JPWO2010050266A1 - 銅の表面処理方法及び銅 - Google Patents
銅の表面処理方法及び銅 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2010050266A1 JPWO2010050266A1 JP2010535702A JP2010535702A JPWO2010050266A1 JP WO2010050266 A1 JPWO2010050266 A1 JP WO2010050266A1 JP 2010535702 A JP2010535702 A JP 2010535702A JP 2010535702 A JP2010535702 A JP 2010535702A JP WO2010050266 A1 JPWO2010050266 A1 JP WO2010050266A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- treatment
- copper
- surface treatment
- wiring
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 413
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 title claims abstract description 389
- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims abstract description 338
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 332
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 217
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 107
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 102
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 62
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 26
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 26
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 26
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 450
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 123
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 1H-pyrrole Natural products C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 111
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 claims description 93
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 78
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims description 73
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 71
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 64
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims description 48
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims description 48
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- -1 azole compound Chemical class 0.000 claims description 36
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims description 30
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 27
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 claims description 18
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 16
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 10
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 claims description 9
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 7
- XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M Chlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)=O XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- WQYVRQLZKVEZGA-UHFFFAOYSA-N hypochlorite Chemical compound Cl[O-] WQYVRQLZKVEZGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 4
- 229910001919 chlorite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052619 chlorite group Inorganic materials 0.000 claims description 3
- QBWCMBCROVPCKQ-UHFFFAOYSA-N chlorous acid Chemical compound OCl=O QBWCMBCROVPCKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M perchlorate Inorganic materials [O-]Cl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000005385 peroxodisulfate group Chemical group 0.000 claims description 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 249
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 198
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 173
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 168
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 141
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 120
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 94
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 94
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 87
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 87
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical class [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 81
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 81
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 81
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 61
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 60
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 59
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 56
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 40
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 39
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 38
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 37
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 34
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 34
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 33
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 description 32
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 25
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 25
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 23
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 20
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 18
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 17
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 16
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 16
- TXUICONDJPYNPY-UHFFFAOYSA-N (1,10,13-trimethyl-3-oxo-4,5,6,7,8,9,11,12,14,15,16,17-dodecahydrocyclopenta[a]phenanthren-17-yl) heptanoate Chemical compound C1CC2CC(=O)C=C(C)C2(C)C2C1C1CCC(OC(=O)CCCCCC)C1(C)CC2 TXUICONDJPYNPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 15
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000001119 stannous chloride Substances 0.000 description 15
- 235000011150 stannous chloride Nutrition 0.000 description 15
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 15
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 14
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 14
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 14
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 13
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 12
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 11
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 10
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 9
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- UKLNMMHNWFDKNT-UHFFFAOYSA-M sodium chlorite Chemical compound [Na+].[O-]Cl=O UKLNMMHNWFDKNT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 229960002218 sodium chlorite Drugs 0.000 description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 238000011161 development Methods 0.000 description 7
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 6
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 6
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- SDXAWLJRERMRKF-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethyl-1h-pyrazole Chemical compound CC=1C=C(C)NN=1 SDXAWLJRERMRKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002585 base Substances 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 5
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 5
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 150000002940 palladium Chemical class 0.000 description 5
- 239000001488 sodium phosphate Substances 0.000 description 5
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 5
- RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 5
- 235000019801 trisodium phosphate Nutrition 0.000 description 5
- 229910000406 trisodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 5
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 4
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 4
- 239000006089 photosensitive glass Substances 0.000 description 4
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 3
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 3
- AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N L-threonine Chemical compound C[C@@H](O)[C@H](N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N 0.000 description 3
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 3
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 239000004643 cyanate ester Substances 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 3
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 3
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 3
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 3
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 3
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 3
- PMJHHCWVYXUKFD-SNAWJCMRSA-N (E)-1,3-pentadiene Chemical compound C\C=C\C=C PMJHHCWVYXUKFD-SNAWJCMRSA-N 0.000 description 2
- BPXVHIRIPLPOPT-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(2-hydroxyethyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound OCCN1C(=O)N(CCO)C(=O)N(CCO)C1=O BPXVHIRIPLPOPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004641 Diallyl-phthalate Substances 0.000 description 2
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 2
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N L-glutamic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N 0.000 description 2
- COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N L-phenylalanine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 2
- QIVBCDIJIAJPQS-VIFPVBQESA-N L-tryptophane Chemical compound C1=CC=C2C(C[C@H](N)C(O)=O)=CNC2=C1 QIVBCDIJIAJPQS-VIFPVBQESA-N 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 2
- DATAGRPVKZEWHA-YFKPBYRVSA-N N(5)-ethyl-L-glutamine Chemical compound CCNC(=O)CC[C@H]([NH3+])C([O-])=O DATAGRPVKZEWHA-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 2
- 239000004693 Polybenzimidazole Substances 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N aluminum;borate Chemical compound [Al+3].[O-]B([O-])[O-] OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 2
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N bis(prop-2-enyl) benzene-1,2-dicarboxylate Chemical compound C=CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC=C QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical compound B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OVBPIULPVIDEAO-LBPRGKRZSA-N folic acid Chemical compound C=1N=C2NC(N)=NC(=O)C2=NC=1CNC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CCC(O)=O)C(O)=O)C=C1 OVBPIULPVIDEAO-LBPRGKRZSA-N 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000007849 furan resin Substances 0.000 description 2
- YMAWOPBAYDPSLA-UHFFFAOYSA-N glycylglycine Chemical compound [NH3+]CC(=O)NCC([O-])=O YMAWOPBAYDPSLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N isobutyric acid Chemical compound CC(C)C(O)=O KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 2
