JP2024061371A - 磁気センサ、磁気ヘッド、及び、磁気記録装置 - Google Patents

磁気センサ、磁気ヘッド、及び、磁気記録装置 Download PDF

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Abstract

【課題】分解能を向上させる磁気センサ、磁気ヘッド及び磁気記録装置を提供する。【解決手段】磁気センサ７０Ａは、第１シールド４１～第６シールド４６、第１、第２磁性層１１、１２及び第１部材３１を含む。第１磁性層１１は、第３シールド４３と第４シールド４４の間にある。第２磁性層１２は、第１磁性層１１と第２シールド４２の間にあり、第５シールド４５と第６シールド４６の間にある。第２磁性層１２は、第５シールド４５と第６シールド４６とに電気的に接続される。第１部材３１は、第１領域３１ａと第２領域３１ｂを含む。第１領域３１ａは、第３シールド４３と第１磁性層１１の間に設けられる。第２領域３１ｂは、第１磁性層１１と第４シールド４４の間に設けられる。【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、磁気センサ、磁気ヘッド、及び、磁気記録装置に関する。
磁性層を用いた磁気センサがある。磁気センサを含む磁気ヘッドを用いて、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）などの磁気記録媒体に情報が記録される。磁気センサにおいて、分解能の向上が望まれる。
米国特許第７５７６９４８号明細書
本発明の実施形態は、分解能の向上が可能な磁気センサ、磁気ヘッド、及び、磁気記録装置を提供する。
実施形態によれば、磁気センサは、第１シールド、第２シールド、第３シールド、第４シールド、第５シールド、第６シールド、第１磁性層、第２磁性層、第１部材、第１端子、第２端子、第３端子及び第４端子を含む。前記第３シールドは、前記第１シールドと前記第２シールドとの間に設けられる。前記第４シールドは、前記第１シールドと前記第２シールドとの間に設けられる。前記第３シールドから前記第４シールドへの第２方向は、前記第１シールドから前記第２シールドへの第１方向と交差する。前記第５シールドは、前記第３シールドと前記第２シールドとの間に設けられる。前記第６シールドは、前記第４シールドと前記第２シールドとの間に設けられる。前記第５シールドから前記第６シールドへの方向は前記第２方向に沿う。前記第１磁性層は、前記第１シールドと前記第２シールドとの間に設けられる。前記第１磁性層は、前記第２方向において前記第３シールドと前記第４シールドとの間にある。前記第２磁性層は、前記第１磁性層と前記第２シールドとの間に設けられる。前記第２磁性層は、前記第２方向において前記第５シールドと前記第６シールドとの間にある。前記第２磁性層は、前記第５シールド及び前記第６シールドと電気に接続される。前記第１部材は、第１領域及び第２領域を含む。前記第１領域は、前記第３シールドと前記第１磁性層との間に設けられる。前記第２領域は、前記第１磁性層と前記第４シールドとの間に設けられる。前記第１端子は、前記第５シールドと電気的に接続される。前記第２端子は、前記第６シールドと電気的に接続される。前記第３端子は、前記第１磁性層と電気的に接続される。前記第４端子は、前記第２磁性層と電気的に接続される。
図１は、第１実施形態に係る磁気センサを例示する模式的断面図である。 図２は、第１実施形態に係る磁気センサを例示する模式的断面図である。 図３は、第１実施形態に係る磁気センサを例示する模式的断面図である。 図４は、第２実施形態に係る磁気ヘッド及び磁気記録装置を例示する模式的斜視図である。 図５は、実施形態に係る磁気記録装置の一部を例示する模式的斜視図である。 図６は、実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的斜視図である。 図７（ａ）及び図７（ｂ）は、実施形態に係る磁気記録装置の一部を例示する模式的斜視図である。
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
（第１実施形態）
図１及び図２は、第１実施形態に係る磁気センサを例示する模式的断面図である。
図１に示すように、実施形態に係る磁気センサ７０Ａは、第１シールド４１、第２シールド４２、第３シールド４３、第４シールド４４、第５シールド４５、第６シールド４６、第１磁性層１１、第２磁性層１２、第１部材３１、第１端子５１、第２端子５２、第３端子５３及び第４端子５４を含む。この例では、磁気センサ７０Ａは、第１導電領域２１及び第２導電領域２２を含む。
第３シールド４３は、第１シールド４１と第２シールド４２との間に設けられる。第４シールド４４は、第１シールド４１と第２シールド４２との間に設けられる。第３シールド４３から第４シールド４４への第２方向Ｄ２は、第１シールド４１から第２シールド４２への第１方向Ｄ１と交差する。
第１方向Ｄ１をＸ軸方向とする。Ｘ軸方向に対して垂直な１つの方向をＹ軸方向とする。Ｘ軸方向及びＹ軸方向に対して垂直な方向をＺ軸方向とする。第２方向Ｄ２は、例えば、Ｙ軸方向である。
第５シールド４５は、第３シールド４３と第２シールド４２との間に設けられる。第６シールド４６は、第４シールド４４と第２シールド４２との間に設けられる。第５シールド４５から第６シールド４６への方向は、第２方向Ｄ２に沿う。
第１磁性層１１は、第１シールド４１と第２シールド４２との間に設けられる。第１磁性層１１は、第２方向Ｄ２において第３シールド４３と第４シールド４４との間にある。第１磁性層１１は、例えば、強磁性層である。
第２磁性層１２は、第１磁性層１１と第２シールド４２との間に設けられる。第２磁性層１２は、第２方向Ｄ２において第５シールド４５と第６シールド４６との間にある。第２磁性層１２は、例えば、強磁性層である。第２磁性層１２は、例えば、第５シールド４５及び第６シールド４６と電気に接続される。
