JPWO2010092691A1 - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
(特徴1)半導体装置の最表面の全面に表面電極を設ける。この場合、ワイヤボンディングする半導体装置の最表面を同一材料とすることで、ボンディング性を良好にすることができる。
(特徴2)導電性材料を、コンタクト領域に接触させるとともに、隣接する層間絶縁膜の間に連続して設ける。この場合、応力が集中しやすい層間絶縁膜の端部に導電性材料を接触させることで、応力緩和効果を高めることができる。
(第1実施例)
図1に、第1実施例に係る半導体装置100の一部の断面図を示す。半導体装置100は、縦型のIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)である。半導体装置100は、半導体基板12と層間絶縁膜14とエミッタ電極(表面電極)16と応力緩和部18とコレクタ電極24を備えている。半導体基板12内には、トレンチゲート電極8と、ゲート絶縁膜4と、コンタクト領域10と、ボディ領域6と、ドリフト領域2と、バッファ領域20と、コレクタ領域22が形成されている。トレンチゲート電極8は、半導体基板12の表面からコンタクト領域10とボディ領域6を貫通してドリフト領域2に達するまで伸びている。トレンチゲート電極8の壁面はゲート絶縁膜4で被覆されている。コンタクト領域10はn+型であり、半導体基板12の表面に臨む範囲に形成されており、エミッタ電極16に導通している。コンタクト領域10の一部には、図示しないp+型のボディコンタクト領域が形成されており、ボディ領域6の電位をエミッタ電極16の電位によって安定させる。ドリフト領域2は、n−型であり、バッファ領域20とコレクタ領域22を介してコレクタ電極24に導通している。ボディ領域2は、p−型であり、コンタクト領域10とドリフト領域2を分離している。バッファ領域20は、n+型であり、コレクタ領域22とドリフト領域2を分離している。コレクタ領域22は、p+型であり、コレクタ電極24との接触抵抗を低下させる。
図2に、実施例2に係る半導体装置200の断面図を示す。図2において、図1の参照符号に30を加えた部材は、図1で説明した部材と同一である。半導体装置200では、応力緩和部48が、コンタクト領域40の上方であって、エミッタ電極46の内部に設けられている。
図3に、第3実施例に係る半導体装置300の断面図を示す。図3において、図1の参照符号に60を加えた部材は、図1で説明した部材と同一である。半導体装置300では、応力緩和部78が、コンタクト領域70の上方であって、エミッタ電極76の裏面に設けられている。また、応力緩和部78は、コンタクト領域70と接触しており、隣接する層間絶縁膜74の間に連続して設けられている。
図4に、第4実施例に係る半導体装置400の断面図を示す。図4において、図1の参照符号に100を加えた部材は、図1で説明した部材と同一である。半導体装置400では、応力緩和部118が、コンタクト領域110と接触しており、隣接する層間絶縁膜114の間に連続して設けられている。また、応力緩和部118とエミッタ電極116の間に、両者を分離している導電部119が設けられている。応力緩和部118の材料とエミッタ電極116の材料は異なっている。導電部119の厚みはW11であり、層間絶縁膜114と導電性材料118の表面に連続して設けられている。導電部119の材料のヤング率は、エミッタ電極116の材料のヤング率よりも低く、かつ、応力緩和部118の材料のヤング率よりも高い。
図5に、第5実施例に係る半導体装置500の断面図を示す。図5において、図1の参照符号に130を加えた部材は、図1で説明した部材と同一である。半導体装置500では、層間絶縁膜144の厚みW16の影響を受けて、エミッタ電極146の表面に高さW15の滑らかな段差146aが形成されている。エミッタ電極146の表面の一部であって、コンタクト領域140の上方(段差146aの低い部分146a1)には、導電性材料148が設けられている。
図6に、第6実施例に係る半導体装置600の断面図を示す。図6において、図1の参照符号に160を加えた部材は、図1で説明した部材と同一である。半導体装置600では、応力緩和部178が、コンタクト領域170の上方の一部であって、エミッタ電極176の裏面に設けられている。導電性材料178は、隣接する層間絶縁膜174の間の一部に設けられている。また、導電性材料178は、コンタクト領域170と接触しており、層間絶縁膜174と接触していない。半導体装置600の応力緩和部178は、実施例3の半導体装置300の応力緩和部78の形成方法に従って、コンタクト領域170の上方の一部にのみ応力緩和部178を配置することで形成することができる。半導体装置600のエミッタ電極176は、第3実施例の半導体装置300のエミッタ電極76の形成方法に従って形成することができる。
