DE102015219183B4 - Leistungshalbleiterbauelement, Halbleitermodul, Verfahren zum Verarbeiten eines Leistungshalbleiterbauelements - Google Patents
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- H01L2224/05664—Palladium [Pd] as principal constituent
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- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
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- H01L2224/45139—Silver (Ag) as principal constituent
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- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
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- H01L2224/484—Connecting portions
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- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
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- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
Abstract
Leistungshalbleiterbauelement (1), umfassend einen an einen ersten Lastanschluss (11) und an einen zweiten Lastanschluss (12) gekoppelten Halbleiterkörper (10) und konfiguriert zum Führen eines Laststroms zwischen dem ersten Lastanschluss (11) und dem zweiten Lastanschluss (12), wobei der erste Lastanschluss (11) Folgendes umfasst:
- eine an den Halbleiterkörper (10) gekoppelte zusammenhängende Metallschicht (11-1); und
- mindestens zwei Metallinseln (11-2), jeweils auf und in Kontakt mit der zusammenhängenden Metallschicht (11-1) angeordnet, jeweils kontaktiert durch ein Ende (31) mindestens eines Bonddrahts (3) und konfiguriert zum Empfangen mindestens eines Teils des Laststroms mit Hilfe des Bonddrahts (3), wobei die zusammenhängende Metallschicht (11-1) und die Metallinseln (11-2) aus dem gleichen Metall bestehen, und wobei die mindestens zwei Metallinseln (11-2) durch einen von der Herstellung der zusammenhängenden Metallschicht (11-1) separaten Abscheidungsschritt hergestellt sind.
- eine an den Halbleiterkörper (10) gekoppelte zusammenhängende Metallschicht (11-1); und
- mindestens zwei Metallinseln (11-2), jeweils auf und in Kontakt mit der zusammenhängenden Metallschicht (11-1) angeordnet, jeweils kontaktiert durch ein Ende (31) mindestens eines Bonddrahts (3) und konfiguriert zum Empfangen mindestens eines Teils des Laststroms mit Hilfe des Bonddrahts (3), wobei die zusammenhängende Metallschicht (11-1) und die Metallinseln (11-2) aus dem gleichen Metall bestehen, und wobei die mindestens zwei Metallinseln (11-2) durch einen von der Herstellung der zusammenhängenden Metallschicht (11-1) separaten Abscheidungsschritt hergestellt sind.
Description
- ERFINDUNGSGEBIET
- Diese Spezifikation bezieht sich auf Ausführungsformen eines Leistungshalbleiterbauelements, Ausführungsformen eines Halbleitermoduls und auf Ausführungsformen eines Verfahrens zum Verarbeiten eines Leistungshalbleiterbauelements. Diese Spezifikation bezieht sich insbesondere auf Ausführungsformen eines Leistungshalbleiterbauelements mit einem Lastanschluss mit verstärkten Bondpads für das Anbringen von Bonddrähten, auf Ausführungsformen eines entsprechenden Halbleitermoduls und auf Ausführungsformen eines entsprechenden Verfahrens zum Verarbeiten eines Leistungshalbleiterbauelements.
- ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK
- Viele Funktionen von modernen Einrichtungen in Kraftfahrzeug-, Verbraucher- und Industrieanwendungen, wie etwa das Umwandeln elektrischer Energie und Ansteuern eines Elektromotors oder einer elektrischen Maschine, basieren auf Halbleiterbauelementen. Beispielsweise sind IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors), Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) und Dioden, um nur einige wenige zu nennen, für verschiedene Anwendungen verwendet worden, einschließlich unter anderem Schalter in Stromversorgungen und Leistungswandlern.
- Üblicherweise umfasst ein Leistungshalbleiterbauelement mindestens einen ersten Lastanschluss zum Empfangen eines Laststroms und zum Koppeln des Laststroms in einem Halbleiterkörper des Leistungshalbleiterbauelements und einen zweiten Lastanschluss zum Ausgeben des Laststroms aus dem Halbleiterkörper heraus z.B. zu einer elektrischen Last.
- Dazu kann mindestens einer von solchen zwei Lastanschlüssen eines Leistungshalbleiterbauelements, z.B. während der Fabrikation des Leistungshalbleiterbauelements mit Hilfe von Bonden, z.B. Drahtbonden, mit seiner Verpackung verbunden werden.
- Beispielsweise wird ein Bonddraht verwendet, um eine Verbindung zwischen mindestens einem der Lastanschlüsse des Leistungshalbleiterbauelements und einem Anschluss eines Verpackung eines Halbleiterbauelements herzustellen.
- Die Druckschrift
DE 10 2004 059 389 A1 beschreibt eine sog. Ausgleichsmetallisierung für einen Leistungshalbleiter. Dort kann eine lokale Verstärkung eines Bondpads vorgesehen werden, wobei die Schrift herausstellt, dass sich die beiden Schichten, die die Verstärkung ausbilden, materialtechnisch unterscheiden können. - Die Druckschrift
DE 10 2005 019 574 A1 offenbart eine Kontaktierungsanordnung für einen Halbleiterkörper. Auch dort sind sandwichartig übereinander gelagerte Schichten vorgesehen, die sich materialtechnisch unterscheiden. - Die Druckschrift
US 5 298 793 A stellt eine weitere Kontaktierungsanordnung vor, bei der zwei Aluminiumschichten durch eine Nickelschicht voneinander separiert sind. - Die Druckschrift
US 3 921 200 A präsentiert ein sog. goldkompatibles Metallisierungssystem, das als Kontaktpad für HL-Bauelement verwendet werden kann. - Die
US 2011 / 0 309 436 A1 2 eine homogen abgeschiedene Leitschicht, die aufgrund eines lokalen Isolationsblocks unterhalb der Schicht eine entsprechende lokale Erhöhung aufweist. -
DE 10 2012 109 995 A1 zeigt in den2A /B einen strukturierten Anschluss, der lokale Erhöhungen aufweist. - KURZE DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
- Vorgeschlagen werden die Gegenstände der unabhängigen Ansprüche. Merkmale von beispielhaften Ausführungsformen sind in den Unteransprüchen angegeben.