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 2
- SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N picolinic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=N1 SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 2
- 229920002480 polybenzimidazole Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 2
- CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L sodium persulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N succinic acid Chemical compound OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 2
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003536 tetrazoles Chemical class 0.000 description 2
- LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N trans-crotonic acid Natural products CC=CC(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 2
- LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K tripotassium phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])([O-])=O LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- NRSBQSJHFYZIPH-DMTCNVIQSA-N (2s,4r)-pyrrolidine-2,4-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)[C@H]1CN[C@H](C(O)=O)C1 NRSBQSJHFYZIPH-DMTCNVIQSA-N 0.000 description 1
- RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N -2,3-Dihydroxypropanoic acid Natural products OCC(O)C(O)=O RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNSDLXPSAYFUHK-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis(2-ethylhexyl) sulfosuccinate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)CC(S(O)(=O)=O)C(=O)OCC(CC)CCCC HNSDLXPSAYFUHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEMAOEFPZAIMCN-UHFFFAOYSA-N 1H-pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1.C=1C=NNC=1 IEMAOEFPZAIMCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWKSKIMOESPYIA-UHFFFAOYSA-N 2-acetamido-3-sulfanylpropanoic acid Chemical compound CC(=O)NC(CS)C(O)=O PWKSKIMOESPYIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QDGAVODICPCDMU-UHFFFAOYSA-N 2-amino-3-[3-[bis(2-chloroethyl)amino]phenyl]propanoic acid Chemical compound OC(=O)C(N)CC1=CC=CC(N(CCCl)CCCl)=C1 QDGAVODICPCDMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQUFOZNPBIIJTN-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropane-1,2,3-tricarboxylic acid;sodium Chemical compound [Na].OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O OQUFOZNPBIIJTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZSXEZOLBIJVQK-UHFFFAOYSA-N 2-methylsulfonylbenzoic acid Chemical compound CS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O BZSXEZOLBIJVQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methoxyethoxy)benzohydrazide Chemical compound COCCOC1=CC=CC(C(=O)NN)=C1 GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930024421 Adenine Natural products 0.000 description 1
- GFFGJBXGBJISGV-UHFFFAOYSA-N Adenine Chemical compound NC1=NC=NC2=C1N=CN2 GFFGJBXGBJISGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000132007 Bahia Species 0.000 description 1
- 229930194845 Bahia Natural products 0.000 description 1
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical group N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 description 1
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBNPOMFGQQGHHO-UWTATZPHSA-N D-glyceric acid Chemical compound OC[C@@H](O)C(O)=O RBNPOMFGQQGHHO-UWTATZPHSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 1
- 108010008488 Glycylglycine Proteins 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- DATAGRPVKZEWHA-UHFFFAOYSA-N L-gamma-glutamyl-n-ethylamine Natural products CCNC(=O)CCC(N)C(O)=O DATAGRPVKZEWHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N L-histidine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- 235000017858 Laurus nobilis Nutrition 0.000 description 1
- OVBPIULPVIDEAO-UHFFFAOYSA-N N-Pteroyl-L-glutaminsaeure Natural products C=1N=C2NC(N)=NC(=O)C2=NC=1CNC1=CC=C(C(=O)NC(CCC(O)=O)C(O)=O)C=C1 OVBPIULPVIDEAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000005708 Sodium hypochlorite Substances 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-M Thiocyanate anion Chemical compound [S-]C#N ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- AYFVYJQAPQTCCC-UHFFFAOYSA-N Threonine Natural products CC(O)C(N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004473 Threonine Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 229960000643 adenine Drugs 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001341 alkaline earth metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium peroxydisulfate Substances [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VAZSKTXWXKYQJF-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)OOS([O-])=O VAZSKTXWXKYQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 1
- 150000003851 azoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- KDPAWGWELVVRCH-UHFFFAOYSA-N bromoacetic acid Chemical compound OC(=O)CBr KDPAWGWELVVRCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006172 buffering agent Substances 0.000 description 1
- YTIVTFGABIZHHX-UHFFFAOYSA-N butynedioic acid Chemical compound OC(=O)C#CC(O)=O YTIVTFGABIZHHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- FOCAUTSVDIKZOP-UHFFFAOYSA-N chloroacetic acid Chemical compound OC(=O)CCl FOCAUTSVDIKZOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical compound [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MEYVLGVRTYSQHI-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+) sulfate heptahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.O.[Co+2].[O-]S([O-])(=O)=O MEYVLGVRTYSQHI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000012787 coverlay film Substances 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N crotonic acid Chemical compound C\C=C\C(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 1
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 1
- UFULAYFCSOUIOV-UHFFFAOYSA-N cysteamine Chemical compound NCCS UFULAYFCSOUIOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYLGLPVAKCEIKU-UHFFFAOYSA-N diazanium;sulfonato sulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OS([O-])(=O)=O OYLGLPVAKCEIKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZAYXJCENRGIM-UHFFFAOYSA-J dipotassium;tetrabromoplatinum(2-) Chemical compound [K+].[K+].[Br-].[Br-].[Br-].[Br-].[Pt+2] AXZAYXJCENRGIM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 235000019800 disodium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 229960000304 folic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000019152 folic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011724 folic acid Substances 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 229960002989 glutamic acid Drugs 0.000 description 1
- VANNPISTIUFMLH-UHFFFAOYSA-N glutaric anhydride Chemical compound O=C1CCCC(=O)O1 VANNPISTIUFMLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043257 glycylglycine Drugs 0.000 description 1
- HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N histidine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWARLPGIFZKIQW-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;nitric acid Chemical compound OO.O[N+]([O-])=O QWARLPGIFZKIQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;sulfuric acid Chemical compound OO.OS(O)(=O)=O XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-N hydrogen thiocyanate Natural products SC#N ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 238000004255 ion exchange chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 1
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-IHWYPQMZSA-N isocrotonic acid Chemical compound C\C=C/C(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-IHWYPQMZSA-N 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 230000035800 maturation Effects 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 125000005641 methacryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- RRIWRJBSCGCBID-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate hexahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.[Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O RRIWRJBSCGCBID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229940116202 nickel sulfate hexahydrate Drugs 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- HWGNBUXHKFFFIH-UHFFFAOYSA-I pentasodium;[oxido(phosphonatooxy)phosphoryl] phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O HWGNBUXHKFFFIH-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 229960005190 phenylalanine Drugs 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940081066 picolinic acid Drugs 0.000 description 1
- VKJKEPKFPUWCAS-UHFFFAOYSA-M potassium chlorate Chemical compound [K+].[O-]Cl(=O)=O VKJKEPKFPUWCAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SATVIFGJTRRDQU-UHFFFAOYSA-N potassium hypochlorite Chemical compound [K+].Cl[O-] SATVIFGJTRRDQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001487 potassium perchlorate Inorganic materials 0.000 description 1
- USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L potassium persulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- VISKNDGJUCDNMS-UHFFFAOYSA-M potassium;chlorite Chemical compound [K+].[O-]Cl=O VISKNDGJUCDNMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004451 qualitative analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 1
- LOAUVZALPPNFOQ-UHFFFAOYSA-N quinaldic acid Chemical compound C1=CC=CC2=NC(C(=O)O)=CC=C21 LOAUVZALPPNFOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M sodium bicarbonate Substances [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N sodium hypochlorite Chemical compound [Na+].Cl[O-] SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAZAXWOYCMUHIX-UHFFFAOYSA-M sodium perchlorate Chemical compound [Na+].[O-]Cl(=O)(=O)=O BAZAXWOYCMUHIX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001488 sodium perchlorate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019832 sodium triphosphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001384 succinic acid Substances 0.000 description 1
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- DHCDFWKWKRSZHF-UHFFFAOYSA-L thiosulfate(2-) Chemical compound [O-]S([S-])(=O)=O DHCDFWKWKRSZHF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229960002898 threonine Drugs 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- YNJBWRMUSHSURL-UHFFFAOYSA-N trichloroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(Cl)(Cl)Cl YNJBWRMUSHSURL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWQULNDIKKJZPH-UHFFFAOYSA-K trilithium;phosphate Chemical compound [Li+].[Li+].[Li+].[O-]P([O-])([O-])=O TWQULNDIKKJZPH-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910000404 tripotassium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019798 tripotassium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 229960004799 tryptophan Drugs 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/18—Acidic compositions for etching copper or alloys thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/02—Local etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
- H05K3/384—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal by plating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
- H05K3/385—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal by conversion of the surface of the metal, e.g. by oxidation, whether or not followed by reaction or removal of the converted layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/03—Metal processing
- H05K2203/0315—Oxidising metal
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
- H05K2203/1157—Using means for chemical reduction
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/4998—Combined manufacture including applying or shaping of fluent material
- Y10T29/49982—Coating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12431—Foil or filament smaller than 6 mils
- Y10T428/12438—Composite
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
- Y10T428/24917—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Chemical Treatment Of Metals (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
Description
本発明の第1の側面は、銅の表面処理方法に関し、銅表面に、上記銅よりも貴な金属を離散的に形成する第1の工程と、引き続き、酸化剤を含むアルカリ性溶液を用いた酸化によって、上記銅表面に酸化銅を形成する第2の工程と、次いで、上前酸化銅を溶解させることによって除去し、上記銅表面に凹凸を形成する第3の工程とを有することを特徴とする。
本発明の第1の側面は、銅の表面処理方法に関する。以下の説明では、本発明による銅の表面処理方法について、半導体チップ搭載基板における銅配線の表面処理に適用した場合を例に挙げている。しかし、以下の説明は、本発明の一実施形態に過ぎず、その他、多層プリント配線板、およびビルドアッププリント配線板等のマザーボード等に利用される銅の表面処理方法として、本発明を適用することもできる。
(式1)
Cu + Oxi → CuO + Red
CuO + acid → Cu2+ + H2O
(式2)
Cu + Oxi → CuO + Red
CuO + Red → Cu + Oxi
本発明における第1の工程は、銅よりも貴な金属を離散的に形成する工程に関する。銅より貴な金属を離散的に銅表面に形成する方法としては、特に限定されず、下地となる銅表面を完全に覆うことなく、銅表面に上記金属を均一に分散した状態で付与することができれば、如何なる方法であってもよい。例えば、無電解めっき、電気めっき、置換めっき、スプレー噴霧、塗布、スパッタリング、蒸着等の方法が挙げられる。中でも、置換めっきによる方法がより好ましい。置換めっきは、銅と銅よりも貴な金属とのイオン化傾向の違いを利用する方法であり、このような方法を適用することによって、銅よりも貴な金属を容易かつ安価に銅表面に離散的に形成することができる。
本発明における第2の工程は、銅表面の酸化処理に関する。本発明では、上記のようにして貴金属を離散的に銅表面に形成した後、当該銅表面を、酸化剤を含むアルカリ性溶液にて酸化処理する。上記酸化剤を含むアルカリ性溶液としては、特に限定されない。例えば、アルカリ金属またはアルカリ土類金属などを含むアルカリ性溶液に、さらに塩素酸塩、亜塩素酸塩、次亜塩素酸塩、過塩素酸塩、ペルオキソ二硫酸塩、過マンガン酸塩等の酸化剤を追加して得られるアルカリ性溶液が好ましい。また、デスミア処理を行ってもよい。
本発明における第3の工程は、酸化銅の溶解および除去に関する。第3の工程では、 先の工程において形成された銅表面の酸化銅の結晶を、酸性溶液又は銅の錯化剤を用いて溶解および除去することによって、緻密で均一な凹凸を形成することができる。
本発明では、第3の工程において酸性溶液または銅の錯化剤を含む溶液による処理を行った後、引き続き、銅表面の接着強度を向上させるための処理を実施することが望ましい。具体的には、第4の工程として、1)銅表面に銅よりも卑な金属を形成する処理、2)アゾール化合物を含む溶液を用いて銅表面を処理する、および3)カップリング剤を用いて銅表面を処理する、といった後処理を実施することによって、絶縁樹脂との接着強度を向上することが可能となる。これらの処理は組み合わせて行うことができる。なかでも、上記1)による処理を行った場合には、ソルダーレジストへの接着性が向上する傾向がある。また、上記2)による処理を行った場合には、ビルドアップ材への接着性が向上する傾向がある。さらに上記1)および上記2)による処理を組み合わせて実施した場合には、ソルダーレジストおよびビルドアップ材の双方に対する接着性を向上することが可能である。これらについては、後述する実施例によって明らかにされている。組み合わせて処理を行う場合、上記1)、2)、3)による処理のうち、上記1)による処理を最初に行うことが好ましく、具体的には、上記1)による処理の後に、上記2)又は上記3)の処理を行うことがより好ましい。
上記第3の工程後、銅表面に銅よりも卑な金属を付与することによって、銅表面に上記卑金属が形成される。但し、銅表面は必ずしも完全に覆われるわけではない。ここで、卑金属とは、銅の電位よりも低い電位を有する金属を意図している。理論によって拘束するものではないが、上述の卑金属による処理を行うことによって、銅表面の再酸化が抑制され、絶縁樹脂との接着性の向上が可能になると推察される。
上記第3の工程後、アゾール化合物含有溶液で銅表面を処理することによって、銅表面にアゾール化合物による層が形成される。理論によって拘束するものではないが、このような処理を行うことによって、銅表面の再酸化を抑制され、絶縁樹脂との接着性の向上が可能になると推察される。アゾール化合物含有溶液に使用するアゾール化合物は、窒素を1つ以上含む複素5員環化合物である。例えば、アゾール、ジアゾール、トリアゾール、テトラゾールであり、アゾール化合物含有溶液とは、これらアゾール化合物を少なくとも1種以上含んでいるものであればよい。接着性向上の観点からは、特に、ジアゾールが好ましい。更に、ジアゾールの中でも、ピラゾール(1,2−ジアゾール)が好ましい。なお、接着性を向上させるためには、アゾール化合物における窒素を含む複素5員環構造そのものが重要であり、置換基の有無については特に限定されない。
上記第3の工程後、カップリング剤を用いて銅表面を処理することによって、絶縁樹脂との接着性の向上が可能になる。本発明の一実施形態では、上記1)卑金属を含む溶液を用いた処理の後、又は2)アゾール化合物を含む溶液での処理の後にカップリング処理を行うことが好ましい。このように上記1)および2)による双方の処理を行うことによって、接着性向上の効果をより高めることができる。
図5は、本発明の一実施形態である半導体チップ搭載基板の一例を示す断面模式図である。図5では、2層のビルドアップ層(層間絶縁層)をコア基板100の片面にのみ形成した場合を例示している。しかし、ビルドアップ層は、図5に示した構成に限らず、必要に応じて、図6に示すようにコア基板100の両面に形成しても良い。
コア基板の材質は特に問わないが、有機基材、セラミック基材、シリコン基材、ガラス基材などが使用できる。熱膨張係数や絶縁性を考慮すると、セラミックや、ガラスを用いることが好ましい。ガラスのうち非感光性ガラスとしては、ソーダ石灰ガラス(成分例:SiO2 65〜75wt%、Al2O3 0.5〜4wt%、CaO 5〜15wt%、MgO 0.5〜4wt%、Na2O 10〜20wt%)、ホウ珪酸ガラス(成分例:SiO2 65〜80wt%、B2O3 5〜25wt%、Al2O3 1〜5wt%、CaO 5〜8wt%、MgO 0.5〜2wt%、Na2O 6〜14wt%、K2O 1〜6wt%)等が挙げられる。また、感光性ガラスとしてはLi2O−SiO2系結晶化ガラスに感光剤として金イオン及び銀イオンを含むものが挙げられる。
層間絶縁層(ビルドアップ層)104は、絶縁材料からなり、絶縁材料としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、またはそれらの混合樹脂が使用できる。またビルドアップ層は熱硬化性の有機絶縁材料を主成分とするのが好ましい。熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シリコン樹脂、シクロペンタジエンから合成した樹脂、トリス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌラートを含む樹脂、芳香族ニトリルから合成した樹脂、3量化芳香族ジシアナミド樹脂、トリアリルトリメタリレートを含む樹脂、フラン樹脂、ケトン樹脂、キシレン樹脂、縮合多環芳香族を含む熱硬化性樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂等を用いることができる。熱可塑性樹脂としては、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、アラミド樹脂、液晶ポリマ等が挙げられる。絶縁材料には充填材を添加しても良い。充填材としては、シリカ、タルク、水酸化アルミニウム、ホウ酸アルミニウム、窒化アルミニウム、アルミナ等が挙げられる。
半導体チップの熱膨張係数とコア基板の熱膨張係数とが近似していて、かつコア基板の熱膨張係数とビルドアップ層の熱膨張係数とが近似していることが好ましいが、これに限定したものではない。さらに、半導体チップ、コア基板、ビルドアップ層の各々の熱膨張係数をα1、α2、α3(ppm/℃)としたとき、α1≦α2≦α3であることがより好ましい。具体的には、コア基板の熱膨張係数α2は、7〜13ppm/℃が好ましく、更に好ましくは9〜11ppm/℃である。ビルドアップ層の熱膨張係数α3は10〜40ppm/℃であるのが好ましく、更に好ましくは10〜20ppm/℃であり、11〜17ppm/℃が特に好ましい。
ビルドアップ層のヤング率は、1〜5GPaであるのが熱ストレスに対する応力緩和の点で好ましい。ビルドアップ層中の充填材は、ビルドアップ層の熱膨張係数が10〜40ppm/℃、ヤング率が1〜5GPaになるように添加量を適宜調整して添加するのが好ましい。
本発明に用いるレジストとしては、エッチングレジスト、めっきレジスト、ソルダーレジスト、カバーレイ等が挙げられる。エッチングレジストおよびめっきレジストは、配線形成を目的に使用するために、配線形成後に剥離され、基板等には残らないものである。ソルダーレジストまたはカバーレイは、外部接続端子や半導体チップ接続端子等以外の配線保護を目的としているために、絶縁被服として基板表面に形成される。これらのレジストは、液状またはフィルム状のものを使用することができ、感光性があることが好ましい。
上述の半導体チップ搭載基板は、以下の説明する方法を適宜組み合わせることによって製造することができる。製造工程の順番は、本発明の目的を逸脱しない範囲において、特に限定しない。
配線の形成方法としては、コア基板表面またはビルドアップ層上に金属箔を形成し、金属箔の不要な箇所をエッチングで除去する方法(サブトラティブ法)、コア基板表面またはビルドアップ層上の必要な箇所にのみめっきにより配線を形成する方法(アディティブ法)、コア基板表面またはビルドアップ層上に薄い金属層(シード層)を形成し、その後、電解めっきで必要な配線を形成した後、薄い金属層をエッチングで除去する方法(セミアディティブ法)がある。
金属箔上の配線となる箇所にエッチングレジストを形成し、エッチングレジストから露出した箇所に、化学エッチング液をスプレー噴霧して、不要な金属箔をエッチング除去し、配線を形成することができる。例えば、金属箔として銅箔を用いる場合、エッチングレジストは、通常の配線板に用いることのできるエッチングレジスト材料を使用できる。例えば、レジストインクをシルクスクリ−ン印刷してエッチングレジストを形成する。別法として、エッチングレジスト用ネガ型感光性ドライフィルムを銅箔の上にラミネートして、その上に配線形状に光を透過するフォトマスクを重ね、紫外線で露光し、露光しなかった箇所を現像液で除去してエッチングレジストを形成する。化学エッチング液には、塩化第二銅と塩酸の溶液、塩化第二鉄溶液、硫酸と過酸化水素の溶液、過硫酸アンモニウム溶液など、通常の配線板に用いる化学エッチング液を用いることができる。
また、配線は、コア基板またはビルドアップ層上の必要な箇所にのみ、めっきを行うことで形成することも可能であり、通常のめっきによる配線形成技術を用いることができる。例えば、コア基板に無電解めっき用触媒を付着させた後、めっきが行われない表面部分にめっきレジストを形成して、無電解めっき液に浸漬し、めっきレジストに覆われていない箇所にのみ、無電解めっきを行い配線形成する。
コア基板表面またはビルドアップ層上に、セミアディティブ法に用いるシード層を形成する方法は、蒸着またはめっきによる方法と、金属箔を貼り合わせる方法がある。また同様の方法で、サブトラクティブ法の金属箔を形成することもできる。
コア基板表面またはビルドアップ層上に蒸着またはめっきによってシード層を形成することができる。例えば、シード層として、スパッタリングにより下地金属と薄膜銅層を形成する場合、薄膜銅層を形成するために使用されるスパッタリング装置は、2極スパッタ、3極スパッタ、4極スパッタ、マグネトロンスパッタ、ミラートロンスパッタ等を用いることができる。スパッタに用いるターゲットは、密着を確保するために、例えば、Cr、Ni、Co、Pd、Zr、Ni/Cr、Ni/Cu等の金属を下地金属として用い、厚み5〜50nmのスパッタリングを施す。その後、銅をターゲットにして厚み200〜500nmのスパッタリングを施しシード層を形成することができる。また、コア基板表面またはビルドアップ層上に無電解銅めっきにより0.2〜3μmの厚みのめっき銅を形成してもよい。
コア基板またはビルドアップ層に接着機能がある場合は、金属箔をプレスやラミネートによって貼り合わせることによりシード層を形成することもできる。しかし、薄い金属層を直接貼り合わせるのは非常に困難であるため、厚い金属箔を張り合わせた後にエッチング等により薄くする方法や、キャリア付金属箔を貼り合わせた後にキャリア層を剥離する方法などがある。例えば前者としてはキャリア銅/ニッケル/薄膜銅の三層銅箔があり、キャリア銅をアルカリエッチング液で、ニッケルをニッケルエッチング液で除去できる。後者としては、アルミ、銅、絶縁材料などをキャリアとしたピーラブル銅箔などが使用でき、厚み5μm以下のシード層を形成できる。また、厚み9〜18μmの銅箔を貼り付け、エッチングにより厚み5μm以下になるように均一に薄くし、シード層を形成してもかまわない。前述の方法で形成されたシード層上に、めっきレジストを必要なパターンに形成し、シード層を介して電解銅めっきにより配線を形成する。その後、めっきレジストを剥離し、最後にシード層をエッチング等により除去することで、配線を形成することができる。
配線の形状は特に問わないが、少なくとも半導体チップが搭載される側には半導体チップ接続端子16(ワイヤボンド端子等)、その反対面にはマザーボードと電気的に接続される外部接続端子(はんだボール等が搭載される箇所)及びそれらを繋ぐ展開配線、層間接続端子等から構成される。また、配線の配置も特に問わないが、図7に示すような(内層配線、層間接続端子等は省略)、半導体チップ接続端子16より内側に外部接続端子19を形成したファン−インタイプの半導体チップ搭載基板や、図8に示すような半導体チップ接続端子16の外側に外部接続端子19を形成したファン−アウトタイプの半導体チップ搭載基板、またはこれらを組み合わせたタイプでもよい。なお、図7および図8において、13は半導体パッケージ領域、14はダイボンドフィルム接着領域(フリップチップタイプ)、15は半導体チップ搭載領域(フリップチップタイプ)、17はダイボンドフィルム接着領域(ワイヤボンドタイプ)、18は半導体チップ搭載領域(ワイヤボンドタイプ)、20は展開配線を示す。また、半導体チップ接続端子16の形状は、ワイヤボンド接続やフリップチップ接続などが可能であれば、特に問わない。また、ファン−アウト、ファン−インどちらのタイプでも、ワイヤボンド接続やフリップチップ接続などは可能である。さらに必要に応じて、半導体チップと電気的に接続されないダミーパターン21(図8参照)を形成してもかまわない。ダミーパターンの形状や配置も特には問わないが、半導体チップ搭載領域に均一に配置するのが好ましい。これによって、ダイボンド接着剤で半導体チップを搭載する際に、ボイドが発生しにくくなり、信頼性を向上できる。
多層の半導体チップ搭載基板は、複数の配線層を有するため、各層の配線を電気的に接続するためのバイアホールを設けることができる。バイアホールは、コア基板またはビルドアップ層に接続用の穴を設け、この穴を導電性ペーストやめっき等で充填し形成することができる。穴の加工方法としては、パンチやドリルなどの機械加工、レーザ加工、薬液による化学エッチング加工、プラズマを用いたドライエッチング法などがある。また、ビルドアップ層のバイアホール形成方法としては、予めビルドアップ層に導電性ペーストやめっきなどで導電層を形成し、これをコア基板にプレス等で積層する方法などもある。
半導体チップ搭載基板の外部接続端子側には絶縁被覆を形成することができる。パターン形成は、ワニス状の材料であれば印刷で行うことも可能であるが、より精度を確保するためには、感光性のソルダーレジスト、カバーレイフィルム、フィルム状レジストを用いるのが好ましい。材質としては、エポキシ系、ポリイミド系、エポキシアクリレート系、フルオレン系の材料を用いることができる。このような絶縁被覆は硬化時の収縮があるため、片面だけに形成すると基板に大きな反りを生じやすい。そこで、必要に応じて半導体チップ搭載基板の両面に絶縁被覆を形成することもできる。さらに、反りは絶縁被覆の厚みによって変化するため、両面の絶縁被覆の厚みは、反りが発生しないように調整することがより好ましい。その場合、予備検討を行い、両面の絶縁被覆の厚みを決定することが好ましい。また、薄型の半導体パッケージとするには、絶縁被覆の厚みが50μm以下であることが好ましく、30μm以下がより好ましい。
配線の必要な部分にニッケル、金めっきを順次施すことができる。さらに必要に応じてニッケル、パラジウム、金めっきとしても良い。これらのめっきは、配線の半導体チップ接続端子と、マザーボードまたは他の半導体パッケージと電気的に接続するための外部接続端子に施される。このめっきは、無電解めっき、または電解めっきのどちらを用いてもよい。
工程(a)は、図9(a)に示したように、コア基板100上に第1の配線106aを作製する工程である。第1の配線106aの形成では、例えば、片面に銅層が形成されたコア基板の銅層に、脱脂処理を行い、その後、塩酸あるいは硫酸洗浄を行う。次に、銅よりも貴な金属である金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、レニウム、ルテニウム、オスミウム及びイリジウムから選択される金属、またはこれらの金属を含む合金を離散的に形成し、酸化剤を含むアルカリ性水溶液に浸漬することにより酸化処理を行う。その後、更に酸性溶液または銅の錯化剤を含む溶液による処理を行う。その後、更にカップリング処理及びアゾール化合物を含む溶液による処理の少なくとも1つの処理を行う。あるいは、銅よりも卑な金属を含む溶液で処理を行い、更にカップリング処理及びアゾール化合物を含む溶液による処理の少なくとも1つの処理を行ってもよい。いずれにしても配線表面のRzを1nm以上かつ1,000nm以下になるように処理を行う。その後、処理された銅層上に、第1の配線形状にエッチングレジストを形成し、塩化銅や塩化鉄、硫酸−過酸化水素及び硝酸−過酸化水素などのエッチング液により銅層をエッチングした後、エッチングレジストを除去することで作製することができる。コア基板100上に銅層を形成するには、スパッタリング、蒸着、めっき等により銅薄膜を形成した後、所望の厚みになるまで電気銅めっきを行うことで可能である。なお、第1の配線106aは、第1の層間接続端子101及び半導体チップ接続端子(半導体チップと電気的に接続される部分)を含んでおり、微細配線の形成方法としてはセミアディティブ法を用いても良い。
工程(b)は、図9(b)に示したように、上記第1の層間接続端子101と、後述する第2の配線とを接続するための第1の層間接続用IVH102(バイアホール)を形成する工程である。バイアホールとなる穴は、コア基板100が非感光性基材の場合、CO2レーザ、YAGレーザ、エキシマレーザ等のレーザ光をバイアホールとなる箇所に照射することで形成することができる。生産性及び穴品質の観点からは、CO2レーザを用いることが好ましく、IVH径が30μm未満の場合には、レーザ光を絞ることが可能なYAGレーザが適している。なお、非感光性基材としては、前述した非感光性ガラスなどが挙げられるが、これに限定されない。また、コア基板100が感光性基材の場合、バイアホールとなる箇所以外の領域をマスクし、紫外光を照射した後、熱処理とエッチングによりバイアホールとなる穴を形成する。なお、感光性基材としては、前述した感光性ガラスなどが挙げられるが、これに限定されない。また、コア基板100が、有機溶剤等の薬液による化学エッチング加工が可能な基材の場合は、化学エッチングによってバイアホールとなる穴を形成することもできる。上記のようにバイアホールとなる穴を形成した後は、層間を電気的に接続するために、必要に応じてデスミア処理を行った後、当該穴を導電性のペーストやめっきなどによって導電化し、バイアホールとする。
工程(c)は、図9(c)に示したように、コア基板100の第1の配線106aと反対側の面に第2の配線106bを形成する工程である。第2の配線106bは、コア基板100の第1の配線と反対の面に上記工程(a)における第1の配線と同様にして形成することができる。銅層の形成方法としては、工程(a)と同様、スパッタリング、蒸着、めっき等により銅薄膜を形成した後、所望の厚みになるまで電気銅めっきを行うことで可能である。なお、第2の配線106bは第2の層間接続端子103を含んでおり、微細配線の形成方法としてはセミアディティブ法を用いても良い。
工程(d)は、図9(d)に示すように、上記第2の配線106bを形成した面にビルドアップ層(層間絶縁層)104を形成する工程である。ここでは、まず、第2の配線106b表面を、脱脂処理を行い、塩酸あるいは硫酸洗浄を行うことが望ましい。次に、銅よりも貴な金属、例えば、金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、レニウム、ルテニウム、オスミウム、イリジウムから選択される金属またはこれらの金属を含む合金を、離散的に銅配線表面(第2の配線106b上)に形成し、酸化剤を含むアルカリ性溶液に浸漬することにより酸化処理を行い、その後、更に酸性溶液または銅の錯化剤を含む溶液による処理を行う。その後、更にカップリング処理及びアゾール化合物を含む溶液による処理の少なくとも1つの処理を行う。あるいは、銅よりも卑な金属を含む溶液で処理を行い、更にカップリング処理及びアゾール化合物を含む溶液による処理の少なくとも1つの処理を行ってもよく、銅配線表面の粗さRzが1nm以上かつ1,000nm以下となるようにする。
次に、コア基板100表面及び第2の配線106b表面に、ビルドアップ層104を形成する。ビルドアップ層104の絶縁材料としては、上述したように熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、またはそれらの混合樹脂が使用できるが、熱硬化性材料を主成分とするのが好ましい。ビルドアップ層104の形成は、絶縁材料がワニス状の場合には、印刷やスピンコート等により、絶縁材料がフィルム状の場合には、ラミネートやプレス等により行うことができる。また、ラミネートにより行う際には、プレスと同じように鏡板で上下に挟んで行ってもよい。絶縁材料が熱硬化性材料を含む場合は、さらに加熱硬化させることが望ましい。
工程(e)は、図9(e)に示したように、上記ビルドアップ層104に第2の層間接続用のIVH(バイアホール)108を形成する工程であり、その形成手段としては、上記工程(b)における第1の層間接続用IVH102と同様に行うことができる。
工程(f)は、図9(f)に示したように、上記第2のIVH108が形成されたビルドアップ層上に、第3の配線106cを形成する工程である。第3の配線106cは、上記(工程a)における第1の配線106aと同様にして形成することができる。L/S=15μm/15μm以下の微細な配線を形成するプロセスとしては、上述したセミアディティブ法が好ましい。また、ビルドアップ層104上に、蒸着またはめっきによる方法や金属箔を貼り合わせる方法などにより前述したシード層を形成することが好ましい。この場合、当該シード層上に、めっきレジストを必要なパターンに形成し、シード層を介して電解銅めっきにより配線を形成した後、めっきレジストを剥離し、最後にシード層をエッチング等により除去することで、微細な配線を形成することができる。 なお、工程(d)から工程(f)までを繰り返して、図9(g)に示すようにビルドアップ層104を2層以上作製してもよい。この場合、最外のビルドアップ層に形成された層間接続端子が、外部接続端子107となる。
工程(g)は、図9(g)に示したように、外部接続端子107以外の配線等を保護するための絶縁被覆109を形成する工程である。絶縁被覆材としては、ソルダーレジストが用いられ、熱硬化型や紫外線硬化型のものが使用できるが、レジスト形状を精度良く仕上げることができる紫外線硬化型のものが好ましい。まず、外部接続端子107およびそれ以外の配線等を、脱脂処理を行い、その後、塩酸あるいは硫酸洗浄を行う。次に、銅よりも貴な金属である金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、レニウム、ルテニウム、オスミウム及びイリジウムから選択される金属、またはこれらの金属を含む合金を離散的に形成し、酸化剤を含むアルカリ性水溶液に浸漬することにより酸化処理を行う。その後、更に酸性溶液または銅の錯化剤を含む溶液による処理を行う。その後、更にカップリング処理及びアゾール化合物を含む溶液による処理の少なくとも1つの処理を行う。あるいは、銅よりも卑な金属を含む溶液で処理を行い、更にカップリング処理及びアゾール化合物を含む溶液による処理の少なくとも1つの処理を行っても良い。いずれにしても、配線表面のRzを1nm以上かつ1,000nm以下になるように処理を行う。その後、外部接続端子107以外の部分にソルダーレジストを形成し、外部接続端子107を露出させる。外部接続端子は、第3の層間接続用IVH105を介して第3の配線と電気的に接続される。
図11は、本発明によるフリップチップタイプ半導体パッケージの一例を示す模式的断面図である。図11に示したように、本発明の半導体パッケージは、先に説明した本発明の半導体チップ搭載基板に、さらに半導体チップ111が搭載されている。半導体チップと半導体チップ接続端子とは、接続バンプ112を用いてフリップチップ接続することによって、電気的に接続されている。さらに、これらの半導体パッケージには、図示するように、半導体チップと半導体チップ搭載基板の間をアンダーフィル材113で封止することが好ましい。アンダーフィル材の熱膨張係数は、半導体チップ111及びコア基板100の熱膨張係数と近似していることが好ましいがこれに限定したものではない。さらに好ましくは(半導体チップの熱膨張係数)≦(アンダーフィル材の熱膨張係数)≦(コア基板の熱膨張係数)である。さらに、半導体チップの搭載には異方導電性フィルム(ACF)や導電性粒子を含まない接着フィルム(NCF)を用いて行うこともできる。この場合は、アンダーフィル材で封止する必要がないため、より好ましい。さらに、半導体チップを搭載する際に超音波を併用すれば、電気的な接続が低温でしかも短時間で行えるため、特に好ましい。
また、マザーボードとの電気的な接続を行うために、外部接続端子107には、例えば、はんだボール114を搭載することができる。はんだボールには、共晶はんだやPbフリーはんだが用いられる。はんだボールを外部接続端子107に固着する方法としては、例えば、N2リフロー装置などを用いることができるが、これに限定されない。上記半導体チップ搭載基板に複数の半導体チップを搭載してなる複数の半導体パッケージを作製した場合には、最後に、ダイサー等を用いて個々の半導体パッケージに切断する。
本発明による銅表面の処理方法を適用して半導体パッケージを作製し、半導体パッケージの信頼性を評価した。以下、図9に示した各工程図を参照しながら、半導体パッケージの評価用サンプルの作製方法を説明する。
コア基板100として0.4mm厚のソーダガラス基板(熱膨張係数11ppm/℃)を用意し、片面にスパッタリングにより200nmの銅薄膜を形成した後、電気銅めっきで10μmの厚さまでめっきを行った。なおスパッタリングは、日本真空技術株式会社製装置型番MLH−6315を用いて、以下に示した条件1で行った。
電流:3.5A
電圧:500V
アルゴン流量:35SCCM(0.059Pa・m3/s)
圧力:5×10−3Torr(6.6×10−1Pa)
成膜速度:5nm/秒
第1の配線106aが形成されたガラス基板の第1の配線106aと反対面から第1の層間接続端子101に到達するまで、レーザで穴径50μmのIVHとなる穴を形成した。レーザにはYAGレーザLAVIA−UV2000(住友重機械工業株式会社製、商品名)を使用し、周波数4kHz、ショット数50、マスク径0.4mmの条件でIVHとなる穴の形成を行った。ついで、穴内のデスミア処理を行った。その後、当該穴に導電性ペーストMP−200V(日立化成工業株式会社製、商品名)を充填して、160℃30分で硬化し、ガラス基板上の第1の層間接続端子101と電気的に接続し、第1の層間接続用IVH102(バイアホール)を形成した。
(工程b)で形成された第1の層間接続用IVH102(第1のバイアホール)と電気的に接続するために、ガラス基板の、第1の配線106aと反対側の面にスパッタリングにより200nmの銅薄膜を形成した後、電気銅めっきで10μmの厚さまでめっきを行った。スパッタリングは、(工程a)と同様に行った。その後、(工程a)と同様に第2の配線106bの形状にエッチングレジストを形成し、塩化第二鉄エッチング液を用いてエッチングして、エッチングレジストを除去することで、第2の配線106b(第2の層間接続端子103を含む)を形成した。
(工程d−1)
(工程c)で形成した第2の配線106b側の配線表面を、200ml/Lに調整した酸性脱脂液Z−200(ワールドメタル社製、商品名)に、液温50℃で2分間浸漬した後、液温50℃の水に2分間浸漬することにより湯洗し、更に1分間水洗した。次いで、3.6Nの硫酸水溶液に1分間浸漬し、1分間水洗した。
上記前処理工程を経た第2の配線106bを、置換パラジウムめっき液SA−100(日立化成工業株式会社、製品名)に30℃で3分間浸漬して、銅よりも貴な金属であるパラジウムめっきを1.0μmol/dm2施し、1分間水洗した後、更に、りん酸三ナトリウム10g/Lおよび水酸化カリウム25g/Lを含むアルカリ性溶液に亜塩素酸ナトリウム15g/L添加した酸化処理液に50℃で3分間浸漬することで、第2の配線106b表面に0.07mg/cm2の酸化銅の結晶を形成した。この後、1分間水洗した後、硫酸20g/Lの酸性溶液に25℃で30秒浸漬することで、形成された酸化銅の結晶を選択的に除去し、銅表面に微細凹凸を形成した。その後、5分間水洗し、85℃で30分間乾燥させた。
次に、第2の配線106b側の面に層間絶縁層(ビルドアップ層)104を次のように形成した。すなわち、ビルドアップ材AS-ZII(日立化成工業株式会社、製品名)を真空ラミネートによって、真空引き時間30秒、加圧40秒、0.5MPaの条件で、第2の配線106b側の面にビルドアップ層をラミネートし、厚み45μmの樹脂層を形成した後、オーブン乾燥機にて180℃で90分間保持することにより熱硬化し、ビルドアップ層を形成した。
上記(工程d-3)で形成したビルドアップ層104の表面から第2の層間接続用端子103に到達するまで、レーザで穴径50μmのIVHとなる穴を形成した。レーザにはYAGレーザLAVIA−UV2000(住友重機械工業株式会社製、商品名)を使用し、周波数4kHz、ショット数20、マスク径0.4mmの条件でIVHとなる穴の形成を行った。その後、デスミア処理を行った。デスミア処理方法としては、膨潤液サーキュポジットホールプリップ4125(ローム・アンド・ハース電子材料株式会社、製品名)に80℃で3分浸漬後、3分間水洗した。その後、デスミア液サーキュポジットMLBプロモーター213(ローム・アンド・ハース電子材料株式会社、製品名)に80℃で5分浸漬後、3分間水洗した。次いで、還元液サーキュポジットMLB216−4(ローム・アンド・ハース電子材料株式会社、製品名)に40℃で3分浸漬後、3分間水洗し、85℃で30分間乾燥させた。
上記(工程d-3)で形成したビルドアップ層104上に第3の配線106c及び第2のIVH108を形成するために、ビルドアップ層104上にスパッタリングにより、厚さ20nmのNi層(下地金属)を形成し、更に当該Ni層上に厚さ200nmの薄膜銅層を形成することで、シード層を形成した。スパッタリングは、日本真空技術株式会社製MLH−6315を用いて以下に示した条件2で行った。
(Ni層)
電流:5.0A
電流:350V
電圧アルゴン流量:35SCCM(0.059Pa・m3/s)
圧力:5×10−3Torr(6.6×10−1Pa)
成膜速度:0.3nm/秒
(薄膜銅層)
電流:3.5A
電圧:500V
アルゴン流量:35SCCM(0.059Pa・m3/s)
圧力:5×10−3Torr(6.6×10−1Pa)
成膜速度:5nm/秒
上記(工程d)〜(工程f)までを再度繰り返し、ビルドアップ層及び外部接続端子107を含む最外層の配線を更に一層形成した。 最後にソルダーレジスト109を形成して、その後、外部接続端子107および半導体チップ接続端子に金めっき処理を施し、図5(1パッケージ分の断面図)、図7(1パッケージ分の平面図)、及び図10(半導体チップ搭載基板全体図)に示すようなファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板を作製した。
上記(工程a)〜(工程g)により作製された半導体チップ搭載基板の半導体チップ搭載領域に、接続バンプ112が形成された半導体チップ111を、フリップチップボンダを用いて超音波を印加しながら、所望とする数を搭載した(図10を参照)。さらに、半導体チップ搭載基板と半導体チップの隙間に、半導体チップ端部からアンダーフィル材113を注入し、オーブンを用いて80℃で1時間の1次硬化及び150℃で4時間の2次硬化を行った。次に、外部接続端子107に直径0.45mmの鉛・錫共晶はんだボール114を、N2リフロー装置を用いて融着した。最後に、幅200μmのブレードを装着したダイサーで半導体チップ搭載基板を切断し、図11に示す半導体パッケージを作製した。
(工程d−2)において第2の配線106b表面に硫酸20g/Lの酸性溶液に25℃で30秒浸漬することで、形成された酸化銅の結晶を選択的に除去し、銅表面に凹凸を形成した後、(工程d−3)におけるビルドアップ層104を形成する前に、当該第2の配線106b表面を1分間水洗し、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン0.5質量%水溶液に30℃で1分間浸漬し、更に1分間水洗し、85℃で30分間乾燥するカップリング処理工程を行った以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
(工程d−2)において第2の配線106b表面に硫酸20g/Lの酸性溶液に25℃で30秒浸漬することで、形成された酸化銅の結晶を選択的に除去し、銅表面に凹凸を形成した後、(工程d−3)におけるビルドアップ層104を形成する前に、当該第2の配線106b表面を1分間水洗し、硫酸溶液でpH6.5に調整した2-メチルイミダゾール0.5質量%水溶液に30℃で1分間浸漬し、更に1分間水洗し、85℃で30分間乾燥するアゾール処理工程を行った以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
(工程d−2)において第2の配線106b表面に硫酸20g/Lの酸性溶液に25℃で30秒浸漬することで、形成された酸化銅の結晶を選択的に除去し、銅表面に凹凸を形成した後、(工程d−3)におけるビルドアップ層104を形成する前に、当該第2の配線106b表面を1分間水洗し、水酸化ナトリウム溶液でpH9.5に調整した3,5-ジメチルピラゾール0.5質量%水溶液に30℃で1分間浸漬し、更に1分間水洗し、85℃で30分間乾燥するアゾール処理工程を行った以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
(工程d−2)において第2の配線106b表面に硫酸20g/Lの酸性溶液に25℃で30秒浸漬することで、形成された酸化銅の結晶を選択的に除去し、銅表面に凹凸を形成した後、(工程d−3)におけるビルドアップ層104を形成する前に、当該第2の配線106b表面を1分間水洗し、塩化第一錫3g/L、チオ尿素25g/L、酒石酸25g/Lを含む無電解錫めっき液に30℃で15秒浸漬し、更に1分間水洗し、85℃で30分間乾燥する銅よりも卑な金属形成処理工程を行った以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
(工程d−2)において第2の配線106b表面に硫酸20g/Lの酸性溶液に25℃で30秒浸漬することで、形成された酸化銅の結晶を選択的に除去し、銅表面に凹凸を形成した後、(工程d−3)におけるビルドアップ層104を形成する前に、当該第2の配線106b表面を1分間水洗し、硫酸ニッケル・6水和物0.2g/L、クエン酸ナトリウム3g/L、ほう酸3g/L、次亜りん酸ナトリウム10g/L、pH9の無電解ニッケルめっき液に50℃、120秒浸漬し、その後、1分間水洗し、塩化第一錫3g/L、チオ尿素25g/L、酒石酸25g/Lを含む無電解錫めっき液に30℃で15秒浸漬し、更に1分間水洗し、85℃で30分間乾燥する銅よりも卑な金属形成処理工程を行った以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
(工程d−2)において第2の配線106b表面に硫酸20g/Lの酸性溶液に25℃で30秒浸漬することで、形成された酸化銅の結晶を選択的に除去し、銅表面に凹凸を形成した後、(工程d−3)におけるビルドアップ層104を形成する前に、当該第2の配線106b表面を1分間水洗し、硫酸コバルト・7水和物0.2g/L、クエン酸ナトリウム3g/L、ほう酸3g/L、次亜りん酸ナトリウム10g/L、pH8の無電解コバルトめっき液に50℃、120秒浸漬し、その後、1分間水洗し、塩化第一錫3g/L、チオ尿素25g/L、酒石酸25g/Lを含む無電解錫めっき液に30℃で15秒浸漬し、更に1分間水洗し、85℃で30分間乾燥する銅よりも卑な金属形成処理工程を行った以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
(工程d−2)において第2の配線106b表面に硫酸20g/Lの酸性溶液に25℃で30秒浸漬することで、形成された酸化銅の結晶を選択的に除去し、銅表面に凹凸を形成した後、(工程d−3)におけるビルドアップ層104を形成する前に、当該第2の配線106b表面を1分間水洗し、塩化第一錫3g/L、チオ尿素25g/L、酒石酸25g/Lを含む無電解錫めっき液に30℃で15秒浸漬し、更に1分間水洗する銅よりも卑な金属形成処理工程を行い、その後更に、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン0.5質量%水溶液に30℃で3分間浸漬し、更に1分間水洗し、85℃で30分間乾燥するカップリング処理工程を行った以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
(工程d−2)において第2の配線106b表面に硫酸20g/Lの酸性溶液に25℃で30秒浸漬することで、形成された酸化銅の結晶を選択的に除去し、銅表面に凹凸を形成した後、(工程d−3)におけるビルドアップ層104を形成する前に、当該第2の配線106b表面を1分間水洗し、塩化第一錫3g/L、チオ尿素25g/L、酒石酸25g/Lを含む無電解錫めっき液に30℃で15秒浸漬し、更に1分間水洗する銅よりも卑な金属形成処理工程を行い、その後更に、水酸化ナトリウム溶液でpH9.5に調整した3,5−ジメチルピラゾール0.5質量%水溶液に30℃で1分間浸漬し、更に1分間水洗し、85℃で30分間乾燥するアゾール処理工程を行った以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
(工程d−2)において第2の配線106b表面に硫酸20g/Lの酸性溶液に25℃で30秒浸漬することで、形成された酸化銅の結晶を選択的に除去し、銅表面に凹凸を形成した後、(工程d−3)におけるビルドアップ層104を形成する前に、当該第2の配線106b表面を1分間水洗し、塩化第一錫3g/L、チオ尿素25g/L、酒石酸25g/Lを含む無電解錫めっき液に30℃で15秒浸漬し、更に1分間水洗し、85℃で30分間乾燥し、更に、150℃で60分間加熱処理する銅よりも卑な金属形成処理工程を行った以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
(工程d)の(工程d−1)における前処理を行った後、(工程d−2)における置換パラジウムめっきを行わずに、第2の配線106b表面に凹凸を形成した以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
(工程d)の(工程d−1)における前処理を行った後、(工程d−2)における置換パラジウムめっきを行わずに、第2の配線106b表面を酸化処理液に85℃で3分間浸漬し、当該配線106b表面に0.50mg/cm2の酸化銅の結晶を形成した。この後、1分間水洗した後、硫酸20g/Lの酸性溶液に25℃で30秒浸漬することで、形成された酸化銅の結晶を選択的に除去し、凹凸を形成した。その後、5分間水洗し、85℃で30分間乾燥する工程を行った以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
(工程d)の(工程d−1)における前処理を行った後、(工程d−2)における置換パラジウムめっきを行わずに、第2の配線106b表面を酸化処理液に85℃で3分間浸漬し、当該配線106b表面に0.50mg/cm2の酸化銅の結晶を形成した。この後、5分間水洗し、還元処理液HIST−100D(日立化成工業株式会社製、商品名)に40℃で3分間浸漬し、更に10分間水洗を行い、85℃で30分間乾燥する還元処理工程を行った以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
(工程d)の(工程d−1)における前処理を行った後、(工程d−2)における置換パラジウムめっき、酸化処理、酸性溶液による処理を行わずに、第2の配線106b表面をマイクロエッチング剤であるメックエッチボンドCZ8100(メック株式会社製、商品名)に40℃で1分30秒間浸漬し、水洗した後、常温にて3.6Nの硫酸水溶液に60秒間浸漬し、更に水洗を1分間行い、85℃で30分間乾燥させた以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
(工程d)の(工程d−1)における前処理を行った後、(工程d−2)の工程を行わなかった。すなわち、凹凸形成処理を行わなかった。それ以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
(工程d)の(工程d−1)における前処理を行った後、(工程d−2)の工程で、塩化第一錫3g/L、チオ尿素25g/L、酒石酸25g/Lを含む無電解錫めっき液に30℃で15秒浸漬し、更に1分間水洗し、85℃で30分間乾燥する銅よりも卑な金属形成処理工程のみ行った。それ以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
(工程d)の(工程d−1)における前処理を行った後、(工程d−2)の工程で、塩化第一錫3g/L、チオ尿素25g/L、酒石酸25g/Lを含む無電解錫めっき液に30℃で15秒浸漬し、更に1分間水洗し、85℃で30分間乾燥する銅よりも卑な金属形成処理工程と、その後更に、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン0.5質量%水溶液に30℃で3分間浸漬し、更に1分間水洗し、85℃で30分間乾燥するカップリング処理工程を行った。それ以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
(工程d)の(工程d−1)における前処理を行った後、(工程d−2)の工程で、塩化第一錫3g/L、チオ尿素25g/L、酒石酸25g/Lを含む無電解錫めっき液に30℃で15秒浸漬し、更に1分間水洗し、85℃で30分間乾燥する銅よりも卑な金属形成処理工程と、その後更に、3,5−ジメチルピラゾール0.5質量%水溶液に30℃で3分間浸漬し、更に1分間水洗し、85℃で30分間乾燥するアゾール処理工程を行った。それ以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
(工程d)の(工程d−1)における前処理を行った後、(工程d−2)の工程で、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン0.5質量%水溶液に30℃で3分間浸漬し、更に1分間水洗し、85℃で30分間乾燥するカップリング処理工程を行った。それ以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
(工程d)の(工程d−1)における前処理を行った後、(工程d−2)の工程で、水酸化ナトリウム溶液でpH9.5に調整した3,5−ジメチルピラゾール0.5質量%水溶液に30℃で3分間浸漬し、更に1分間水洗し、85℃で30分間乾燥するアゾール処理工程を行った。それ以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
(工程d)の(工程d−1)における前処理を行った後、(工程d−2)における置換パラジウムめっき、酸化処理、酸性溶液による処理を行わずに、第2の配線106b表面をマイクロエッチング剤であるメックエッチボンドCZ8100(メック株式会社製、商品名)に40℃で1分30秒間浸漬し、水洗した後、50℃にて50g/Lの水酸化ナトリウムの溶液に60秒間浸漬し、更に水洗を1分間行い、その後、常温にて3.6Nの硫酸水溶液に60秒間浸漬し、更に水洗を1分間行い、その後、塩化第一錫3g/L、チオ尿素25g/L、酒石酸25g/Lを含む無電解錫めっき液に30℃で15秒浸漬し、更に1分間水洗し、85℃で30分間乾燥する銅よりも卑な金属形成処理工程を行った。それ以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
(工程d)の(工程d−1)における前処理を行った後、(工程d−2)における置換パラジウムめっき、酸化処理、酸性溶液による処理を行わずに、第2の配線106b表面をマイクロエッチング剤であるメックエッチボンドCZ8100(メック株式会社製、商品名)に40℃で1分30秒間浸漬し、水洗した後、50℃にて50g/Lの水酸化ナトリウムの溶液に60秒間浸漬し、更に水洗を1分間行い、常温にて3.6Nの硫酸水溶液に60秒間浸漬し、更に水洗を1分間行い、その後、塩化第一錫3g/L、チオ尿素25g/L、酒石酸25g/Lを含む無電解錫めっき液に30℃で15秒浸漬し、更に1分間水洗し、85℃で30分間乾燥する銅よりも卑な金属形成処理工程と、その後更に、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン0.5質量%水溶液に30℃で3分間浸漬し、更に1分間水洗し、85℃で30分間乾燥するカップリング処理工程を行った。それ以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
(工程d)の(工程d−1)における前処理を行った後、(工程d−2)における置換パラジウムめっき、酸化処理、酸性溶液による処理を行わずに、第2の配線106b表面をマイクロエッチング剤であるメックエッチボンドCZ8100(メック株式会社製、商品名)に40℃で1分30秒間浸漬し、水洗した後、50℃にて50g/Lの水酸化ナトリウムの溶液に60秒間浸漬し、更に水洗を1分間行い、常温にて3.6Nの硫酸水溶液に60秒間浸漬し、更に水洗を1分間行い、その後、塩化第一錫3g/L、チオ尿素25g/L、酒石酸25g/Lを含む無電解錫めっき液に30℃で15秒浸漬し、更に1分間水洗し、85℃で30分間乾燥する銅よりも卑な金属形成処理工程と、その後更に、3,5−ジメチルピラゾール0.5質量%水溶液に30℃で3分間浸漬し、更に1分間水洗し、85℃で30分間乾燥するアゾール処理工程を行った。それ以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
(工程d)の(工程d−1)における前処理を行った後、(工程d−2)の工程で、塩化第一錫3g/L、チオ尿素25g/L、酒石酸25g/Lを含む無電解錫めっき液に30℃で15秒浸漬し、更に1分間水洗し、85℃で30分間乾燥し、更に、150℃で60分間加熱処理する銅よりも卑な金属形成処理工程のみ行った。それ以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
(工程d)の(工程d−1)における前処理を行った後、(工程d−2)において、第2の配線106bを、置換パラジウムめっき液SA−100(日立化成工業株式会社、製品名)に30℃で3分間浸漬して、銅よりも貴な金属であるパラジウムめっきを1.0μmol/dm2施し、1分間水洗した後、更に、りん酸三ナトリウム10g/Lおよび水酸化カリウム25g/Lを含むアルカリ性溶液に亜塩素酸ナトリウム15g/L添加した酸化処理液に50℃で3分間浸漬することで、第2の配線106b表面に0.07mg/cm2の酸化銅の結晶を形成した。この後、1分間水洗し、硫酸20g/Lの酸性溶液による処理を行わずに、その代わりに、還元処理液HIST−100D(日立化成工業株式会社製、商品名)に40℃で3分間浸漬し、更に10分間水洗を行い、85℃で30分間乾燥する還元処理工程を行った以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
(工程d)の(工程d−1)における前処理を行った後、(工程d−2)において、第2の配線106bを、置換パラジウムめっき液SA−100(日立化成工業株式会社、製品名)に30℃で3分間浸漬して、銅よりも貴な金属であるパラジウムめっきを1.0μmol/dm2施し、1分間水洗した後、更に、りん酸三ナトリウム10g/Lおよび水酸化カリウム25g/Lを含むアルカリ性溶液に亜塩素酸ナトリウム15g/L添加した酸化処理液に50℃で3分間浸漬することで、第2の配線106b表面に0.07mg/cm2の酸化銅の結晶を形成した。この後、1分間水洗し、硫酸20g/Lの酸性溶液による処理を行わずに、その代わりに、還元処理液HIST−100D(日立化成工業株式会社製、商品名)に40℃で3分間浸漬する還元処理工程を行った。その後、1分間水洗し、水酸化ナトリウム溶液でpH9.5に調整した3,5−ジメチルピラゾール0.5質量%水溶液に30℃で3分間浸漬し、更に1分間水洗を行い、85℃で30分間乾燥するアゾール処理工程を行った以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
(工程d)の(工程d−1)における前処理を行った後、(工程d−2)において、第2の配線106bを、置換パラジウムめっき液SA−100(日立化成工業株式会社、製品名)に30℃で3分間浸漬して、銅よりも貴な金属であるパラジウムめっきを1.0μmol/dm2施し、1分間水洗した後、更に、りん酸三ナトリウム10g/Lおよび水酸化カリウム25g/Lを含むアルカリ性溶液に亜塩素酸ナトリウム15g/L添加した酸化処理液に50℃で3分間浸漬することで、第2の配線106b表面に0.07mg/cm2の酸化銅の結晶を形成した。この後、1分間水洗し、硫酸20g/Lの酸性溶液による処理を行わずに、その代わりに、還元処理液HIST−100D(日立化成工業株式会社製、商品名)に40℃で3分間浸漬する還元処理工程を行った。その後、1分間水洗し、塩化第一錫3g/L、チオ尿素25g/L、酒石酸25g/Lを含む無電解錫めっき液に30℃で15秒浸漬し、更に1分間水洗し、85℃で30分間乾燥する銅よりも卑な金属形成処理工程を行った以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
(工程d)の(工程d−1)における前処理を行った後、(工程d−2)において、第2の配線106bを、置換パラジウムめっき液SA−100(日立化成工業株式会社、製品名)に30℃で3分間浸漬して、銅よりも貴な金属であるパラジウムめっきを1.0μmol/dm2施し、1分間水洗した後、更に、りん酸三ナトリウム10g/Lおよび水酸化カリウム25g/Lを含むアルカリ性溶液に亜塩素酸ナトリウム15g/L添加した酸化処理液に50℃で3分間浸漬することで、第2の配線106b表面に0.07mg/cm2の酸化銅の結晶を形成した。この後、1分間水洗し、硫酸20g/Lの酸性溶液による処理を行わずに、その代わりに、還元処理液HIST−100D(日立化成工業株式会社製、商品名)に40℃で3分間浸漬する還元処理工程を行った。その後、1分間水洗し、塩化第一錫3g/L、チオ尿素25g/L、酒石酸25g/Lを含む無電解錫めっき液に30℃で15秒浸漬し、更に1分間水洗し、85℃で30分間乾燥し、更に、150℃で60分間加熱処理する銅よりも卑な金属形成処理工程を行った以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
本発明の銅表面処理後におけるビルドアップ樹脂と銅表面の接着性、ソルダーレジストと銅表面の接着性、清浄度、平滑度、光沢性、表面形状を評価するために、18μmの電解銅箔GTS−18(古河サーキットフォイル株式会社製、商品名)のシャイニー面に電気めっきを行い、厚さ50μmの電解銅箔を作製した。その後、5cm×8cm(接着試験用、銅表面清浄度評価用、銅表面平滑度評価用、銅表面形状評価用、銅表面光沢評価用)に切り出し、各電解銅箔の電気めっき面に、実施例1の(工程d)により、(工程d−1)および(工程d−2)に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属形成、酸化処理、酸性溶液処理)を施し、電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、実施例2に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属形成、酸化処理、酸性溶液処理、カップリング処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例11と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、実施例3に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属形成、酸化処理、酸性溶液処理、アゾール処理:イミダゾール)と同様の表面処理を施した以外は、実施例11と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、実施例4に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属形成、酸化処理、酸性溶液処理、アゾール処理:ピラゾール)と同様の表面処理を施した以外は、実施例11と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、実施例5に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属形成、酸化処理、酸性溶液処理、無電解錫めっき処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例11と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、実施例6に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属形成、酸化処理、酸性溶液処理、無電解ニッケルめっき処理、無電解錫めっき処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例11と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、実施例7に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属形成、酸化処理、酸性溶液処理、無電解コバルトめっき処理、無電解錫めっき処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例11と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、実施例8に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属形成、酸化処理、酸性溶液処理、無電解錫めっき処理、カップリング処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例11と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、実施例9に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属形成、酸化処理、酸性溶液処理、無電解錫めっき処理、アゾール処理:ピラゾール)と同様の表面処理を施した以外は、実施例11と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、実施例10に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属形成、酸化処理、酸性溶液処理、無電解錫めっき処理、150℃加熱処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例11と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、比較例1に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、酸化処理、酸性溶液処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例11と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、比較例2に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、酸化処理85℃、酸性溶液処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例11と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、比較例3に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、酸化処理85℃、還元処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例11と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、比較例4に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、エッチング処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例11と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、比較例5に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、凹凸形成処理なし)と同様の表面処理を施した以外は、実施例11と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、比較例6に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、無電解錫めっき処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例11と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、比較例7に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、無電解錫めっき処理、カップリング処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例11と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、比較例8に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、無電解錫めっき処理、アゾール処理:ピラゾール)と同様の表面処理を施した以外は、実施例11と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、比較例9に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、カップリング処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例11と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、比較例10に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、アゾール処理:ピラゾール)と同様の表面処理を施した以外は、実施例11と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、比較例11に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、エッチング処理、無電解錫めっき)と同様の表面処理を施した以外は、実施例11と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、比較例12に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、エッチング処理、無電解錫めっき、カップリング処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例11と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、比較例13に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、エッチング処理、無電解錫めっき、アゾール処理:ピラゾール)と同様の表面処理を施した以外は、実施例11と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、比較例14に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、無電解錫めっき処理、150℃加熱処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例11と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、比較例15に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属処理、酸化処理、還元処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例11と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、比較例16に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属処理、酸化処理、還元処理、アゾール処理:ピラゾール)と同様の表面処理を施した以外は、実施例11と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、比較例17に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属処理、酸化処理、還元処理、無電解錫めっき処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例11と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、比較例18に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属処理、酸化処理、還元処理、無電解錫めっき処理、150℃加熱処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例11と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
(工程d)における本発明の銅表面処理による効果を評価するために、以下のようにして評価用基板を作製し、配線間の絶縁抵抗値および耐PCT性を評価した。図13および図14は、評価用基板の製造工程を模式的に示す工程図であり、(工程a’)および(工程d’)は、各々、先に図9に沿って説明した(工程a)および(工程d)に対応している。
(工程a’)
図13および図14に示すコア基板100として0.4mm厚のソーダガラス基板(熱膨張係数11ppm/℃)を用意し、片面に層間絶縁層104を次のように形成した。すなわち、シアネートエステル系樹脂組成物の絶縁ワニスをスピンコート法により、条件1500rpmで、ガラス基板上に塗布し、厚み20μmの樹脂層を形成した後、常温(25℃)から6℃/minの昇温速度で230℃まで加熱し、230℃で80分間保持することにより熱硬化し、層間絶縁層104を形成した。その後、実施例1の(工程a)により厚さ200nmの銅薄膜118のみを形成した。
次に、銅箔膜上に、スピンコート法でめっきレジストPMER P−LA900PM(東京応化工業株式会社製、商品名)を塗布し、膜厚10μmのめっきレジスト層を形成した。ついで、めっきレジスト層を1000mJ/cm2の条件で露光した後、PMER現像液P−7Gに23℃で6分間浸漬し、レジストパターン119を形成した。その後、硫酸銅めっき液を用いて電気銅めっきを行い、厚さ約5μmの配線106を形成した。めっきレジストの剥離は、メチルエチルケトンを用いて室温(25℃)で1分間浸漬して行った。また、シード層のクイックエッチングには、CPE−700(三菱瓦斯化学株式会社製、商品名)の5倍希釈液を用いて、30℃で30秒間浸漬揺動することにより、これをエッチング除去し、配線106を形成した。
上記(工程a’)で形成した配線106に対し、実施例1の(工程d)により、(工程d−1)および(工程d−2)に記載された各表面処理(前処理、貴金属形成、酸化処理、酸性溶液処理)を施した後、図13に示す層間絶縁層(ビルドアップ層)104と図14に示すソルダーレジスト109をそれぞれ形成し、図15に示すL/S=5μm/5μm、図16に示すL/S=10μm/10μmの評価用基板をそれぞれ32枚作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、実施例2に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属形成、酸化処理、酸性溶液処理、カップリング処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例21と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、実施例3に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属形成、酸化処理、酸性溶液処理、アゾール処理:イミダゾール)と同様の表面処理を施した以外は、実施例21と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、実施例4に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属形成、酸化処理、酸性溶液処理、アゾール処理:ピラゾール)と同様の表面処理を施した以外は、実施例21と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、実施例5に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属形成、酸化処理、酸性溶液処理、無電解錫めっき処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例21と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、実施例6に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属形成、酸化処理、酸性溶液処理、無電解ニッケルめっき処理、無電解錫めっき処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例21と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、実施例7に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属形成、酸化処理、酸性溶液処理、無電解コバルトめっき処理、無電解錫めっき処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例21と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、実施例8に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属形成、酸化処理、酸性溶液処理、無電解錫めっき処理、カップリング処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例21と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、実施例9に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属形成、酸化処理、酸性溶液処理、無電解錫めっき処理、アゾール処理:ピラゾール)と同様の表面処理を施した以外は、実施例21と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、実施例10に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属形成、酸化処理、酸性溶液処理、無電解錫めっき処理、150℃加熱処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例21と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、比較例1に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、酸化処理、酸性溶液処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例21と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、比較例2に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、酸化処理85℃、酸性溶液処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例21と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、比較例3に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、酸化処理85℃、還元処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例21と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、比較例4に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、エッチング処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例21と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、比較例5に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、凹凸形成処理なし)と同様の表面処理を施した以外は、実施例21と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、比較例6に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、無電解錫めっき処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例21と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、比較例7に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、無電解錫めっき処理、カップリング処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例21と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、比較例8に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、無電解錫めっき処理、アゾール処理:ピラゾール)と同様の表面処理を施した以外は、実施例21と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、比較例9に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、カップリング処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例21と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、比較例10に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、アゾール処理:ピラゾール)と同様の表面処理を施した以外は、実施例21と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、比較例11に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、エッチング処理、無電解錫めっき処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例21と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、比較例12に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、エッチング処理、無電解錫めっき処理、カップリング処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例21と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、比較例13に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、エッチング処理、無電解錫めっき処理、アゾール処理:ピラゾール)と同様の表面処理を施した以外は、実施例21と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、比較例14に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、無電解錫めっき処理、150℃加熱処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例21と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、比較例15に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属処理、酸化処理、還元処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例21と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、比較例16に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属処理、酸化処理、還元処理、アゾール処理:ピラゾール)と同様の表面処理を施した以外は、実施例21と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、比較例17に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属処理、酸化処理、還元処理、無電解錫めっき処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例21と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、比較例18に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属処理、酸化処理、還元処理、無電解錫めっき処理、150℃加熱処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例21と同様に評価用基板を作製した。
本発明の銅表面処理をレジストパターン形成前処理として用いた時のレジストパターン形成性および配線形成性を評価するために、以下のようにして評価用基板を作製した。図13および図14は、評価用基板の製造工程を模式的に示す工程図であり、(工程a’)および(工程d)は、各々、先に図9に沿って説明した(工程a)および(工程d)に対応している。
(工程a’)
図13および図14に示すコア基板100として0.4mm厚のソーダガラス基板(熱膨張係数11ppm/℃)を用意し、片面に層間絶縁層104を次のように形成した。すなわち、シアネートエステル系樹脂組成物の絶縁ワニスをスピンコート法により、条件1500rpmで、ガラス基板上に塗布し、厚み20μmの樹脂層を形成した後、常温(25℃)から6℃/minの昇温速度で230℃まで加熱し、230℃で80分間保持することにより熱硬化し、層間絶縁層104を形成した。その後、実施例1の(工程a)により銅薄膜118のみを形成した。
さらに、実施例1の(工程d)により、(工程d−1)および(工程d−2)記載された各表面処理(前処理、貴金属形成、酸化処理、酸性溶液処理)を施した。
次に、銅表面処理された銅箔膜上に、スピンコート法でめっきレジストPMER P−LA900PM(東京応化工業株式会社製、商品名)を塗布し、膜厚10μmのめっきレジスト層を形成した。ついで、めっきレジスト層を1000mJ/cm2の条件で露光した後、PMER現像液P−7Gに23℃で6分間浸漬し、レジストパターン119を形成した。その後、硫酸銅めっき液を用いて電気銅めっきを行い、厚さ約5μmの配線106を形成した。めっきレジストの剥離は、メチルエチルケトンを用いて室温(25℃)で1分間浸漬して行った。また、シード層のクイックエッチングには、CPE−700(三菱瓦斯化学株式会社製、商品名)の5倍希釈液を用いて、30℃で30秒間浸漬揺動することにより、これをエッチング除去して配線106を形成し、図15に示すL/S=5μm/5μm、図16に示すL/S=10μm/10μmの評価用基板をそれぞれ32枚作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、実施例2に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属形成、酸化処理、酸性溶液処理、カップリング処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例31と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、実施例3に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属形成、酸化処理、酸性溶液処理、アゾール処理:イミダゾール)と同様の表面処理を施した以外は、実施例31と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、実施例4に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属形成、酸化処理、酸性溶液処理、アゾール処理:ピラゾール)と同様の表面処理を施した以外は、実施例31と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、実施例5に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属形成、酸化処理、酸性溶液処理、無電解錫めっき処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例31と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、実施例6に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属形成、酸化処理、酸性溶液処理、無電解ニッケルめっき処理、無電解錫めっき処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例31と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、実施例7に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属形成、酸化処理、酸性溶液処理、無電解雇コバルトめっき処理、無電解錫めっき処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例31と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、実施例8に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属形成、酸化処理、酸性溶液処理、無電解錫めっき処理、カップリング処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例31と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、実施例9に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属形成、酸化処理、酸性溶液処理、無電解錫めっき処理、アゾール処理:ピラゾール)と同様の表面処理を施した以外は、実施例31と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、実施例10に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属形成、酸化処理、酸性溶液処理、無電解錫めっき処理、150℃加熱処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例31と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、比較例1に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、酸化処理、酸性溶液処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例31と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、比較例2に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、酸化処理85℃、酸性溶液処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例31と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、比較例3に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、酸化処理85℃および還元処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例31と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、比較例4に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、エッチング処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例31と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、比較例5に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、凹凸形成処理なし)と同様の表面処理を施した以外は、実施例31と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、比較例6に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、無電解錫めっき処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例31と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、比較例7に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、無電解錫めっき処理、カップリング処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例31と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、比較例8に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、無電解錫めっき処理、アゾール処理:ピラゾール)と同様の表面処理を施した以外は、実施例31と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、比較例9に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、カップリング処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例31と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、比較例10に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、アゾール処理:ピラゾール)と同様の表面処理を施した以外は、実施例31と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、比較例11に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、エッチング処理、無電解錫めっき処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例31と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、比較例12に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、エッチング処理、無電解錫めっき処理、カップリング処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例31と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、比較例13に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、エッチング処理、無電解錫めっき処理、アゾール処理:ピラゾール)と同様の表面処理を施した以外は、実施例31と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、比較例14に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、無電解錫めっき処理、150℃加熱処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例31と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、比較例15に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属処理、酸化処理、還元処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例31と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、比較例16に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属処理、酸化処理、還元処理、アゾール処理:ピラゾール)と同様の表面処理を施した以外は、実施例31と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、比較例17に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属処理、酸化処理、還元処理、無電解錫めっき処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例31と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、比較例18に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属処理、酸化処理、還元処理、無電解錫めっき処理、150℃加熱処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例31と同様に評価用基板を作製した。
本発明の銅表面処理によるピンクリング発生有無を評価するために、以下のような評価用基板を作製した。
実施例31に示す(工程a’)において銅薄膜118上に電気めっきを行った。その後、(工程a’)の各表面処理(前処理及び貴金属形成、酸化処理、酸性溶液処理)まで行った後、室温で2時間、76時間、168時間、および150℃で1時間放置し、その後、配線形成工程(レジスト塗布、露光、現像、電気めっき、レジスト剥離、エッチング)を行わずに、表面処理された銅表面に、シアネートエステル系樹脂組成物をガラスクロスに含浸させたプリプレグのGXA−67N(日立化成工業株式会社製、商品名)を積層し、3.0MPaの圧力で常温(25℃)から6℃/minの昇温速度で230℃まで加熱し、230℃において1時間保持することにより積層接着した。
その後、レーザ加工で、穴径0.1mmを20箇所に穴あけを行い、ピンクリング発生有無評価用基板を20枚作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、実施例2に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属形成、酸化処理、酸性溶液処理、カップリング処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例41と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、実施例3に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属形成、酸化処理、酸性溶液処理、アゾール処理:ピラゾール)と同様の表面処理を施した以外は、実施例41と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、実施例4に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属形成、酸化処理、酸性溶液処理、アゾール処理:ピラゾール)と同様の表面処理を施した以外は、実施例41と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、実施例5に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属形成、酸化処理、酸性溶液処理、無電解錫めっき処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例41と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、実施例6に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属形成、酸化処理、酸性溶液処理、無電解ニッケルめっき処理、無電解錫めっき処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例41と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、実施例7に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属形成、酸化処理、酸性溶液処理、無電解コバルト処理、無電解錫めっき処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例41と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、実施例8に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属形成、酸化処理、酸性溶液処理、無電解錫めっき処理、カップリング処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例41と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、実施例9に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属形成、酸化処理、酸性溶液処理、無電解錫めっき処理、アゾール処理:ピラゾール)と同様の表面処理を施した以外は、実施例41と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、実施例10に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属形成、酸化処理、酸性溶液処理、無電解錫めっき処理、150℃加熱処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例41と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、比較例1に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、酸化処理、酸性溶液処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例41と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、比較例2に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、酸化処理85℃、酸性溶液処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例41と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、比較例3に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、酸化処理85℃および還元処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例41と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、比較例4に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、エッチング処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例41と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、比較例5に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、凹凸形成処理なし)と同様の表面処理を施した以外は、実施例41と同様に評価用基板を作製した。
(比較例78)
上記(工程a’)における各表面処理として、比較例6に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、無電解錫めっき処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例41と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、比較例7に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、無電解錫めっき処理、カップリング処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例41と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、比較例8に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、無電解錫めっき処理、アゾール処理:ピラゾール)と同様の表面処理を施した以外は、実施例41と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、比較例9に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、カップリング処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例41と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、比較例10に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、アゾール処理:ピラゾール)と同様の表面処理を施した以外は、実施例41と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、比較例11に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、エッチング処理、無電解錫めっき処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例41と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、比較例12に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、エッチング処理、無電解錫めっき処理、カップリング処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例41と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、比較例13に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、エッチング処理、無電解錫めっき処理、アゾール処理:ピラゾール)と同様の表面処理を施した以外は、実施例37と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、比較例14に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、無電解錫めっき処理、150℃加熱処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例41と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、比較例15に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属処理、酸化処理、還元処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例41と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、比較例16に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属処理、酸化処理、還元処理、アゾール処理:ピラゾール)と同様の表面処理を施した以外は、実施例41と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、比較例17に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属処理、酸化処理、還元処理、無電解錫めっき処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例41と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程a’)における各表面処理として、比較例18に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属処理、酸化処理、還元処理、無電解錫めっき処理、150℃加熱処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例41と同様に評価用基板を作製した。
実施例1〜10及び比較例1〜18に記載された各々22個の半導体パッケージサンプルに対して吸湿処理を行った後、到達温度240℃、長さ2mのリフロー炉に0.5m/分の条件で各サンプルを流して、リフローを行った。その後、各サンプルについてクラック発生の有無を調べ、発生した場合をNGとした。結果を表1に示す。
また、各々22個の半導体パッケージサンプルを厚さ0.8mmのマザーボードに実装し、−55℃、30分〜125℃、30分の条件で温度サイクル試験を行い、500サイクル目、1000サイクル目、1500サイクル目に、ヒューレット・パッカード社製マルチメータ3457Aを用い、配線の導通抵抗値を測定した。測定した抵抗値が初期抵抗値より10%以上変化した場合をNGとした。結果を表1に示す。但し、比較例4、比較例11,比較例12,比較例13については、配線精度を維持することができず、試験基板を作製することができなかった。
実施例11〜20及び比較例19〜36で作製した電解銅箔上に、膜厚45μmのビルドアップ材であるAS−ZII(日立化成工業株式会社製、商品名)を積層し、真空加圧式ラミネーター装置(株式会社名機製作所社製)で、温度110℃、加圧0.5MPaで40秒による仮接着を行った。その後、乾燥機により180℃・90分保持することにより銅とビルドアップ樹脂を接着し、接着性試験用基板を作製した。なお、上記電解銅箔は、各種表面処理を施した面側において絶縁層(ビルドアップ樹脂)と接着している。
ついで、上記で得た各接着性試験用基板について、初期(0時間)の接着性、150℃で120時間および240時間放置した後の接着性、および121℃、0.2MPaで48時間および96時間のPCT放置した後の接着性を測定した。なお、上記接着性の指標となるピール強度(N/m)の測定は、レオメータNRM−3002D−H(不動工業株式会社製、商品名)を用い、電解銅箔を基板に対して垂直方向に50mm/minの速度で引き剥がして行った。結果を表2−1に示す。
実施例11〜20及び比較例19〜36で作製した電解銅箔上に、膜厚45μmのビルドアップ材であるAS−ZII(日立化成工業株式会社製、商品名)を積層し、真空プレス装置(株式会社名機製作所社製)で、温度110℃、加圧2.0MPaで300秒による仮接着を行った。その後、乾燥機により180℃・90分保持することにより銅とビルドアップ樹脂を接着し、接着性試験用基板を作製した。なお、上記電解銅箔は、各種表面処理を施した面側において絶縁層(ビルドアップ樹脂)と接着している。
ついで、上記で得た各接着性試験用基板について、初期(0時間)の接着性、150℃で120時間および240時間放置した後の接着性を測定した。なお、上記接着性の指標となるピール強度(N/m)の測定は、レオメータNRM−3002D−H(不動工業株式会社製、商品名)を用い、電解銅箔を基板に対して垂直方向に50mm/minの速度で引き剥がして行った。結果を表2−2に示す。
実施例11〜20及び比較例19〜36で作製した電解銅箔上に、膜厚45μmのビルドアップ材であるABF−GX−13(味の素ファインテクノ株式会社製、商品名)を積層し、真空加圧式ラミネーター装置(株式会社名機製作所社製)で、温度110℃、加圧0.5MPaで40秒による仮接着を行った。その後、乾燥機により170℃・90分保持することにより銅とビルドアップ樹脂を接着し、接着性試験用基板を作製した。なお、上記電解銅箔は、各種表面処理を施した面側において絶縁層(ビルドアップ樹脂)と接着している。
ついで、上記で得た各接着性試験用基板について、初期(0時間)の接着性、150℃で120時間および240時間放置した後の接着性、および121℃、0.2MPaで48時間および96時間のPCT放置した後の接着性を測定した。なお、上記接着性の指標となるピール強度(N/m)の測定は、レオメータNRM−3002D−H(不動工業株式会社製、商品名)を用い、電解銅箔を基板に対して垂直方向に50mm/minの速度で引き剥がして行った。結果を表2−3に示す。
実施例11〜20及び比較例19〜36で作製した電解銅箔上に、膜厚30μmのソルダーレジストであるSR−7200(日立化成工業株式会社製、商品名)を塗布し、硬化することにより銅とソルダーレジストを接着し、接着性試験用基板を作製した。なお、上記電解銅箔は、各種表面処理を施した面側において絶縁層(ソルダーレジスト)と接着している。
ついで、上記で得た各接着性試験用基板について、初期(0時間)の接着性、150℃で120時間および240時間放置した後の接着性および121℃、0.2MPaで48時間および96時間のPCT放置した後の接着性を測定した。なお、上記接着性の指標となるピール強度(N/m)の測定は、レオメータNRM−3002D−H(不動工業株式会社製、商品名)を用い、電解銅箔を基板に対して垂直方向に50mm/minの速度で引き剥がして行った。結果を表2−4に示す。
実施例11〜20及び比較19〜36で作製した各電解銅箔の表面処理を施した面側について、純水20mlで85℃、1時間の抽出を行い、抽出液の陽イオン及び陰イオンの定性分析をイオンクロマトグラフで行った。イオンクロマトグラフはDX−500(Dionex社製、商品名)を用いて、以下に示した条件3で行った。
陽イオン測定条件
溶離液:8mmol/L−メタンスルホン酸
注入量:100μL
分離カラム:2mmφ×250mm lonPac CS14
検出器:電気伝導度計
陰イオン測定条件
溶離液:2.7mmol/L−炭酸ナトリウムと0.3mmol/L−炭酸水素ナトリウムの混合液
注入量:500μL
分離カラム:4mmφ×200mm lonPac AS12A
検出器:電気伝導度計
実施例11〜20及び比較例19〜36で作製した電解銅箔の表面処理を施した面側の表面粗さ(Rz)を簡易式原子間力顕微鏡(AFM)Nanopics2100を用いて、以下に示した条件4で測定した。結果を表4に示す。
測定長さ:1μm
SCAN SPEED:1.35μm/sec
FORCE REFARENCE:160
実施例11〜20及び比較例19〜36で作製した電解銅箔の表面処理を施した面側の銅表面形状を調べた。走査型電子顕微鏡S−4700(日立製作所製、商品名)による10万倍の観察で、銅表面形状が緻密且つ均一の凹凸であり、針状でないのものを「良(○)」、そうでないものを「否(×)」とした。結果を表4に示す。但し、比較例23については、(工程d−2)を行っていないため、銅表面に凹凸を形成することができなかった。また、比較例27については、カップリング処理、比較例28については、アゾール処理のみのため、銅表面に凹凸を形成することができなかった。
実施例11〜20及び比較例19〜36で作製した電解銅箔の表面処理を施した面側を目視により銅表面光沢の有無を調べた。無光沢のものを「良(○)」、光沢のあるものを「否(×)」とした。結果を表4に示す。
実施例21〜30及び比較例37〜54に記載された各評価用基板について、以下のようにして、L/S=5/5μmおよびL/S=10/10μmの配線間の短絡および配線の断線が無い評価基板4枚を選び、配線間の絶縁抵抗値を測定した。但し、比較例40および比較例47〜49の評価基板については、配線精度を維持することができなかったため、測定を行わなかった。
まず、デジタル超高抵抗微小電流計R−8340A(アドバンテスト社製、商品名)を用いて、L/S配線間に室温でDC5Vの電圧を30秒間印加し、L/S配線間の絶縁抵抗値を測定した。なお、1GΩ以下の絶縁抵抗測定には、デジタルマルチメータ3457A(ヒューレット・パッカード社製、商品名)を用いた。
次に、温度85℃・相対湿度85%に保った恒温恒湿層中で、L/S配線間に連続的にDC5Vの電圧を印加し、24h、48h、96h、200h、500h、1,000h後に上記と同様にL/S配線間の絶縁抵抗値を測定した。なお、恒温恒湿槽はEC−10HHPS(日立製作所製、商品名)を用い、投入後1000時間まで測定した。
以上のようにして測定した評価基板4枚について、絶縁抵抗値の最小値が、1GΩ未満の場合には「否(×)とし、1.0×109Ω以上の場合には「良(○)」とした。結果を表5および表6に示す。
実施例31〜40及び比較例55〜72に記載された(工程a’)において、レジストパターン119の形成成功率の評価をした。評価方法は、配線が形成される箇所にレジスト残さ、あるいは形成されたレジストの剥れがなく、且つ、各L/Sのレジストが形成されたレジスト幅を測定し、各L/Sレジスト幅の設計値に対する誤差が±10%以内のものを良品とし、その数を調べた。結果を表6に示す。但し、比較例56、比較例58および比 較例65〜67の評価基板については、銅表面処理を行うことにより、銅薄膜118が消失するため、測定を行わなかった。
実施例31〜40及び比較例55〜72に記載された(工程a’)において、配線106の形成成功率の評価をした。評価方法は、配線間の短絡あるいは配線の断線がなく、且つ、銅めっき厚の設計値5μmに対する誤差が±10%以内のものを良品とし、その数を調べた。結果を表7に示す。但し、比較例56、比較例58および比較例65〜67の評価基板については、銅表面処理を行うことにより、銅薄膜118が消失するため、測定を行わなかった。
実施例21〜30及び比較例37〜54に記載された(工程d’)まで処理した後、耐PCT試験(121℃、0.2MPa、200h)を行った。評価方法は、試験後の配線106と絶縁層(ビルドアップ層)104間、絶縁層104と絶縁層(ビルドアップ層)104間および配線106とソルダーレジスト109間、絶縁層104とソルダーレジスト109間に膨れおよび剥がれが無いものを良品とし、その数を調べた。結果を表8に示す。但し、比較例40および比較例47〜49については、形成した配線が消失するために、試験基板を作成することができなかった。
実施例41〜50及び比較例73〜90に記載された各評価用基板について、18%塩酸に3h浸漬し、穴周辺にピンク色のリング(ピンクリング)が発生する数を調べた。結果を表9に示す。但し、比較例73および比較例77〜82、比較例86については、樹脂との接着が良くないために、レーザ加工で樹脂が剥がれ、試験をすることができなかった。
また、表4に示すように、実施例11〜20で作製した電解銅箔は、Rzが100nm以下の緻密且つ均一な針状でない微細な凹凸をその表面に有することで銅表面の光沢を抑制し、更に、表2に示すように、ビルドアップ樹脂との150℃・240h放置後の接着強度(ピール強度)は、カップリング処理およびアゾール処理をすることで向上し、ピラゾール処理することで、更に向上し良好であった。また、無電解錫めっき処理した場合でも、加熱処理を行うことで、更に向上し良好であった。
ソルダーレジストとの150℃・240h放置後およびPCT放置後の接着強度(ピール強度)は、無電解錫めっき処理をすることで更に向上し良好であった。
また、表3−1〜表3−3に示すように、実施例11〜20で作製した電解銅箔の表面処理した面から各種イオンは検出されなかったことから、当該表面の洗浄性は良好であった。
また、表5および表6に示すように、実施例21〜30で作製した評価基板における配線間絶縁信頼性は、L/S=5/5μmおよびL/S=10/10μmのいずれにおいても極めて良好であった。また、表6に示すように実施例31〜40で作製した評価基板におけるレジストパターン形成成功率は、L/S=5/5μmおよびL/S=10/10μmにおいても極めて良好であった。また、表7に示すように実施例31〜40で作製した評価基板における配線形成成功率は、L/S=5/5μmおよびL/S=10/10μmにおいても極めて良好であった。また、表8に示すように実施例21〜30で作製した評価基板における耐PCT性は、無電解錫めっき処理をすることで、ビルドアップ層と配線間、ビルドアップ層と絶縁層間およびソルダーレジストと配線間、ソルダーレジストと絶縁層間のいずれにおいても極めて良好であった。また、表9に示すように、実施例41〜50で、凹凸形成処理後にカップリング処理、アゾール処理、金属形成処理を行った評価基板については、ピンクリングの発生は無く、極めて良好であった。
Claims (11)
- 銅の表面処理方法であって、
銅表面に、前記銅よりも貴な金属を離散的に形成する第1の工程と、引き続き
酸化剤を含むアルカリ性溶液を用いた酸化によって、前記銅表面に酸化銅を形成する第2の工程と、次いで、
前記酸化銅を溶解させることによって除去し、前記銅表面に凹凸を形成する第3の工程と
を有する表面処理方法。 - 前記第3の工程後、前記銅表面に対して接着強度を向上させるための処理を行う第4の工程をさらに有し、前記第4の工程が、前記銅表面に銅よりも卑な金属を形成する処理、アゾール化合物を含有する溶液を用いた処理、およびカップリング剤を用いた処理からなる群から選択される少なくとも1つの処理を含む、請求項1に記載の表面処理方法。
- 前記第4の工程が、前記表面に銅よりも卑な金属を形成する処理と、アゾール化合物を含有する溶液を用いた処理との双方を含む、請求項2に記載の表面処理方法。
- 前記第4の工程が、前記銅表面に銅よりも卑な金属を形成する処理後に、90℃以上の温度に加熱する加熱処理を含む請求項2に記載の表面処理方法。
- 前記酸化剤が、塩素酸塩、亜塩素酸塩、次亜塩素酸塩、過塩素酸塩、ペルオキソ二硫酸塩、および過マンガン酸塩からなる群から選択される1種以上である、請求項1〜4のいずれかに記載の表面処理方法。
- 前記銅よりも貴な金属が、金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、レニウム、ルテニウム、オスミウム、およびイリジウムからなる群から選択される金属、またはそれら金属を含む合金である、請求項1〜5のいずれかに記載の表面処理方法。
- 前記銅よりも貴な金属の形成量が、0.001μmol/dm2以上かつ5μmol/dm2以下である、請求項1〜6のいずれかに記載の表面処理方法。
- 前記第3の工程における前記酸化銅の溶解が、無機酸および有機酸からなる群から選択される1種以上を含む酸性溶液を用いて行われる、請求項1〜7のいずれかに記載の表面処理方法。
- 前記第3の工程後の前記銅表面の粗さが、Rzで1nm以上かつ1000nm以下である、請求項1〜8のいずれかに記載の表面処理方法。
- 請求項1〜9のいずれかに記載の表面処理方法を用いて表面を処理した銅。
- 銅配線を有する配線基板であって、前記銅配線の表面が、請求項1〜9のいずれかに記載の表面処理方法を用いて処理された配線基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010535702A JP5402939B2 (ja) | 2008-10-27 | 2009-06-17 | 銅の表面処理方法及び銅 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008275493 | 2008-10-27 | ||
JP2008275493 | 2008-10-27 | ||
JP2010535702A JP5402939B2 (ja) | 2008-10-27 | 2009-06-17 | 銅の表面処理方法及び銅 |
PCT/JP2009/061050 WO2010050266A1 (ja) | 2008-10-27 | 2009-06-17 | 銅の表面処理方法及び銅 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010050266A1 true JPWO2010050266A1 (ja) | 2012-03-29 |
JP5402939B2 JP5402939B2 (ja) | 2014-01-29 |
Family
ID=42128636
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010535702A Active JP5402939B2 (ja) | 2008-10-27 | 2009-06-17 | 銅の表面処理方法及び銅 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8809696B2 (ja) |
EP (1) | EP2341167B1 (ja) |
JP (1) | JP5402939B2 (ja) |
KR (1) | KR101268145B1 (ja) |
CN (2) | CN102124145A (ja) |
TW (1) | TWI445843B (ja) |
WO (1) | WO2010050266A1 (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012126815A (ja) * | 2010-12-15 | 2012-07-05 | Tosoh Corp | 導電性インク組成物及びその製造方法 |
JP2012216773A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-11-08 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板及びその製造方法 |
US9121101B2 (en) * | 2011-06-30 | 2015-09-01 | Asahi Kasei E-Materials Corporation | Etchant and etching method using the same |
JP5920972B2 (ja) * | 2011-12-26 | 2016-05-24 | メック株式会社 | 配線形成方法およびエッチング液 |
JP2013222760A (ja) * | 2012-04-13 | 2013-10-28 | Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd | 銅配線形成方法、表示装置の製造方法 |
US20140072706A1 (en) * | 2012-09-11 | 2014-03-13 | Ernest Long | Direct Electroless Palladium Plating on Copper |
US9386701B2 (en) * | 2012-11-30 | 2016-07-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Electronic component embedded printed circuit board |
US9330993B2 (en) * | 2012-12-20 | 2016-05-03 | Intel Corporation | Methods of promoting adhesion between underfill and conductive bumps and structures formed thereby |
US8943594B1 (en) | 2013-06-24 | 2015-01-27 | Haystack Security LLC | Cyber attack disruption through multiple detonations of received payloads |
US10057992B2 (en) * | 2013-08-15 | 2018-08-21 | Hitachi Metals, Ltd. | Ceramic circuit substrate and its production method |
KR101920976B1 (ko) * | 2013-09-20 | 2018-11-21 | 미쓰이금속광업주식회사 | 구리박, 캐리어박 부착 구리박, 및 구리 피복 적층판 |
KR102166450B1 (ko) * | 2013-09-25 | 2020-10-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 식각액 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판 형성 방법 |
JP6264900B2 (ja) * | 2014-01-24 | 2018-01-24 | 日立化成株式会社 | レジストパターンの製造方法、配線パターンの製造方法及び配線基板 |
US10325876B2 (en) * | 2014-06-25 | 2019-06-18 | Nxp Usa, Inc. | Surface finish for wirebonding |
CN104263938A (zh) * | 2014-09-09 | 2015-01-07 | 中国电器科学研究院有限公司 | 从底层电镀铜/镍材料中回收稀贵/惰性金属的试剂 |
JP2016119396A (ja) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | 日立化成株式会社 | レジストパターンの製造方法、配線パターンの製造方法及び配線基板 |
JP6393345B2 (ja) * | 2015-01-22 | 2018-09-19 | アルプス電気株式会社 | 圧粉コア、該圧粉コアの製造方法、該圧粉コアを備える電気・電子部品、および該電気・電子部品が実装された電気・電子機器 |
CN209358846U (zh) * | 2016-06-02 | 2019-09-06 | 株式会社村田制作所 | 树脂多层基板 |
JP6870245B2 (ja) * | 2016-09-06 | 2021-05-12 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 銅製部材の表面処理方法及び半導体実装用基板の製造方法 |
JP7013003B2 (ja) * | 2017-11-10 | 2022-01-31 | ナミックス株式会社 | 粗面化処理された銅表面を有する物体 |
JP7409602B2 (ja) * | 2019-05-09 | 2024-01-09 | ナミックス株式会社 | 複合銅部材 |
CN111663156A (zh) * | 2020-07-09 | 2020-09-15 | 惠州市腾达宇科技有限公司 | 一种用于vcp电镀的光亮剂及其制备方法 |
CN111979534A (zh) * | 2020-07-14 | 2020-11-24 | 中国科学院海洋研究所 | 基于液滴自弹跳效应的超疏水表面的制备方法及应用 |
CN114385018A (zh) * | 2020-10-20 | 2022-04-22 | 宸美(厦门)光电有限公司 | 接触结构、电子装置、和制造接触结构的方法 |
JP2022099497A (ja) * | 2020-12-23 | 2022-07-05 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
JP7125804B1 (ja) * | 2021-06-18 | 2022-08-25 | ドングァン ディーエスピー テクノロジー カンパニー リミテッド | ポリマーとマグネシウムの接合体のためのマグネシウム表面処理方法 |
US20230243041A1 (en) * | 2022-01-28 | 2023-08-03 | Texas Instruments Incorporated | Etching compositions |
CN115433930B (zh) * | 2022-07-06 | 2023-11-28 | 南通群安电子材料有限公司 | 用于铜金属网格导电膜的无磷黑化液及其制备和使用方法 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3372468A (en) * | 1965-06-24 | 1968-03-12 | Olin Mathieson | Method of coating a copper silver alloy with a silver coat |
US3994430A (en) * | 1975-07-30 | 1976-11-30 | General Electric Company | Direct bonding of metals to ceramics and metals |
JPH0636470B2 (ja) * | 1989-03-03 | 1994-05-11 | 松下電工株式会社 | 内層用回路板の銅回路の処理方法 |
JPH0737113B2 (ja) * | 1989-03-13 | 1995-04-26 | 三菱電機株式会社 | 銅箔と樹脂との密着性向上方法 |
JP2656622B2 (ja) | 1989-07-19 | 1997-09-24 | 株式会社日立製作所 | 銅と樹脂の接着方法 |
JPH069309B2 (ja) * | 1989-09-22 | 1994-02-02 | 株式会社日立製作所 | プリント回路板、その製造方法および製造装置 |
US5382333A (en) * | 1990-07-30 | 1995-01-17 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Process for producing copper clad laminate |
US5128008A (en) * | 1991-04-10 | 1992-07-07 | International Business Machines Corporation | Method of forming a microelectronic package having a copper substrate |
US5288377A (en) * | 1991-06-05 | 1994-02-22 | Macdermid, Incorporated | Process for the manufacture of printed circuits using electrophoretically deposited organic resists |
US5861076A (en) * | 1991-07-19 | 1999-01-19 | Park Electrochemical Corporation | Method for making multi-layer circuit boards |
JPH0787270B2 (ja) * | 1992-02-19 | 1995-09-20 | 日鉱グールド・フォイル株式会社 | 印刷回路用銅箔及びその製造方法 |
JP3455756B2 (ja) | 1993-07-16 | 2003-10-14 | カシオ計算機株式会社 | 物体画像表示制御装置および物体画像表示制御方法 |
JP3332047B2 (ja) | 1993-07-22 | 2002-10-07 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 内層銅箔の処理方法 |
US5492595A (en) * | 1994-04-11 | 1996-02-20 | Electrochemicals, Inc. | Method for treating an oxidized copper film |
US5827604A (en) * | 1994-12-01 | 1998-10-27 | Ibiden Co., Ltd. | Multilayer printed circuit board and method of producing the same |
JPH09246720A (ja) | 1996-03-08 | 1997-09-19 | Hitachi Aic Inc | 多層印刷配線板およびその製造方法 |
US6331490B1 (en) * | 1998-03-13 | 2001-12-18 | Semitool, Inc. | Process for etching thin-film layers of a workpiece used to form microelectric circuits or components |
JP3404286B2 (ja) * | 1998-04-16 | 2003-05-06 | 日本パーカライジング株式会社 | 金属の表面処理方法、および該表面処理方法により得られた表面を有する金属部材 |
JP2000282265A (ja) | 1999-03-31 | 2000-10-10 | Mec Kk | 銅または銅合金のマイクロエッチング剤およびそれを用いる表面処理法 |
JP2002088488A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-03-27 | Kurita Water Ind Ltd | 銅用防食剤組成物 |
US6821309B2 (en) * | 2002-02-22 | 2004-11-23 | University Of Florida | Chemical-mechanical polishing slurry for polishing of copper or silver films |
US6713407B1 (en) * | 2002-10-29 | 2004-03-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Method of forming a metal nitride layer over exposed copper |
US7078796B2 (en) * | 2003-07-01 | 2006-07-18 | Freescale Semiconductor, Inc. | Corrosion-resistant copper bond pad and integrated device |
KR20070111549A (ko) | 2005-03-11 | 2007-11-21 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 구리의 표면 처리 방법 및 구리 |
JP2006249519A (ja) | 2005-03-11 | 2006-09-21 | Hitachi Chem Co Ltd | 銅の表面処理方法及び銅 |
JP4973231B2 (ja) * | 2006-09-05 | 2012-07-11 | 日立化成工業株式会社 | 銅のエッチング処理方法およびこの方法を用いてなる配線基板と半導体パッケージ |
JP2008248269A (ja) | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Hitachi Chem Co Ltd | 銅表面の処理方法およびこの方法を用いた配線基板 |
JP2008275493A (ja) | 2007-05-01 | 2008-11-13 | Seiko Epson Corp | 受信装置、受信方法および電波時計 |
-
2009
- 2009-06-17 KR KR1020117003412A patent/KR101268145B1/ko active IP Right Grant
- 2009-06-17 JP JP2010535702A patent/JP5402939B2/ja active Active
- 2009-06-17 CN CN2009801321100A patent/CN102124145A/zh active Pending
- 2009-06-17 EP EP09823379.4A patent/EP2341167B1/en active Active
- 2009-06-17 WO PCT/JP2009/061050 patent/WO2010050266A1/ja active Application Filing
- 2009-06-17 US US13/060,095 patent/US8809696B2/en active Active
- 2009-06-17 CN CN201510493175.5A patent/CN104988503A/zh active Pending
- 2009-06-19 TW TW098120656A patent/TWI445843B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5402939B2 (ja) | 2014-01-29 |
TWI445843B (zh) | 2014-07-21 |
EP2341167B1 (en) | 2018-10-24 |
EP2341167A4 (en) | 2016-07-13 |
EP2341167A1 (en) | 2011-07-06 |
TW201016890A (en) | 2010-05-01 |
CN104988503A (zh) | 2015-10-21 |
KR20110031235A (ko) | 2011-03-24 |
US20110147072A1 (en) | 2011-06-23 |
WO2010050266A1 (ja) | 2010-05-06 |
CN102124145A (zh) | 2011-07-13 |
KR101268145B1 (ko) | 2013-05-27 |
US8809696B2 (en) | 2014-08-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5402939B2 (ja) | 銅の表面処理方法及び銅 | |
JP4033237B2 (ja) | 銅の表面処理方法及び銅 | |
CN101137768B (zh) | 铜的表面处理方法以及铜 | |
JP4973231B2 (ja) | 銅のエッチング処理方法およびこの方法を用いてなる配線基板と半導体パッケージ | |
JP5105137B2 (ja) | 銅箔を有する基板の製造方法及び銅箔を有する基板 | |
JP5109399B2 (ja) | 銅の表面処理方法 | |
JP4774844B2 (ja) | 銅の表面処理方法及び銅 | |
JP2008248269A (ja) | 銅表面の処理方法およびこの方法を用いた配線基板 | |
JP6264900B2 (ja) | レジストパターンの製造方法、配線パターンの製造方法及び配線基板 | |
JP5109400B2 (ja) | 銅表面処理液セット、これを用いた銅の表面処理方法、銅、配線基板および半導体パッケージ | |
JP2016119396A (ja) | レジストパターンの製造方法、配線パターンの製造方法及び配線基板 | |
JP2007262579A (ja) | 銅の表面処理方法及び銅 | |
JP5978587B2 (ja) | 半導体パッケージ及びその製造方法 | |
JP4129665B2 (ja) | 半導体パッケージ用基板の製造方法 | |
JP5691527B2 (ja) | 配線基板の表面処理方法及びこの表面処理方法により処理された配線基板 | |
JP2013093359A (ja) | 半導体チップ搭載用基板及びその製造方法 | |
JP2013089913A (ja) | 半導体チップ搭載用基板及びその製造方法 | |
JP5105162B2 (ja) | 銅表面の処理方法 | |
JP2009197304A (ja) | 銅表面の処理方法および処理した銅並びに配線基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130409 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130606 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130702 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130830 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131001 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131014 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5402939 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |