JP6397712B2 - 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気ヘッド、および磁気記録再生装置 - Google Patents
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Description
第1実施形態による磁気抵抗効果素子の断面図を図1に示す。この第1実施形態の磁気抵抗効果素子は、スピン蓄積効果を用いた磁気抵抗効果素子であって、磁気シールドを兼用する電極20と、この電極20上に設けられた例えばIrMnからなる反強磁性層15と、この反強磁性層15上に設けられた磁化方向が固定された磁性層を含む固定層14と、この固定層14上に設けられた界面層12aと、この界面層12a上に設けられた非磁性層10と、この非磁性層10上に設けられた界面層12bと、この界面層12bの第1領域上に設けられ磁化方向が固定された磁性層を含む固定層16と、この固定層16上に設けられた例えばIrMnからなる反強磁性層17と、この反強磁性層17上に設けられ磁気シールドを兼用する電極24と、界面層12bの上記第1領域と異なる第2領域上に設けられ磁化方向が可変の磁性層を含む自由層18と、この自由層18上に設けられ磁気シールドを兼用する電極22と、を備えている。
第2実施形態による磁気再生ヘッドについて図2を参照して説明する。この第2実施形態の磁気再生ヘッドは、図2に示すように、磁気記録媒体300に対向するスライダ200を備えており、このスライダ200は磁気再生素子として、磁気抵抗効果素子1Aを備えている。この磁気抵抗効果素子1Aは、図1に示す磁気抵抗効果素子1において、電極20の代わりに磁気シールド20Aを設けるとともに、電極22、24の代わりに磁気シールド26を設けた構成を有している。なお、磁気記録媒体300に対向する磁気抵抗効果素子の面がABS(Air Bearing Surface)となる。
第3実施形態による磁気再生ヘッドについて図3を参照して説明する。この第3実施形態の磁気再生ヘッドは、図3に示すように、磁気記録媒体300に対向するスライダ200Aを備えており、このスライダ200Aは磁気抵抗効果素子1Bを備えている。この磁気抵抗効果素子1Bは、図2に示す磁気抵抗効果素子1Aにおいて、磁気シールド26を磁気シールド26Aに置き換えた構成を有している。
第4実施形態による磁気再生ヘッドについて図4を参照して説明する。この第4実施形態の磁気再生ヘッドは、図4に示す磁気抵抗効果素子1Cを備えている。この磁気抵抗効果素子1Cは、図3に示す磁気抵抗効果素子1Bにおいて、反強磁性層15をABSから後退させるとともに磁気シールド20Aを磁気シールド20Bに換えた構造を有している。 磁気シールド20Bは、磁気シールド20Aと、この磁気シールド20Aに接続し反強磁性層15がABSから後退した領域に設けられた部分とを備えている。
第5実施形態による磁気再生ヘッドについて図5(a)、5(b)を参照して説明する。この第5実施形態の磁気再生ヘッドは、図3に示す第3実施形態の磁気再生ヘッドにおいて、磁気抵抗効果素子1Bを磁気抵抗効果素子1Dに置き換えた構成を有している。この磁気抵抗効果素子1Dは、磁気抵抗効果素子1Bにおいて、自由層18を自由層18Aに置き換えた構成を有している。この自由層18Aは、図5(b)に示すように、非磁性層10上に設けられた磁化方向が可変の磁性層18aと、この磁性層18a上に設けられた例えばRuからなる非磁性層18bと、非磁性層18b上に設けられ磁化方向は可変の磁性層18cと、この磁性層18c上に設けられた、例えばIrMnからなる反強磁性層18dとを備えている。すなわち、自由層18Aは、積層フェリ構造を有している。
次に、磁気再生素子の製造方法について図6(a)乃至図10(d)を参照して説明する。この第4実施形態の製造方法は、図3に示す第3実施形態の磁気抵抗効果素子1Bを製造する。図6(a)、図7(a)、図8(a)、図9(a)、図10(a)は、各製造工程における磁気抵抗効果素子1の上面図、図6(b)、図7(b)、図8(b)、図9(b)、図10(b)は、各製造工程における磁気抵抗効果素子1のA−A断面図、図6(c)、図7(c)、図8(c)、図9(c)、図10(c)は、各製造工程における磁気抵抗効果素子1のB−B断面図、図6(d)、図7(d)、図8(d)、図9(d)、図10(d)は、各製造工程における磁気抵抗効果素子1のC−C断面図である。
