JP2008516225A - 非線形磁界センサ及び電流センサ - Google Patents

Abstract

本発明は、センサ信号と磁界又は電流の対数との間にほぼ線形関係を示すことができる磁界センサ又は電流センサを提供する。センサを、一定の相対感度及び数十に亘る一様なＳＮＲを提供することができる広いダイナミックレンジのセンサとして用いることができる。センサ装置の設計を、個別の磁界センサ又は電流センサ及びＭＲＡＭモジュールを具えるＩＣにおける集積電流センサで実現することができる。

Description

本発明は、センサに関し、更に詳しくは、例えば、センサ信号とセンサによって測定された特性の対数との間にほぼ線形的な関係を示すとともに一定の相対感度及び複数の範囲に亘る一様なＳＮＲを提供する広いダイナミックレンジのセンサとして用いることができる非線形センサに関する。

磁気抵抗（ＭＲ）センサは、定義によれば、測定範囲内で線形的なセンサである。中間又は低磁界範囲で最も広く用いられるタイプのＭＲセンサは、異方性磁気抵抗（ＡＭＲ）効果、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）効果又は近年のトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）効果に基づく。

原理的には、「良好な」磁気センサのタイプの一つは、検出磁界範囲内で線形特性を示すセンサであり、その範囲を超えるとセンサ信号が飽和する。その結果、特性の線形部分の勾配によって決定されるセンサの感度は、検出範囲と負の相関を有する。感度及び磁界範囲を、例えばセンサ設計を調整することによって種々のアプリケーションの要求に適合するよう調整することができる。

例えば、種々の個数のフィリップスのＡＭＲに基づくＫＭＺ磁界センサファミリーは、０．０５ｋＡ／ｍから１００ｋＡ／ｍまでの種々の検出範囲を提供することができる。検出範囲が広くなるに従って感度が低くなる。同様に、磁気抵抗効果に基づく従来の電流センサは、センサ信号と電流との間に線形的な関係を提供することができる。例えば、Ｆ．Ｗ．ベルから市販されている電流センサは、数アンペアから１５０Ａまでの線形的な電流範囲を提供するが、当然、感度は低くなる。近年、検出範囲をｍＡ又はｍＡの数十分の一の範囲まで低下することができるＴＭＲ効果を用いたＩＣテスト用の非常に感度の優れた集積電流センサを提案した（欧州特許出願第０３１０４９２７．２号明細書”High sensitivity magic built-in sensor”参照）。この集積センサに用いられる技術は、共通のＭＲＡＭ技術と同様であり、これによって、コストを著しく増加することなくセンサを実現することができる。

欧州特許第１２２５４５３号において、予め決定された磁気的な関数に対して磁界センサが所望の応答を行う回路及び方法が記載されている。この文献は、角度や位置の関数のような磁界密度の所望の関数に従って調整された応答を行うために単一に磁気検出回路と組み合わされた複数の磁界センサに関する。磁界センサは、出力特性に基づいて選択され、線形的な応答を提供するよう誤差を十分に互いに相殺するセンサ誤差オフセットを行う形態と組み合わされる。図１は、欧州特許第１２２５４５３号に記載された磁気センサ回路１０９の一実施の形態を示し、この場合、ホール効果センサ１２が磁気抵抗分路１４とともに構成される。バイアス電圧ＶＢ１６は、定電流源１８から、接地２０されたホール効果センサ１２まで電流を流す。磁気抵抗１４はホール効果センサ１２の両端間に接続され、したがって、磁気抵抗１４の抵抗は、ホール効果センサ１２の両端間で分流を行い、回路出力がＶＯＵＴで与えられる。

図２において、磁気抵抗分路を用いた場合及び用いない場合についてプロットした図１に示す回路に対する角度位置に応答する電圧出力のグラフを示す。例えば、角エンコーダアプリケーションないで角度位置を測定するに際し、磁界密度は正弦関数に従う。曲線２４は、ホール効果素子１２の出力電圧と磁気抵抗分流１４を用いない個別のホール効果センサ１２の角度との間の関係を示す。図１の回路を形成するために磁気抵抗分流１４を追加すると、ホール効果センサ１２の応答を調整し、その結果、図２の曲線２６に示すような電圧応答となる。いずれかの極性の低い値の電界密度Ｂが加えられると、磁気抵抗分流１４は、比較的低い抵抗を示し、これによって全駆動電流の大部分がホール効果センサ１２から迂回する。磁界強度が増大すると、磁気抵抗１４の抵抗は、ホール効果センサ１２の抵抗より速く増大して迂回電流が少なくなり、これによって、ホール効果センサ１２の出力が増大する。正弦的な磁界密度に応答するこれらオフセットの影響は、図２の二つのプロットの比較からわかるように応答曲線を真っ直ぐにするよう作用する。したがって、ホール効果センサ１２に結合した磁気抵抗分流１４を用いると、正弦関数に従う磁界を消失する際にホール効果センサ１２の線形性を大幅に向上する。

しかしながら、一部のアプリケーションにおいて、例えば、測定される量又は特性が数十(several decade)の広いダイナミックレンジに亘って広がるとき又は化学的な濃度の測定や圧力及び真空の測定や光放出のような指数的な現象を伴うときには、対数特定が要求される。他のアプリケーションにおいて、磁界又は電流の広いダイナミックレンジに亘って良好な感度及びＳＮＲが要求される。

一般に、対数船さは、センサ信号と測定される量又は特性の対数との間のほぼ線形的すなわち準線形関係を与えるセンサである。線形的なセンサを用いて対数センサを構成する既知の方法は、外部の電子機器を用いて線形特性を対数特性に変換することである。しかしながら、この方法はしばしば低い値の悪いＳＮＲとなる。

本発明の目的は、一定の相対感度及び数十に亘る一様なＳＮＲを提供することができる広いダイナミックレンジのセンサとして用いることができる対数センサ並びにその製造方法及び動作を提供することである。

上記目的は、本発明による方法及び装置によって達成される。

本発明は、直列又は並列接続した少なくとも二つの磁気センサ素子を具えるセンサ装置であって、各磁気センサ素子が感度を有し、各磁気センサ素子が、他の磁気センサ素子の感度と異なるセンサ装置を提供する。磁気センさ素子の感度を、センサ素子の線形特性の勾配として規定することができる。