- Der Fachmann wird zusätzliche Merkmale und Vorteile bei der Lektüre der folgenden ausführlichen Beschreibung und bei der Betrachtung der beiliegenden Zeichnungen erkennen.
- Figurenliste
- Die Teile in den Figuren sind nicht notwendigerweise maßstabsgetreu, wobei stattdessen die Betonung darauf gelegt wird, Prinzipien der Erfindung zu veranschaulichen. Zudem bezeichnen in den Figuren gleiche Bezugszahlen entsprechende Teile. Es zeigen:
-
1 schematisch eine Sektion eines vertikalen Querschnitts eines Halbleiterbauelements gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen; -
2A-B schematisch Schritte eines Verfahrens zum Verarbeiten eines Halbleiterbauelements gemäß einiger Ausführungsformen; -
2C schematisch Schritte eines Verfahrens zum Verarbeiten eines Halbleiterbauelements gemäß eines Beispiels; und -
3 schematisch eine Perspektivansicht auf ein Halbleitermodul gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen. - AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
- In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beiliegenden Zeichnungen Bezug genommen, in denen als Veranschaulichung spezifische Ausführungsformen gezeigt werden, wie die Erfindung praktiziert werden kann.
- In dieser Hinsicht kann unter Bezugnahme auf die Orientierung der beschriebenen Figuren Richtungsterminologie wie etwa „Oberseite“, „Boden“, „unterer“, „vorderer“, „hinterer“, „Rücken“, „davorliegender“, „dahinterliegender“, „unter“, „über“ usw. verwendet werden. Weil Teile von Ausführungsformen in einer Reihe verschiedener Orientierungen positioniert sein können, wird die Richtungsterminologie zu Zwecken der Veranschaulichung verwendet und ist auf keinerlei Weise beschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzbereich der vorliegenden Erfindung abzuweichen.
- Der Ausdruck „horizontal“, wie er in dieser Spezifikation verwendet wird, soll eine Orientierung im Wesentlichen parallel zu einer horizontalen Oberfläche eines Halbleitersubstrats oder eines Halbleitergebiets beschreiben. Dies kann beispielsweise die Oberfläche eines Halbleiterwafer oder eines Die sein. Beispielsweise können sowohl die erste laterale Richtung
X als auch die zweite laterale RichtungY , unten erwähnt, horizontale Richtungen sein, wobei die erste laterale RichtungX und die zweite laterale RichtungY senkrecht zueinander sein können. - Der Ausdruck „vertikal“, wie er in dieser Spezifikation verwendet wird, soll eine Orientierung beschreiben, die im Wesentlichen senkrecht zur horizontalen Oberfläche angeordnet ist, d.h. parallel zur normalen Richtung der Oberfläche des Halbleiterwafer. Beispielsweise kann die unten erwähnte vertikale Richtung
Z eine vertikale Richtung sein, die senkrecht sowohl zur ersten lateralen RichtungX als auch zur zweiten lateralen RichtungY verläuft. - In dieser Spezifikation wird n-dotiert als „erster Leitfähigkeitstyp“ bezeichnet, während p-dotiert als „zweiter Leitfähigkeitstyp“ bezeichnet wird. Alternativ können entgegengesetzte Dotierbeziehungen verwendet werden, so dass der erste Leitfähigkeitstyp p-dotiert sein kann und der zweite Leitfähigkeitstyp n-dotiert sein kann.
- Im Kontext der vorliegenden Spezifikation sollen die Ausdrücke „in ohmschem Kontakt“, „in elektrischem Kontakt“, „in ohmscher Verbindung“ und „elektrisch verbunden“ beschreiben, dass es eine niederohmige elektrische Verbindung oder einen niederohmigen Stromweg zwischen zwei Gebieten, Sektionen, Zonen, Abschnitten oder Teilen eines Halbleiterbauelements oder zwischen verschiedenen Anschlüssen eines oder mehrerer Bauelemente oder zwischen einem Anschluss oder einer Metallisierung oder einer Elektrode und einem Abschnitt oder Teil eines Halbleiterbauelements gibt. Weiterhin soll im Kontext der vorliegenden Spezifikation der Ausdruck „in Kontakt“ beschreiben, dass eine direkte physische Verbindung zwischen zwei Elementen des jeweiligen Halbleiterbauelements vorliegt; z.B. ein Übergang zwischen zwei Elementen, die miteinander in Kontakt stehen, darf kein weiteres Zwischenelement oder dergleichen enthalten.
- In dieser Spezifikation beschriebene spezifische Ausführungsformen betreffen, ohne darauf beschränkt zu sein, ein Leistungshalbleiterbauelement, das innerhalb eines Leistungswandlers oder einer Stromversorgung verwendet werden kann. Beispielsweise kann das Leistungshalbleiterbauelement eine oder mehrere Leistungshalbleiterzellen enthalten wie etwa eine monolithisch integrierte Diodenzelle und/oder eine monolithisch integrierte Transistorzelle und/oder eine monolithisch integrierte IGBT-Zelle und/oder eine monolithisch integrierte MGD-Zelle (MOS Gated Diode) und/oder eine monolithisch integrierte MOSFET-Zelle und/oder Ableitungen davon. Solche Diodenzellen und solche Transistorzellen können in ein Halbleitermodul integriert sein.
- Der Ausdruck „Leistungshalbleiterbauelement“, wie in dieser Spezifikation verwendet, soll ein Halbleiterbauelement auf einem einzelnen Chip mit Hochspannungsblockier- und/oder Hochstromführfähigkeiten beschreiben. Mit anderen Worten ist ein derartiges Leistungshalbleiterbauelement für einen starken Strom, typischerweise im Ampere-Bereich, z.B. bis zu mehreren dutzenden oder hunderten Ampere, und/oder hohe Spannungen, typischerweise über 15 V, besonders typischerweise 150 V, z.B. 1200 V und darüber, gedacht.
