JPWO2011033716A1 - スピン注入素子およびそれを用いた磁界センサ並びに磁気記録メモリ - Google Patents
スピン注入素子およびそれを用いた磁界センサ並びに磁気記録メモリ Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2011033716A1 JPWO2011033716A1 JP2011531771A JP2011531771A JPWO2011033716A1 JP WO2011033716 A1 JPWO2011033716 A1 JP WO2011033716A1 JP 2011531771 A JP2011531771 A JP 2011531771A JP 2011531771 A JP2011531771 A JP 2011531771A JP WO2011033716 A1 JPWO2011033716 A1 JP WO2011033716A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- spin
- layer
- conductor layer
- magnetic
- nonmagnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/098—Magnetoresistive devices comprising tunnel junctions, e.g. tunnel magnetoresistance sensors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/12—Measuring magnetic properties of articles or specimens of solids or fluids
- G01R33/1284—Spin resolved measurements; Influencing spins during measurements, e.g. in spintronics devices
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3909—Arrangements using a magnetic tunnel junction
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3912—Arrangements in which the active read-out elements are transducing in association with active magnetic shields, e.g. magnetically coupled shields
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/161—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1673—Reading or sensing circuits or methods
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1675—Writing or programming circuits or methods
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one galvanomagnetic or Hall-effect element covered by groups H10N50/00 - H10N52/00
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B2005/3996—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects large or giant magnetoresistive effects [GMR], e.g. as generated in spin-valve [SV] devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
Description
図1は、本実施例に係る第一のスピン注入素子の概略断面図である。第一の非磁性体へのスピン注入素子は、図1に示されるような磁性導電体101と第一のスピン蓄積部103が障壁層102を介して接している。磁性導電体101は、FeやCoFeB合金に代表される様な体心立方格子構造を持ち、障壁層102はMgOなどに代表される体心立方格子構造を持つ。
第一工程:磁気シールドおよびコンタクトホールの作製(図9A)
磁気シールド907にはNiFe(厚さ100nm)、層間絶縁膜908にはAl2O3膜(厚さ20nm)を用い、それぞれスパッタ法にて形成する。コンタクトホールは、電子線描画とミリングによって形成する。
第二工程:非磁性層・障壁層・磁性層の形成(図9B)