本発明によるセンサ装置において、前記少なくとも二つの磁気センサ素子の各々が、検知したパラメータの範囲に亘ってセンサ信号を出力することができる。前記少なくとも二つの磁気センサ素子のセンサ信号の各々の和が、前記センサ装置の範囲全体に亘って検知したパラメータの非線形関数に適合することができる。前記非線形関数を対数関数又は準対数関数とすることができる。本発明の態様は、センサ信号と測定された特性との間の非線形関係、例えば、センサ信号と測定された特性の対数との間のほぼ線形的な関係を示すセンサ出力信号を取得する。測定された特性を、例えば、磁界又は電流とすることができる。このタイプのセンサを、少なくとも二つの磁気センサ素子の各々の感度を調整することによって達成することができる。

本発明によるセンサ装置を、数十に亘る磁界の広いダイナミックレンジを検知することができる個別の磁界センサ及び電流の広いダイナミックレンジを検知することができる個別の電流センサとして適用することができる。本発明のセンサ装置を、電流の広いダイナミックレンジを検知することができる集積電流センサとして、及び測定される量から変換されるとともにこの量が例えば時間とともに指数的に変化する電流を影響を及ぼさずに(invasibely)検知する必要があるあらゆるアプリケーションに適用することもできる。

本発明の一例によれば、前記少なくとも二つの磁気センサ素子の各々が同一の幾何学配置及び寸法を有することができる。他の例において、前記少なくとも二つの磁気センサ素子のうちの少なくとも一つが、異なる幾何学配置及び寸法を有することができる。少なくとも二つのセンサ素子の少なくとも一つの寸法及び／又は幾何学的配置を変更することによって、互いに相違する感度を有する磁気センサ素子を得ることができる。他の例において、前記少なくとも二つの磁気センサ素子のうちの少なくとも一つを、互いに並列又は直列に接続された少なくとも二つのサブ素子に分割することができる。センサ素子の少なくとも一つを分割することによって、感度と（抵抗を調整するための）領域の同時の調整の自由度を更に増大する。サブ素子は、好適には同一寸法を有する。その理由は、同一の飽和領域が要求されるからであり、したがって、サブ素子は等しい形状異方性を必要とする。

他の例において、装置は、前記少なくとも二つの磁気センサ素子の下に配置した導線を更に具えることができる。本発明の例において、前記導線が、前記少なくとも二つの磁気センサ素子のうちの少なくとも一つの位置で異なる幅を示すことができる。センサ素子の感度を変化させるために、導線幅を変更することによってセンサ素子に加えられる磁界を変化させることができる。例えば、センサ素子の感度を減少させるために、導線幅を広げることによってセンサ素子に加えられる磁界を減少することができる。

本発明によるセンサ素子は、バイパス電流経路を更に具えることができる。本例において、測定される電流を、バイパス電流経路と称される複数の並列導通経路に分割することができ、この場合、電流感度を非常に小さくする必要があり、電流経路のうちの一つの経路のみが素子の近傍で電流を流す。

更に別の例において、センサ装置は、少なくとも一つの磁気シールドを具えることができる。少なくとも一つの磁気シールドを、少なくとも一つの磁気センサ素子の近傍に配置することができる。少なくとも一つの磁気シールドを、例えば、パーマロイ（登録商標）のような軟磁性材料で構成することができる。加えられる磁界を減少するシールドの効率を、遮蔽係数Ｆによって特徴付けることができる。これを、例えば、シールドの幾何学的配置を調整することによって行うことができる。

本発明において、これまで説明した磁気センサ素子の感度を調整する特性に任意の組合せを、各々が異なる感度を有する少なくとも二つの磁気センサ素子を具える本発明によるセンサ装置を形成するために用いることができる。

本発明の他の態様において、センサ装置の製造方法を提供する。方法は、直列又は並列接続した少なくとも二つの磁気センサ素子を設け、各磁気センサ素子が感度を有し、各磁気センサ素子が、他の磁気センサ素子の感度と異なるように、前記少なくとも二つの磁気センサ素子の感度を設定することができる。

少なくとも二つの磁気センサ素子の各々の感度を種々の方法で調整することができる。第１の例において、前記少なくとも二つの磁気センサ素子の感度の設定を、前記少なくとも二つの磁気センサ素子の幾何学的配置及び／又は寸法を変更することによって行うことができる。

他の例において、前記少なくとも二つの磁気センサ素子の感度の設定を、前記少なくとも二つの磁気センサ素子の少なくとも一つを分割することによって行うことができる。センサ素子の少なくとも一つを分割することによって、感度と（抵抗を調整するための）領域の同時の調整の自由度を更に増大する。サブ素子は、好適には同一寸法を有する。その理由は、同一の飽和領域が要求されるからであり、したがって、サブ素子は等しい形状異方性を必要とする。

更に別の例において、前記少なくとも二つの磁気センサ素子の感度の設定を、前記少なくとも二つの磁気センサ素子の少なくとも一つの近傍に磁気シールドを設けることによって行うことができる。少なくとも一つの磁気シールドを、例えば、パーマロイ（登録商標）のような軟磁性材料で構成することができる。加えられる磁界を減少するシールドの効率を、遮蔽係数Ｆによって特徴付けることができる。これを、例えば、シールドの幾何学的配置を調整することによって行うことができる。

本発明の他の例において、導線を、少なくとも二つの磁気センサ素子の下に設けることができる。本発明の例において、少なくとも二つの磁気センサ素子のうちの少なくとも一つの位置で異なる幅を示す導線を設けることができる。センサ素子の感度を変化させるために、導線幅を変更することによってセンサ素子に加えられる磁界を変化させることができる。例えば、センサ素子の感度を減少させるために、導線幅を広げることによってセンサ素子に加えられる磁界を減少することができる。

磁気センサ素子の感度を変更し又は設定する上記方法のあらゆる組合せを、本発明に従って用いることができる。

この分野において装置が常に向上し、変化し及び進化しているが、本発明の概念は、従来に比べて著しい向上を表し、その結果、より効果的、より安定した、かつ、より信頼性のあるこの性質の装置を提供する。

本発明のこれら及び他の特徴、特性及び利点を、一例として本発明の原理を表す添付図面に関連して詳細な説明から明らかにする。この説明は、本発明の範囲を逸脱することなく例示のために行われる。以下で引用する図は、添付図面を言及する。

図面中、同一符号は同一又は類似の素子を言及する。

本発明を所定の図面を参照しながら特定の実施の形態に対して説明するが、本発明は、特許請求の範囲によってのみ限定される。特許請求の範囲の参照符号は範囲を制限するものではない。図面は線形的であり、制限するものではない。図面中、素子の一部の寸法を誇張し、説明のために寸法通りに描かない。用語「具え」を明細書及び特許請求の範囲で用いる場合、それは他の素子又はステップを除外するものではない。個数に関して、特に説明しない限り複数も含む。