-
1 veranschaulicht schematisch eine Sektion eines vertikalen Querschnitts eines Leistungshalbleiterbauelements1 (im Folgenden stets „Halbleiterbauelement“)1 gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen. Das Halbleiterbauelement1 umfasst einen Halbleiterkörper10 , der sich entlang einer vertikalen RichtungZ , entlang einer ersten lateralen RichtungX und entlang einer zweiten lateralen RichtungY erstreckt.1 zeigt beispielhaft einen Querschnitt entlang derXZ -Ebene. Beispielsweise besitzt der Halbleiterkörper10 eine Gesamterstreckung entlang der vertikalen RichtungZ von höchstens 700 µm. - Der Halbleiterkörper
10 ist konfiguriert zum Führen eines Laststroms zwischen einem ersten Lastanschluss11 und einem zweiten Lastanschluss12 des Halbleiterbauelements1 . Beispielsweise wird der Laststrom mit Hilfe des ersten Lastanschlusses11 empfangen und durch den zweiten Lastanschluss12 ausgegeben und/oder umgekehrt. - Um beispielsweise einen Laststrom führen zu können, kann der Halbleiter
10 eine oder mehrere Dioden- und/oder Transistorzellen umfassen. Solche Zellen sind in1 nicht dargestellt, da ihr genaues Design gegenwärtig von geringerer Wichtigkeit ist. Vielmehr kann der Halbleiterkörper10 im Grunde eine beliebige Transistor- und/oder Diodenstruktur aufweisen, die heutzutage und in der Zukunft verwendet wird, einschließlich unter anderem einen IGBT, einen MOSFET, eine MOS-Gated Diode und/oder eine Diodenstruktur. Dazu kann der Halbleiterkörper10 ein oder mehrere erste Gebiete mit Dotierstoffen von einem ersten Leitfähigkeitstyp und ein oder mehrere zweite Gebiete mit Dotierstoffen von einem zum ersten Leitfähigkeitstyp komplementären zweiten Leitfähigkeitstyp umfassen. - Beispielsweise kann der zweite Lastanschluss
12 eine rückseitige Metallisierung umfassen, die mit Sektionen des Halbleiterkörpers10 in elektrischem Kontakt stehen kann, beispielsweise mit einer hochdotierten Halbleiterkontaktschicht (nicht dargestellt). - Der erste Lastanschluss
11 kann ein Teil einer vorderseitigen Metallisierung des Halbleiterbauelements1 sein oder diesen bilden. Beispielsweise kann der erste Lastanschluss11 einen Teil einer Sourcekontaktstruktur bilden, und der zweite Lastanschluss12 kann einen Teil einer Drainkontaktstruktur bilden. - Der erste Lastanschluss
11 umfasst eine zusammenhängende Metallschicht11-1 , die an den Halbleiterkörper10 gekoppelt ist. Beispielsweise ist die zusammenhängende Metallschicht11-1 elektrisch mit mindestens einer Sektion eines Halbleiterkörpers10 verbunden, beispielsweise mit einem oder mehreren nicht dargestellten Sourcegebieten des Halbleiterkörpers10 , beispielsweise mit n+-Gebieten und/oder p+-Gebieten. - Auf und in Kontakt mit der zusammenhängenden Metallschicht
11-1 sind mindestens zwei Metallinseln11-2 angeordnet. Wenngleich1 nur eine Insel11-2 zeigt, versteht sich, dass ein Halbleiterbauelement1 mehrere derartige Metallinseln11-2 umfassen kann. Die Inseln können gemäß den Positionen der Sourcegebiete angeordnet sein. Somit kann jede der Inseln eine gemeinsame Überlappung sowohl entlang der lateralen RichtungX als auchY mit einem jeweiligen Sourcegebiet aufweisen. Nachstehend wird u.a. von einer Metallinsel die Rede sein, wobei die entsprechenden Merkmale für die mindestens zwei Metallinseln gelten. - Die Metallinsel
11-2 ist konfiguriert zum Kontaktieren durch ein Ende31 eines Bonddrahts3 und zum Empfangen mindestens eines Teils des Laststroms mit Hilfe des Bonddrahts3 . - Das Material des Bonddrahts
3 kann mindestens eines von Aluminium, Kupfer, Silber und Gold umfassen. Der Durchmesser des Bonddrahts3 ist z.B. kleiner als der Durchmesser der Oberfläche der Metallinsel11-2 . Beispielsweise ist ein Durchmesser der Oberfläche der Metallinsel11-2 mindestens doppelt so groß wie der Durchmesser des ersten Endes31 des Bonddrahts3 . Ein horizontaler Querschnitt der Metallinsel11-1 innerhalb der XY-Ebene kann die Form von z.B. einer Ellipse, eines Rechtecks oder eines Kreises aufweisen. - Beispielsweise ist das Ende
31 des Bonddrahts3 mit Hilfe von Bonden, wie etwa Kugelbonden, Keilbonden und nachgiebigem Bonden, an der Oberfläche der Metallinsel11-2 fixiert. - Die zusammenhängende Metallschicht
11-1 kann durch Ausführen eines ersten Lithographieverarbeitungsschritts unter Verwendung einer nicht dargestellten ersten Resistmaske ausgebildet werden. Die mindestens eine Metallinsel11-2 kann durch Ausführen eines zweiten Lithographieverarbeitungsschritts unter Verwendung einer nicht dargestellten zweiten Resistmaske ausgebildet werden. - Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen bestehen die zusammenhängende Metallschicht
11-1 und die mindestens zwei Metallinseln11-2 aus dem gleichen Metall. Beispielsweise bilden die zusammenhängende Metallschicht11-1 und die mindestens zwei Metallinseln11-2 ein monolithisches Metallgebiet. Somit gibt es beispielsweise kein Zwischenelement zwischen der zusammenhängenden Metallschicht11-1 und der Metallinsel11-2 . - Es versteht sich, dass die zusammenhängende Metallschicht
11-1 einen Stapel aus einer oder mehreren nicht dargestellten Teilschichten umfassen kann, die z.B. eine Diffusionsbarrierenschicht beinhalten. Die zusammenhängende Metallschicht11-1 , z.B. die unterste der Teilschichten der zusammenhängenden Metallschicht11-1 , kann mit dem Halbleiterkörper10 in Kontakt stehen. Die unterste Teilschicht kann eine Diffusionsbarrierenschicht sein. Auf der anderen Seite kann die oberste der einen oder mehreren Teilschichten der zusammenhängenden Metallschicht11-1 mit der mindestens einen Metallinsel11-2 in Kontakt stehen. - Bezüglich der Materialien der zusammenhängenden Metallschicht