図7に、第7実施例に係る半導体装置700の断面図を示す。図7において、図1の参照符号に200を加えた部材は、図1で説明した部材と同一である。半導体装置700では、エミッタ電極216の表面に、層間絶縁膜214の厚みW22の影響を受けて、高さW21の段差216aが形成されている。段差216aの高さW21は、層間絶縁膜214の厚みW22と略等しい。応力緩和部218は、エミッタ電極216の表面であって、一部のコンタクト領域210bの上方(段差216aの低い部分216a1)にのみ設けられている。他のコンタクト領域210a、210cの上方には、応力緩和部218が設けられていない。半導体装置700のエミッタ電極216は、第1実施例の半導体装置100のエミッタ電極16の形成方法に従って形成することができる。半導体装置700の応力緩和部218は、第1実施例の半導体装置100の応力緩和部18の形成方法に従って、一部のコンタクト領域210bの上方にのみ応力緩和部218を配置することで形成することができる。
図8に、第8実施例に係る半導体装置800の断面図を示す。半導体装置800は、プレーナゲート型のIGBTである。半導体装置800は、半導体基板242と、プレーナゲート電極243と、エミッタ電極246と、導電性材料248と、コレクタ電極254を備えている。半導体基板242内には、コンタクト領域240と、ボディ領域236と、ドリフト領域232と、バッファ領域250と、コレクタ領域252が形成されている。コンタクト領域240はn+型であり、半導体基板242の表面に臨む範囲に形成されており、エミッタ電極246に導通している。コンタクト領域240の一部には、図示しないp+型のボディコンタクト領域が形成されており、ボディ領域236の電位をエミッタ電極246の電位によって安定させる。ドリフト領域232は、n−型であり、半導体基板242の裏面に臨む範囲に形成されており、バッファ領域250とコレクタ領域252を介してコレクタ電極254に導通している。ボディ領域232は、p−型であり、コンタクト領域240とドリフト領域232を分離している。バッファ領域250は、n+型であり、コレクタ領域252とドリフト領域232を分離している。コレクタ領域252は、p+型であり、コレクタ電極254との接触抵抗を低下させる。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
4、34、64、104、134、164、204、244:ゲート絶縁膜
6、36、66、106、136、166、206、236:ボディ領域
8、38、68、108、138、168、208:トレンチゲート電極
10、40、70、110、140、170、210a、210b、210c、240:コンタクト領域
12、42、72、112、142、172、212、242:半導体基板
14、44、74、114、144、174、214、:層間絶縁膜
16、46、76、116、146、176、216、246:エミッタ電極
18、48、78、118、148、178、218、248:応力緩和部
20、50、80、120、150、180、220、250:バッファ領域
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24、54、84、124、154、184、224、254:コレクタ電極
119:導電部
213:プレーナゲート電極
(第1実施例)
図1に、第1実施例に係る半導体装置100の一部の断面図を示す。半導体装置100は、縦型のIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)である。半導体装置100は、半導体基板12と層間絶縁膜14とエミッタ電極(表面電極)16と応力緩和部18とコレクタ電極24を備えている。半導体基板12内には、トレンチゲート電極8と、ゲート絶縁膜4と、コンタクト領域10と、ボディ領域6と、ドリフト領域2と、バッファ領域20と、コレクタ領域22が形成されている。トレンチゲート電極8は、半導体基板12の表面からコンタクト領域10とボディ領域6を貫通してドリフト領域2に達するまで伸びている。トレンチゲート電極8の壁面はゲート絶縁膜4で被覆されている。コンタクト領域10はn+型であり、半導体基板12の表面に臨む範囲に形成されており、エミッタ電極16に導通している。コンタクト領域10の一部には、図示しないp+型のボディコンタクト領域が形成されており、ボディ領域6の電位をエミッタ電極16の電位によって安定させる。ドリフト領域2は、n−型であり、バッファ領域20とコレクタ領域22を介してコレクタ電極24に導通している。ボディ領域6は、p−型であり、コンタクト領域10とドリフト領域2を分離している。バッファ領域20は、n+型であり、コレクタ領域22とドリフト領域2を分離している。コレクタ領域22は、p+型であり、コレクタ電極24との接触抵抗を低下させる。
図4に、第4実施例に係る半導体装置400の断面図を示す。図4において、図1の参照符号に100を加えた部材は、図1で説明した部材と同一である。半導体装置400では、応力緩和部118が、コンタクト領域110と接触しており、隣接する層間絶縁膜114の間に連続して設けられている。また、応力緩和部118とエミッタ電極116の間に、両者を分離している導電部119が設けられている。応力緩和部118の材料とエミッタ電極116の材料は異なっている。導電部119の厚みはW11であり、層間絶縁膜114と応力緩和部118の表面に連続して設けられている。導電部119の材料のヤング率は、エミッタ電極116の材料のヤング率よりも低く、かつ、応力緩和部118の材料のヤング率よりも高い。
図5に、第5実施例に係る半導体装置500の断面図を示す。図5において、図1の参照符号に130を加えた部材は、図1で説明した部材と同一である。半導体装置500では、層間絶縁膜144の厚みW16の影響を受けて、エミッタ電極146の表面に高さW15の滑らかな段差146aが形成されている。エミッタ電極146の表面の一部であって、コンタクト領域140の上方(段差146aの低い部分146a1)には、応力緩和部148が設けられている。