さらに、明細書及び特許請求の範囲に用語「第１」、「第２」、「第３」等は、同様な素子間を区別するために用いられており、必ずしも順番又は時系列を表していない。そのように用いられる用語は、適切な状況下で交換可能であり、ここで説明する本発明の実施の形態は、説明した以外の順番で動作することができる。

特許請求の範囲で用いられる用語「具え」を、その後に挙げる手段に制限するものと解釈すべきでない。したがって、説明した特徴の存在を特定するものと解釈すべきであり、全体の抵抗変化は同一である。しかしながら、本発明は、同一抵抗に限定されるものではなく、最適な動作を保証できなくても各センサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，Ｒ_２が互いに相違する抵抗を有してもよい。

例えば、等しい抵抗のＴＭＲセンサを、センサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．，Ｒ_ｎ−１の領域を同一に保持することによって得ることができるが、アスペクト比が互いに相違してもよい。

本発明によれば、感度Ｓ_０，Ｓ_１，Ｓ_２，．．．，Ｓ_ｎ−１を各センサ素子Ｒ０，Ｒ１，．．，Ｒｎ−１の線形特性の勾配として規定する場合、センサ装置３０を形成する種々のセンサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．，Ｒ_ｎ−１の感度Ｓ_０，Ｓ_１，Ｓ_２．．．，Ｓ_ｎ−１は、Ｓ_０＞Ｓ_１＞Ｓ_２＞．．．＞Ｓ_ｎ−１の関係を満足する必要があり、すなわち、磁気センサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．，Ｒ_ｎ−１が互いに相違する感度を有する必要があり、更に好適には、センサ装置３０の出力部から取り出される全ての個別の信号の和が、非線形関数に適合する必要があり、更に好適には、準対数関数に適合する必要がある（図５）。対数スケールで磁界をプロットすると、図６に示すような対数線形特性曲線が得られる。図６に示すように、曲線の各セグメントは、完全な線を形成せず、線形を対数スケールに変換するために僅かに曲がる。しかしながら、明細書で更に説明するように、実際には、各特性曲線は、通常、飽和の開始付近で丸められ、その結果、全体的な信号曲線が円滑になり、対数スケールでとった実際の特性曲線は直線に近くなる。対数関数の特性のために開始磁界Ｈ_０を原理的には零とすることができず、実際には、例えば１Ｏｅ未満の非常に小さい値となる。

図３及び図４に示すようなセンサ装置３０の動作を調べると、Ｈ_０からＨ_１までの最低磁界範囲で、全体の信号は、個別の素子の全ての線形勾配の和となり、最高感度Ｓ_０（センサＲ０）のセンサによって支配される。したがって、この部分は最も平坦な勾配を有する。Ｈ_１からＨ_２までの磁界で、Ｒ_０は飽和し、したがって、信号はもはや全体の信号の変化に寄与しない。このとき、全体の勾配は大幅に減少し、２番目に高い検知素子Ｒ_１によって支配される、等々。最後に、最後の検知素子Ｒ_ｎ−１以外の全ての素子が飽和した最大磁界範囲において、全体の信号は、Ｒ_ｎ−１からの信号によってのみ影響が及ぼされ、したがって、Ｓ_ｎ−１の勾配を有する。本発明の本実施の形態にしたがってセンサ装置３０を構成することによって、センサ装置３０の全体のダイナミックレンジが複数のセグメントに分割される。各センサ素子Ｒ０，Ｒ１，．．．，Ｒｎ−１は、主に、最も適合した感度を有するセグメントに関与する。セグメントの最適な選択に対して、センサ装置３０の相対感度を所定の定数とすることができ、一様なＳＮＲが数十に亘って得られる。

センサ装置３０の出力部で対数関数を得るために、各センサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．，Ｒ_ｎ−１は、規定された感度Ｓ_０，Ｓ_１，Ｓ_２．．．Ｓ_ｎ−１を有する必要がある。これら感度Ｓ_０，Ｓ_１，Ｓ_２．．．Ｓ_ｎ−１が加算されるので、これらは互いに良好にリンクされる。以後、これらの値を規定する方法を説明する。

センサ装置３０の出力部において、以下の関係を満足する必要がある対数関数を得る。

この場合、Ｖを、センサの全体の信号電圧とし、Ｈを、測定される磁界とし、ａ，ｂを関数の二つのパラメータとする。式（１）は磁界センサに対して行う。さらに、計算を磁界センサに対して行うが、それは磁界センサに限定されるものではない。電流センサの場合、Ｈを、測定される電流Ｉに置き換える必要がある。任意の磁界Ｈの曲線の勾配は、

となる。

全てのセンサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１の全体の信号が式（１）に従うことが要求される。しかしながら、線形特性の和である全体の信号曲線の各セグメントは、実際には直線になり、したがって、原理的には、準指数関数しか形成することができない。理想的な対数関数からの偏位を、複数のセグメントを加算することによって、したがって、複数のセンサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１をセンサ装置３０に追加することのよって減少することができる。

全体の信号曲線の各セグメントの勾配が当該セグメントの開始磁界における式（２）で規定した勾配にほぼ等しいと仮定する。したがって、センサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１の個別の勾配の全ての和である（Ｈ_０からＨ_１までの）第１セグメントの勾配を、以下のように表現することができる。
Ｈ_０からＨ_１まで

磁界がＨ_１より大きく、かつ、Ｈ_２より小さいとき、第１素子Ｒ_０が飽和する。全体の勾配は、Ｓ_０以外の全ての勾配の和となる。
Ｈ_１からＨ_２まで

ΔＶ＝Ｖ_１−Ｖ_０として、Ｈ_１＝（ΔＶ＋Ｓ_０Ｈ_０）／Ｓ_０を代入すると、式（４）は、

となる。

Ｈ_２からＨ_３まで、Ｒ_０とＲ_１の両方が飽和され、したがって、その勾配Ｓ_０及びＳ_１は和からなくなる。

式（５）と同様に、式（６）を

と記載することができる。等々。

一般にｎ個の式の系が達成される。
ｉ＝０に対して、

１≦ｉ≦ｎ−１に対して

この式の系は、ｎ個が未知であり、すなわち、Ｓ_１，．．．，Ｓ_ｎ−１が未知であり、これらを解く必要がある。

ある式から次の式を引く（すなわち、ｉ番目の式−ｉ−１番目の式）ことによって、以下の式を得ることができる。

（１からｎ−１までのｉを有する）Ｓｉは、以下の二次方程式の正の解である。

解からわかるように、第１の勾配Ｓ０は、対数関数のパラメータ“ａ”から選択することができるパラメータであり、勾配の残り（Ｓ_ｉ：ｉを１からｎ−１とする。）を独自に規定することができる。パラメータ“ａ”を既知のパラメータ（例えば、条件）と考えることもでき、Ｓ_０及びＳ_ｉを式（１０）及び（１１）をそれぞれ解くことによって決定することができる。式（１１）を昇順に解くこともできる。その理由は、Ｓ_ｉを解くためにはＳ_ｉ−１を知る必要があるからである。