11-1 und der Metallinsel11-2 versteht sich, dass das Metall, das sowohl in der Metallinsel11-2 als auch der zusammenhängenden Metallschicht11-1 gemeinsam vorliegt, mindestens eines von Kupfer, Silber, Gold, Palladium, Zink, Nickel, Eisen und dergleichen umfassen kann. - Gemäß einer Ausführungsform sind die Materialien der mindestens zwei Metallinseln
11-2 und der zusammenhängenden Metallschicht11-1 zueinander vollständig identisch. Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst das in der zusammenhängenden Metallschicht11-1 vorliegende Metall eine erste Substanz, wenn die erste Substanz einen Materialanteil von höchstens 1% in der zusammenhängenden Metallschicht11-1 ausmacht. Der Materialanteil kann sogar signifikant unter 1% liegen, beispielsweise 0,5%, unter 0,1% oder sogar unter 0,05%. - Weiterhin kann das in den mindestens zwei Metallinseln
11-2 vorliegende Metall eine zweite Substanz umfassen, wobei die zweite Substanz einen Materialanteil von höchstens 1% in der mindestens zwei Metallinseln11-2 ausmachen kann. Wiederum kann auch der Materialanteil der zweiten Substanz signifikant unter 1% liegen, z.B. unter 0,5%, unter 0,1% oder sogar unter 0,05%. - Bei einer Ausführungsform können die erste Substanz und die zweite Substanz voneinander verschieden sein. Somit können zwei Metalllegierungen, die geringfügig voneinander verschieden sind, verwendet werden. Bei einer weiteren Ausführungsform können die erste Substanz und die zweite Substanz zueinander identisch sein. Außerdem können die oben erwähnten Materialanteile zueinander identisch sein oder voneinander verschieden sein. Dann sind das Material der Metallinseln
11-2 und das Material der zusammenhängenden Metallschicht zueinander identisch. - Somit kann das in der zusammenhängenden Metallschicht
11-1 vorliegende Metall einen ersten Verunreinigungsgrad aufweisen, und das in den mindestens zwei Metallinseln11-2 vorliegende Metall kann einen zweiten Verunreinigungsgrad aufweisen. Jeder des ersten Verunreinigungsgrads und des zweiten Verunreinigungsgrads kann gemäß einer Ausführungsform höchstens 1% betragen. Die Verunreinigungsgrade können unter 1% liegen, beispielsweise unter 0,5%, unter 0,1% oder sogar unter 0,05%. Beispielsweise sind sowohl der erste Verunreinigungsgrad als auch der zweite Verunreinigungsgrad zueinander identisch. - Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist der erste Verunreinigungsgrad von dem zweiten Verunreinigungsgrad verschieden.
- Beispielsweise wird das in der zusammenhängenden Metallschicht
11-1 vorliegende Metall aus einem ersten Elektrolyten gemäß einem elektrochemischen Prozess abgeschieden. Weiterhin wird das in den Metallinseln11-2 vorliegende Metall aus einem zweiten Elektrolyten gemäß einem elektrochemischen Prozess abgeschieden. Der erste und zweite Elektrolyt können zueinander identisch sein. Gemäß einer weiteren Ausführungsform können der erste und der zweite Elektrolyt voneinander verschieden sein. - Gemäß einer Ausführungsform können verschiedene Verunreinigungsgrade verwendet werden, um verschiedene Härtegrade innerhalb der Metallinseln
11-2 und der zusammenhängenden Metallschicht11-1 herzustellen. Beispielsweise liegt der Härtegrad der Metallinseln11-2 über dem Härtegrad der zusammenhängenden Metallschicht11-1 . - Beispielsweise stellt die Metallinsel
11-2 ein mechanisch verstärktes Gebiet dar, das eine stabile mechanische und elektrische Verbindung mit dem Ende31 des Bonddrahts3 gestattet. Mit anderen Worten kann die Metallinsel11-2 ein Bondpad bilden. - Hinsichtlich räumlichen Abmessungen kann die zusammenhängende Metallschicht
11-1 eine DickeT1 von mindestens 10 µm entlang einer vertikalen RichtungZ aufweisen. Beispielsweise ist die DickeT1 mindestens entlang einer der ersten lateralen RichtungX und der zweiten lateralen RichtungY im Wesentlichen konstant. Beispielsweise ist die DickeT1 entlang beider lateraler RichtungenX undY konstant, z.B. innerhalb des Bereichs von 3 bis 30 µm. - Die Metallinsel
11-2 kann eine DickeT2 von mindestens 5 µm entlang der vertikalen RichtungZ aufweisen. Beispielsweise ist die DickeT2 mindestens entlang einer der ersten lateralen RichtungX und der zweiten lateralen RichtungY im Wesentlichen konstant. Beispielsweise ist die DickeT2 entlang beider lateraler RichtungenX undY konstant, z.B. innerhalb des Bereichs von 5 bis 70 µm. - Bei einer Ausführungsform ist die Dicke
T1 der zusammenhängenden Metallschicht11-1 entlang beider lateraler RichtungenX undY konstant und beträgt 20 µm, und die DickeT2 der mindestens einen Metallinsel11-2 ist entlang beider lateraler RichtungenX undY konstant und beträgt 10 µm. - Somit kann der erste Lastanschluss
11 mindestens zwei Gebiete aufweisen, die jeweils eine lokal vergrößerte Metalldicke besitzt. Das jeweilige Gebiet kann ein Bondpad mit einer Gesamtmetalldicke von T1 + T2 bilden. - Beispielsweise erstreckt sich die jeweilige Metallinsel
11-2 für mindestens 5 µm und für höchstens 15 µm entlang der ersten lateralen RichtungX und für mindestens 5 µm und für höchstens 15 µm entlang der zweiten lateralen RichtungY . Je nach der Größe des Endes31 des Bonddrahts3 können die lateralen Erstreckungen der Metallinsel11-2 auch größer sein. Beispielsweise erstreckt sich die Metallinsel11-2 für mindestens 100 µm und für mindestens 100 µm entlang der zweiten lateralen RichtungY . Weiterhin kann sich in einer Ausführungsform die Metallinsel11-2 für höchstens 10000 µm entlang der ersten lateralen RichtungX und für höchstens 2000 µm entlang der zweiten lateralen RichtungY erstrecken. - Die zusammenhängende Metallschicht
11-1 hat laterale Erstreckungen, die größer sind als die lateralen Erstreckungen der jeweiligen Metallinsel11-2 , z.B. solche lateralen Erstreckungen, die für eine Chipvorderseitenmetallisierung üblich sind. Beispielsweise erstreckt sich die zusammenhängende Metallschicht11-1 für mindestens 400 µm entlang der ersten lateralen Richtung und für mindestens 400 µm entlang der zweiten lateralen RichtungY . - Somit bedeckt die jeweilige Metallinsel