図6に、第6実施例に係る半導体装置600の断面図を示す。図6において、図1の参照符号に160を加えた部材は、図1で説明した部材と同一である。半導体装置600では、応力緩和部178が、コンタクト領域170の上方の一部であって、エミッタ電極176の裏面に設けられている。応力緩和部178は、隣接する層間絶縁膜174の間の一部に設けられている。また、応力緩和部178は、コンタクト領域170と接触しており、層間絶縁膜174と接触していない。半導体装置600の応力緩和部178は、実施例3の半導体装置300の応力緩和部78の形成方法に従って、コンタクト領域170の上方の一部にのみ応力緩和部178を配置することで形成することができる。半導体装置600のエミッタ電極176は、第3実施例の半導体装置300のエミッタ電極76の形成方法に従って形成することができる。
図8に、第8実施例に係る半導体装置800の断面図を示す。半導体装置800は、プレーナゲート型のIGBTである。半導体装置800は、半導体基板242と、プレーナゲート電極243と、エミッタ電極246と、応力緩和部248と、コレクタ電極254を備えている。半導体基板242内には、コンタクト領域240と、ボディ領域236と、ドリフト領域232と、バッファ領域250と、コレクタ領域252が形成されている。コンタクト領域240はn+型であり、半導体基板242の表面に臨む範囲に形成されており、エミッタ電極246に導通している。コンタクト領域240の一部には、図示しないp+型のボディコンタクト領域が形成されており、ボディ領域236の電位をエミッタ電極246の電位によって安定させる。ドリフト領域232は、n−型であり、半導体基板242の裏面に臨む範囲に形成されており、バッファ領域250とコレクタ領域252を介してコレクタ電極254に導通している。ボディ領域236は、p−型であり、コンタクト領域240とドリフト領域232を分離している。バッファ領域250は、n+型であり、コレクタ領域252とドリフト領域232を分離している。コレクタ領域252は、p+型であり、コレクタ電極254との接触抵抗を低下させる。
4、34、64、104、134、164、204、244:ゲート絶縁膜
6、36、66、106、136、166、206、236:ボディ領域
8、38、68、108、138、168、208:トレンチゲート電極
10、40、70、110、140、170、210a、210b、210c、240:コンタクト領域
12、42、72、112、142、172、212、242:半導体基板
14、44、74、114、144、174、214、:層間絶縁膜
16、46、76、116、146、176、216、246:エミッタ電極
18、48、78、118、148、178、218、248:応力緩和部
20、50、80、120、150、180、220、250:バッファ領域
22、52、82、122、152、182、222、252:コレクタ領域
24、54、84、124、154、184、224、254:コレクタ電極
119:導電部
243:プレーナゲート電極
Claims (4)
- 半導体基板の表面に臨む範囲に間隔をあけて設けられている複数のコンタクト領域と、
半導体基板の表面であって、隣接するコンタクト領域の間に設けられている絶縁膜と、
半導体基板の上方に設けられており、各コンタクト領域と導通している表面電極と、
コンタクト領域の上方かつ、絶縁膜が設けられていない範囲内において、表面電極の表面と内部と裏面の少なくとも一箇所に設けられている応力緩和部と、を備えており、
応力緩和部は導電性材料で形成されており、
導電性材料のヤング率が表面電極の材料のヤング率よりも低いことを特徴とする半導体装置。 - 前記表面電極と前記応力緩和部の間に設けられており、第2の導電性材料により形成されている導電部を備えており、
第2の導電性材料のヤング率が、前記表面電極のヤング率よりも低く、かつ、前記導電性材料のヤング率よりも高いことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記導電性材料又は前記第2の導電性材料が導電性ポリマーであることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 半導体基板の表面に臨む範囲に間隔をあけて設けられている複数のコンタクト領域と、
半導体基板の表面に臨む範囲であって、隣接するコンタクト領域の間に設けられているドリフト領域と、
半導体基板の上方に設けられており、隣接するコンタクト領域の一部と対向しているとともにドリフト領域と対向しているプレーナゲート電極と、
半導体基板の上方に設けられており、コンタクト領域の一部と導通している表面電極と、
隣接するプレーナゲート電極の間の上方かつ、プレーナゲート電極が設けられていない範囲内において、表面電極の表面と内部と裏面の少なくとも一箇所に設けられている応力緩和部と、を備えており、
応力緩和部は導電性材料で形成されており、
導電性材料のヤング率が表面電極の材料のヤング率よりも低いことを特徴とする半導体装置。
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