原理的には、検出下限をカバーすることができるセンサ装置３０を構成するために、できるだけ高い感度を有するように素子Ｒ_０を設計する必要がある。センサ素子Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１の残りは、それより低い感度Ｓ_１，Ｓ_２，．．．，Ｓ_ｎ−１を有することができる。

原理を実演するために、以下のようなシミュレーションを与える。このシミュレーションにおいて、センサ装置３０が直列接続した６個のセンサ素子Ｒ_０〜Ｒ_５を有すると仮定する。第１素子Ｒ０は、８×１０−３Ｖ／Ｏｅと等価である４％の感度Ｓ０を有することができる。これは、良好なＴＭＲセンサの典型的な値である。他の入力パラメータを、ΔＶ＝０．０４Ｖ，Ｖ_０＝０．２Ｖ及びＨ_０＝１Ｏｅとすることができる。

式（１０）及び（１１）を解くと、以下のようになる。
ａ＝２．２１×１０^−２
Ｓ_１＝１．３×１０^−３（Ｖ／Ｏｅ）
Ｓ_２＝２．４４×１０^−４（Ｖ／Ｏｅ）
Ｓ_３＝４．６９×１０^−５（Ｖ／Ｏｅ）
Ｓ_４＝９．０６×１０^−６（Ｖ／Ｏｅ）及び
Ｓ_５＝１．７５×１０^−６（Ｖ／Ｏｅ）

計算から決定された勾配Ｓ_０〜Ｓ_５の値に対して、勾配Ｓ０〜Ｓ５は、センサ装置３０のダイナミックレンジとほぼ同じである広い範囲に亘って変化する。しかしながら、広い範囲に亘る勾配の変化が実際には決して一般的でないことを示す。

個別の特性曲線は、丸め形状を有するように重畳され、実際のものに近くなる。シグモイド関数を用いてシミュレートする。

（ｘ＝ｘ_０での）最大勾配はα／４βとなる。この勾配を、Ｓ_０により上記式から得られるＳ_５に置換する。

図７は、６個のセンサ素子Ｓ_０〜Ｓ_５の個別の特性を示す。個別の信号を加算することによって得られる全体の信号を図８に示す。準対数スケールでプロットすると（図９参照）、全体の信号曲線は、第１セグメントで僅かに曲がるのを除いて直線を示す。これは、良好な対数関数特性を達成できることを表す。本例において、センサ装置３０は、４０の領域に亘って対数の動作を表す。

一方、第１センサ素子Ｓ０の感度が増大すると、範囲が下方に延在し、同時に、第１セグメントの対数スケールのプロットの線形性が向上する。それに対して、更に多くのセンサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．，Ｒ_ｎ−１を加えると、範囲が上方に延在する。しかしながら、ダイナミックレンジの延在は上側と下側の両方に限界がある。実際には、最大感度は、利用できる技術によって制限される。一方、上側への延在に対して、更に多くのセンサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．，Ｒ_ｎ−１を追加することは、更に多くのセンサ素子の一部の感度を非常に低くする必要がある。感度を低くすると、装置構造が更に複雑になり、達成が常に容易ではない。これらの問題を後に詳しく説明する。

本発明の他の実施の形態において、センサ装置３０は、図１０に示すように並列接続することができるｎ個のセンサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．，Ｒ_ｎ−１を具えることができる。センサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．，Ｒ_ｎ−１は電源３２によって印加され、全体の電流がセンサ装置３０の出力信号として測定される。センサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．，Ｒ_ｎ−１の感度の計算は、本発明の第１の実施の形態で説明した計算と同様である。センサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．，Ｒ_ｎ−１を、例えば、温度変化のような外部擾乱に対して更に良好な耐性を有するためにホィートストンブリッジの形態で接続することもできる。

したがって、本発明を、電流センサと磁界センサの両方に用いることができる。いずれの場合にも、センサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．，Ｒ_ｎ−１の感度Ｓ_０，Ｓ_１，Ｓ_２，．．．，Ｓ_ｎ−１を良好に調整する必要がある。次のセクションで説明するように、感度Ｓ_０，Ｓ_１，Ｓ_２，．．．，Ｓ_ｎ−１を調整する複数の方法がある。

センサ装置３０の感度、すなわち、磁界（又は電流）に対する電圧のグラフの線形部分の勾配は、センサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１の検知層の異方性に反比例知る。

この場合、ＭＲ_ｍａｘを、センサの最大磁気抵抗変化（％）とし、μ_０を、真空の透磁率とし、Ｍ_ｓを、検知材料の飽和磁化とし、Ｋを、検知層の異方性定数とする。

典型的にはパーマロイ（登録商標）によって構成することができるセンサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１の検知素子の異方性は、形状異方性と結晶異方性の代数和となる。結晶異方性は、局所的に変化させることができない材料の固有の特性であり、それに対して、形状異方性は、センサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１の幾何学配置に依存し、したがって、変化させることができる。形状異方性エネルギー密度Ｋ_{ｓｈａｐｅ}を、

と表現することができる。この場合、Ｎｘ及びＮｙを、素子の幾何学配置のみに依存する磁化容易軸及び磁化困難軸沿いの反磁場係数とする。大きなすなわち数μｍより大きいセンサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１に対して、形状異方性を、

と近似することができる。この場合、ｔ及びｗをそれぞれ、センサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１の検知層の厚さ及び幅とする。

センサ装置３０の感度を増大するために、異方性を、センサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１の検知層の厚さを減少し又はセンサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１のアスペクト比を減少することによって減少することができる。しかしながら、異方性を非常に小さくした結果、顕著なヒステリシスが生じ、検知層の磁気パターンを不安定にする。

感度を減少するために、センサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１の検知層の（形状）異方性を、例えば、センサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１の幅を減少することによって増大することができる。理論的には、Ｋ_{ｓｈａｐｅ}＝（１／２）μ_０Ｍ_ｓ ^２を、Ｎｙ→１、したがって、（Ｎｘ及びＮｙ→０（Ｎｘ＋Ｎｙ＋Ｎｚ＝１であるので）に対して得ることができる。理論的には、これは、形状異方性が３０に亘って変化することを意味する。構成中のあり得る最小の横寸法及び許容された最大の層の厚さのような技術的な要求及び要望のために、実際の範囲は、著しく小さくなる。

