JP4906184B2 - 絶縁ゲート型半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法に係り、特にオン抵抗の低減を実現する絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
携帯端末の普及に伴い小型で大容量のリチュウムイオン電池が求められるようになってきた。このリチュウムイオン電池の充放電のバッテリーマネージメントを行う保護回路は携帯端末の軽量化のニーズにより、より小型で負荷ショートにも十分に耐えうるものでなくてはならない。かかる保護回路はリチュウムイオン電池の容器内に内蔵されるために小型化が求められ、チップ部品を多用したCOB(Chip on Board)技術が駆使され、小型化の要求に応えてきた。しかし一方ではリチュウムイオン電池に直列にパワーMOSFETを接続するのでこのパワーMOSFETのオン抵抗も極めて小さくするニーズがあり、これが携帯電話では通話時間や待機時間を長くするために不可欠の要素である。
【0003】
このためにチップを製造する上で微細加工によりセル密度を上げる開発が進められてきた。具体的には、チャネルが半導体基板表面に形成されるプレーナー構造ではセル密度は740万個/平方インチであったが、チャネルをトレンチの側面に形成するトレンチ構造の第1世代ではセル密度は2500万個/平方インチと大幅に向上した。さらにトレンチ構造の第2世代では、微細化によりセル密度は7200万個/平方インチまで向上できた。
【0004】
図14に従来のトレンチ構造のパワーMOSFETの構造をNチャネル型を例に示す。
【0005】
N+型のシリコン半導体基板21の上にN-型のエピタキシャル層からなるドレイン領域22を設け、その表面にP型のチャネル層24を設ける。チャネル層24を貫通し、ドレイン領域22まで到達するトレンチ27を設け、トレンチ27の内壁をゲート酸化膜31で被膜し、トレンチ27に充填されたポリシリコンよりなるゲート電極33を設ける。トレンチ27に隣接したチャネル層24表面にはN+型のソース領域35が形成され、隣り合う2つのセルのソース領域35間のチャネル層24表面にはP+型のボディコンタクト領域34を設ける。さらにチャネル層24にはソース領域35からトレンチ27に沿ってチャネル領域(図示せず)が形成される。ゲート電極33上は層間絶縁膜36で覆い、ソース領域35およびボディコンタクト領域34にコンタクトするソース電極37を設ける。
【0006】
図10から図14を参照して、従来のトレンチ構造のNチャネル型パワーMOSFETの製造工程を示す。
【0007】
図10では、N+型シリコン半導体基板21にN-型のエピタキシャル層を積層してドレイン領域22を形成する。予定のチャネル層24に選択的にボロンを注入した後、拡散してP型のチャネル層24を形成する。
【0008】
全面にCVD法によりNSG(Non−doped Silicate Glass)のCVD酸化膜25を生成し、マスク形成後ドライエッチングして部分的に除去し、チャネル層24が露出したトレンチ開口部26を形成する。
【0009】
CVD酸化膜25をマスクとしてトレンチ開口部26のシリコン半導体基板をCF系およびHBr系ガスにより異方性ドライエッチングし、チャネル層24を貫通してドレイン領域22まで達するトレンチ27を形成する。
【0010】
図11ではダミー酸化をしてトレンチ27内壁とCVD酸化膜25表面に酸化膜(図示せず)を形成し、その後、酸化膜とCVD酸化膜25をエッチングにより除去する。このダミー酸化を行う理由は、ドライエッチングの際のエッチングダメージを除去し、後のゲート酸化膜を安定に形成するためである。また、高温で熱酸化することによりトレンチ開口部26に丸みをつけ、トレンチ開口部26での電界集中を避ける効果もある。これにより、トレンチ27が形成される。
【0011】
図12では、全面を熱酸化してゲート酸化膜31を形成する。その後、トレンチ27に埋設されるゲート電極33を形成する。すなわち、全面にノンドープのポリシリコン層を付着し、リンを高濃度に注入・拡散して高導電率化を図る。その後全面に付着したポリシリコン層をマスクなしでドライエッチして、トレンチ27に埋設されたゲート電極33とする。
【0012】
図13ではレジスト膜PRによるマスクにより選択的にボロンをイオン注入し、P+型のボディコンタクト領域34を形成した後、レジスト膜PRを除去する。
【0013】
更に、新たなレジスト膜PRで予定のソース領域35およびゲート電極33を露出する様にマスクして、砒素をイオン注入し、N+型のソース領域35をトレンチ27に隣接するチャネル層24表面に形成した後、レジスト膜PRを除去する。
【0014】
図14では、全面にNSG層を形成後、BPSG(Boron Phosphorus Silicate Glass)層をCVD法により付着して、層間絶縁膜36を形成する。その後、レジスト膜をマスクにして少なくともゲート電極33上に層間絶縁膜36を残す。その後アルミニウムをスパッタ装置で全面に付着して、ソース領域35およびボディコンタクト領域34にコンタクトするソース電極37を形成する。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】
かかる従来のMOSFETではトレンチ開口部に広がるゲート酸化膜および層間絶縁膜のために、ソース領域とソース電極との接触面積が小さくなり、コンタクト抵抗が低減できない大きな要因となっていた。コンタクト抵抗はオン抵抗と直接的に関わるため、その低減が望まれている。現在は、セル密度を増やすことによりオン抵抗を低減するものが主流であるが、セル密度を増やすために微細化が進むとソース領域も更に微小となり、ソース電極との接触面積が稼げないためコンタクト抵抗が高くなり、オン抵抗も高くなってしまう問題がある。
【0016】
また、ソース電極とゲート電極間に設けられるBPSG層は、酸化膜であるため、各製造工程のイオン注入およびソース電極などの金属のスパッタ時に汚染され、その結果ゲート−ソース間でリーク電流が発生する場合があった。
【0017】
さらに、微細なセルの場合、ゲート電極上に設けた厚い層間絶縁膜のためにステップカバレジが大きく、アルミニウムで成膜するとコンタクト部分にボイドが発生しやすい問題もあった。
【0018】
【課題を解決するための手段】
本発明はかかる課題に鑑みてなされ、一導電型の半導体基板表面に逆導電型のチャネル層を形成する工程と、前記チャネル層を貫通し前記半導体基板まで到達するトレンチを形成する工程と、該トレンチの少なくとも前記チャネル層上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記トレンチに埋設される半導体材料からなるゲート電極を形成する工程と、前記チャネル層表面に一導電型のソース領域を形成する工程と、少なくとも前記ゲート電極上に層間絶縁膜を形成する工程と、全面にポリシリコンを堆積後エッチバックして前記層間絶縁膜の側面にサイドウォールを形成し、該サイドウォールの周囲が覆われ上部が露出するマスクを設けて該サイドウォールに一導電型不純物を導入する工程と、全面にソース電極を形成する工程とを具備することにより解決するものである。
【0020】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図1から図9を参照してトレンチ型パワーMOSFETをNチャネル型を例に説明する。
【0021】
図9に本発明のパワーMOSFETの構造の断面図を示す。
【0022】
トレンチ型パワーMOSFETは、半導体基板と、チャネル層と、トレンチと、ゲート酸化膜と、ゲート電極と、ソース領域と、層間絶縁膜と、サイドウォールと、ソース電極とから構成される。
【0023】
半導体基板は、N+型のシリコン半導体基板1の上にN-型のエピタキシャル層を積層してドレイン領域2とする。
【0024】
チャネル層4は、ドレイン領域2の表面に選択的にP型のボロンをイオン注入後、拡散してトレンチ7の深さよりも浅く形成する。このチャネル層4のトレンチ7に隣接した領域に、チャネル領域(図示せず)が形成される。
【0025】
トレンチ7は、半導体基板を異方性ドライエッチングして形成し、チャネル層4を貫通してドレイン領域2まで到達させる。一般的には半導体基板上に格子状またはストライプ状にトレンチ7を形成する。トレンチ7内壁にはゲート酸化膜11を設け、ゲート電極13を形成するためにポリシリコンを埋設する。
【0026】
ゲート酸化膜11は、少なくともチャネル層と接するトレンチ7内壁に数百Åの厚みに形成する。ゲート酸化膜11は絶縁膜であるので、トレンチ7内に設けられたゲート電極13と半導体基板に挟まれてMOS構造となっている。
【0027】
本発明の実施の形態では、コンタクト孔形成のマスク合わせずれを考慮するため、トレンチ開口部6の半導体基板表面にもゲート酸化膜11が残存している。
【0028】
ゲート電極13は、トレンチ7に埋設されたポリシリコンよりなり、該ポリシリコンには、低抵抗化を図るためにN型不純物が導入されている。このゲート電極13は、半導体基板の周囲を取り巻くゲート連結電極(図示せず)まで延在され、半導体基板上に設けられたゲートパッド電極(図示せず)に連結される。
【0029】
ソース領域15は、サイドウォール17直下のトレンチ7に隣接したチャネル層4表面にN+型不純物を拡散して形成される。トレンチ7からソース領域15およびボディコンタクト領域14の境界までの幅は、およそ0.5μmであり、その一部はトレンチ7開口部に広がる層間絶縁膜16およびゲート酸化膜11に覆われている。ソース領域15は全面に覆われたソース電極19とコンタクトするが、そのコンタクトは、これら絶縁膜に覆われていない部分のみとなる。
【0030】
ボディコンタクト領域14は、基板の電位安定化のため、隣り合うソース領域15の間のチャネル層4表面にP+型不純物を拡散して形成する。
【0031】
層間絶縁膜16は、少なくともゲート電極13を覆って形成され、NSG層16a、BPSG層16bのシリケートグラス層と、窒化膜16cからなる。NSG層16aは耐圧を持たせるためにゲート電極13上に1000Åの厚みに形成され、その上にはBPSG層16bを4000Å堆積する。BPSG層16bには耐圧性がないが、ソース電極19とゲート電極13の間の寄生容量を緩和するために厚みを持たせている。さらにBPSG層16b上には窒化膜16cを1000Åの厚みに形成する。
【0032】
全面にNSG層16a、BPSG層16b、窒化膜16cをそれぞれ堆積後にコンタクト孔をエッチングにより開口する。マスクの合わせずれがあるとゲート電極13が露出してしまうため、これを考慮して少なくともゲート電極13上を覆い、トレンチ7開口部にその一部を残して層間絶縁膜16が形成される。
【0033】
従来は、層間絶縁膜としてBPSG層等の酸化膜のみを使用していたため、各製造工程のイオン注入およびソース電極などの金属のスパッタ時に汚染され、その結果ゲート−ソース間でリーク電流が発生する場合があった。そこで、BPSG層16bの上にイオンブロッキング効果の高い窒化膜16cを堆積することにより層間絶縁膜16の汚染を防ぎ、リーク電流の低減が可能となる。
【0034】
サイドウォール17は、層間絶縁膜16の側面で層間絶縁膜16の厚さ方向に沿って形成される。その高さおよび幅はそれぞれ2000Åであり、サイドウォール17の側面はソース領域15とボディコンタクト領域14の境界よりも内側に位置する。また、半導体基板のソース領域15および全面を覆うソース電極19とコンタクトしており、ソース領域15と同型のN+型不純物が導入されるので、このサイドウォール17をソース領域として活用できる。
【0035】
コンタクト抵抗を低減するには、ソース領域15とソース電極19との接触面積を大きく取ることが望ましいが、ソース電極19とのコンタクト孔を形成するためにゲート電極13上に設けられるマスクは、合わせずれを考慮してゲート電極13よりも大きく設けられる。これにより、層間絶縁膜16およびゲート酸化膜11が少なくともゲート電極13上に残るように形成され、トレンチ開口部6の半導体基板表面に層間絶縁膜16およびゲート酸化膜11が残存することになる。このため、トレンチ7に隣接して設けられるソース領域15はその面積の一部をこれらの絶縁膜で覆われるため、ソース電極19との接触面積が少なく、コンタクト抵抗が低減してしまう。
【0036】
そこで、このサイドウォール17をソース領域として活用することにより、サイドウォール17側面でソース電極19との接触面積を大幅に増加できるので、セル自身のコンタクト抵抗を低減することができる。つまりセル密度を増やさなくとも、オン抵抗を大幅に低減できることになる。
【0037】
ソース電極19は、チタンナイトライド等のバリアメタル層19aに、タングステン19bを成膜し、その後アルミニウム19cをスパッタして所望の形状にエッチングして形成する。
【0038】
本発明の実施例のような微細化したセルの場合、隣接するトレンチの間隔が微小であるため、厚みのある層間絶縁膜の上にアルミニウムを直接スパッタすると、ステップカバレジが大きく、コンタクト孔のソース電極成膜部にボイドが発生しやすい。
【0039】
また、層間絶縁膜の応力によりアルミニウム配線が断線する、ストレスマイグレーションも発生する場合がある。
【0040】
そこで、金属が微細な部分に入りやすくするようにバリアメタル層19aをスパッタし、さらに、ストレスマイグレーション耐性が良く、被覆性の良いタングステン19bをCVD法により成膜し、アルミニウム19cをスパッタする。
【0041】
これにより、微細な部分にも金属が入り込むため、ボイドの発生が抑制でき、アルミニウム配線の断線も防ぐことができる。
【0042】
本発明の構造による特徴は、第1にソース領域上の層間絶縁膜側面にソース領域およびソース電極とコンタクトするサイドウォールを形成し、ソース領域と同型の不純物を導入することにより、サイドウォールをソース領域として活用することにある。
【0043】
従来のソース領域だけでは、トレンチ開口部の半導体基板表面に層間絶縁膜およびゲート電極が残存しているために、トレンチに隣接して設けられるソース領域はその面積の一部をこれらの絶縁膜で覆われるため、ソース電極との接触面積が少なくなってしまう。そこで、このサイドウォール部分をソース領域として活用することにより、サイドウォール側面でソース電極との接触面積を大幅に増加できる。
【0044】
つまり、セルを多数設けるなどしてセル密度を増加することにより半導体装置のオン抵抗を低減するのではなく、セル自身のオン抵抗を低減することが可能となるもので、具体的には従来と同じデザインルールのトレンチ型パワーMOSFETに比べて、コンタクト抵抗を1/3程度まで低減でき、オン抵抗の低減に大きく寄与できる。
【0045】
第2に層間絶縁膜の最上層に設けた窒化膜により、イオン注入などのプロセス汚染やソース電極などの金属をスパッタする際の外部汚染をを抑制でき、ゲート−ソース間のリーク電流を低減できる。
【0046】
第3にソース電極の金属層にバリアメタル層とタングステンを用いることにより微細なセル間の金属配線層に発生しやすいボイドを低減し、さらにストレスマイグレーションも抑制できるので、アルミニウム配線の断線を防げる利点を有する。
【0047】
次に本発明のパワーMOSFETの製造方法を図1から図9を参照してNチャネル型を例に説明する。
【0048】
トレンチ型パワーMOSFETの製造方法は、一導電型の半導体基板表面に逆導電型のチャネル層を形成する工程と、チャネル層を貫通し半導体基板まで到達するトレンチを形成する工程と、トレンチの少なくともチャネル層上にゲート絶縁膜を形成する工程と、トレンチに埋設される半導体材料からなるゲート電極を形成する工程と、チャネル層表面に一導電型のソース領域を形成する工程と、少なくともゲート電極上に層間絶縁膜を形成する工程と、全面にポリシリコンを堆積後エッチバックして層間絶縁膜の側面にサイドウォールを形成し、サイドウォールに一導電型不純物を導入する工程と、全面にソース電極を形成する工程とから構成される。
【0049】
本発明の第1の工程は図1に示すごとく、一導電型の半導体基板表面に逆導電型のチャネル層を形成することにある。
【0050】
N+型シリコン半導体基板1にN-型のエピタキシャル層を積層してドレイン領域2を形成する。予定のチャネル層4に選択的にボロンを注入した後、拡散してP型のチャネル層4を形成する。
【0051】
本発明の第2の工程は図2に示すごとく、チャネル層を貫通し半導体基板まで到達するトレンチを形成することにある。
【0052】
全面にCVD法によりNSG(Non−doped Silicate Glass)のCVD酸化膜5を生成し、ドライエッチングして部分的に除去し、チャネル層4が露出したトレンチ開口部6を形成する。
【0053】
CVD酸化膜5をマスクとしてトレンチ開口部6のシリコン半導体基板をCF系およびHBr系ガスにより異方性ドライエッチングし、チャネル層4を貫通してドレイン領域2まで達するトレンチ7を形成する。
【0054】
本発明の第3の工程は、図3に示す如く、トレンチの少なくともチャネル層上にゲート絶縁膜を形成することにある。
【0055】
全面をダミー酸化してトレンチ7内壁とCVD酸化膜5表面に酸化膜(図示せず)を形成し、その後、酸化膜とCVD酸化膜5をエッチングによりすべて除去する。このダミー酸化を行う理由は、ドライエッチングの際のエッチングダメージを除去し、ゲート酸化膜を安定に形成するためである。また、高温で熱酸化することによりトレンチ開口部6に丸みをつけ、トレンチ開口部6での電界集中を避ける効果もある。
【0056】
その後全面を熱酸化して厚さ数百Åのゲート酸化膜11を形成する。
【0057】
本発明の第4の工程は、図4に示す如く、トレンチに埋設される半導体材料からなるゲート電極を形成することにある。
【0058】
全面にノンドープのポリシリコン層を付着し、リンを高濃度に注入・拡散して高導電率化を図る。その後全面に付着したポリシリコン層をマスクなしでドライエッチして、トレンチ7に埋設されたゲート電極13とする。
【0059】
本発明の第5の工程は図5に示す如く、チャネル層表面に一導電型のソース領域を形成することにある。
【0060】
まず、トレンチ7間のチャネル層4を除いてレジスト膜PRによって、選択的にボロンをドーズ量5.0×1014でイオン注入し、P+型のボディコンタクト領域14を形成した後、レジスト膜PRを除去する。ボディコンタクト領域14はドレイン領域2とチャネル層4で形成される基板の電位安定化のために形成される。
【0061】
次に、新たにレジスト膜PRでトレンチ7および隣接したチャネル層4を除いてマスクし、選択的に砒素をドーズ量5.0×1015でイオン注入し、トレンチ7に隣接するチャネル層4表面にN+型のソース領域15を形成した後、レジスト膜PRを除去する。
【0062】
本発明の第6の工程は、図6に示す如く、少なくともゲート電極上に層間絶縁膜を形成することにある。まず、全面に耐圧性の高いNSG層16aを1000Å堆積後、BPSG層16bを4000Å堆積する。さらにこれらの上に窒化膜16cを1000Å堆積する。この厚いBPSG層16bにより、ゲート−ソース間の寄生容量を緩和している。しかし、BPSG層16bは酸化膜であるためイオン注入などのプロセス汚染や金属のスパッタなどの外部汚染により、リーク電流が発生する場合がある。そこで、イオンブロッキング効果の高い窒化膜16cをBPSG層16b上に設けることにより、層間絶縁膜16を汚染から保護し、リーク電流を抑制できる。
【0063】
さらに、ソース電極とのコンタクト孔を設けて、少なくともゲート電極13上を覆う層間絶縁膜16を形成する。レジストによるマスクを設けてエッチングにより層間絶縁膜16を部分的に除去する。このとき、マスク合わせずれによりゲート電極13が露出するのを防ぐために、トレンチ開口部6の半導体基板表面に層間絶縁膜16およびゲート酸化膜11が残存するようにエッチングする。
【0064】
本発明の第7の工程は、図7および図8に示す如く、全面にポリシリコンを堆積後エッチバックして層間絶縁膜の側面にサイドウォールを形成し、サイドウォールに一導電型不純物を導入することにある。
【0065】
本工程は本発明の特徴となる工程であり、図7では全面にポリシリコンを2000Åの厚みに堆積後、エッチバックする。これにより層間絶縁膜16側面に沿ってソース領域15に達するサイドウォール17が形成される。
【0066】
図8では全面にNSG層18を6000Å堆積し、サイドウォール17の上部が露出するまでエッチバックし、NSG層18をマスクとして全面にソース領域15と同型不純物であるヒ素をイオン注入する。このときの不純物濃度は前記のソース領域15形成時の不純物濃度と同じとし、露出したサイドウォール17の上部から不純物が導入される。その後、サイドウォール17中に不純物を拡散して、NSG層18をウエットエッチングにより除去する。
【0067】
これにより、ソース領域15と同型の不純物を含むサイドウォール17が、ソース領域15上に形成される。
【0068】
チャネル層4表面に形成されたソース領域15はその一部を層間絶縁膜16およびゲート酸化膜11により覆われてしまうが、このサイドウォール17をソース領域として活用できるために、後の工程で形成されるソース電極との接触面積が増大し、コンタクト抵抗を大幅に低減できる。
【0069】
本発明の第8の工程は、図9に示す如く、全面にソース電極を形成することにある。
【0070】
NSG層18を除去後、バリアメタル層19aであるチタンナイトライドを成膜し、タングステン19bをCVD法により堆積する。その後アルミニウム19cをスパッタしてソース電極19とする。バリアメタル層19aおよびタングステン19bを成膜することにより、層間絶縁膜16によるステップカバレジの影響を抑え、ボイドの発生が低減できる。さらにストレスマイグレーションも抑制できるので、アルミニウム配線の断線を防げる。
【0071】
【発明の効果】
本発明の構造に依れば、第1に、層間絶縁膜側面に設けたポリシリコンよりなるサイドウォールがソース領域として活用できる。これにより、ソース電極との接触面積が大幅に増加するため、コンタクト抵抗を低減できる。
【0072】
つまりセル数を増やすなどしてセル密度の増加により、半導体装置のオン抵抗を低減するのではなく、セル自身のオン抵抗を低減することが可能となるもので、具体的には従来と同じデザインルールのトレンチ型パワーMOSFETに比べて、コンタクト抵抗を1/3程度まで低減でき、オン抵抗の低減に大きく寄与できる。
【0073】
第2に層間絶縁膜の最上層に設けたイオンブロッキング効果の高い窒化膜により、BPSG層のプロセス汚染および外部汚染を抑制できるので、ゲート−ソース間のリーク電流を低減できる。
【0074】
第3に金属配線にバリアメタル層とタングステンを用いることにより微細なセル間の金属配線層に発生しやすいボイドを低減し、さらにストレスマイグレーションも抑制できるので、アルミニウム配線の断線を防げる。
【0075】
また、本発明の製造方法に依れば、ソース領域として活用できるポリシリコンからなるサイドウォールを形成でき、ソース電極との接触面積を大幅に増加することができる。これによりコンタクト抵抗を低減できるので、セル自身のオン抵抗を低減できる絶縁ゲート型半導体装置の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の絶縁ゲート型半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図2】本発明の絶縁ゲート型半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図3】本発明の絶縁ゲート型半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図4】本発明の絶縁ゲート型半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図5】本発明の絶縁ゲート型半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図6】本発明の絶縁ゲート型半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図7】本発明の絶縁ゲート型半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図8】本発明の絶縁ゲート型半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図9】本発明の絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法を説明する断面図である。
【図10】従来の絶縁ゲート型半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図11】従来の絶縁ゲート型半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図12】従来の絶縁ゲート型半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図13】従来の絶縁ゲート型半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図14】従来の絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法を説明する断面図である。
Claims (6)
- 一導電型の半導体基板表面に逆導電型のチャネル層を形成する工程と、
前記チャネル層を貫通し前記半導体基板まで到達するトレンチを形成する工程と、
該トレンチの少なくとも前記チャネル層上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記トレンチに埋設される半導体材料からなるゲート電極を形成する工程と、
前記チャネル層表面に一導電型のソース領域を形成する工程と、
少なくとも前記ゲート電極上に層間絶縁膜を形成する工程と、
全面にポリシリコンを堆積後エッチバックして前記層間絶縁膜の側面にサイドウォールを形成する工程と、
該サイドウォールの周囲が覆われ上部が露出するマスクを設けて該サイドウォールに一導電型不純物を導入する工程と、
全面にソース電極を形成する工程とを具備することを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置の製造方法。 - 一導電型の半導体基板表面に逆導電型のチャネル層を形成する工程と、
前記チャネル層を貫通し前記半導体基板まで到達するトレンチを形成する工程と、
該トレンチの少なくとも前記チャネル層上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記トレンチに埋設される半導体材料からなるゲート電極を形成する工程と、
前記チャネル層表面に一導電型のソース領域を形成する工程と、
少なくとも前記ゲート電極上に第1の層間絶縁膜を形成し、該第1の層間絶縁膜上に第2の層間絶縁膜を形成する工程と、
全面にポリシリコンを堆積後エッチバックして前記第1および第2の層間絶縁膜の側面にサイドウォールを形成する工程と、
前記サイドウォールを覆う厚みの他の絶縁膜を形成し、前記サイドウォールの上部が露出するまで前記絶縁膜をエッチバックして前記サイドウォールの上部に一導電型不純物を導入する工程と、
全面にソース電極を形成する工程とを具備することを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置の製造方法。 - 前記サイドウォールは前記ソース領域表面まで達して形成されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の絶縁ゲート型半導体装置の製造方法。
- 前記第1の層間絶縁膜はシリケートグラス層で、第2の層間絶縁膜は窒化膜で形成されることを特徴とする請求項2に記載の絶縁ゲート型半導体装置の製造方法。
- 前記ソース電極はバリアメタル層、タングステン、アルミニウムの3層を積層して形成されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の絶縁ゲート型半導体装置の製造方法。
- 前記一導電型不純物の不純物濃度は、前記ソース領域形成時の不純物濃度と同じであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の絶縁ゲート型半導体装置の製造方法。
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