JP2012088225A - 磁気検出装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】AMR効果膜を利用して外部磁界に対して等方的に磁界を検出することができる磁気検出装置を提供する。
【解決手段】磁気検出装置1は、基板11上に設けられ、感磁方向のベクトル和が相殺されるようなパターン形状を有する磁気抵抗素子100〜107と、磁気抵抗素子100〜107の最小抵抗値と同値の抵抗R0と、磁気抵抗素子100〜107からなる回路R1と抵抗R0とから構成されるブリッジ回路とを有する。
【選択図】図1
【解決手段】磁気検出装置1は、基板11上に設けられ、感磁方向のベクトル和が相殺されるようなパターン形状を有する磁気抵抗素子100〜107と、磁気抵抗素子100〜107の最小抵抗値と同値の抵抗R0と、磁気抵抗素子100〜107からなる回路R1と抵抗R0とから構成されるブリッジ回路とを有する。
【選択図】図1
Description
本発明は、磁気ベクトルとの相対角度に依存せず磁場強度を検出する磁気検出装置に関する。
従来、結合型巨大磁気抵抗効果(以下、GMR〈Giant Magneto−Resistive〉効果という。)を利用した膜によるセンサ及び異方向性磁気抵抗効果(以下、AMR〈An−Isotropic Magneto−Resistive〉効果という。)を利用した膜によるセンサが知られている。このGMR効果膜は、単層構造で磁界の方向によって抵抗変化率が異なるAMR効果膜に対し、多層構造からなる膜で構成され、理論的には外部磁界と電流との相対角度によらず等方的に抵抗が変化する。しかし、現実にはGMR効果膜のパターン形状による反磁界効果が形態に依存してしまうために形状異方性を有する。
このような問題に対応する技術として、反磁界効果を打ち消すパターン形状によりGMR効果膜を形成した磁気検出装置がある(例えば、特許文献1参照)。この磁気検出装置は、GMR効果膜が線体で描かれるパターン形状で形成され、パターン形状は、GMR効果膜の面内最小飽和磁界に対する面内最大飽和磁界と面内最小飽和磁界との差の割合が予め定めた値以下となるように、湾曲部又は湾曲相当部を有する。
この磁気検出装置によれば、GMR効果膜のパターン形状による反磁界効果が形態に依存せず、面内方向の磁界に対して等方的に磁界を検出することができる。
しかし、特許文献1に示す磁気検出装置は、GMR効果膜を利用しているため、基板上に多層膜を形成する必要があり、AMR効果膜を利用するものに比べて製造工程が増加するという問題があった。
従って、本発明の目的は、AMR効果膜を利用して外部磁界に対して等方的に磁界を検出することができる磁気検出装置を提供することにある。
本発明の一態様は、基板上に設けられ、感磁方向のベクトル和が相殺されるようなパターン形状を有する磁気抵抗素子と、
前記磁気抵抗素子の最小抵抗値と同値の抵抗と、
前記磁気抵抗素子と前記抵抗とから構成されるブリッジ回路とを有する磁気検出装置を提供する。
前記磁気抵抗素子の最小抵抗値と同値の抵抗と、
前記磁気抵抗素子と前記抵抗とから構成されるブリッジ回路とを有する磁気検出装置を提供する。
上記磁気検出装置は、磁気抵抗素子との距離に応じた磁界の強さを前記磁気抵抗素子の形成面に平行に印加する磁石をさらに有してもよい。
また、上記磁気検出装置の磁石は、磁気抵抗素子との距離の最小値において、当該磁気抵抗素子の抵抗値が飽和する磁界の強さより弱い磁界を発生するようにしてもよい。
本発明によれば、AMR効果膜を利用して外部磁界に対して等方的に磁界を検出することができる。
[第1の実施の形態]
(磁気検出装置の構成)
図1(a)及び(b)は、本発明の第1の実施の形態に係る磁気検出装置1の配置例を示す概略正面図及び平面図である。
(磁気検出装置の構成)
図1(a)及び(b)は、本発明の第1の実施の形態に係る磁気検出装置1の配置例を示す概略正面図及び平面図である。
磁気検出装置1は、例えば、シリコン等の半導体からなる基板11の表面11aに、表面11aに平行な磁界に応じてAMR効果によって抵抗値を変化するニッケルコバルト等からなる磁気抵抗素子を複数有する。また、後述するようにこれら複数の当該磁気抵抗素子は、表面11aの面方向に依存しない磁界の強さを検出するために回路R1を構成する(図2)。なお、これらの基板11の表面11a及び磁気抵抗素子の表面は二酸化ケイ素等の絶縁膜により保護される。
磁気検出装置1は、例えば、スイッチ等として使用される場合、図1(a)に示すように、検出対象となる永久磁石2を磁気検出装置1の表面11aの上方の距離dの位置に配する。永久磁石2は、表面11aとの距離dに関わらず、発生する磁界のベクトルが磁気検出装置1の表面11aと平行となるような姿勢で配置される。なお、永久磁石は、例えば、S極とN極の間隔が6mm程度であり、磁気検出装置1の表面11aに平行な磁界を直線的に与えるのに十分な大きさを有する。
また、永久磁石2の磁界の強さは、表面11aとの距離dに応じて増減し、距離d1における磁界の強さの方が距離d2における磁界の強さより大きくなる。なお、スイッチの構造として、永久磁石2の位置を固定して、磁気検出装置1の位置を移動させるものであってもよい。