第１導電領域２１は、第５シールド４５と第２磁性層１２との間に設けられる。第１導電領域２１は、第５シールド４５及び第２磁性層１２と電気的に接続される。第１導電領域２１は、非磁性である。第１導電領域２１は、例えば、連続した層状で良い。第１導電領域２１は、例えば、メッシュ状でも良い。第１導電領域２１は、例えば、不連続な複数の島状領域を含んでも良い。
第２導電領域２２は、第２磁性層１２と第６シールド４６との間に設けられる。第２導電領域２２は、第２磁性層１２及び第６シールド４６と電気的に接続される。第２導電領域２２は、非磁性である。第２導電領域２２は、例えば、連続した層状で良い。第２導電領域２２は、例えば、メッシュ状でも良い。第２導電領域２２は、例えば、不連続な複数の島状領域を含んでも良い。第１導電領域２１及び第２導電領域２２は必要に応じて設けられ、省略されても良い。
第１部材３１は、第１領域３１ａ及び第２領域３１ｂを含む。第１領域３１ａは、第３シールド４３と第１磁性層１１との間に設けられる。第２領域３１ｂは、第１磁性層１１と第４シールド４４との間に設けられる。
第１端子５１は、第５シールド４５と電気的に接続される。第２端子５２は、第６シールド４６と電気的に接続される。第１端子５１は、第５シールド４５（及び第１導電領域２１）を介して第２磁性層１２と電気的に接続される。第２端子５２は、第６シールド４６（及び第２導電領域２２）を介して第２磁性層１２と電気的に接続される。
第３端子５３は、第１磁性層１１と電気的に接続される。例えば、第３端子５３は、第１シールド４１を介して第１磁性層１１と電気的に接続されて良い。第４端子５４は、第２磁性層１２と電気的に接続される。例えば、第４端子５４は、第２シールド４２を介して第２磁性層１２と電気的に接続されて良い。
このような磁気センサ７０Ａにより、検出対象磁界を高い空間分解で検出できる。実施形態によれば、分解能の向上が可能な磁気センサを提供できる。
例えば、第１端子５１と第２端子５２との間に第１電流ｉ１が供給されることが可能である。例えば、磁気センサ７０Ａは、第１回路７５ａを含んで良い。第１回路７５ａは、第１端子５１と第２端子５２との間に第１電流ｉ１を供給可能である。第１電流ｉ１は、第２磁性層１２を流れる。第１電流ｉ１は、第２方向Ｄ２に沿う成分を含む。
磁気センサ７０Ａにおいて、第３端子５３と第４端子５４との間の電圧Ｖｘを検出することが可能である。例えば、磁気センサ７０Ａは、第２回路７５ｂを含んで良い。第２回路７５ｂは、第３端子５３と第４端子５４との間の電圧Ｖｘに対応する値を検出可能である。
第１端子５１と第２端子５２との間に第１電流ｉ１が流れたときの第３端子５３と第４端子５４との間の電圧Ｖｘは、検出対象磁界に応じて変化可能である。
検出対象磁界は、第３方向Ｄ３に沿う成分を含む。第３方向Ｄ３は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２を含む平面と交差する。第３方向Ｄ３は、例えばＺ軸方向である。
例えば、第１状態において、第１磁性層１１及び第２磁性層１２の両方に、同じ向きの検出対象磁界が加わる。第２状態において、第１磁性層１１に加わる検出対象磁界の向きは、第２磁性層１２に加わる検出対象磁界の向きと逆である。磁気センサ７０Ａにおいて、第１状態における電圧Ｖｘは、第２状態における電圧Ｖｘとは異なる。電圧Ｖｘの変化を検出することで、第１状態と第２状態とが区別されて検出できる。例えば、第１磁性層１１と第２磁性層１２との間の領域での検出対象磁界の向きの変化が検出される。例えば、微小な領域における検出対象磁界の変化の検出が可能である。実施形態によれば、分解能の向上が可能である。
磁気センサ７０Ａにおいて、検出対象磁界は、例えば磁気記録媒体に記録された磁化の向きに基づいて良い。例えば、磁気記録媒体に記録された情報を高い分解能で検出できる。
１つの例において、第１領域３１ａにおける第１元素の濃度は、第１導電領域２１における第１元素の濃度よりも高く、第２領域３１ｂにおける第１元素の濃度は、第２導電領域２２における第１元素の濃度よりも高い。または、第１導電領域２１及び第２導電領域２２は、第１元素を含まない。第１元素は、酸素及び窒素よりなる群から選択された少なくとも１つを含む。
例えば、第１領域３１ａ及び第２領域３１ｂは、酸化物、窒化物または酸窒化物を含む。１つの例において、第１領域３１ａ及び第２領域３１ｂの少なくともいずれかは、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｈｆ及びＭｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む第２元素をさらに含む。第１領域３１ａ及び第２領域３１ｂは、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン及び酸化アルミニウムよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第１領域３１ａ及び第２領域３１ｂは、例えば、絶縁性である。
一方、第１導電領域２１及び第２導電領域２２の少なくともいずれかは、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｈｆ、Ｗ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｔｂ及びＲｈよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第１導電領域２１及び第２導電領域２２の少なくともいずれかは、Ａｕ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｈｆ、Ｗ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｔｂ及びＲｈよりなる群から選択された少なくとも１つを含んでも良い。これらの材料において、例えばスピン軌道相互作用が大きい。スピン軌道相互作用が大きい材料が用いられることで、無用なスピンの伝達が抑制される。第１導電領域２１及び第２導電領域２２の導電率は、第１領域３１ａ及び第２領域３１ｂの導電率よりも高い。
