JP6263344B2 - 磁気センサー装置、ハードディスクヘッド、および磁気記録再生装置 - Google Patents
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Description
図10に第1実施形態による3端子非局所スピンバルブ素子を示す。本実施形態の3端子非局所スピンバルブ素子1は、非磁性ベース層(非磁性ベース電極)10と、この非磁性ベース層10の延在する方向にそって、非磁性ベース層10上にそれぞれが離間して設けられ、それぞれが磁性層を含む、スピン注入端子12、グランド端子14、およびスピン検出端子16と、を備えている。本実施形態においては、グランド端子14は、スピン注入端子12とスピン検出端子16との間に位置する。また、スピン注入端子12、グランド端子14、およびスピン検出端子16は、非磁性ベース層10に対して同じ側の面上に設けられる。なお、スピン注入端子12およびグランド端子14は、非磁性ベース電極10のスピン緩和長λnに比べて十分短い距離に配置される。
第2実施形態によるハードディスクヘッドを図16に示す。この第2実施形態のハードディスクヘッドは、第1実施形態の非局所スピンバルブ素子1を磁気センサーとして用いている。第2実施形態のハードディスクヘッドは、第1実施形態の非局所スピンバルブ素子1と、下磁気シールド22と、上磁気シールド24とを備えている。この非局所スピンバルブ素子1は、非磁性ベース電極10と、この非磁性ベース電極10上に離間して設けられた、スピン注入端子12、グランド端子14、およびスピン検出端子16とを備えている。この第2実施形態においては、スピン注入端子12およびグランド端子14は、非磁性ベース電極10に対して同じ側に設けられ、スピン検出端子16は、非磁性ベース電極10の一方の端子近傍に設けられるとともに非磁性ベース電極10に対してスピン注入端子12およびグランド端子14と反対側に設けられる。
第2実施形態の変形例によるハードディスクヘッドを図17に示す。この変形例によるハードディスクヘッドは、図16に示すハードディスクヘッドにおいて、スピン注入端子12とスピン検出端子16の位置を入れ替えるとともに、スピン検出端子16およびグランド端子14のそれぞれの磁性層16a、14aを磁化固着層として、スピン注入端子12の磁性層をフリー層として用いた構成となっている。この場合、スピン検出端子16およびグランド端子14のそれぞれの磁性層16a、14aの磁化方向は互いに平行に固着する。そして、電流源30は、下磁気シールド22および上磁気シールド24に接続され、電圧計32は外部リード端子18と上磁気シールド24に接続される。
実施例1によるハードディスクヘッドを図18に示す。この実施例1のハードディスクヘッドは、第2実施形態のハードディスクヘッドであって、以下のように作製される。
実施例2によるハードディスクヘッドを図19に示す。この実施例2のハードディスクヘッドは、第2実施形態のハードディスクヘッドであって、スピン注入端子12、グランド端子14、およびスピン検出端子16を構成する材料が異なる以外は、実施例1のハードディスクヘッドと同じ構成となっており、各要素のサイズも実施例の各要素と同じサイズとする。この実施例2において、スピン検出端子16は、厚さが5nmのCoFeB層161と、このCoFeB層161上に形成された厚さが1nmのMgO層162との積層構造を有する。
実施例3によるハードディスクヘッドを図20に示す。この実施例3のハードディスクヘッドは、図17に示す第2実施形態の変形例によるハードディスクヘッドであって、各要素のサイズは、実施例1の要素のサイズと同じになっている。すなわち、グランド端子14およびスピン検出端子16のそれぞれの磁性層は磁化固着層である。