更に多くの個数のセンサ素子の感度を減少する他の補助的な手段を、後に説明する。

センサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１の感度を、加えられる磁界を減少することによって減少することができる（図１１及び１２参照）。これを、例えば、磁気シールド３３をセンサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１の近傍に配置することによって行うことができる。そのようなシールド３３を、例えば、パーマロイ（登録商標）のような軟磁性材料によって構成することができる。加えられた磁界を減少するシールド３３の効率は、シールド３３が存在するときの磁界の残りに対するシールド３３が存在しないときに加えられる磁界の比として規定することができる遮蔽係数Ｆによって特徴付けられる。更に一般的な規定において、遮蔽係数Ｆは、シールド３３の近傍のセンサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１の応答に対するシールド３３のないセンサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１の応答の比である。後者の規定を用いると、センサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１の応答に対するシールドのあらゆる直接的な影響も含まれる。後者の一例は、軟磁性シールドのセンサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１のミラーイメージによるセンサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１の形状異方性の減少とすることができる。

感度を調整するために、遮蔽係数Ｆを変化させることができる。これを、シールド３３の幾何学配置を調整することによって行うことができる。これを後に説明する。

図１１及び１２は、本発明の実施の形態によるセンサ素子／遮蔽装置３５の側面図及び上面図をそれぞれ示す。図１１は、シールド３３の機能を説明する。センサ素子／遮蔽装置３５は、全体的に印加された磁界Ｈ_ａｐｐにさらされる。磁界は、シールド３３を磁化し、磁化されたシールドは、磁化方向と逆方向に反磁界Ｈ_Ｄを形成する。したがって、センサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１は、Ｈ_ａｐｐとＨ_Ｄの和である結果的に生じた次回Ｈ_{ａｐｐ＿ｓｅｎｓ}にさらされる。

この場合、Ｎｓｈｉｅｌｄ，χｓｈｉｅｌｄ及びＭｓｈｉｅｌｄをそれぞれ、シールド３３の反磁場係数、感受性及び磁化とし、Ｈｉ＿ｓｈｉｅｌｄは、シールド３３の内部磁界を表す。式（１６）は、磁気センサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１からの距離が無視できる程度に小さい位置にシールド３３を配置したときしか変化しない。例えば、シールド３３が４０μｍの幅、２μｍの厚さ及び２０００の感受性を有するとき、シールド３３とセンサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１との間の距離を、式（１６）を用いることができるようにするために２０ｎｍ以下にする必要がある。

センサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１の磁化に起因する磁界を、今のところ無視することができる。本例において、センサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１をシールド３３に非常に近づけて配置できるとともに、磁界がシールド境界全体に亘って連続するので、Ｈ_{ａｐｐ＿ｓｅｎｓ}≒Ｈ_{ｉ＿ｓｈｉｅｌｄ}となる。したがって、式（１６）は、

となる。これによって、

となり、したがって、

となる。

センサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１とシールド３３との間の距離ｄが大きい場合、距離の損失を校了する必要がある。距離の損失を、シールド３３の幅ｗ_{ｓｈｉｅｌｄ}の２倍の周期の磁化パターンのものに近似することによって、小さい距離２πｄ＜ｗ_{ｓｈｉｅｌｄ}の遮蔽係数Ｆは、

となり、この場合、Ｎ_{ｓｈｉｅｌｄ}≒ｔ_{ｓｈｉｅｌｄ}／ｗ_{ｓｈｉｅｌｄ}となる。

矩形シールドを（矩形と同一厚さ及び幅を有する）楕円によって近似すると、解析表示を距離損失に対して導き出すことができる。比較的小さい距離に対して、この距離損失は、上記近似より小さい２／πとなる。小さい距離：２πｄ＜ｗ_{ｓｈｉｅｌｄ}の遮蔽係数Ｆは、

となる。

式（２１）が例えば肉薄の矩形ロッドにも当てはまることを示すことができる。これは、肉薄の楕円ロッドのいずれかの場所の反磁界及び肉薄矩形ロッドの反磁界がＮ_{ｓｈｉｅｌｄ}χ_{ｓｈｉｅｌｄ}＞＞１のときに印加磁界と逆であるが大きさが等しいという事実に由来する。したがって、両方の反磁界は等しく、その結果、電荷密度も等しくなる。矩形ロッドと楕円ロッドの電荷密度が等しいので、ロッドの外側の磁界も等しくなる。

上記計算において、シールド３３が飽和していないと仮定する。その理由は、飽和が生じるときには感受性が零となって遮蔽効果が消失するからである。飽和しないという条件は、

によって与えられ、この場合、

となる。この場合、ｗ_{ｓｈｉｅｌｄ＿ｓａｔ}を、飽和が生じる遮蔽幅として規定する。

軟磁性シールドにおけるセンサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１の反射のためにセンサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１の反磁化の影響が減少することを考慮すると、遮蔽係数Ｆは、

に等しくなる。ｄ＜ｗ_{ｓｅｎｓｏｒ}／４π及びχ_{ｓｈｉｅｌｄ}ｔ_{ｓｈｉｅｌｄ}／ｗ_{ｓｅｎｓｏｒ}＞＞１であると仮定すると、

となり、この場合、Ｈ_ｋをセンサの異方性領域とする。

簡単なセンサ素子構造に対して、

が適用される。

式（２４）において、第１項の分子は、むき出しにされたシールド３３に近接する磁界現象因子を表す。第１項の分母は、距離が大きくなるに従って遮蔽の影響が減少することを表す。第２項は、センサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１の形状異方性が減少することによって遮蔽の影響が減少することを表す。例えば数ｎｍ以下の厚さのフリー層を有するセンサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１に対して、後者の遮蔽の影響は通常無視しうる。

センサ装置３０の種々のセンサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１の遮蔽係数Ｆを変化させるために、種々の遮蔽係数Ｆを有する個別のシールド３３が、種々のセンサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１に対して要求されることがある。明らかなように、厚さ、幅、感受性等のＦに影響を及ぼすパラメータのうち、センサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１及びシールド３３の幅が、製造工程の観点から変化させるのが最も簡単なパラメータである。図１３において、χｓｈｉｅｌｄ＝∞，３０００及び１５００において遮蔽係数Ｆをシールド幅に対してプロットした一例を示す。そのような感受性（∞，３０００及び１５００）に対して、遮蔽係数Ｆを、二つの場合、すなわち、反射の影響のある場合とない場合とについて計算する。計算において、次のように仮定する。ｔ_{ｓｈｉｅｌｄ}＝２μｍ，Ｍ_{ｓ＿ｓｈｉｅｌｄ}＝８００ｋＡ／ｍ，ｄ＝０．１μｍ，ｔ_{ｓｅｎｓｏｒ}＝０．００５μｍ，ｗ_{ｓｅｎｓｏｒ}＝５μｍ，Ｍ_{ｓ＿ｓｅｓｎｓｏｒ}＝８００ｋＡ／ｍ及びＨ_ｋ＝４００Ａ／ｍ。

シールドが飽和しない条件に対して、仮定されるＨａｐｐ＝５６ＫＡ／ｍ（７００Ｏｅ）は重要である。この磁界の値に対して、シールド３３は、シールド幅が_{ｗｓｈｉｅｌｄ ｓａｔ}＝２９μｍのときには飽和しない。２μｍの厚さのシールドに対して、シールドの感受性すなわち飽和に影響を及ぼすことなく１０倍の遮蔽係数を制御自在に簡単に得ることができる。

この方法の利点は、所定の組合せのシールドの幾何学的配置を用いることのよって遮蔽係数Ｆが簡単にχ_{ｓｈｉｅｌｄ}に依存しなくなる。この場合、

となる必要があり、その結果、

となる。

図１３において、この飽和は、Ｆがシールドの感受性に著しく依存しない曲線の上側に対して例えば１０μｍより下の小さい値のｗ_{ｓｈｉｅｌｄ}で生じる。

したがって、非常に大きいが実現可能な感受性を選択するだけでシールドの幾何学的配置に依存する磁気シールド３３を用いることによって、センサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１の感度を、十分に制御自在に大きさを約１〜２桁減少することができる。

磁気抵抗効果に基づく電流センサにおいて、導線３６をセンサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１の近傍に配置することができる。導線３６は、センサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１の位置で電流に比例する磁界を発生する。センサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１に発生した磁界は、センサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１と導線３６との間の距離が固定されていると仮定すると導線３６の幅に反比例する。したがって、センサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１の感度を減少するために、導線の幅を広げることによってセンサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１に加えられる磁界を減少することができる。電流センサにおいて導線３６の幅を広げることは、既に説明した磁界センサのシールド３３と同一の目的を有する。

電流センサの場合のセンサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１の感度を、電流を複数の導通経路に分流してそのうちの一つの導通経路のみがセンサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１に近接して電流を流すのを許容することによって更に減少する。したがって、センサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１の近くを流れる電流が減少し、これによって、センサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１に加えられる磁界が減少するとともに、（全）電流に対する感度が減少する。センサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１の近くを流れる電流を

で表すことができ、この場合Ｉ_{ｓｅｎｓｏｒ}及びＩ_{ｍｅａｓｕｒｅｄ}をそれぞれ、センサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１の近傍を流れる電流及び測定される全電流とする。Ｒ及びＲ_{ｂｙ−ｐａｓｓ}を、センサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１の近傍を流れる導通経路の抵抗及び迂回経路の抵抗とする。

この方法は、更に広い電流導体を用いる上記方法との共通点が更に多くなる。

本発明の他の実施の形態によれば、センサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１の感度を調整する上記方法のいずれかの組合せを、同一基板上で種々の感度を有するセンサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１を取得するのに用いることができる。信号を加算したときに対数関数特性となるように、センサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１の感度を、上記計算によって良好に調整する必要がある。

以後、磁界センサと電流センサの両方の感度を調整する方法に関する種々の例を説明する。種々の例を、ＴＭＲセンサによって説明する。しかしながら、ＧＭＲ又はＡＭＲに基づくセンサのような他のタイプの磁気抵抗センサ素子を適用することもできる。

先ず、磁界センサに対する種々のあり得るセンサ形態を説明する。

第１例において、センサ装置３０は、直列接続した４個のセンサ素子Ｒ_０〜Ｒ_３を具える（図１４参照）。本例において、センサ素子Ｒ_０〜Ｒ_３の幾何学的配置を、異なる感度であるが（零磁界で）同一抵抗を有するように変更することができる。ＴＭＲセンサ素子を仮定するので、センサ領域を等しくする必要があり、その結果、等しい抵抗が得られる。既に説明したように、等しい抵抗は、最適な対数センサを取得するために重要である。

図１５に示すような第２例において、センサ装置３０は、第１例に類似するが、一つ以上のセンサ素子Ｒ_０〜Ｒ_３を、並列接続した複数のサブ素子に分割することができる。しかしながら、本発明による他の実施の形態において、サブ素子を直列接続することもできる。図１５に示す例において、センサ素子Ｒ１を２個の並列なサブ素子Ｒ_１’及びＲ_１”に分割する。センサ素子Ｒ_０〜Ｒ_３の少なくとも一つを分割することによって、感度と（抵抗調整のための）領域を同時に調整する自由度を更に増大する。サブ素子Ｒ_１’及びＲ_１”は、好適には同一寸法を有する。その理由は、同一の飽和領域が要求されるからであり、したがって、サブ素子Ｒ_１’及びＲ_１”は同一の形状異方性を必要とする。

磁界センサの第３例において、感度を、異なる遮蔽係数を有するシールド３３をサブ素子Ｒ１’及びＲ１”の近傍に配置することによって変化させることができる（図１６参照）。この場合、センサ素子Ｒ_０〜Ｒ_３は同一寸法を有する。通常、第１センサ素子Ｒ_０は遮蔽されない。その理由は、本発明によれば第１センサが最高感度を有するからである。

磁界センサの好適な形態を、第４例として図１７に示す。本例は最も実用的な設計である。その理由は、それが幾何学的配置の変更と遮蔽の影響の変化とを組み合わせるからであり、したがって、センサ素子Ｒ_０〜Ｒ_３の感度を調整する自由度を最大にする。第２例で説明したような一部の素子の分割を本例に適用することもできる。

図１４〜１７において、参照番号４０は検知電流を表す。

次に、電流センサのあり得る形態の例を、図１８〜２１を用いて説明する。

第１例において、センサ装置３０は、直列接続された４個のセンサ素子Ｒ_０〜Ｒ_３を具える（図１８）。センサ素子Ｒ_０〜Ｒ_３は、互いに相違する幾何学配置を有することができ、その結果、互いの相違する磁界の感度を有する。センサ素子Ｒ_０〜Ｒ_３の元では、（参照番号５０を付した）測定される電流が流れる一定幅の個別の導線３６が存在する。導線３６は、センサ素子Ｒ_０〜Ｒ_３の位置に磁界が発生する。互いに相違するセンサ素子Ｒ_０〜Ｒ_３の磁界の値は同一であり、したがって、電流感度は、センサ素子Ｒ_０〜Ｒ_３の幾何学的配置によってのみ決定される。電流センサに対して、異なるタイプの感度があり、すなわち、磁界感度は、加えられる磁界に対するセンサの感度であり、電流感度は、測定される電流に対するセンサの感度、すなわち、電圧／電流比の信号である。この第１例において、センサ素子Ｒ_０〜Ｒ_３は、図１８からわかるように異なる幾何学配置を有することができる。

図１９に示すセンサ装置３０は、第１例のセンサ装置と類似するが、導線３６の幅を、異なる位置で変更することができ、その結果、異なるセンサ素子Ｒ_０〜Ｒ_３に加えられる磁界が互いに相違するようになる。幾何学的配置の変更と導線幅の変更を組み合わせることによって、センサ素子Ｒ_０〜Ｒ_３の電流感度の調整の自由度が更に増大する。

第３例による電流センサ装置３０において、測定される電流５０は、少なくとも一つのセンサ素子Ｒ_０〜Ｒ_３の位置にバイパス電流経路３７と称される複数の並列導電経路に分割することができ、この場合、電流感度を非常に小さくする必要があり、そのうちの一つの経路のみが素子の近傍で電流を流す。集積された電流センサのようなＩＣ製造で用いられるアプリケーションに対して、バイパス電流経路３７は、好適には、システム全体の横方向の領域を小さくしたままにするよう異なる相互接続レベルに配置される。

第４例において、幾何学配置、導体幅及び遮蔽の組合せを用いる。さらに、上記例のような導通経路の分割及び磁界センサの第２例で説明したようなセンサ素子Ｒ_０〜Ｒ_３の分割を適用することもできる（図示せず）。

図１８〜２１において、参照番号４０は検知電流を表す。

上記例は本発明を制限するものではなく、センサ素子Ｒ_０〜Ｒ_３の種々の組合せを適用することができる。さらに、本発明によるセンサ装置３０は、任意の数のセンサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１を具えることができる。

本発明によるセンサ装置３０は、センサ信号と測定される磁界又は電流の対数との間で線形関係を示すことができる。本発明によるセンサ装置３０を、数十に亘る広いダイナミックレンジを検知することができる個別の磁界センサとして及び電流の広いダイナミックレンジを検知することができる個別の電流船さとして適用することができる。本発明のセンサ装置３０を、電流の広いダイナミックレンジを検知することができる集積電流センサとして、及び測定される量から変換されるとともにこの量が例えば時間とともに指数的に変化する電流を影響を及ぼさずに(invasibely)検知する必要があるあらゆるアプリケーションに適用することもできる。

これまで説明した例は、本発明を制限するものではない。磁界センサ素子Ｒ_０，Ｒ_１，．．．Ｒ_ｎ−１の感度Ｓ０，Ｓ１，．．．．，Ｓｎ−１を調整する上記方法のあり得るあらゆる組合せを、センサ信号と測定された特性、例えば、磁界又は電流の対数との間の準線形関係を示す出力信号を有するセンサ装置を取得するために本発明によって用いることができる。

好適な実施の形態、特定の構成及び形態並びに材料を、本発明の装置に対して説明したが、形状及び詳細に置ける種々の変形又は変更を、本発明の範囲を逸脱することなく行うことができる。

従来のホール効果センサを用いた磁気抵抗分路の線形表示である。 磁気抵抗分路を用いて及びそれを用いずに示した回転角に応じた図１の回路の回路電流のグラフである。 本発明の実施の形態によるセンサ装置の回路図を示す。 図３の回路図の種々の素子の個別の動作を示すグラフである。 図３によるセンサ装置の全信号を示すグラフである。 図３によるセンサ装置の全信号の準対数グラフである。 本発明の実施の形態によるセンサ装置を形成する互いに相違する６個の素子の個別の特性のシミュレーションを示すグラフである。 図７による互いに相違する６個の素子を具えるセンサ装置の全信号を示すグラフである。 図８に示す全センサ信号の準対数グラフである。 本発明の実施の形態によるセンサ装置の並列接続形態を示す。 磁界が加えられた状態における本発明の実施の形態によるシールドセンサ装置の側面を示す。 図１１によるシールドセンサ装置の上面を示す。 図１２及び１３に示すシールドセンサ装置の遮蔽幅に対する遮蔽係数Ｆを示すグラフである。 磁界センサに適用することができる種々の実施の形態を線形的に示す。 磁界センサに適用することができる種々の実施の形態を線形的に示す。 磁界センサに適用することができる種々の実施の形態を線形的に示す。 磁界センサに適用することができる種々の実施の形態を線形的に示す。 電流センサの種々の実施の形態を線形的に示す。 電流センサの種々の実施の形態を線形的に示す。 電流センサの種々の実施の形態を線形的に示す。 電流センサの種々の実施の形態を線形的に示す。

Claims (21)

1. 直列又は並列接続した少なくとも二つの磁気センサ素子（Ｒ_０，Ｒ_１，．．．，Ｒ_ｎ−１）を具えるセンサ装置（３０）であって、各磁気センサ素子（Ｒ_０，Ｒ_１，．．．，Ｒ_ｎ−１）が感度（Ｓ_０，Ｓ_１，．．．，Ｓ_ｎ−１）を有し、各磁気センサ素子（Ｒ_０，Ｒ_１，．．．，Ｒ_ｎ−１）が、他の磁気センサ素子（Ｒ_０，Ｒ_１，．．．，Ｒ_ｎ−１）の感度（Ｓ_０，Ｓ_１，．．．，Ｓ_ｎ−１）と異なるセンサ装置。
2. 請求項１記載のセンサ装置（３０）において、前記少なくとも二つの磁気センサ素子（Ｒ_０，Ｒ_１，．．．，Ｒ_ｎ−１）の各々が、検知したパラメータの範囲に亘ってセンサ信号を出力し、前記少なくとも二つの磁気センサ素子（Ｒ_０，Ｒ_１，．．．，Ｒ_ｎ−１）のセンサ信号の各々の和が、前記センサ装置（３０）の範囲全体に亘って検知したパラメータの非線形関数に適合することを特徴とするセンサ装置。
3. 請求項２記載のセンサ装置（３０）において、前記非線形関数を準対数関数としたことを特徴とするセンサ装置。
4. 請求項１記載のセンサ装置（３０）において、前記少なくとも二つの磁気センサ素子（Ｒ_０，Ｒ_１，．．．，Ｒ_ｎ−１）の各々が同一の幾何学配置及び寸法を有することを特徴とするセンサ装置。
5. 請求項１記載のセンサ装置（３０）において、前記少なくとも二つの磁気センサ素子（Ｒ_０，Ｒ_１，．．．，Ｒ_ｎ−１）のうちの少なくとも一つが、異なる幾何学配置及び寸法を有することを特徴とするセンサ装置。
6. 請求項１記載のセンサ装置（３０）において、前記少なくとも二つの磁気センサ素子（Ｒ_０，Ｒ_１，．．．，Ｒ_ｎ−１）のうちの少なくとも一つが、互いに並列又は直列に接続された少なくとも二つのサブ素子（Ｒ_１’及びＲ_１”）に分割されたことを特徴とするセンサ装置。
7. 請求項１記載のセンサ装置（３０）において、前記少なくとも二つの磁気センサ素子（Ｒ_０，Ｒ_１，．．．，Ｒ_ｎ−１）の下に配置した導線（３６）を更に具えることを特徴とするセンサ装置。
8. 請求項６記載のセンサ装置（３０）において、前記少なくとも二つの磁気センサ素子（Ｒ_０，Ｒ_１，．．．，Ｒ_ｎ−１）の下に配置した導線（３６）を更に具えることを特徴とするセンサ装置。
9. 請求項７記載のセンサ装置（３０）において、前記導線（３６）が、前記少なくとも二つの磁気センサ素子（Ｒ_０，Ｒ_１，．．．，Ｒ_ｎ−１）のうちの少なくとも一つの位置で異なる幅を示すことを特徴とするセンサ装置。
10. 請求項１記載のセンサ装置（３０）において、バイパス電流経路（３７）を更に具えることを特徴とするセンサ装置。
11. 請求項１記載のセンサ装置（３０）において、少なくとも一つの磁気シールド（３３）を更に具えることを特徴とするセンサ装置。
12. 請求項１１記載のセンサ装置（３０）において、前記磁気シールド（３３）を、少なくとも一つの磁気センサ素子（Ｒ_０，Ｒ_１，．．．，Ｒ_ｎ−１）の近傍に配置したことを特徴とするセンサ装置。
13. 直列又は並列接続した少なくとも二つの磁気センサ素子（Ｒ_０，Ｒ_１，．．．，Ｒ_ｎ−１）を設け、各磁気センサ素子（Ｒ_０，Ｒ_１，．．．，Ｒ_ｎ−１）が感度（Ｓ_０，Ｓ_１，．．．，Ｓ_ｎ−１）を有し、各磁気センサ素子（Ｒ_０，Ｒ_１，．．．，Ｒ_ｎ−１）が、他の磁気センサ素子（Ｒ_０，Ｒ_１，．．．，Ｒ_ｎ−１）の感度（Ｓ_０，Ｓ_１，．．．，Ｓ_ｎ−１）と異なるように、前記少なくとも二つの磁気センサ素子（Ｒ_０，Ｒ_１，．．．，Ｒ_ｎ−１）の感度（Ｓ_０，Ｓ_１，．．．，Ｓ_ｎ−１）を設定するセンサ装置（３０）の製造方法。
14. 請求項１３記載のセンサ装置の製造方法において、前記センサ装置（３０）を非線形線形装置とすることを特徴とするセンサ装置の製造方法。
15. 請求項１３記載のセンサ装置の製造方法において、前記センサ装置（３０）を準対数又は対数センサ装置とすることを特徴とするセンサ装置の製造方法。
16. 請求項１３記載のセンサ装置の製造方法において、前記少なくとも二つの磁気センサ素子（Ｒ_０，Ｒ_１，．．．，Ｒ_ｎ−１）の感度（Ｓ_０，Ｓ_１，．．．，Ｓ_ｎ−１）の設定を、前記少なくとも二つの磁気センサ素子（Ｒ_０，Ｒ_１，．．．，Ｒ_ｎ−１）の幾何学的配置及び／又は寸法を変更することによって行うことを特徴とするセンサ装置の製造方法。
17. 請求項１３記載のセンサ装置の製造方法において、前記少なくとも二つの磁気センサ素子（Ｒ_０，Ｒ_１，．．．，Ｒ_ｎ−１）の感度（Ｓ_０，Ｓ_１，．．．，Ｓ_ｎ−１）の設定を、前記少なくとも二つの磁気センサ素子（Ｒ_０，Ｒ_１，．．．，Ｒ_ｎ−１）の少なくとも一つを分割することによって行うことを特徴とするセンサ装置の製造方法。
18. 請求項１３記載のセンサ装置の製造方法において、前記少なくとも二つの磁気センサ素子（Ｒ_０，Ｒ_１，．．．，Ｒ_ｎ−１）の感度（Ｓ_０，Ｓ_１，．．．，Ｓ_ｎ−１）の設定を、前記少なくとも二つの磁気センサ素子（Ｒ_０，Ｒ_１，．．．，Ｒ_ｎ−１）の少なくとも一つの近傍に磁気シールド（３３）を設けることによって行うことを特徴とするセンサ装置の製造方法。
19. 請求項１７記載のセンサ装置の製造方法において、前記少なくとも二つの磁気センサ素子（Ｒ_０，Ｒ_１，．．．，Ｒ_ｎ−１）の感度（Ｓ_０，Ｓ_１，．．．，Ｓ_ｎ−１）の設定を、前記少なくとも二つの磁気センサ素子（Ｒ_０，Ｒ_１，．．．，Ｒ_ｎ−１）の少なくとも一つの近傍に磁気シールド（３３）を設けることによって行うことを特徴とするセンサ装置の製造方法。
20. 請求項１３記載のセンサ装置の製造方法において、前記少なくとも二つの磁気センサ素子（Ｒ_０，Ｒ_１，．．．，Ｒ_ｎ−１）の下に導線（３６）を設けることを特徴とするセンサ装置の製造方法。
21. 請求項２０記載のセンサ装置の製造方法において、前記少なくとも二つの磁気センサ素子（Ｒ_０，Ｒ_１，．．．，Ｒ_ｎ−１）の下に導線（３６）を設けることが、前記少なくとも二つの磁気センサ素子（Ｒ_０，Ｒ_１，．．．，Ｒ_ｎ−１）の少なくとも一つの位置に異なる幅の導線（３６）を設けることを具えることを特徴とするセンサ装置の製造方法。

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