第一工程で作製した磁気シールドの上に、Ta(3nm)を積層し、面心立方構造をもつ第二のスピン蓄積層905であるCu(10nm)、体心立方構造を有する第一のスピン蓄積層904であるV(0.5nm)、体心立方構造を有する障壁層903であるMgO(0.8nm)、磁性導電体902であるCo4Fe4B2(3nm)の薄膜をスパッタ法により、高真空中(ベース圧力1.0×10−6Pa以下)で順番に積層する。
第三工程:細線の微細加工(図9C)
細線の微細加工は、電子線描画とミリングを用い行う。本実施例では、線幅が20nmの細線パターンを描画し、ミリングによって磁気シールドまで削り取る。その後、層間絶縁膜908であるAl2O3にて細線の両脇を保護し、リフトオフ法によって、上面のパターンを露出させる。
第四工程:反強磁性膜の形成(図9D)
第三工程で作製された細線パターン上に反強磁性導電体901であるMn3Irをスパッタ法により積層する。尚、Mn3Irを形成する前に、真空中で細線の表面をクリーニングしている。
第五工程:自由層および固定層の加工(図9E)
自由層および固定層のパターンを、電子線描画法およびミリングによって加工する。本実施例では、自由層として、20×40nm2,固定層として、20×100nm2のパターンを加工した。尚、自由層と固定層の間の距離が50nmとなるよう設計している。また、本工程において、各種延長電極のパターンも作製を行う。
第六工程:磁気シールドおよびコンタクトホールの作製(図9F)
第五工程によって作製された素子の上に層間絶縁膜908であるAl2O3を積層する。その後、各種延長電極上にコンタクトホールを形成し、その後、磁気シールド907として、NiFeを厚さ100nmで形成する。
第一工程:磁気シールドおよびコンタクトホールの作製(図11A)
磁気シールド1107にはNiFe(厚さ100nm)、層間絶縁膜1108にはAl2O3膜(厚さ20nm)を用い、それぞれスパッタ法にて形成する。コンタクトホールは、電子線描画とミリングによって形成する。
第二工程:自由層用多層膜の形成(図11B)
第一工程で作製した磁気シールドの上に、Ta(3nm)を積層し、面心立方構造をもつ第二のスピン蓄積層1105であるCu(10nm)、体心立方構造を有する第一のスピン蓄積層1104であるV(0.5nm)、体心立方構造を有する障壁層1103であるMgO(0.8nm)、磁性導電体1102であるCo4Fe4B2(3nm)の薄膜をスパッタ法により積層する。尚、実施例1と同様、第一のスピン蓄積層1104であるVは1nm/secのレートにて形成している。
第三工程:細線の微細加工(図11C)
細線の微細加工は、電子線描画とミリングを用い行う。本実施例では、線幅が20nmの細線パターンを描画し、ミリングによって磁気シールドまで削り取る。その後、層間絶縁膜1108であるAl2O3にて細線の両脇を保護する。
第四工程:固定層の加工(図11D)
自由層のパターンを、電子線描画法およびミリングによって加工する。本実施例では、自由層として、20×40nm2のパターンを加工した。また、本工程において、各種延長電極のパターンも作製を行う。
第五工程:固定層用膜の形成(図11E)
予め、第三工程で形成された層間絶縁膜Al2O3上に、自由層の端部から50nmの場所に、固定層形成用のコンタクトホールを形成する。その後、固定層が接合する細線部を真空中でクリーニングし、体心立方構造を有する第一のスピン蓄積層1104であるV(0.5nm)、体心立方構造を有する障壁層1103であるMgO(0.8nm)、体心立方構造を有する第一のスピン蓄積層1104であるV(0.5nm)、非磁性導電体によるスピン注入源1101であるPt(5nm)の薄膜をスパッタ法により積層する。
第六工程:固定層の加工(図11F)
固定層のパターンを、電子線描画法およびミリングによって加工する。本実施例では、固定層として、20×100nm2のパターンを加工した。尚、自由層と固定層の間の距離が50nmとなるよう設計している。また、本工程において、各種延長電極のパターンも作製を行う。
第七工程:磁気シールドおよびコンタクトホールの作製(図11G)
第六工程によって作製された素子の上に層間絶縁膜1108であるAl2O3を積層する。その後、各種延長電極上にコンタクトホールを形成し、その後、磁気シールド1107として、NiFeを厚さ100nmで形成する。
初期化機構1610の構成として、磁性導電体1602はCo2Fe6B2で、サイズは45(w)×150(d)×3(t)nm3、障壁層1603はMgOで、サイズは45(w)×150(d)×0.8(t)nm3、第一のスピン蓄積層1604はV(バナジウム)で、サイズは45(w)×150(d)×0.5(t)nm3とする。
Claims (14)
- 非磁性導電体層と、
前記非磁性導電体層上に積層された障壁層と、
前記障壁層の上に積層された磁性導電体層と、
前記磁性導電体と前記非磁性体との間に電流を流す回路を備え、
前記非磁性導電体層と前記障壁層の界面、および、前記磁性導電体層と前記障壁層との界面は、結晶対称性をもつ面でそれぞれ接する構造を有することを特徴とするスピン注入素子。 - 請求項1記載のスピン注入素子において、