11-2 gemäß einer Ausführungsform mindestens 5% und höchstens 60% einer Oberfläche11-10 der zusammenhängenden Metallschicht11-1 . - Der Halbleiterkörper
10 kann eine Gesamterstreckung entlang der vertikalen Richtung Z von mindestens 10µm aufweisen. Beispielsweise beträgt die Gesamterstreckung entlang der vertikalen Richtung Z des Halbleiterkörpers10 höchstens 700 µm. -
3 veranschaulicht schematisch eine Perspektivansicht auf ein Halbleitermodul5 gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen. Das Halbleitermodul5 umfasst ein Halbleiterbauelement1 , als Beispiel, gemäß den oben bezüglich1 schematisch dargestellten und erläuterten Ausführungsformen. Weiterhin kann das Halbleitermodul5 eine Verpackung4 umfassen, die das Halbleiterbauelement1 zumindest teilweise umgibt. Beispielsweise umfasst die Verpackung4 eine oder mehrere externe Lastschnittstellen und Steuerschnittstellen (nicht dargestellt), die jeweils konfiguriert sein können, um elektrisch mit mindestens einem eines Gatetreibers, einer Stromquelle, einer Last und eines Steuermittels elektrisch verbunden zu sein. Weiterhin kann die Verpackung4 einen oder mehrere nicht dargestellte mechanische Anschlüsse umfassen, die das mechanische Montieren der Verpackung4 z.B. innerhalb eines System-Rack oder etwas Ähnlichem gestatten. Die Verpackung kann ein elektrisch isolierendes Material umfassen. - Die Verpackung
4 kann eine Laststromschnittstelle41 umfassen, die innerhalb der Verpackung4 angeordnet sein kann. Weiterhin umfasst das Halbleitermodul5 mindestens zwei Bonddrähte, wobei nur ein Bonddraht3 gezeigt ist, der die Laststromschnittstelle41 elektrisch mit dem ersten Lastanschluss11 des Halbleiterbauelements1 z.B. auf eine wie oben bezüglich1 erläuterte Weise verbindet. Gleiches kann für den oder die weiteren Bonddrähte gelten. - Es versteht sich, dass der erste Lastanschluss
11 des Halbleiterbauelements1 der Ausführungsform von3 ein Design aufweisen kann, das dem oben bezüglich1 beispielhaft erläuterten Design ähnlich ist. Somit kann das Ende31 des Bonddrahts3 an der Metallinsel11-2 angebracht werden, wohingegen das andere Ende32 des Bonddrahts3 an der Laststromschnittstelle41 der Verpackung4 angebracht wird. Es versteht sich, dass das Halbleitermodul5 gewiss mehr als nur zwei Bonddrähte3 umfassen kann und dass das Halbleiterbauelement1 gewiss mehr als nur zwei Metallinseln11-2 umfassen kann, wobei die anderen Bonddrähte auch zum elektrischen Verbinden des ersten Lastanschlusses11 des Halbleiterbauelements1 mit der Laststromschnittstelle41 der Verpackung4 verwendet werden können. Beispielsweise wird die Laststromschnittstelle41 der Verpackung4 zum elektrischen Verbinden einer Source des Halbleiterbauelements mit einer externen Stromversorgung oder mit einer externen elektrischen Last verwendet. Jede der Metallinsel11-2 und der Laststromschnittstelle41 kann in der Form eines Bondpad vorliegen. - Mit Bezug auf die
2A-C werden nun einige Ausführungsformen und Beispiele des Verarbeitens eines Halbleiterbauelements erläutert. - Gemäß der schematisch in
2A dargestellten Ausführungsform wird ein Halbleiterkörper10 bereitgestellt (Schritt21 ), wobei der Halbleiter10 eine Oberfläche10-1 besitzt und konfiguriert ist zum Leiten eines Laststroms. Danach kann ein erster Lastanschluss11 hergestellt werden, der auf der Oberfläche10-1 angeordnet ist und der konfiguriert ist zum Empfangen des Laststroms. Das Herstellen des ersten Lastanschlusses11 kann das Abscheiden (Schritt22 ) eines ersten Materials umfassen, das ein Metall beinhaltet, das einen ersten Verunreinigungsgrad aufweist, um eine zusammenhängende Metallschicht11-1 auszubilden, die an das Halbleiterbauelement1 gekoppelt ist. In einem nächsten Schritt (Schritt23 ) wird ein zweites Material, das das gleiche Metall beinhaltet, das einen zweiten Verunreinigungsgrad aufweist, abgeschieden, um mindestens zwei Metallinseln11-2 auf und in Kontakt mit der zusammenhängenden Metallschicht11-1 auszubilden. Die hergestellten mindestens zwei Metallinseln11-2 sind konfiguriert zum Kontaktieren durch ein Ende31 eines Bonddrahts3 und zum Empfangen mindestens eines Teils des Laststroms mit Hilfe des Bonddrahts3 , wie unter Bezugnahme auf1 und3 oben erläutert worden ist. - Sowohl das Abscheiden des ersten Materials (Schritt
22 ) als auch das Abscheiden des zweiten Materials (Schritt23 ) können einen lithographischen Verarbeitungsschritt unter Verwendung einer oder mehrerer Masken beinhalten. Somit können sowohl die Metallschicht11-1 als auch die Metallinsel11-2 entlang mindestens einer der ersten lateralen RichtungX und der zweiten lateralen RichtungY strukturiert werden. - Innerhalb des Schritts des Abscheidens des zweiten Materials (Schritt
23 ) können mehrere Metallinseln11-2 hergestellt werden, die entlang der Oberfläche11-10 der zusammenhängenden Metallschicht11-1 gemäß einer Musterstruktur verteilt sein können, beispielsweise einer Musterstruktur, die nicht dargestellten Sourcegebieten entspricht, die im Halbleiterkörper10 enthalten sein können. - Weiterhin können sowohl das Abscheiden des ersten Materials (Schritt
22 ) als auch das Abscheiden des zweiten Materials (Schritt23 ) das Ausführen mindestens eines eines Elektroplattierungsverarbeitungsschritts und eines Sputterverarbeitungsschritts beinhalten. - Hinsichtlich des ersten und des zweiten Materials kann das, was oben bezüglich der ersten und zweiten Substanz beziehungsweise des ersten und zweiten Verunreinigungsgrads festgestellt worden ist, gleichermaßen für die oben beschriebenen Verfahren gelten.