例えば、第１電流ｉ１により、第２磁性層１２の磁化の向きが変化する。第２磁性層１２の磁化の向きの変化は、例えばＸ軸方向を中心とする回転の成分を含む。一方、第１電流ｉ１は、第１磁性層１１を実質的に流れない。このため、第１電流ｉ１に起因する第１磁性層１１の向きの変化により電圧Ｖｘが変化する作用は小さい。このような作用と、検出対象磁界に関する第１状態と第２状態との差の作用と、による、電圧Ｖｘの差が生じると考えられる。
図２に示すように、第１磁性層１１は、第１磁化１１Ｍを有する。第２磁性層１２は、第２磁化１２Ｍを有する。例えば、第１磁化１１Ｍ及び第２磁化１２Ｍは、第２方向Ｄ２の成分を有する。例えば、第１磁化１１Ｍの向きは、第２磁化１２Ｍの向きと逆である。例えば、第１磁性層１１は、第２磁性層１２と反強磁性結合して良い。
例えば、反強磁性結合した第１磁性層１１及び第２磁性層１２に上記の第１状態の検出対象磁界が加わると、これらの磁性層の磁化の向きの変化は小さい。これに対して、反強磁性結合した第１磁性層１１及び第２磁性層１２に上記の第２状態の検出対象磁界が加わると、これらの磁性層の磁化の向きの変化は大きい。磁化の向きの変化による磁化のＺ軸成分の変化を、第１電流ｉ１に基づく電圧Ｖｘの変化の差として検出可能である。
図２の示すように、第３シールド４３は、第３磁化４３Ｍを有する。第４シールド４４は、第４磁化４４Ｍを有する。第５シールド４５は、第５磁化４５Ｍを有する。第６シールド４６は、第６磁化４６Ｍを有する。例えば、第３磁化４３Ｍ及び第４磁化４４Ｍの向きは、第１磁化１１Ｍの向きと同じで良い。例えば、第５磁化４５Ｍ及び第６磁化４６Ｍの向きは、第２磁化１２Ｍの向きと同じで良い。
図１に示すように、磁気センサ７０Ａは、第１中間層６１、第２中間層６２及び第３中間層６３をさらに含んで良い。第１中間層６１は、第１磁性層１１と第２磁性層１２との間に設けられ、非磁性である。第２中間層６２は、第３シールド４３と第５シールド４５との間に設けられ、非磁性である。第３中間層６３は、第４シールド４４と第６シールド４６との間に設けられ、非磁性である。
１つの例において、第１中間層６１、第２中間層６２及び第３中間層６３の少なくともいずれかは、Ｒｕを含む。このとき、これらの層の上記の少なくともいずれかの第１方向Ｄ１に沿う厚さは、０．１ｎｍ以上１．０ｎｍ以下、または、１．４ｎｍ以上２．２ｎｍ以下、または、２．６ｎｍ以上３．５ｎｍ以下である。このような構成により、反強磁性結合が得易い。
別の例において、第１中間層６１、第２中間層６２及び第３中間層６３の少なくともいずれかは、Ｉｒを含む。このとき、これらの層の上記の少なくともいずれかの第１方向Ｄ１に沿う厚さは、０．３ｎｍ以上０．８ｎｍ以下、または、１．１ｎｍ以上１．６ｎｍ以下である。このような構成により、反強磁性結合が得易い。例えば、第１電流ｉ１の第１磁性層１１への漏れを抑制しつつ、反強磁性結合が得易い。
実施形態において、第１中間層６１、第２中間層６２及び第３中間層６３の少なくともいずれかは、例えば、ＲＫＫＹ（Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida）結合のピーク（セカンドピークまたはファーストピークなど）に対応する構成が適用されて良い。
図１に示すように、磁気センサ７０Ａにおいて、第１部材３１は、第３領域３１ｃ及び第４領域３１ｄをさらに含んで良い。第３領域３１ｃは、第１シールド４１と第３シールド４３との間に設けられる。第４領域３１ｄは、第１シールド４１と第４シールド４４との間に設けられる。
例えば、第３領域３１ｃ及び第４領域３１ｄは絶縁性である。例えば、第１領域３１ａは第３領域３１ｃと連続して良い。第２領域３１ｂは第４領域３１ｄと連続して良い。第１領域３１ａと第３領域３１ｃとの間の境界は、明確でも不明確でも良い。第２領域３１ｂと第４領域３１ｄとの間の境界は、明確でも不明確でも良い。例えば、第３領域３１ｃの材料は、第１領域３１ａの材料と同じでも良い。例えば、第４領域３１ｄの材料は、第２領域３１ｂの材料と同じでも良い。
図１に示すように、第１部材３１は、第５領域３１ｅ及び第６領域３１ｆをさらに含んで良い。第５領域３１ｅは、第５シールド４５と第２シールド４２との間に設けられる。第６領域３１ｆは、第６シールド４６と第２シールド４２との間に設けられる。第５領域３１ｅ及び第６領域３１ｆは絶縁性である。
図１に示すように、第１領域３１ａの一部は、第２中間層６２と第１中間層６１との間に設けられて良い。第２領域３１ｂの一部は、第１中間層６１と第３中間層６３との間に設けられて良い。
図１に示すように、磁気センサ７０Ａは、第４中間層６４及び第５中間層６５をさらに含んで良い。第４中間層６４は、第１シールド４１と第１磁性層１１との間に設けられ、非磁性である。第５中間層６５は、第２磁性層１２と第２シールド４２との間に設けられ、非磁性である。
第４中間層６４及び第５中間層６５は、例えば、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｈｆ及びＭｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。これにより、第１電流ｉ１が第２磁性層１２を通過し易くなる。第４中間層６４及び第５中間層６５は、例えば、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｈｆ及びＭｇよりなる群から選択された少なくとも１つの窒化物または酸化物を含んで良い。
図２に示すように、第１導電領域２１の第２方向Ｄ２に沿う厚さを第１導電領域厚さｔ２１とする。第２導電領域２２の第２方向Ｄ２に沿う厚さを第２導電領域厚さｔ２２とする。第１導電領域厚さｔ２１は、例えば、１．０ｎｍ以上５．０ｎｍ以下で良い。第２導電領域厚さｔ２２は、例えば、１．０ｎｍ以上５．０ｎｍ以下で良い。このような厚さにより、例えば、シールドとの磁気的な相互作用を確保しつつ、無用なスピンの伝達を抑制し易くなる。