実施例1として第2実施形態による磁気再生ヘッドと、比較例として第2実施形態の磁気再生ヘッドにおいて非磁性層10の下部に設けられる固定層14を非磁性層10の上部に設けられる固定層16と同じ平面形状(サイズ)、すなわち同じ面積とした磁気再生ヘッドとについて、3次元モデルのシミュレーションにより計算した結果を図11に示す。図11は、自由層18の面積(AFree)を固定して、非磁性層10の上部に配置された固定層16の面積(APin2)を変えることで、出力の面積比(APin2/AFree)の依存性を示した。出力は電流密度を160MA/cm2と固定し、比較例の出力(dV0)で規格化した。
次に、第7実施形態による磁気記録再生装置について説明する。
10 非磁性層
12a、12b 界面層
14 固定層
14a 磁性層
14b 磁気結合層
14c 磁性層
15 反強磁性層
16 固定層
17 反強磁性層
18 自由層
18A 積層フェリ構造の自由層
18a 磁性層
18b 非磁性層
18c 磁性層
18d 反強磁性層
20 電極
20A 磁気シールド
22 電極
24 電極
26、26A 磁気シールド
Claims (11)
- 磁化方向が固定された第1磁性層と、
非磁性層と、
磁化方向が前記第1磁性層に対して反平行に固定された第2磁性層と、
磁化方向が可変な第3磁性層と、を備え、
前記非磁性層の第1部分は前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に第1方向に並んで設けられ、
前記非磁性層の第2部分は前記第1磁性層と前記第3磁性層との間に前記第1方向に並んで設けられ、
前記第2磁性層と前記第3磁性層は前記第1方向と交わる第2方向に並んで設けられ、前記第2磁性層の面積は前記第3磁性層の面積よりも大きい、磁気抵抗効果素子。 - 前記第1磁性層の面積は前記第2磁性層の面積よりも大きい、請求項1記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記第1磁性層と前記非磁性層との間に設けられた第1界面層と、前記第2磁性層と前記非磁性層との間に設けられた第2界面層と、前記第3磁性層と前記非磁性層との間に設けられた第3界面層とを更に備える請求項1または2記載の磁気抵抗効果素子。
- 第1磁気シールドおよび第2磁気シールドを更に備え、
前記非磁性層、前記第1磁性層、前記第2磁性層、および前記第3磁性層は、前記第1磁気シールドと前記第2磁気シールドとの間に設けられ、
前記第1磁気シールドは前記第1磁性層に接続し、前記第2磁気シールドは前記第3磁性層に接続する請求項1乃至3のいずれかに記載の磁気抵抗効果素子。 - 磁化方向が固定された第1磁性層と、
非磁性層と、
磁化方向が前記第1磁性層に対して反平行に固定された第2磁性層と、
磁化方向が可変な第3磁性層と、
第1磁気シールドおよび第2磁気シールドと、備え、
前記非磁性層、前記第1磁性層、前記第2磁性層、および前記第3磁性層は、前記第1磁気シールドと前記第2磁気シールドとの間に設けられ、
前記第1磁気シールドは前記第1磁性層に接続し、前記第2磁気シールドは前記第3磁性層に接続する磁気抵抗効果素子。 - 前記第1磁気シールドと前記第1磁性層との間に設けられる第1反強磁性層と、
前記第2磁性層と前記第2磁気シールドとの間に設けられる第2反強磁性層と、
を更に備える請求項4または5記載の磁気抵抗効果素子。 - 前記第1磁気シールドと前記第1磁性層との間に設けられる第1反強磁性層と、
前記第2磁性層と前記第2磁気シールドとの間に設けられる第2反強磁性層と、
を更に備え、
前記第2磁気シールドは、前記第2反強磁性層に接続する請求項4または5に記載の磁気抵抗効果素子。 - 請求項1乃至7のいずれかに記載の磁気抵抗効果素子を再生素子として備える磁気再生ヘッドであって、
前記第1磁性層と前記第2磁性層との間で前記非磁性層に電流を流し、前記第2磁性層と前記第3磁性層との間で電圧の検出を行う磁気再生ヘッド。 - 請求項1乃至7のいずれかに記載の磁気抵抗効果素子を再生素子として備える磁気再生ヘッドであって、
前記第2磁性層と前記第1磁性層との間、および前記第3磁性層と前記第1磁性層との間で電流を流しかつ電圧の検出を行う磁気再生ヘッド。 - 請求項8または9記載の磁気再生ヘッドと、
前記磁気再生ヘッドが搭載されたヘッドスライダーと、
前記ヘッドスライダーを一端に搭載するサスペンションと、
前記サスペンションの他端に接続されたアクチュエータアームと、
を備える磁気ヘッドアセンブリ - 磁気記録媒体と、
請求項10記載の磁気ヘッドアセンブリと、
前記磁気ヘッドアセンブリに搭載された前記磁気再生ヘッドを用いて前記磁気記録媒体から信号の読み出しを行う信号処理部と、
を備える磁気記録装置。
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