- Im Hinblick auf eine Variante gemäß
2B können anstelle des Montierens der Metallinsel11-2 auf der Oberfläche11-10 der zusammenhängenden Metallschicht11-1 Ausnehmungen11-20 einer ersten Metallschicht11-0 hergestellt werden (siehe Schritt22-1 ), z.B. durch Anwenden eines Ätzschritts, um Teile der Oberfläche des Halbleiterkörpers10 zu exponieren. Dann können in einem nachfolgenden Schritt die Metallinseln11-2 an den Ausnehmungen11-20 hergestellt werden, d.h. an Sektionen der Oberfläche des Halbleiterkörpers10 , die nicht durch die erste Schicht11-0 bedeckt sind. Außerdem ist gemäß dieser Variante im Ergebnis die Metallinsel11-2 auf und in Kontakt mit einer zusammenhängenden Metallschicht11-1 angeordnet, wenngleich sie nicht direkt auf der Oberfläche der zusammenhängenden Metallschicht11-1 abgeschieden worden ist. - Gemäß einem anderen Beispiel, wie es schematisch in
2C dargestellt ist, wird eine dicke erste Metallschicht11-0 auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers10 abgeschieden (Schritt24 ). Dann können die Metallinseln11-2 unter Ausführen eines maskierten Ätzverarbeitungsschritts ausgebildet werden, um nur Teile der dicken Metallschicht11-0 zu entfernen, wodurch die zusammenhängende Metallschicht11-1 und die darauf angeordneten Metallinseln11-2 ausgebildet werden (Schritt25 ). - Gemäß den oben bezüglich
2A-B beschriebenen Ausführungsformen versteht sich, dass, nachdem der Halbleiterkörper10 und der erste Lastanschluss11 , die an einer Vorderseite des Halbleiterbauelements1 ausgebildet sein können, die Rückseite des Halbleiterbauelements1 verarbeitet werden kann, wobei die Verarbeitung das Ausbilden des zweiten Lastanschlusses12 , z.B. eine rückseitige Metallisierung, beinhalten kann. - Die oben beschriebenen Ausführungsformen beinhalten die Erkenntnis, dass es manchmal wünschenswert sein kann, das Beschädigen einer Chipmetallisierung während des Bondens zu vermeiden. Dazu kann eine Chipmetallisierung mit lokal verstärkten Gebieten bereitgestellt werden. Manchmal können solche verstärkten Gebiete ein anderes Material im Vergleich zu der übrigen Chipmetallisierung aufweisen, wobei das andere Material mindestens eines von Bor oder Phosphor oder eine entsprechende Legierung beinhalten kann. Solche zusätzlichen Materialien beziehungsweise solches zusätzliches Materialsystem innerhalb der Chipkonstruktion kann jedoch die Gesamtkomplexität der Chipkonstruktion erhöhen.
- Hinsichtlich der Beschädigungen wiederum kann der Bondprozess sogar das Material des Halbleiterkörpers beschädigen, das z.B. Silizium (Si) umfassen kann. Um solche und andere Beschädigungen zu vermeiden, ist es prinzipiell möglich, eine völlig dickere Chipmetallisierung zu verwenden. Das Verwenden einer Chipmetallisierung jedoch, die eine völlig vergrößerte Dicke aufweist, kann andere Probleme verursachen, wie etwa das Verarbeiten von Wafern, die eine vergleichsweise starke Waferdurchbiegung aufweisen.
- Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen werden mehrere Metallinseln auf der Oberseite der zusammenhängenden Metallschicht und nur in jenen lokal begrenzten Gebieten vorgesehen, die für den Anschluss von Bonddrähten erforderlich sind. Beispielsweise können mit Hilfe der Metallinseln Beschädigungen wie oben erwähnt vermieden werden, wenngleich das Halbleiterbauelement einer vergleichsweise hohen Bondlast ausgesetzt ist und obgleich die übrigen Teile der zusammenhängenden Metallschicht nicht durch eine Metallinsel bedeckt sind.
- Beispielsweise bestehen sowohl die zusammenhängende Metallschicht als auch die mindestens zwei Metallinseln aus Kupfer. Somit führen die Metallinseln gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kein neues Material beziehungsweise keine neue Metallisierung in die Chipkonstruktion ein. Beispielsweise können die Metallinseln auf die gleiche Weise wie die Chipmetallisierung ausgebildet werden, z.B. auf die gleiche Weise wie das Sourcepad. Dies kann das Ausführen eines elektrochemischen Abscheidungsverarbeitungsschritts beinhalten.
- Mit Hilfe des Bereitstellens der Metallinseln nur an den Gebieten, wo die Bonddrähte angebracht werden sollen, kann weiterhin die mittlere Dicke beziehungsweise eine durchschnittliche Dicke der Metallisierung des ersten Lastanschlusses vergleichsweise niedrig gehalten werden, was zu einer Reduktion bei der Waferdurchbiegung führen kann.
- Merkmale weiterer Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen definiert. Die Merkmale weiterer Ausführungsformen und die Merkmale der oben beschriebenen Ausführungsformen können miteinander kombiniert werden, um zusätzliche Ausführungsformen auszubilden, solange die Merkmale nicht explizit als zueinander alternativ beschrieben werden.
- Bei dem oben Gesagten wurden Ausführungsformen bezüglich Halbleiterbauelementen, -modulen und Verfahren und Systemen zum Verarbeiten eines Halbleiterwafer erläutert. Beispielsweise basieren diese Halbleiterbauelemente auf Silizium (Si). Dementsprechend kann ein monokristallines Halbleitergebiet oder eine monokristalline Halbleiterschicht, z.B. das Halbleitergebiet
10 der Ausführungsbeispiele, ein monokristallines Si-Gebiet oder eine monokristalline Si-Schicht sein. Bei anderen Ausführungsformen kann polykristallines oder amorphes Silizium eingesetzt werden. - Es versteht sich jedoch, dass die Halbleitergebiete
10 aus einem beliebigen Halbleitermaterial hergestellt werden können, das sich zum Herstellen eines Halbleiterbauelements eignet. Zu Beispielen für solche Materialien zählen unter anderem elementare Halbleitermaterialien wie etwa Silizium (Si) oder Germanium (Ge), Gruppe-IV-Verbundhalbleitermaterialien wie etwa Siliziumcarbid (SiC) oder Siliziumgermanium (SiGe), binäre, ternäre oder quaternäre III-V-Halbleitermaterialien wie etwa Galliumnitrid (GaN), Galliumarsenid (GaAs), Galliumphosphid (GaP), Indiumphosphid (InP), Indiumgalliumphosphid (InGaPa), Aluminiumgalliumnitrid (AIGaN), Aluminiumindiumnitrid (AlInN), Indiumgalliumnitrid (InGaN), Aluminiumgalliumindiumnitrid (AIGalnN) oder Indiumgalliumarsenidphosphid (InGaAsP) und binäre oder ternäre II-VI-Halbleitermaterialien wie etwa Cadmiumtellurid (CdTe) und Quecksilbercadmiumtellurid (HgCdTe), um einige zu nennen. Die oben erwähnten Halbleitermaterialien werden auch als „Homoübergangshalbleitermaterialien“ bezeichnet. Beim Kombinieren von zwei verschiedenen Halbleitermaterialien wird ein Heteroübergangshalbleitermaterial ausgebildet. Zu Beispielen für Heteroübergangshalbleitermaterialien zählen unter anderem Aluminiumgalliumnitrid (AlGaN)-Aluminiumgalliumindiumnitrid (AlGaInN), Indiumgalliumnitrid (InGaN)-Aluminiumgalliumindiumnitrid (AlGaInN), Indiumgalliumnitrid (InGaN)-Galliumnitrid (GaN), Aluminiumgalliumnitrid (AIGaN)-Galliumnitrid (GaN), Indiumgalliumnitrid (InGaN)-Aluminiumgalliumnitrid (AlGaN), Silizium-Siliziumcarbid (SixC1-x) und Silizium-SiGe-Heteroübergangshalbleitermaterialien. Für Leistungshalbleiterbauelementanwendungen werden gegenwärtig hauptsächlich Si-, SiC-, GaAs- und GaN-Materialien verwendet. - Räumlich relative Ausdrücke wie etwa „unter“, „darunter“, „unterer“, „über“, „oberer“ und dergleichen werden zur Erleichterung der Beschreibung verwendet, um das Positionieren eines Elements relativ zu einem zweiten Element zu erläutern. Diese Ausdrücke sollen verschiedene Orientierungen des jeweiligen Bauelements zusätzlich zu anderen Orientierungen als jenen in den Figuren dargestellten einschließen. Weiterhin werden Ausdrücke wie etwa „erster“, „zweiter“ und dergleichen ebenfalls verwendet, um verschiedene Elemente, Gebiete, Sektionen usw. zu beschreiben, und sind ebenfalls nicht beschränkend gedacht. Gleiche Ausdrücke beziehen sich in der Beschreibung durchweg auf gleiche Elemente.
- Wie hierin verwendet, sind die Ausdrücke „haben“, „enthalten“, „einschließlich“, „umfassend“, „aufweisend“ und dergleichen offene Ausdrücke, die die Anwesenheit erwähnter Elemente oder Merkmale anzeigen, zusätzliche Elemente oder Merkmale aber nicht ausschließen. Die Artikel „ein/eine/einer“ und „der/die/das“ sollen den Plural sowie den Singular beinhalten, sofern der Kontext nicht deutlich etwas Anderes angibt.
Claims (19)
- Leistungshalbleiterbauelement (1), umfassend einen an einen ersten Lastanschluss (11) und an einen zweiten Lastanschluss (12) gekoppelten Halbleiterkörper (10) und konfiguriert zum Führen eines Laststroms zwischen dem ersten Lastanschluss (11) und dem zweiten Lastanschluss (12), wobei der erste Lastanschluss (11) Folgendes umfasst: - eine an den Halbleiterkörper (10) gekoppelte zusammenhängende Metallschicht (11-1); und - mindestens zwei Metallinseln (11-2), jeweils auf und in Kontakt mit der zusammenhängenden Metallschicht (11-1) angeordnet, jeweils kontaktiert durch ein Ende (31) mindestens eines Bonddrahts (3) und konfiguriert zum Empfangen mindestens eines Teils des Laststroms mit Hilfe des Bonddrahts (3), wobei die zusammenhängende Metallschicht (11-1) und die Metallinseln (11-2) aus dem gleichen Metall bestehen, und wobei die mindestens zwei Metallinseln (11-2) durch einen von der Herstellung der zusammenhängenden Metallschicht (11-1) separaten Abscheidungsschritt hergestellt sind.
- Leistungshalbleiterbauelement (1) nach
Anspruch 1 , wobei die zusammenhängende Metallschicht (11-1) elektrisch mit mindestens einer Sektion des Halbleiterkörpers (10) verbunden ist. - Leistungshalbleiterbauelement (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die zusammenhängende Metallschicht (11-1) mit dem Halbleiterkörper (10) in Kontakt steht.
- Leistungshalbleiterbauelement (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die zusammenhängende Metallschicht (11-1) eine Dicke (T1) von mindestens 10 µm entlang einer vertikalen Richtung (Z) aufweist.
- Leistungshalbleiterbauelement (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei mindestens eine der mindestens zwei Metallinseln (11-2) eine Dicke (T2) von mindestens 5 µm entlang einer vertikalen Richtung (Z) aufweist.
- Leistungshalbleiterbauelement (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei sich mindestens eine der mindestens zwei Metallinseln (11-2) für mindestens 100 µm entlang einer ersten lateralen Richtung (X) und für mindestens 100 µm entlang einer zweiten lateralen Richtung (Y) erstreckt.
- Leistungshalbleiterbauelement (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei sich die zusammenhängende Metallschicht (11-1) für mindestens 400 µm entlang einer ersten lateralen Richtung (X) und/oder für mindestens 400 µm entlang einer zweiten lateralen Richtung (Y) erstreckt.
- Leistungshalbleiterbauelement (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine jeweilige der mindestens zwei Metallinseln (11-2) mindestens 5% und höchstens 60% einer Oberfläche (11-10) der zusammenhängenden Metallschicht (11-1) bedeckt.
- Leistungshalbleiterbauelement (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Halbleiterkörper (10) eine Gesamterstreckung entlang der vertikalen Richtung (Z) von weniger als 700 µm aufweist.
- Leistungshalbleiterbauelement (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Metall eines von Kupfer, Silber, Gold, Palladium, Zink, Nickel, Eisen ist.
- Leistungshalbleiterbauelement (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das in der zusammenhängenden Metallschicht (11-1) vorliegende Metall eine erste Substanz umfasst, wobei die erste Substanz einen Materialanteil von höchstens 1% in der zusammenhängenden Metallschicht (11-1) ausmacht.
- Leistungshalbleiterbauelement (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das in den mindestens zwei Metallinseln (11-2) vorliegende Metall eine zweite Substanz umfasst, wobei die zweite Substanz einen Materialanteil von höchstens 1% in den Metallinseln (11-2) ausmacht.
- Leistungshalbleiterbauelement (1) nach den
Ansprüchen 11 und12 , wobei die erste Substanz von der zweiten Substanz verschieden ist. - Leistungshalbleiterbauelement (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das in der zusammenhängenden Metallschicht (11-1) vorliegende Metall einen ersten Verunreinigungsgrad aufweist und wobei das in den Metallinseln (11-2) vorliegende Metall einen zweiten Verunreinigungsgrad aufweist.
- Leistungshalbleiterbauelement (1) nach
Anspruch 14 , wobei jeder des ersten Verunreinigungsgrads und des zweiten Verunreinigungsgrads höchstens 1% beträgt. - Halbleitermodul (5) umfassend ein Leistungshalbleiterbauelement (1), mindestens zwei Bonddrähte (3) und eine Verpackung (4), wobei das Leistungshalbleiterbauelement (1) einen an einen ersten Lastanschluss (11) und einen zweiten Lastanschluss (12) gekoppelten Halbleiterkörper (10) umfasst und konfiguriert ist zum Führen eines Laststroms zwischen dem ersten Lastanschluss (11) und dem zweiten Lastanschluss (12), wobei der erste Lastanschluss (11) Folgendes umfasst: - eine an den Halbleiterkörper (10) gekoppelte zusammenhängende Metallschicht (11-1); und - mindestens zwei Metallinseln (11-2), jeweils auf und in Kontakt mit der Metallschicht (11-1) angeordnet, jeweils durch ein Ende (31) eines der Bonddrähte (3) kontaktiert, und jeweils konfiguriert zum Empfangen mindestens eines Teils des Laststroms mit Hilfe des jeweiligen Bonddrahts (3), wobei die zusammenhängende Metallschicht (11-1) und die Metallinseln (11-2) aus dem gleichen Metall bestehen; wobei die Verpackung (4) das Leistungshalbleiterbauelement (1) mindestens teilweise umgibt und eine Laststromschnittstelle (41) umfasst, die durch die anderen Enden (32) der Bonddrähte (3) kontaktiert ist, und wobei die mindestens zwei Metallinseln (11-2) durch einen von der Herstellung der zusammenhängenden Metallschicht (11-1) separaten Abscheidungsschritt hergestellt sind.
- Verfahren (2) zum Verarbeiten eines Leistungshalbleiterbauelements (1), umfassend: - Bereitstellen (21) eines Halbleiterkörpers (10) mit einer Oberfläche (10-1) und konfiguriert zum Leiten eines Laststroms; - Herstellen eines ersten Lastanschlusses (11), auf der Oberfläche (10-1) des Halbleiterkörpers (10) angeordnet und konfiguriert zum Empfangen des Laststroms, wobei das Herstellen des ersten Lastanschlusses (11) Folgendes umfasst: - Abscheiden (22) eines ersten Materials, das ein Metall beinhaltet, das einen ersten Verunreinigungsgrad aufweist, um eine an den Halbleiterkörper (10) gekoppelte zusammenhängende Metallschicht (11-1) auszubilden; - Abscheiden (23) eines zweiten Materials, das das gleiche Metall beinhaltet, das einen zweiten Verunreinigungsgrad aufweist, um mindestens zwei Metallinseln (11-2) auf und in Kontakt mit der zusammenhängenden Metallschicht (11-1) auszubilden, - Kontaktieren jeder der mindestens zwei Metallinseln (11-2) durch ein Ende (31) eines jeweiligen Bonddrahts (3) und Konfigurieren jeder der mindestens zwei Metallinseln (11-2) zum Empfangen mindestens eines Teils des Laststroms mit Hilfe des Bonddrahts (3).
- Verfahren (2) nach
Anspruch 17 , wobei das Abscheiden (23) des zweiten Materials das Ausführen eines Lithographieverarbeitungsschritts unter Verwendung einer Maske beinhaltet. - Verfahren nach
Anspruch 17 oder18 , wobei mindestens eines von Abscheiden (22) des ersten Materials und Abscheiden (23) des zweiten Materials das Ausführen mindestens eines eines Elektroplattierungsverarbeitungsschritts und eines Sputterverarbeitungsschritts beinhaltet.
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