前記結晶対称性をもつ面でそれぞれ接する構造は、前記障壁層から前記非磁性導電体層へスピン電子を効率よく注入するものであることを特徴とするスピン注入素子。 - 請求項1記載のスピン注入素子において、
前記非磁性導電体層および前記障壁層は、体心立方格子構造、または、NaCl型の結晶構造を含むことを特徴とするスピン注入素子。 - 請求項3記載のスピン注入素子において、
前記電流を流す回路は、前記非磁性導電体層へ注入されるスピン電子を制御することを特徴とするスピン注入素子。 - 請求項3記載のスピン注入素子において、
前記非磁性導電体層は、V,Nb,Ta,V,Cr,Mo,又はWの単元素、或いは前記元素の内少なくとも一つの元素を含むAB2型構造、AB5型構造、Fe3Si型構造、又はDO3型構造を有する非磁性金属関化合物を含むことを特徴とするスピン注入素子。 - 請求項3記載のスピン注入素子において、
前記非磁性導電体層は、(Ga,Mn)As、GaIn、TiN,TiO、または、これらを主成分とする非磁性伝導性化合物を含むことを特徴とするスピン注入素子。 - 請求項3記載のスピン注入素子において、
前記非磁性導電体層は、互いに隣接する第一の非磁性導電体層と第二の非磁性導電体層とを有し、
前記障壁層に隣接する前記第一の非磁性導電体層は体心立方格子構造、または、NaCl型の結晶構造を有し、その厚さは前記第一の非磁性導電体層中に於けるスピン拡散長よりも薄く、かつ、前記第二の非磁性導電体層中のスピン拡散長は前記第一の非磁性導電体層中のスピン拡散長よりも長いことを特徴とするスピン注入素子。 - 第一の非磁性導電体層と、
前記第一の非磁性導電体層の上に積層された第二の非磁性導電体層と、
前記第二の非磁性導電体の上に積層された体心立方格子構造を有する障壁層と、
前記障壁層の上に積層された第三の非磁性導電体層と、
前記第三の非磁性導電体層の上に積層された原子番号の大きな第四の非磁性導電体層と、
前記第四の非磁性導電体の膜面方向に電流を流す回路を備え、
前記第二の非磁性導電体層は、前記第二の非磁性導電体層中のスピン拡散長よりも薄い厚さの体心立方格子構造を有し、
前記第三の非磁性導電体層は、前記第三の非磁性導電体層中のスピン拡散長よりも薄い体心立方格子構造を有することを特徴とするスピン注入素子。 - 請求項8記載のスピン注入素子において、
前記原子番号の大きな第四の非磁性導電体層は、PtやPdを含むことを特徴とするスピン注入素子。 - 第一の非磁性導電体層と、
前記第一の非磁性導電体層の第1の領域上に、体心立方格子構造を有する第二の非磁性導電体層、体心立方格子構造を有する第一の障壁層、および、磁気的に一方向へ固着された第一の磁性導電体層の順で積層された構成の固定層と、
前記第一の非磁性導電体層の第2の領域上に、体心立方格子構造を有する第三の非磁性導電体層、体心立方格子構造を有する第二の障壁層、および、外部磁界によって磁化の向きが変動する第二の磁性導電体層の順で積層された構成の自由層と、
前記第一の磁性導電体層と前記第一の非磁性導電体層との間に電流が流れる電流印加回路と、
前記第一の非磁性導電体と該第二の磁性導電体との電位差を検出する電気回路と、を有し、
前記第1の領域と前記第2の領域とは、前記第一の非磁性導電体層中のスピン拡散長の範囲内に配置されていることを特徴とする磁界センサ。 - 体心立方構造をもつ非磁性導電体層と、
前記非磁性導電体層の上に積層された体心立方格子構造をもつ第一の障壁層、前記第一の障壁層の上に積層された体心立方構造をもつ第一の磁性導電体層、前記第一の磁性導電体層の上に積層された体心立方構造をもつ第二の障壁層、および、前記第二の障壁層の上に積層された体心立方構造をもつ第二の磁性導電体を含む積層膜と、
前記非磁性導電体層と前記第二の磁性導電体層との間に電流を流す電流印加回路と、を有し、
前記非磁性導電体層の厚さは、前記非磁性導電体層中のスピン拡散長よりも薄く、前記第二の磁性導電体の磁化は磁気的に一方向へ固着された構造を持ち、
前記第一の障壁層と前記第一の磁性導電体層との界面に注入されたスピン電子は、前記第一の磁性導電体の磁化反転をアシストすることを特徴とする磁気記録メモリ。 - 第一の非磁性導電体層と、
前記第一の非磁性導電体層の第1領域上に、体心立方格子構造を有する第二の非磁性導電体、体心立方格子構造を有する第一の障壁層、磁気的に一方向へ固着された第一の磁性体の順で積層された積層膜と、前記第一の磁性導電体層と前記第一の非磁性導電体層との間に電流を流すためにそれぞれの層に設けられた電極端子とを含む初期化機構部と、
前記第一の非磁性体層中のスピン拡散長の範囲内で、前記第一の非磁性体層の第2の領域上に配置された複数のメモリセルと、を有することを特徴とする磁気記録メモリ。 - 請求項12記載の磁気記録メモリにおいて、
前記メモリセルは、第二の体心立方構造を有する障壁層上に配置され、
前記障壁層は、前記第一の非磁性導電体層の第2の領域上に積層された体心立方格子構造を有する第三の非磁性導電体層の上に積層されていることを特徴とする磁気記録メモリ。 - 請求項12記載の磁気記録メモリにおいて、