実施例4によるハードディスクヘッドを図21に示す。この実施例4のハードディスクヘッドにおいては、スピン注入端子12は下磁気シールド22と、Cuからなる非磁性ベース電極10との間に設けられるとともにCuからなるリード端子17aを介して下磁気シールド22に接続する。このスピン注入端子12は、リード端子17a上に、厚さが10nmのPtMnからなる反強磁性層12bと、厚さが4nmのCoFeB層12a4と、厚さが1nmのRu層12a3と、厚さが1nmのCoFeB層12a2と、厚さが5nmのCFGG層12a1とがこの順序で積層された積層構造を有している。CoFeB層12a4、Ru層12a3、CoFeB層12a2、およびCFGG層12a1はシンセティック構造の磁性層12aを形成する。CFGG層12a1が非磁性ベース電極10の下側の面に接続する。なお、スピン注入端子12のサイズは幅が12nm、長さが10nmである。また、Cuからなる非磁性ベース電極10のサイズは、長さが50nm、幅が12nm、厚さが10nmである。なお、長さは、非磁性ベース電極10の延在する方向における寸法を意味する。また、厚さは、上面と下面との間の寸法を意味し、幅は、長さ方向と厚さ方向に直交する方向の寸法を意味する。
実施例1の変形例として、図18に示す実施例1ハードディスクヘッドにおいて、スピン注入端子12をシンセティック構造とせず、単純な磁化固着構造とした。すなわち図18において、スピン注入端子を、厚さが5nmのCFGG層、厚さが1nmのCoFeB層、および厚さが10nmのIrMnの反強磁性層がこの順序で積層された積層構造に置き換えた。それ以外は実施例1と同じ構成となっている。
実施例1に対する比較例1によるハードディスクヘッドを図22に示す。この比較例1のハードディスクヘッドは、図18に示す実施例1ハードディスクヘッドにおいて、スピン注入端子12をCu層13に置き換えた構成を有している。Cu層13以外は、実施例1と同じ構成となっている。
比較例2によるハードディスクヘッドを図23に示す。この比較例2のハードディスクヘッドは、比較例1のハードディスクヘッドにおいて、Cuからなる非磁性ベース電極10の長さを長くし、かつCu層13とグランド端子14までの距離が100nmとなるように構成したものである。
比較例3による3端子非局所スピンバルブ素子を図24に示す。この比較例3の3端子非局所スピンバルブ素子は、以下のように作製される。下磁気シールド22上にCu層23を形成し、このCu層23の周囲は例えばアルミナからなる絶縁層(図示せず)で取り囲む。その後、Cu層23に接続するように、上記絶縁層上にCuからなる非磁性ベース電極10を、スパッタ法を用いて形成する。この非磁性ベース電極10のサイズは、厚さが5nm、幅が12nm、長さが100nmである。そして、非磁性ベース電極10に接するようにスピン注入端子12、スピン検出端子16をスパッタ法で成膜する。このとき、スピン注入端子12は、Ruからなるスペーサを用いたシンセティック構造の磁性層12aと、この磁性層12a上に形成された反強磁性層12bとを備えている。磁性層12aは、厚さが4nmのCFGG層、厚さが1nmのCoFe層、厚さが1nmのRu層、および厚が5nmのCoFe層がこの順序で積層された積層構造を有している。反強磁性層12bとしては、厚さが10nmのPtMnが用いられる。
比較例4によるハードディスクヘッドを図25に示す。この比較例4のハードディスクヘッドは、比較例3のハードディスクヘッドにおいて、Cuからなる非磁性ベース電極10の長さを長くし、かつCu層13とグランド端子14までの距離が100nmとなるように構成したものである。
第3実施形態による磁気記録再生装置について説明する。
10 非磁性ベース層(非磁性ベース電極)
12 スピン注入端子
12a 磁性層
12b 反強磁性層
14 グランド端子
14a 磁性層
14b 反強磁性層
16 スピン検出端子
16a 磁性層
16b 反強磁性層
17a リード端子
17b リード端子
17c リード端子
30 電流源
32 電圧計
Claims (10)
- 非磁性層と、
前記非磁性層が延在する方向における前記非磁性層の対向する一対の端面のうち一方の端面の近傍に接合し、磁化の方向が可変な第1磁性層を含む第1端子と、
前記非磁性層が延在する前記方向に沿って前記第1端子から離れて設けられ前記非磁性層に接合し、磁化の方向が固着された第2磁性層を含む第2端子と、
前記非磁性層が延在する前記方向に沿って前記第1端子から離れるとともに前記第2端子と離間して設けられ、前記非磁性層に接合し、磁化の方向が前記第2磁性層の磁化方向と反平行に固着された第3磁性層を含む第3端子と、
前記第2端子と前記第3端子間に電流を供給可能な電流回路と、
前記電流が供給されている状態で、前記第1端子と前記第2端子間または、前記第1端子と前記第3端子間の電圧を検出可能な電圧検出部と、
を備える磁気センサー装置。 - 非磁性層と、
前記非磁性層の第1部分に接合し、磁化の方向が可変な第1磁性層を含む第1端子と、
前記非磁性層の第2部分に接合し、磁化の方向が予め固着された第2磁性層を含む第2端子と、
前記非磁性層の第3部分に接合し、磁化の方向が前記第2磁性層と反平行に予め固着された第3磁性層を含む第3端子と、
前記第2端子と前記第3端子との間に電流を供給可能な電流回路と、
前記電流が供給されている状態で、前記第1端子と前記第2端子間または、前記第1端子と前記第3端子間の電圧を検出可能な電圧検出部と、
を備える磁気センサー装置。 - 前記第1乃至第3端子のうちの少なくとも1つの端子が、ハーフメタル磁性体からなる層を含む請求項1または2記載の磁気センサー装置。
- 前記第1端子乃至第3端子のそれぞれの端子と、前記非磁性層との間に設けられたトンネルバリア層を更に備える請求項1または2記載の磁気センサー装置。
- 前記第1端子は前記非磁性層の一方の面上に設けられ、前記第2および第3端子は、前記非磁性層の、前記第1端子が設けられた側と反対側の面上に設けられる請求項1乃至4のいずれか1つに記載の磁気センサー装置。
- 前記第2端子は前記非磁性層の一方の面上に設けられ、前記第1端子および第3端子は、前記非磁性層の、前記第2端子が設けられた側と反対側の面上に設けられ、かつ前記第3端子は前記2端子と前記非磁性層を挟んでほぼ対向する位置に設けられる請求項1乃至4のいずれか1つに記載の磁気センサー装置。
- 第1磁気シールドと、
第2磁気シールドと、
前記第1磁気シールドと前記第2磁気シールドとの間に設けられた請求項1または2記載の磁気センサー装置と、
を備えたハードディスクヘッド。 - 前記磁気センサー装置の前記第2端子に接続する外部リード端子を更に備え、
前記第1磁気シールドは、前記磁気センサー装置の前記第1端子に接続し、
前記第2磁気シールドは、前記磁気センサー装置の前記第3端子に接続する請求項7記載のハードディスクヘッド。 - 前記磁気センサー装置の前記第3端子に接続する外部リード端子を更に備え、
前記第1磁気シールドは、前記磁気センサー装置の前記第1端子に接続し、
前記第2磁気シールドは、前記磁気センサー装置の前記第2端子に接続する請求項7記載のハードディスクヘッド。 - 磁気記録媒体と、
請求項7乃至9のいずれか1つに記載のハードディスクヘッドと、
前記磁気記録媒体と前記ハードディスクヘッドとが浮上または接触の状態で対峙しながら相対的に移動するように制御する移動制御部と、
前記ハードディスクヘッドを前記磁気記録媒体の所定記録位置に位置するように制御する位置制御部と、
前記ハードディスクヘッドを用いて前記磁気記録媒体への書き込み信号および前記磁気記録媒体からの読み出し信号を処理する信号処理部と、
を備えている磁気記録再生装置。
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