図２に示すように、第１磁性層１１の第１方向Ｄ１に沿う厚さを第１磁性層厚さｔ１１とする。第２磁性層１２の第１方向Ｄ１に沿う厚さを第２磁性層厚さｔ１２とする。実施形態において、第１磁性層厚さｔ１１は、２．０ｎｍ以上１０．０ｎｍ以下である。第２磁性層厚さｔ１２は、２．０ｎｍ以上１０．０ｎｍ以下である。
磁気センサ７０Ａにおいては、第１シールド４１と第２シールド４２との間に設けられる積層体は、第１磁性層１１、第１中間層６１及び第２磁性層１２を含む。積層体の厚さは薄い。高い分解能が得易い。
例えば、検出対象磁界により第２磁性層１２の磁化の向きが変化する。第１電流ｉ１が供給された状態における磁化の向きの変化による電圧Ｖｘの変化は、例えば、異常ホール効果（ＡＨＥ：Anomalous Hall Effect）に基づいて良い。例えば、第２磁性層１２は、異常ホール効果を有する。
例えば、第２磁性層１２は、ＣｏＭｎＧａ、ＣｏＭｎＡｌ及びＦｅＰｔよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。このような材料において、大きな異常ホール効果が得易い。例えば、大きな検出出力が得易い。ＣｏＭｎＧａ及びＣｏＭｎＡｌは、例えば、ホイスラー合金材料である。
実施形態においては、第１領域３１ａ及び第２領域３１ｂにより、第１電流ｉ１が第１磁性層１１を流れることが抑制される。このため、第１磁性層１１が大きな異常ホール効果の材料を含む場合でも、異常ホール効果が抑制される。第１磁性層１１の材料は、第２磁性層１２の材料と同じでも良い。
実施形態において、第１磁性層１１において、異常ホール効果は小さくて良い。第１電流ｉ１の一部が第１磁性層１１に流れた場合でも、悪影響が抑制できる。例えば、第１磁性層１１の材料は、第２磁性層１２の材料と異なることが好ましい。例えば、第１磁性層１１は、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第１磁性層１１は、例えば、ＣｏＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＺｒＮｂ、ＦｅＮ、ＦｅＳｉ及びＦｅＡｌＳｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含んで良い。第１磁性層１１は、例えば、比較的飽和磁束密度が大きく、膜面内方向に磁気異方性を有する軟磁性材料を含んで良い。上記の材料においては、異常ホール効果が比較的小さい。例えば、第１状態と第２状態とにおける電圧Ｖｘの変化（差）を大きくし易い。
以下に説明するように、第１磁性層１１の厚さ（第１磁性層厚さｔ１１）が、第２磁性層１２の厚さ（第２磁性層厚さｔ１２）と異なっても良い。
図３は、第１実施形態に係る磁気センサを例示する模式的断面図である。
図３に示すように、実施形態に係る磁気センサ７０Ｂにおいて、第１磁性層１１の厚さ（第１磁性層厚さｔ１１）は、第２磁性層１２の厚さ（第２磁性層厚さｔ１２）よりも薄い。これを除く磁気センサ７０Ｂの構成は、磁気センサ７０Ａの構成と同じでよい。
第１磁性層厚さｔ１１が薄いことで、第１磁性層１１において異常ホール効果の影響がより抑制される。例えば、第１状態と第２状態とにおける電圧Ｖｘの変化（差）を大きくし易い。
磁気センサ７０Ｂにおいて、第２磁性層１２は、例えば、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅよりなる群から選択された少なくとも１つを含んで良い。第２磁性層１２は、例えば、ＣｏＭｎＧａ、ＣｏＭｎＡｌ及びＦｅＰｔよりなる群から選択された少なくとも１つを含んで良い。ＣｏＭｎＧａ及びＣｏＭｎＡｌは、ホイスラー合金材料である。第１磁性層１１の材料は、第２磁性層１２の材料と異なって良い。例えば、第１磁性層１１は、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅよりなる群から選択された少なくとも１つを含んで良い。第１磁性層１１は、例えば、ＣｏＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＺｒＮｂ、ＦｅＮ、ＦｅＳｉ及びＦｅＡｌＳｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含んで良い。
（第２実施形態）
図４は、第２実施形態に係る磁気ヘッド及び磁気記録装置を例示する模式的斜視図である。
図４に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１１０は、再生部７０を含む。再生部７０は、第１実施形態に係る磁気センサ（磁気センサ７０Ａまたは磁気センサ７０Ｂ）を含む。磁気ヘッド１１０は、磁気記録媒体８０と共に用いられる。この例では、磁気ヘッド１１０は、記録部９０を含む。磁気ヘッド１１０の記録部９０により、磁気記録媒体８０に情報が記録される。再生部７０により、磁気記録媒体８０に記録された情報が再生される。
磁気記録媒体８０は、例えば、媒体基板８２と、媒体基板８２の上に設けられた磁気記録層８１と、を含む。磁気記録層８１の磁化８３が記録部９０により制御される。記録部９０は、例えば、第１磁極９１及び第２磁極９２を含む。第１磁極９１は、例えば主磁極である。第２磁極９２は、例えばトレーリングシールドである。記録部９０は、記録部素子９３を含んでも良い。記録部素子９３は、磁界制御素子、または、高周波発振素子などを含んで良い。記録部素子９３は省略されても良い。
再生部７０は、例えば、第１再生磁気シールド７２ａ、第２再生磁気シールド７２ｂ、及び磁気再生素子７１を含む。磁気再生素子７１は、第１再生磁気シールド７２ａと第２再生磁気シールド７２ｂとの間に設けられる。磁気再生素子７１は、磁気記録層８１の磁化８３に応じた信号を出力可能である。
第１再生磁気シールド７２ａは、例えば、第１シールド４１（図１参照）に対応する。第２再生磁気シールド７２ｂは、例えば、第２シールド４２（図１参照）に対応する。磁気再生素子７１は、第１磁性層１１、第２磁性層１２及び第１中間層６１を含む積層体を含む。図４において、第３シールド４３、第４シールド４４、第５シールド４５及び第６シールド４６などは省略されている。