前記初期化機構部は、複数配置されることを特徴とする磁気記録メモリ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011531771A JP5416781B2 (ja) | 2009-09-16 | 2010-08-04 | スピン注入素子およびそれを用いた磁界センサ並びに磁気記録メモリ |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009214450 | 2009-09-16 | ||
JP2009214450 | 2009-09-16 | ||
JP2011531771A JP5416781B2 (ja) | 2009-09-16 | 2010-08-04 | スピン注入素子およびそれを用いた磁界センサ並びに磁気記録メモリ |
PCT/JP2010/004902 WO2011033716A1 (ja) | 2009-09-16 | 2010-08-04 | スピン注入素子およびそれを用いた磁界センサ並びに磁気記録メモリ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2011033716A1 true JPWO2011033716A1 (ja) | 2013-02-07 |
JP5416781B2 JP5416781B2 (ja) | 2014-02-12 |
Family
ID=43758335
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011531771A Expired - Fee Related JP5416781B2 (ja) | 2009-09-16 | 2010-08-04 | スピン注入素子およびそれを用いた磁界センサ並びに磁気記録メモリ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8644058B2 (ja) |
JP (1) | JP5416781B2 (ja) |
WO (1) | WO2011033716A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5734772B2 (ja) * | 2011-07-04 | 2015-06-17 | 株式会社日立製作所 | スピン蓄積素子、磁気ヘッド及び磁気記録装置 |
JP5754326B2 (ja) * | 2011-09-27 | 2015-07-29 | Tdk株式会社 | スピン伝導素子 |
US8933522B2 (en) * | 2012-09-28 | 2015-01-13 | Intel Corporation | Repeated spin current interconnects |
US8717715B1 (en) * | 2012-12-13 | 2014-05-06 | HGST Netherlands B.V. | Spin accumulation magnetic read sensor |
JP6397712B2 (ja) * | 2014-10-01 | 2018-09-26 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気ヘッド、および磁気記録再生装置 |
US9633678B2 (en) * | 2015-09-29 | 2017-04-25 | Seagate Technology Llc | Data reader with spin filter |
JP6962103B2 (ja) | 2017-09-26 | 2021-11-05 | Tdk株式会社 | 積層体、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、センサ、高周波フィルタ及び発振素子 |
JP6526860B1 (ja) * | 2018-03-15 | 2019-06-05 | 株式会社東芝 | 磁気記憶装置 |
JP2020155564A (ja) | 2019-03-20 | 2020-09-24 | キオクシア株式会社 | 磁気記憶装置 |
US11282538B1 (en) | 2021-01-11 | 2022-03-22 | Seagate Technology Llc | Non-local spin valve sensor for high linear density |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0482274A (ja) | 1990-07-25 | 1992-03-16 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4714918B2 (ja) | 2002-11-29 | 2011-07-06 | 独立行政法人科学技術振興機構 | スピン注入素子及びスピン注入素子を用いた磁気装置 |
JP4082274B2 (ja) | 2003-05-22 | 2008-04-30 | 株式会社日立製作所 | 磁気センサ及びそれを備える磁気ヘッド |
JP4731393B2 (ja) | 2006-04-28 | 2011-07-20 | 株式会社日立製作所 | 磁気再生ヘッド |