また、磁気検出装置1は、図1(b)に示すように、表面11a上に2つの回路R1と、磁界がないときの回路R1の抵抗値と同値の抵抗値を有する2つの抵抗R0とからホイートストンブリッジのブリッジ回路を構成する。ブリッジ回路は、駆動電圧Vccが印加される電極Pcc及びPGNDと、出力電圧Vout+及びVout−を出力する電極P+及びP−とを有する。出力電圧Vout+及びVout−は、電極P+及びP−とワイヤボンディングにて電気的に接続された図示しない差動アンプ等に出力される。
図2は、磁気検出装置1の表面11aに形成される回路R1のパターン例を示す平面図である。
回路R1は、磁気検出装置1の基板11の表面11aに形成され、二等辺三角形状の複数の磁気抵抗素子100〜107を中心が空き領域であるドーナツ状の正八角形に配置してなる。
磁気抵抗素子100〜107は、それぞれの長手方向と平行な磁界に対し抵抗率が変化する。つまり、図2に示す例においては、磁気抵抗素子100〜107は、それぞれ感磁方向を異なるものとし、磁気抵抗素子100は図面横方向が感磁方向であり、隣の磁気抵抗素子106は感磁方向を45°ずらしたものである。
他の磁気抵抗素子も同様に時計逆回りに45°ずつずらして配置される。また、磁気抵抗素子100〜107は、図3に示す等価回路となるよう互いに金属配線によって電気的に接続され、端子Ta及びTbを有する回路R1を構成する。
図3は、回路R1の等価回路図である。
回路R1は、磁気抵抗素子100〜103及び104〜107による2つのブリッジ回路をそれぞれ直列に接続して構成される。なお、図中の磁気抵抗素子100〜107の長手方向は感磁方向を示す。つまり、感磁方向が直交する磁気抵抗素子によってブリッジ回路が構成されており、本実施の形態においては、上下左右方向に感磁方向を有するブリッジ回路と、上下左右方向と45°ずれた方向に感磁方向を有するブリッジ回路が構成されている。
このように構成することで、磁気検出装置1の表面11aに平行な磁界であれば、各ブリッジは面内の方向に依存せずに磁界の強さに依存した抵抗値を示す。
なお、上述した感磁方向が直交するブリッジ回路は、1つでもよいし、3つ以上使用しても良い。例えば、3つであれば、90°を3分割して、それぞれを30°ずつずらして配置する。4つであれば4分割して22.5°ずらして配置する。
図4は、磁気抵抗素子を通過する磁界の強さに対する抵抗変化率の特性の一例を示す概略図である。
一般的に磁気抵抗素子の磁気抵抗変化率Δρは、外部磁界の強さBが弱磁場によるものであるときBとともに増加し、Bがある閾値を超えてからは一定値となる。そのため、磁気抵抗素子は、図中に示すB1〜B2の検出範囲Dにおいて磁界の強さBを検出できる。
従って、図1(a)に示すように永久磁石2と組み合わせてスイッチ等として使用する場合、永久磁石2が再接近した状態(距離d=d1)において磁気抵抗素子100〜107を通過する磁界の強さがB2を超えないようにする必要がある。
(第1の実施の形態の効果)
上記した第1の実施の形態によると、AMR効果によって抵抗値が変化する磁気抵抗素子をその感磁方向が直交する方向に配置し、磁界の方向に依存しないように回路を構成したことで、外部磁界に対して等方的に磁界を検出することができる。また、磁気抵抗素子に平行であって、距離に応じて磁界の強さが変化するように永久磁石を配置したことで、永久磁石との距離に応じた出力をブリッジ回路から得ることができ、磁気検出装置1をスイッチや距離センサ等に用いることができる。
上記した第1の実施の形態によると、AMR効果によって抵抗値が変化する磁気抵抗素子をその感磁方向が直交する方向に配置し、磁界の方向に依存しないように回路を構成したことで、外部磁界に対して等方的に磁界を検出することができる。また、磁気抵抗素子に平行であって、距離に応じて磁界の強さが変化するように永久磁石を配置したことで、永久磁石との距離に応じた出力をブリッジ回路から得ることができ、磁気検出装置1をスイッチや距離センサ等に用いることができる。
[第2の実施の形態]
図5は、本発明の第2の実施の形態に係る磁気検出装置の表面に形成される回路R2のパターン例を示す平面図である。
図5は、本発明の第2の実施の形態に係る磁気検出装置の表面に形成される回路R2のパターン例を示す平面図である。
回路R2は、第1の実施の形態と同様に、基板11の表面11aに形成される2つの磁気抵抗素子108及び109からなる。磁気抵抗素子108及び109は、それぞれの長手方向と平行な磁界に対して抵抗率が変化するが、直径の異なる半円弧状のパターンを連続的につなげた形状であるため、等方的な感磁方向を有する。また、磁気抵抗素子108及び109は、図6に示す等価回路となるよう互いに金属配線によって電気的に接続され、回路R2を構成する。
図6は、回路R2の等価回路図である。
回路R2は、磁気抵抗素子108及び109を並列に接続して構成される。なお、磁気抵抗素子108及び109の半円弧形状は感磁方向を示す。なお、磁気抵抗素子108及び109をそれぞれ2分割して、4つの磁気抵抗素子によってブリッジ回路を構成してもよい。また、螺旋状の磁気抵抗素子を1つ用意してもよい。
(第2の実施の形態の効果)
上記した第2の実施の形態によると、回路R2を図1(b)に示した磁気検出装置1の回路R1に代えて用いることで第1の実施の形態の磁気検出装置と同様に、外部磁界に対して等方的に磁界を検出することができる。また、第1の実施の形態の構成と比べて磁気抵抗素子108と109とを電気的に接続するのが容易となる。
上記した第2の実施の形態によると、回路R2を図1(b)に示した磁気検出装置1の回路R1に代えて用いることで第1の実施の形態の磁気検出装置と同様に、外部磁界に対して等方的に磁界を検出することができる。また、第1の実施の形態の構成と比べて磁気抵抗素子108と109とを電気的に接続するのが容易となる。
なお、本発明は、上記した実施の形態に限定されず、本発明の技術思想を逸脱あるいは調整しない範囲内で種々の変形が可能である。
1 磁気検出装置
2 永久磁石
11 基板
11a 表面
100-109 磁気抵抗素子
R0 抵抗
R1 回路
Pin、Pout、Pcc、PGND 電極
Ta、Tb 端子
2 永久磁石
11 基板
11a 表面
100-109 磁気抵抗素子
R0 抵抗
R1 回路
Pin、Pout、Pcc、PGND 電極
Ta、Tb 端子
Claims (3)
- 基板上に設けられ、感磁方向のベクトル和が相殺されるようなパターン形状を有する磁気抵抗素子と、
前記磁気抵抗素子の最小抵抗値と同値の抵抗と、
前記磁気抵抗素子と前記抵抗とから構成されるブリッジ回路とを有する磁気検出装置。 - 前記磁気抵抗素子との距離に応じた磁界の強さを前記磁気抵抗素子の形成面に平行に印加する磁石をさらに有する請求項1に記載の磁気検出装置。
- 前記磁石は、前記磁気抵抗素子との距離の最小値において、当該磁気抵抗素子の抵抗値が飽和する磁界の強さより弱い磁界を発生する請求項2に記載の磁気検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010236352A JP2012088225A (ja) | 2010-10-21 | 2010-10-21 | 磁気検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2010236352A JP2012088225A (ja) | 2010-10-21 | 2010-10-21 | 磁気検出装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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ID=46259995
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Country | Link |
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JP (1) | JP2012088225A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016013347A1 (ja) * | 2014-07-25 | 2016-01-28 | 株式会社村田製作所 | 磁気センサ |
WO2016013345A1 (ja) * | 2014-07-24 | 2016-01-28 | 株式会社村田製作所 | 磁気センサ |
US9915706B2 (en) | 2014-05-30 | 2018-03-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Magnetic sensor |
US10295615B2 (en) | 2014-07-23 | 2019-05-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Magnetic sensor |
-
2010
- 2010-10-21 JP JP2010236352A patent/JP2012088225A/ja active Pending
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WO2016013345A1 (ja) * | 2014-07-24 | 2016-01-28 | 株式会社村田製作所 | 磁気センサ |
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US10281532B2 (en) | 2014-07-24 | 2019-05-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Magnetic sensor |
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JPWO2016013347A1 (ja) * | 2014-07-25 | 2017-04-27 | 株式会社村田製作所 | 磁気センサ |
US10408893B2 (en) | 2014-07-25 | 2019-09-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Magnetic sensor |
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