図４に示すように、磁気記録媒体８０は、媒体移動方向８５の方向に、磁気ヘッド１１０に対して相対的に移動する。磁気ヘッド１１０により、任意の位置において、磁気記録層８１の磁化８３に対応する情報が制御される。磁気ヘッド１１０により、任意の位置において、磁気記録層８１の磁化８３に対応する情報が再生される。
図５は、実施形態に係る磁気記録装置の一部を例示する模式的斜視図である。
図５は、ヘッドスライダを例示している。
磁気ヘッド１１０は、ヘッドスライダ１５９に設けられる。ヘッドスライダ１５９は、例えばＡｌ２Ｏ３／ＴｉＣなどを含む。ヘッドスライダ１５９は、磁気記録媒体の上を、浮上または接触しながら、磁気記録媒体に対して相対的に運動する。
ヘッドスライダ１５９は、例えば、空気流入側１５９Ａ及び空気流出側１５９Ｂを有する。磁気ヘッド１１０は、ヘッドスライダ１５９の空気流出側１５９Ｂの側面などに配置される。これにより、磁気ヘッド１１０は、磁気記録媒体の上を浮上または接触しながら磁気記録媒体に対して相対的に運動する。
図６は、実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的斜視図である。
図７（ａ）及び図７（ｂ）は、実施形態に係る磁気記録装置の一部を例示する模式的斜視図である。
磁気記録装置は、磁気記録再生装置で良い。図６に示すように、実施形態に係る磁気記録装置１５０においては、ロータリーアクチュエータが用いられる。記録用媒体ディスク１８０は、スピンドルモータ１８０Ｍに装着される。記録用媒体ディスク１８０は、スピンドルモータ１８０Ｍにより矢印ＡＲの方向に回転する。スピンドルモータ１８０Ｍは、駆動装置制御部からの制御信号に応答する。本実施形態に係る磁気記録装置１５０は、複数の記録用媒体ディスク１８０を備えても良い。磁気記録装置１５０は、記録媒体１８１を含んでもよい。記録媒体１８１は、例えば、ＳＳＤ（Solid State Drive）である。記録媒体１８１には、例えば、フラッシュメモリなどの不揮発性メモリが用いられる。例えば、磁気記録装置１５０は、ハイブリッドＨＤＤ（Hard Disk Drive）でも良い。
ヘッドスライダ１５９は、記録用媒体ディスク１８０に記録する情報の、記録及び再生を行う。ヘッドスライダ１５９は、薄膜状のサスペンション１５４の先端に設けられる。ヘッドスライダ１５９の先端付近に、実施形態に係る磁気ヘッドが設けられる。
記録用媒体ディスク１８０が回転すると、サスペンション１５４による押し付け圧力と、ヘッドスライダ１５９の媒体対向面（ＡＢＳ）で発生する圧力と、がバランスする。ヘッドスライダ１５９の媒体対向面と、記録用媒体ディスク１８０の表面と、の間の距離が、所定の浮上量となる。実施形態において、ヘッドスライダ１５９は、記録用媒体ディスク１８０と接触しても良い。例えば、接触走行型が適用されても良い。
サスペンション１５４は、アーム１５５（例えばアクチュエータアーム）の一端に接続されている。アーム１５５は、例えば、ボビン部などを有する。ボビン部は、駆動コイルを保持する。アーム１５５の他端には、ボイスコイルモータ１５６が設けられる。ボイスコイルモータ１５６は、リニアモータの一種である。ボイスコイルモータ１５６は、例えば、駆動コイル及び磁気回路を含む。駆動コイルは、アーム１５５のボビン部に巻かれる。磁気回路は、永久磁石及び対向ヨークを含む。永久磁石と対向ヨークとの間に、駆動コイルが設けられる。サスペンション１５４は、一端と他端とを有する。磁気ヘッドは、サスペンション１５４の一端に設けられる。アーム１５５は、サスペンション１５４の他端に接続される。
アーム１５５は、ボールベアリングによって保持される。ボールベアリングは、軸受部１５７の上下の２箇所に設けられる。アーム１５５は、ボイスコイルモータ１５６により回転及びスライドが可能である。磁気ヘッドは、記録用媒体ディスク１８０の任意の位置に移動可能である。
図７（ａ）は、磁気記録装置の一部の構成を例示しており、ヘッドスタックアセンブリ１６０の拡大斜視図である。
図７（ｂ）は、ヘッドスタックアセンブリ１６０の一部となる磁気ヘッドアセンブリ（ヘッドジンバルアセンブリ：ＨＧＡ）１５８を例示する斜視図である。
図７（ａ）に示すように、ヘッドスタックアセンブリ１６０は、軸受部１５７と、ヘッドジンバルアセンブリ１５８と、支持フレーム１６１と、を含む。ヘッドジンバルアセンブリ１５８は、軸受部１５７から延びる。支持フレーム１６１は、軸受部１５７から延びる。支持フレーム１６１の延びる方向は、ヘッドジンバルアセンブリ１５８の延びる方向とは逆である。支持フレーム１６１は、ボイスコイルモータ１５６のコイル１６２を支持する。
図７（ｂ）に示すように、ヘッドジンバルアセンブリ１５８は、軸受部１５７から延びたアーム１５５と、アーム１５５から延びたサスペンション１５４と、を有している。
サスペンション１５４の先端には、ヘッドスライダ１５９が設けられる。ヘッドスライダ１５９に、実施形態に係る磁気ヘッドが設けられる。
実施形態に係る磁気ヘッドアセンブリ（ヘッドジンバルアセンブリ）１５８は、実施形態に係る磁気ヘッドと、磁気ヘッドが設けられたヘッドスライダ１５９と、サスペンション１５４と、アーム１５５と、を含む。ヘッドスライダ１５９は、サスペンション１５４の一端に設けられる。アーム１５５は、サスペンション１５４の他端と接続される。
サスペンション１５４は、例えば、信号の記録及び再生用のリード線（図示しない）を有する。サスペンション１５４は、例えば、浮上量調整のためのヒーター用のリード線（図示しない）を有しても良い。サスペンション１５４は、例えば発振素子などのためのリード線（図示しない）を有しても良い。これらのリード線と、磁気ヘッドに設けられた複数の電極と、が電気的に接続される。
磁気記録装置１５０において、信号処理部１９０が設けられる。信号処理部１９０は、磁気ヘッドを用いて磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う。信号処理部１９０は、信号処理部１９０の入出力線は、例えば、ヘッドジンバルアセンブリ１５８の電極パッドに接続され、磁気ヘッドと電気的に接続される。
実施形態に係る磁気記録装置１５０は、磁気記録媒体と、実施形態に係る磁気ヘッドと、可動部と、位置制御部と、信号処理部と、を含む。可動部は、磁気記録媒体と磁気ヘッドとを離間させ、または、接触させた状態で相対的に移動可能とする。位置制御部は、磁気ヘッドを磁気記録媒体の所定記録位置に位置合わせする。信号処理部は、磁気ヘッドを用いた磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う。
例えば、上記の磁気記録媒体として、記録用媒体ディスク１８０が用いられる。上記の可動部は、例えば、ヘッドスライダ１５９を含む。上記の位置制御部は、例えば、ヘッドジンバルアセンブリ１５８を含む。
実施形態は、以下の構成（例えば技術案）を含んでも良い。
（構成１）
第１シールドと、
第２シールドと、
前記第１シールドと前記第２シールドとの間に設けられた第３シールドと、
前記第１シールドと前記第２シールドとの間に設けられた第４シールドであって、前記第３シールドから前記第４シールドへの第２方向は、前記第１シールドから前記第２シールドへの第１方向と交差した、前記第４シールドと、
前記第３シールドと前記第２シールドとの間に設けられた第５シールドと、
前記第４シールドと前記第２シールドとの間に設けられた第６シールドであって、前記第５シールドから前記第６シールドへの方向は前記第２方向に沿う、前記第６シールドと、
前記第１シールドと前記第２シールドとの間に設けられた第１磁性層であって、前記第１磁性層は、前記第２方向において前記第３シールドと前記第４シールドとの間にある、前記第１磁性層と、
前記第１磁性層と前記第２シールドとの間に設けられた第２磁性層であって、前記第２磁性層は、前記第２方向において前記第５シールドと前記第６シールドとの間にあり、前記第２磁性層は、前記第５シールド及び前記第６シールドと電気に接続された、前記第２磁性層と、
第１部材であって、前記第１部材は、第１領域及び第２領域を含み、前記第１領域は、前記第３シールドと前記第１磁性層との間に設けられ、前記第２領域は、前記第１磁性層と前記第４シールドとの間に設けられた、前記第１部材と、
前記第５シールドと電気的に接続された第１端子と、
前記第６シールドと電気的に接続された第２端子と、
前記第１磁性層と電気的に接続された第３端子と、
前記第２磁性層と電気的に接続された第４端子と、
を備えた磁気センサ。
（構成２）
前記第１端子と前記第２端子との間に第１電流が流れたときの前記第３端子と前記第４端子との間の電圧は、検出対象磁界に応じて変化可能である、構成１に記載の磁気センサ。
（構成３）
前記第５シールドと前記第２磁性層との間に設けられ前記第５シールド及び前記第２磁性層と電気的に接続された非磁性の第１導電領域と、
前記第２磁性層と前記第６シールドとの間に設けられ前記第２磁性層及び前記第６シールドと電気的に接続された非磁性の第２導電領域と、
をさらに備え、
前記第１領域における第１元素の濃度は、前記第１導電領域における前記第１元素の濃度よりも高く、前記第２領域における前記第１元素の濃度は、前記第２導電領域における前記第１元素の濃度よりも高い、または、前記第１導電領域及び前記第２導電領域は前記第１元素を含まず、前記第１元素は、酸素及び窒素よりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成１または２に記載の磁気センサ。
（構成４）
前記第１領域及び前記第２領域の少なくともいずれかは、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｈｆ及びＭｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む第２元素をさらに含む、構成３に記載の磁気センサ。
（構成５）
前記第１導電領域及び前記第２導電領域の少なくともいずれかは、Ａｕ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｈｆ、Ｗ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｔｂ及びＲｈよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成３または４に記載の磁気センサ。
（構成６）
前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた非磁性の第１中間層と、
前記第３シールドと前記第５シールドとの間に設けられた非磁性の第２中間層と、
前記第４シールドと前記第６シールドとの間に設けられた非磁性の第３中間層と、
をさらに備え、
前記第１中間層、前記第２中間層及び前記第３中間層の少なくともいずれかは、Ｒｕを含み、前記少なくともいずれかの前記第１方向に沿う厚さは、０．１ｎｍ以上１．０ｎｍ以下、または、１．４ｎｍ以上２．２ｎｍ以下、または、２．６ｎｍ以上３．５ｎｍ以下である、構成１～５のいずれか１つに記載の磁気センサ。
（構成７）
前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた非磁性の第１中間層と、
前記第３シールドと前記第５シールドとの間に設けられた非磁性の第２中間層と、
前記第４シールドと前記第６シールドとの間に設けられた非磁性の第３中間層と、
をさらに備え、
前記第１中間層、前記第２中間層及び前記第３中間層の少なくともいずれかは、Ｉｒを含み、前記少なくともいずれかの前記第１方向に沿う厚さは、０．３ｎｍ以上０．８ｎｍ以下、または、１．１ｎｍ以上１．６ｎｍ以下である、構成１～５のいずれか１つに記載の磁気センサ。
（構成８）
前記第１磁性層は、前記第２磁性層と反強磁性結合した、構成１～５のいずれか１つに記載の磁気センサ。
（構成９）
前記第２磁性層は、ＣｏＭｎＧａ、ＣｏＭｎＡｌ及びＦｅＰｔよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成１～８のいずれか１つに記載の磁気センサ。
（構成１０）
前記第１磁性層の材料は、前記第２磁性層の材料と異なる、構成１～９のいずれか１つに記載の磁気センサ。
（構成１１）
前記第１磁性層の前記第１方向に沿う第１磁性層厚さは、前記第２磁性層の前記第１方向に沿う第２磁性層厚さよりも薄い、構成９または１０に記載の磁気センサ。
（構成１２）
前記第１部材は、
前記第１シールドと前記第３シールドとの間に設けられた第３領域と、
前記第１シールドと前記第４シールドとの間に設けられた第４領域と、
をさらに含み、
前記第３領域及び前記第４領域は絶縁性である、構成１～１１のいずれか１つに記載の磁気センサ。
（構成１３）
前記第１領域は前記第３領域と連続し、
前記第２領域は前記第４領域と連続した、構成１２に記載の磁気センサ。
（構成１４）
前記第１部材は、
前記第５シールドと前記第２シールドとの間に設けられた第５領域と、
前記第６シールドと前記第２シールドとの間に設けられた第６領域と、
をさらに含み、
前記第５領域及び前記第６領域は絶縁性である、構成１～１３のいずれか１つに記載の磁気センサ。
（構成１５）
前記第１シールドと前記第１磁性層との間に設けられた非磁性の第４中間層と、
前記第２磁性層と前記第２シールドとの間に設けられた非磁性の第５中間層と、
をさらに備え、
前記第４中間層及び前記第５中間層は、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｈｆ、及びＭｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成１～１４のいずれか１つに記載の磁気センサ。
（構成１６）
前記第１導電領域の前記第２方向に沿う第１導電領域厚さは、１．０ｎｍ以上５．０ｎｍ以下であり、
前記第２導電領域の前記第２方向に沿う第２導電領域厚さは、１．０ｎｍ以上５．０ｎｍ以下である、構成３～５のいずれか１つに記載の磁気センサ。
（構成１７）
第１シールドと、
第２シールドと、
前記第１シールドと前記第２シールドとの間に設けられた第３シールドと、
前記第１シールドと前記第２シールドとの間に設けられた第４シールドであって、前記第３シールドから前記第４シールドへの第２方向は、前記第１シールドから前記第２シールドへの第１方向と交差した、前記第４シールドと、
前記第３シールドと前記第２シールドとの間に設けられた第５シールドと、
前記第４シールドと前記第２シールドとの間に設けられた第６シールドであって、前記第５シールドから前記第６シールドへの方向は前記第２方向に沿う、前記第６シールドと、
前記第１シールドと前記第２シールドとの間に設けられた第１磁性層であって、前記第１磁性層は、前記第２方向において前記第３シールドと前記第４シールドとの間にある、前記第１磁性層と、
前記第１磁性層と前記第２シールドとの間に設けられた第２磁性層であって、前記第２磁性層は、前記第２方向において前記第５シールドと前記第６シールドとの間にあり、前記第２磁性層は、前記第５シールド及び前記第６シールドと電気に接続され、前記第２磁性層は前記第１磁性層と反強磁性結合した、前記第２磁性層と、
第１部材であって、前記第１部材は、第１領域及び第２領域を含み、前記第１領域は、前記第３シールドと前記第１磁性層との間に設けられ、前記第２領域は、前記第１磁性層と前記第４シールドとの間に設けられた、前記第１部材と、
前記第５シールドと電気的に接続された第１端子と、
前記第６シールドと電気的に接続された第２端子と、
前記第１磁性層と電気的に接続された第３端子と、
前記第２磁性層と電気的に接続された第４端子と、
を備えた磁気センサ。
（構成１８）
前記第２磁性層は、Anomalous Hall Effectを有する、構成１～１７のいずれか１つに記載の磁気センサ。
（構成１９）
構成１～１８のいずれか１つに記載の磁気センサを備えた、磁気ヘッド。
（構成２０）
構成１９に記載の磁気ヘッドと、
磁気記録媒体と、
を備え、
前記磁気センサは、前記磁気記録媒体に記録された情報を再生可能である、磁気記録装置。
実施形態によれば、分解能の向上が可能な磁気センサ、磁気ヘッド、及び、磁気記録装置が提供できる。
本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、磁気センサ、磁気ヘッド、及び、磁気記録装置に含まれる、シールド、磁性層、導電領域、部材、中間層及び端子などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
その他、本発明の実施の形態として上述した磁気センサ、磁気ヘッド、及び、磁気記録装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての磁気センサ、磁気ヘッド、及び、磁気記録装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１１、１２：第１、第２磁性層、 １１Ｍ、１２Ｍ：第１、第２磁化、 ２１、２２：第１、第２導電領域、 ３１：第１部材、 ３１ａ～３２ｆ：第１～第６領域、 ４１～４６：第１～第６シールド、 ４３Ｍ～４６Ｍ：第３～第６磁化、 ５１～５４：第１～第４端子、 ６１～６５：第１～第５中間層、 ７０：再生部、 ７０Ａ、７０Ｂ：磁気センサ、 ７１：磁気再生素子、 ７２ａ、７２ｂ：第１、第２再生磁気シールド、 ７５ａ、７５ｂ：第１、第２回路、 ８０：磁気記録媒体、 ８１：磁気記録層、 ８２：媒体基板、 ８３：磁化、 ８５：媒体移動方向、 ９０：記録部、 ９１、９２：第１、第２磁極、 ９３：記録部素子、 １１０：磁気ヘッド、 １５０：磁気記録装置、 １５４：サスペンション、 １５５：アーム、 １５６：ボイスコイルモータ、 １５７：軸受部、 １５８：ヘッドジンバルアセンブリ、 １５９：ヘッドスライダ、 １５９Ａ：空気流入側、 １５９Ｂ：空気流出側、 １６０：ヘッドスタックアセンブリ、 １６１：支持フレーム、 １６２：コイル、 １８０：記録用媒体ディスク、 １８０Ｍ：スピンドルモータ、 １８１：記録媒体、 １９０：信号処理部、 ＡＲ：矢印、 Ｄ１～Ｄ３：第１～第３方向、 Ｖｘ：電圧、 ｉ１：第１電流、 ｔ１１、ｔ１２：第１、第２磁性層厚さ、 ｔ２１、ｔ２２：第１、第２導電領域厚さ

Claims (10)

  1. 第１シールドと、
    第２シールドと、
    前記第１シールドと前記第２シールドとの間に設けられた第３シールドと、
    前記第１シールドと前記第２シールドとの間に設けられた第４シールドであって、前記第３シールドから前記第４シールドへの第２方向は、前記第１シールドから前記第２シールドへの第１方向と交差した、前記第４シールドと、
    前記第３シールドと前記第２シールドとの間に設けられた第５シールドと、
    前記第４シールドと前記第２シールドとの間に設けられた第６シールドであって、前記第５シールドから前記第６シールドへの方向は前記第２方向に沿う、前記第６シールドと、
    前記第１シールドと前記第２シールドとの間に設けられた第１磁性層であって、前記第１磁性層は、前記第２方向において前記第３シールドと前記第４シールドとの間にある、前記第１磁性層と、
    前記第１磁性層と前記第２シールドとの間に設けられた第２磁性層であって、前記第２磁性層は、前記第２方向において前記第５シールドと前記第６シールドとの間にあり、前記第２磁性層は、前記第５シールド及び前記第６シールドと電気に接続された、前記第２磁性層と、
    第１部材であって、前記第１部材は、第１領域及び第２領域を含み、前記第１領域は、前記第３シールドと前記第１磁性層との間に設けられ、前記第２領域は、前記第１磁性層と前記第４シールドとの間に設けられた、前記第１部材と、
    前記第５シールドと電気的に接続された第１端子と、
    前記第６シールドと電気的に接続された第２端子と、
    前記第１磁性層と電気的に接続された第３端子と、
    前記第２磁性層と電気的に接続された第４端子と、
    を備えた磁気センサ。
  2. 前記第１端子と前記第２端子との間に第１電流が流れたときの前記第３端子と前記第４端子との間の電圧は、検出対象磁界に応じて変化可能である、請求項１に記載の磁気センサ。
  3. 前記第５シールドと前記第２磁性層との間に設けられ前記第５シールド及び前記第２磁性層と電気的に接続された非磁性の第１導電領域と、
    前記第２磁性層と前記第６シールドとの間に設けられ前記第２磁性層及び前記第６シールドと電気的に接続された非磁性の第２導電領域と、
    をさらに備え、
    前記第１領域における第１元素の濃度は、前記第１導電領域における前記第１元素の濃度よりも高く、前記第２領域における前記第１元素の濃度は、前記第２導電領域における前記第１元素の濃度よりも高い、または、前記第１導電領域及び前記第２導電領域は前記第１元素を含まず、前記第１元素は、酸素及び窒素よりなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項１に記載の磁気センサ。
  4. 前記第１導電領域及び前記第２導電領域の少なくともいずれかは、Ａｕ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｈｆ、Ｗ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｔｂ及びＲｈよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項３に記載の磁気センサ。
  5. 前記第１磁性層は、前記第２磁性層と反強磁性結合した、請求項１に記載の磁気センサ。
  6. 前記第２磁性層は、ＣｏＭｎＧａ、ＣｏＭｎＡｌ及びＦｅＰｔよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項１に記載の磁気センサ。
  7. 前記第１磁性層の前記第１方向に沿う第１磁性層厚さは、前記第２磁性層の前記第１方向に沿う第２磁性層厚さよりも薄い、請求項１に記載の磁気センサ。
  8. 第１シールドと、
    第２シールドと、
    前記第１シールドと前記第２シールドとの間に設けられた第３シールドと、
    前記第１シールドと前記第２シールドとの間に設けられた第４シールドであって、前記第３シールドから前記第４シールドへの第２方向は、前記第１シールドから前記第２シールドへの第１方向と交差した、前記第４シールドと、
    前記第３シールドと前記第２シールドとの間に設けられた第５シールドと、
    前記第４シールドと前記第２シールドとの間に設けられた第６シールドであって、前記第５シールドから前記第６シールドへの方向は前記第２方向に沿う、前記第６シールドと、
    前記第１シールドと前記第２シールドとの間に設けられた第１磁性層であって、前記第１磁性層は、前記第２方向において前記第３シールドと前記第４シールドとの間にある、前記第１磁性層と、
    前記第１磁性層と前記第２シールドとの間に設けられた第２磁性層であって、前記第２磁性層は、前記第２方向において前記第５シールドと前記第６シールドとの間にあり、前記第２磁性層は、前記第５シールド及び前記第６シールドと電気に接続された、前記第２磁性層は前記第１磁性層と反強磁性結合した、前記第２磁性層と、
    第１部材であって、前記第１部材は、第１領域及び第２領域を含み、前記第１領域は、前記第３シールドと前記第１磁性層との間に設けられ、前記第２領域は、前記第１磁性層と前記第４シールドとの間に設けられた、前記第１部材と、
    前記第５シールドと電気的に接続された第１端子と、
    前記第６シールドと電気的に接続された第２端子と、
    前記第１磁性層と電気的に接続された第３端子と、
    前記第２磁性層と電気的に接続された第４端子と、
    を備えた磁気センサ。
  9. 請求項１～８のいずれか１つに記載の磁気センサを備えた、磁気ヘッド。
  10. 請求項９に記載の磁気ヘッドと、
    磁気記録媒体と、
    を備え、
    前記磁気センサは、前記磁気記録媒体に記録された情報を再生可能である、磁気記録装置。
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