JP5072392B2 (ja) * | 2007-03-08 | 2012-11-14 | 株式会社東芝 | 縦型スピントランジスタ及びその製造方法 |
JP4996390B2 (ja) * | 2007-08-28 | 2012-08-08 | 株式会社東芝 | スピンfet及び磁気抵抗効果素子 |
-
2010
- 2010-08-04 WO PCT/JP2010/004902 patent/WO2011033716A1/ja active Application Filing
- 2010-08-04 JP JP2011531771A patent/JP5416781B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-08-04 US US13/389,016 patent/US8644058B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120133008A1 (en) | 2012-05-31 |
WO2011033716A1 (ja) | 2011-03-24 |
US8644058B2 (en) | 2014-02-04 |
JP5416781B2 (ja) | 2014-02-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5416781B2 (ja) | スピン注入素子およびそれを用いた磁界センサ並びに磁気記録メモリ | |
US8238064B2 (en) | Magnetic head and magnetic recording apparatus | |
JP4758812B2 (ja) | スピン流狭窄層を備えたスピン蓄積素子及びその作製方法 | |
US8492881B2 (en) | Magnetic storage device | |
JP3085663B2 (ja) | メモリー素子に情報を書き込む方法およびメモリー素子から情報を非破壊的に読み出す方法 | |
KR100413174B1 (ko) | 자기 저항 소자 | |
JP4731393B2 (ja) | 磁気再生ヘッド | |
JP5003109B2 (ja) | 強磁性トンネル接合素子、その製造方法、及びそれを用いた磁気ヘッド、磁気メモリ | |
JP5069034B2 (ja) | 磁気トンネル接合素子およびその形成方法 | |
JP4575396B2 (ja) | 磁気ヘッド及び磁気記録再生装置 | |
JP5739685B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置 | |
JP5039007B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置 | |
JP2006261306A (ja) | 磁気抵抗効果素子、磁気再生ヘッド及び磁気情報再生装置 | |
JP2009037702A (ja) | 磁気再生ヘッド及び磁気記録装置 | |
JP4406242B2 (ja) | 磁気メモリ | |
CN108701721B (zh) | 自旋流磁化反转元件及其制造方法、磁阻效应元件、磁存储器 | |
JP2005191101A (ja) | 磁気抵抗効果素子及び磁気ヘッド | |
US20100032737A1 (en) | Nano-magnetic memory device and method of manufacturing the device | |
JP2004014806A (ja) | 磁気抵抗素子および磁気メモリ | |
JP4387955B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
JP4516086B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気メモリ、磁気ヘッド並びに磁気記録装置 | |
JP5705683B2 (ja) | トンネル磁気抵抗効果素子、非局所スピン注入素子、及びそれを用いた磁気ヘッド | |
JP2005109242A (ja) | 磁気抵抗効果素子及び磁気ヘッド | |
JP4686616B2 (ja) | 磁気再生ヘッドおよび磁気記録再生装置 | |
JP2008078378A (ja) | トンネル型磁気検出素子及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130806 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131002 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131029 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131115 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5416781 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |