磁界発生部の相対位置が互いに異なる、請求項5に記載の磁気センサ。
- 前記複数の抵抗素子部は、前記磁気抵抗効果素子の成膜方向に垂直な平面において、前記バイアス磁界発生部の形状が互いに異なる、請求項5に記載の磁気センサ。
- 前記複数の抵抗素子部は、前記磁気抵抗効果素子の前記フリー層の形状磁気異方性が互いに異なる、請求項4に記載の磁気センサ。
- 前記磁気抵抗効果素子が、前記スペーサ層としてトンネルバリア層を用いたトンネル磁気抵抗効果素子である、請求項3から8のいずれか1項に記載の磁気センサ。
- 複数の前記抵抗アレイによってブリッジ回路が構成されている、請求項1から9のいずれか1項に記載の磁気センサ。
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