JP4774844B2 - 銅の表面処理方法及び銅 - Google Patents
銅の表面処理方法及び銅 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4774844B2 JP4774844B2 JP2005206083A JP2005206083A JP4774844B2 JP 4774844 B2 JP4774844 B2 JP 4774844B2 JP 2005206083 A JP2005206083 A JP 2005206083A JP 2005206083 A JP2005206083 A JP 2005206083A JP 4774844 B2 JP4774844 B2 JP 4774844B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- treatment
- wiring
- metal
- alkaline solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 188
- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims description 161
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims description 160
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 114
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 title claims description 89
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 118
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 107
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 61
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 60
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 56
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims description 54
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 34
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 27
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 27
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 27
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 27
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 18
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 16
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 14
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 14
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M Chlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)=O XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 12
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 12
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 12
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 claims description 10
- WQYVRQLZKVEZGA-UHFFFAOYSA-N hypochlorite Chemical compound Cl[O-] WQYVRQLZKVEZGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 10
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 9
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 claims description 8
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 7
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 7
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 7
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 6
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims description 6
- 229910001919 chlorite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052619 chlorite group Inorganic materials 0.000 claims description 5
- QBWCMBCROVPCKQ-UHFFFAOYSA-N chlorous acid Chemical compound OCl=O QBWCMBCROVPCKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 5
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M perchlorate Inorganic materials [O-]Cl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 143
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 118
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 73
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 68
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 59
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 54
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 50
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 50
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 43
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 28
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 28
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 27
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 23
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 23
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 22
- UKLNMMHNWFDKNT-UHFFFAOYSA-M sodium chlorite Chemical compound [Na+].[O-]Cl=O UKLNMMHNWFDKNT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 19
- 229960002218 sodium chlorite Drugs 0.000 description 19
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 18
- 239000001488 sodium phosphate Substances 0.000 description 17
- RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 17
- 235000019801 trisodium phosphate Nutrition 0.000 description 17
- 229910000406 trisodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 17
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 16
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 15
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 15
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 14
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 14
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 14
- -1 amine boranes Chemical class 0.000 description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 13
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 13
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 13
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 13
- 150000002940 palladium Chemical class 0.000 description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 11
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 11
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 9
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 8
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 8
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 6
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 6
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 6
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 6
- JHEKNTQSGTVPAO-UHFFFAOYSA-N 2-amino-8-sulfanylidene-7,9-dihydro-3h-purin-6-one Chemical compound N1C(N)=NC(=O)C2=C1NC(=S)N2 JHEKNTQSGTVPAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 5
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 5
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 5
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 5
- WZUUZPAYWFIBDF-UHFFFAOYSA-N 5-amino-1,2-dihydro-1,2,4-triazole-3-thione Chemical compound NC1=NNC(S)=N1 WZUUZPAYWFIBDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 239000004643 cyanate ester Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 4
- 239000006089 photosensitive glass Substances 0.000 description 4
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 4
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 description 3
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 3
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 3
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 125000002228 disulfide group Chemical group 0.000 description 3
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 3
- 125000000101 thioether group Chemical group 0.000 description 3
- RMVRSNDYEFQCLF-UHFFFAOYSA-N thiophenol Chemical compound SC1=CC=CC=C1 RMVRSNDYEFQCLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PMJHHCWVYXUKFD-SNAWJCMRSA-N (E)-1,3-pentadiene Chemical compound C\C=C\C=C PMJHHCWVYXUKFD-SNAWJCMRSA-N 0.000 description 2
- SWEICGMKXPNXNU-UHFFFAOYSA-N 1,2-dihydroindazol-3-one Chemical compound C1=CC=C2C(O)=NNC2=C1 SWEICGMKXPNXNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPXVHIRIPLPOPT-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(2-hydroxyethyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound OCCN1C(=O)N(CCO)C(=O)N(CCO)C1=O BPXVHIRIPLPOPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole-2-thiol Chemical compound C1=CC=C2SC(S)=NC2=C1 YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RAIPHJJURHTUIC-UHFFFAOYSA-N 1,3-thiazol-2-amine Chemical compound NC1=NC=CS1 RAIPHJJURHTUIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 1H-1,2,3-Triazole Chemical compound C=1C=NNN=1 QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJUGUADJHNHALS-UHFFFAOYSA-N 1H-tetrazole Chemical compound C=1N=NNN=1 KJUGUADJHNHALS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEDUAINPPJYDJZ-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxybenzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC(O)=NC2=C1 YEDUAINPPJYDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DXYYSGDWQCSKKO-UHFFFAOYSA-N 2-methylbenzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC(C)=NC2=C1 DXYYSGDWQCSKKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RVBUGGBMJDPOST-UHFFFAOYSA-N 2-thiobarbituric acid Chemical compound O=C1CC(=O)NC(=S)N1 RVBUGGBMJDPOST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methoxyethoxy)benzohydrazide Chemical compound COCCOC1=CC=CC(C(=O)NN)=C1 GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,4-triazole Chemical compound C=1N=CNN=1 NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N 7H-purine Chemical compound N1=CNC2=NC=NC2=C1 KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRFVTYWOQMYALW-UHFFFAOYSA-N 9H-xanthine Chemical compound O=C1NC(=O)NC2=C1NC=N2 LRFVTYWOQMYALW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- QNAYBMKLOCPYGJ-UHFFFAOYSA-N Alanine Chemical compound CC([NH3+])C([O-])=O QNAYBMKLOCPYGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004641 Diallyl-phthalate Substances 0.000 description 2
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N L-histidine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 2
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 2
- 239000004693 Polybenzimidazole Substances 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-M Thiocyanate anion Chemical compound [S-]C#N ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 2
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N aluminum;borate Chemical compound [Al+3].[O-]B([O-])[O-] OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 2
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 2
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N bis(prop-2-enyl) benzene-1,2-dicarboxylate Chemical compound C=CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC=C QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- RYYVLZVUVIJVGH-UHFFFAOYSA-N caffeine Chemical compound CN1C(=O)N(C)C(=O)C2=C1N=CN2C RYYVLZVUVIJVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000007849 furan resin Substances 0.000 description 2
- PKWIYNIDEDLDCJ-UHFFFAOYSA-N guanazole Chemical compound NC1=NNC(N)=N1 PKWIYNIDEDLDCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UYTPUPDQBNUYGX-UHFFFAOYSA-N guanine Chemical compound O=C1NC(N)=NC2=C1N=CN2 UYTPUPDQBNUYGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 2
- HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N histidine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-N hydrogen thiocyanate Natural products SC#N ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N nonane Chemical compound CCCCCCCCC BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CQDAMYNQINDRQC-UHFFFAOYSA-N oxatriazole Chemical class C1=NN=NO1 CQDAMYNQINDRQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002866 paraformaldehyde Polymers 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 2
- 229920002480 polybenzimidazole Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 2
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003536 tetrazoles Chemical class 0.000 description 2
- YAPQBXQYLJRXSA-UHFFFAOYSA-N theobromine Chemical compound CN1C(=O)NC(=O)C2=C1N=CN2C YAPQBXQYLJRXSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZFXYFBGIUFBOJW-UHFFFAOYSA-N theophylline Chemical compound O=C1N(C)C(=O)N(C)C2=C1NC=N2 ZFXYFBGIUFBOJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CWERGRDVMFNCDR-UHFFFAOYSA-N thioglycolic acid Chemical compound OC(=O)CS CWERGRDVMFNCDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBOMNTLFRHMDEZ-UHFFFAOYSA-N thiosalicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1S NBOMNTLFRHMDEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K tripotassium phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])([O-])=O LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- JZTKNVMVUVSGJF-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,5-oxatriazole Chemical compound C=1N=NON=1 JZTKNVMVUVSGJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGUHFDPGDQDVGX-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-thiadiazole Chemical compound C1=CSN=N1 UGUHFDPGDQDVGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BBVIDBNAYOIXOE-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-oxadiazole Chemical compound C=1N=CON=1 BBVIDBNAYOIXOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YGTAZGSLCXNBQL-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-thiadiazole Chemical compound C=1N=CSN=1 YGTAZGSLCXNBQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJGGIYYGVKGMQZ-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-triazole-3,4,5-triamine Chemical compound NC1=NN=C(N)N1N JJGGIYYGVKGMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UDGKZGLPXCRRAM-UHFFFAOYSA-N 1,2,5-thiadiazole Chemical compound C=1C=NSN=1 UDGKZGLPXCRRAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HJCGGAYYNMECPO-UHFFFAOYSA-N 1,2-dihydroimidazo[2,1-b][1,3]benzothiazol-7-amine Chemical compound NC1=CC=C2SC3=NCCN3C2=C1 HJCGGAYYNMECPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKASFBLJDCHBNZ-UHFFFAOYSA-N 1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=NN=CO1 FKASFBLJDCHBNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUKGLNCXGVWCJX-UHFFFAOYSA-N 1,3,4-thiadiazol-2-amine Chemical compound NC1=NN=CS1 QUKGLNCXGVWCJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBIZXFATKUQOOA-UHFFFAOYSA-N 1,3,4-thiadiazole Chemical compound C1=NN=CS1 MBIZXFATKUQOOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZXTWGWHSMCWGA-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC=NC(N)=N1 VZXTWGWHSMCWGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPBLHOJFMBOCAF-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazol-2-amine Chemical compound C1=CC=C2OC(N)=NC2=C1 JPBLHOJFMBOCAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YHMYGUUIMTVXNW-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydrobenzimidazole-2-thione Chemical compound C1=CC=C2NC(S)=NC2=C1 YHMYGUUIMTVXNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNSDLXPSAYFUHK-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis(2-ethylhexyl) sulfosuccinate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)CC(S(O)(=O)=O)C(=O)OCC(CC)CCCC HNSDLXPSAYFUHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BKHQZVDOSQVERW-UHFFFAOYSA-N 1,5-dimethyl-2-phenylpyrazole-3-thione Chemical compound CN1C(C)=CC(=S)N1C1=CC=CC=C1 BKHQZVDOSQVERW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFUUOGMETNERHK-UHFFFAOYSA-N 1-amino-1,2,4-triazolidine-3,5-dione Chemical compound NN1NC(=O)NC1=O RFUUOGMETNERHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene Chemical compound C1=CC=C2SC=CC2=C1 FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHESOLAAORBNPM-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene-2,3-dione Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=O)SC2=C1 MHESOLAAORBNPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOHZHMUQBFJTNH-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-2h-tetrazole-5-thione Chemical compound CN1N=NN=C1S XOHZHMUQBFJTNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBGWMRAMUROVND-UHFFFAOYSA-N 1-sulfanylidenethiophene Chemical compound S=S1C=CC=C1 JBGWMRAMUROVND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAXOFTOLAUCFNW-UHFFFAOYSA-N 1H-indazole Chemical compound C1=CC=C2C=NNC2=C1 BAXOFTOLAUCFNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVVRJMXHNUAPHW-UHFFFAOYSA-N 1h-pyrazol-5-amine Chemical compound NC=1C=CNN=1 JVVRJMXHNUAPHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXZSVYHFYHTNBI-UHFFFAOYSA-N 1h-quinoline-2-thione Chemical compound C1=CC=CC2=NC(S)=CC=C21 KXZSVYHFYHTNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYNFOMQIXZUKRK-UHFFFAOYSA-N 2,2'-dithiodiethanol Chemical compound OCCSSCCO KYNFOMQIXZUKRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUYLOMATYCPVFT-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-triaminophenol Chemical compound NC1=CC(N)=C(O)C(N)=C1 SUYLOMATYCPVFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JTTIOYHBNXDJOD-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-triaminopyrimidine Chemical compound NC1=CC(N)=NC(N)=N1 JTTIOYHBNXDJOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWELIMKTDYHAOY-UHFFFAOYSA-N 2,4-diamino-6-hydroxypyrimidine Chemical compound NC1=CC(=O)N=C(N)N1 SWELIMKTDYHAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DLLMHEDYJQACRM-UHFFFAOYSA-N 2-(carboxymethyldisulfanyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CSSCC(O)=O DLLMHEDYJQACRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXUNZSDDXMPKLP-UHFFFAOYSA-N 2-Methylbenzenethiol Chemical compound CC1=CC=CC=C1S LXUNZSDDXMPKLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFCQDOVPMUSZMN-UHFFFAOYSA-N 2-Naphthalenethiol Chemical compound C1=CC=CC2=CC(S)=CC=C21 RFCQDOVPMUSZMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMSODMZESSGVBE-UHFFFAOYSA-N 2-Oxazoline Chemical compound C1CN=CO1 IMSODMZESSGVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWXIPEYKZKIAKR-UHFFFAOYSA-N 2-amino-4-hydroxy-6-methylpyrimidine Chemical compound CC1=CC(O)=NC(N)=N1 KWXIPEYKZKIAKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXTRPGAMVIONMK-UHFFFAOYSA-N 2-amino-5-ethyl-1,3,4-thiadiazole Chemical compound CCC1=NN=C(N)S1 QXTRPGAMVIONMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHGULLIUJBCTEF-UHFFFAOYSA-N 2-aminobenzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC(N)=NC2=C1 UHGULLIUJBCTEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VRVRGVPWCUEOGV-UHFFFAOYSA-N 2-aminothiophenol Chemical compound NC1=CC=CC=C1S VRVRGVPWCUEOGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FLFWJIBUZQARMD-UHFFFAOYSA-N 2-mercapto-1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC(S)=NC2=C1 FLFWJIBUZQARMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZSXEZOLBIJVQK-UHFFFAOYSA-N 2-methylsulfonylbenzoic acid Chemical compound CS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O BZSXEZOLBIJVQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBHOUXSGHYZCNH-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1,3-benzothiazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC2=CC=CC=C2S1 XBHOUXSGHYZCNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNHFAGRBSMMFKL-UHFFFAOYSA-N 2-sulfanylidene-3,7-dihydropurin-6-one Chemical compound O=C1NC(=S)NC2=C1NC=N2 XNHFAGRBSMMFKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGWULZWUXSCWPX-UHFFFAOYSA-N 2-sulfanylideneimidazolidin-4-one Chemical compound O=C1CNC(=S)N1 UGWULZWUXSCWPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBGNYAOLZNHWDC-UHFFFAOYSA-N 2-sulfanylnaphthalen-1-ol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=C(S)C=CC2=C1 XBGNYAOLZNHWDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMEQBOSUJUOXMX-UHFFFAOYSA-N 2h-oxadiazine Chemical compound N1OC=CC=N1 QMEQBOSUJUOXMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCHZICNRHXRCHY-UHFFFAOYSA-N 2h-oxazine Chemical compound N1OC=CC=C1 BCHZICNRHXRCHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKIDEFUBRARXTE-UHFFFAOYSA-N 3-mercaptopropanoic acid Chemical compound OC(=O)CCS DKIDEFUBRARXTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCNLRHTYRUUSGJ-UHFFFAOYSA-N 3-methylsulfanyl-2h-1,2,4-thiadiazole-5-thione Chemical compound CSC1=NC(=S)SN1 UCNLRHTYRUUSGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATVJXMYDOSMEPO-UHFFFAOYSA-N 3-prop-2-enoxyprop-1-ene Chemical compound C=CCOCC=C ATVJXMYDOSMEPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLAMDELLBBZOOX-UHFFFAOYSA-N 3h-1,3,4-thiadiazole-2-thione Chemical compound SC1=NN=CS1 JLAMDELLBBZOOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQBXDMCOVLBREU-UHFFFAOYSA-N 3h-2-benzofuran-1-thione Chemical compound C1=CC=C2C(=S)OCC2=C1 WQBXDMCOVLBREU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYSCJLLOWOUSHH-UHFFFAOYSA-N 4,4'-disulfanyldibutanoic acid Chemical compound OC(=O)CCCSSCCCC(O)=O YYSCJLLOWOUSHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YAXGBZDYGZBRBQ-UHFFFAOYSA-N 4,5-dihydro-1,3-oxazol-2-amine Chemical compound NC1=NCCO1 YAXGBZDYGZBRBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTQYLKORCCNJTQ-UHFFFAOYSA-N 4-amino-1,2-dihydropyrazolo[3,4-d]pyrimidin-6-one Chemical compound NC1=NC(=O)N=C2NNC=C12 KTQYLKORCCNJTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJMNLDSYAAJOPX-UHFFFAOYSA-N 4-amino-1,2-dihydropyrazolo[3,4-d]pyrimidine-6-thione Chemical compound NC1=NC(=S)N=C2NNC=C12 YJMNLDSYAAJOPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRIATXVEXOFBGO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1,3-benzothiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC=CC2=C1N=C(N)S2 GRIATXVEXOFBGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OUQMXTJYCAJLGO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CSC(N)=N1 OUQMXTJYCAJLGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRVHFFQFZQSNLB-UHFFFAOYSA-N 4-phenylbenzenethiol Chemical group C1=CC(S)=CC=C1C1=CC=CC=C1 KRVHFFQFZQSNLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BXAVKNRWVKUTLY-UHFFFAOYSA-N 4-sulfanylphenol Chemical compound OC1=CC=C(S)C=C1 BXAVKNRWVKUTLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDGIVSREGUOIJZ-UHFFFAOYSA-N 5-amino-3h-1,3,4-thiadiazole-2-thione Chemical compound NC1=NN=C(S)S1 GDGIVSREGUOIJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DVNYTAVYBRSTGK-UHFFFAOYSA-N 5-aminoimidazole-4-carboxamide Chemical compound NC(=O)C=1N=CNC=1N DVNYTAVYBRSTGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKPXGNGUVSHWQQ-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-1,2-oxazol-3-amine Chemical compound CC1=CC(N)=NO1 FKPXGNGUVSHWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPDYXWCBXQWHAI-UHFFFAOYSA-N 5-sulfanylidene-1,2,4-triazolidin-3-one Chemical compound O=C1NNC(=S)N1 ZPDYXWCBXQWHAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJZZLRZEPKRRQ-UHFFFAOYSA-N 6-amino-1,7-dihydropurine-2-thione Chemical compound N1C(=S)N=C2N=CNC2=C1N LQJZZLRZEPKRRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVHONLHZERWNRF-UHFFFAOYSA-N 6-amino-2-methyl-1h-pyrimidin-4-one Chemical compound CC1=NC(=O)C=C(N)N1 MVHONLHZERWNRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFYYRKDBDBILSD-UHFFFAOYSA-N 6-amino-2-sulfanylidene-1h-pyrimidin-4-one Chemical compound NC1=CC(=O)NC(=S)N1 YFYYRKDBDBILSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNDZXOWGUAIUBG-UHFFFAOYSA-N 6-aminouracil Chemical compound NC1=CC(=O)NC(=O)N1 LNDZXOWGUAIUBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEGKYFQLKYGHAR-UHFFFAOYSA-N 6-methylthioguanine Chemical compound CSC1=NC(N)=NC2=C1NC=N2 YEGKYFQLKYGHAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GFFGJBXGBJISGV-UHFFFAOYSA-N Adenine Chemical compound NC1=NC=NC2=C1N=CN2 GFFGJBXGBJISGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930024421 Adenine Natural products 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000132007 Bahia Species 0.000 description 1
- 229930194845 Bahia Natural products 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-UWTATZPHSA-N D-Cysteine Chemical compound SC[C@@H](N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-UWTATZPHSA-N 0.000 description 1
- 229930195710 D‐cysteine Natural products 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- PDQAZBWRQCGBEV-UHFFFAOYSA-N Ethylenethiourea Chemical compound S=C1NCCN1 PDQAZBWRQCGBEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOAOTPFZNBJNRT-UHFFFAOYSA-L F.[Cr](=O)(=O)(O)O Chemical compound F.[Cr](=O)(=O)(O)O JOAOTPFZNBJNRT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 1
- LPHGQDQBBGAPDZ-UHFFFAOYSA-N Isocaffeine Natural products CN1C(=O)N(C)C(=O)C2=C1N(C)C=N2 LPHGQDQBBGAPDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N L-Proline Chemical compound OC(=O)[C@@H]1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- QIVBCDIJIAJPQS-VIFPVBQESA-N L-tryptophane Chemical compound C1=CC=C2C(C[C@H](N)C(O)=O)=CNC2=C1 QIVBCDIJIAJPQS-VIFPVBQESA-N 0.000 description 1
- 235000017858 Laurus nobilis Nutrition 0.000 description 1
- LSDPWZHWYPCBBB-UHFFFAOYSA-N Methanethiol Chemical compound SC LSDPWZHWYPCBBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FNIBVZOESGLJDL-UHFFFAOYSA-N NC1=NC2=CC=CC=C2C=C1.NC=1NC2=CC=CC=C2C1 Chemical compound NC1=NC2=CC=CC=C2C=C1.NC=1NC2=CC=CC=C2C1 FNIBVZOESGLJDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOJJGSNBEQLVOY-UHFFFAOYSA-N NC1=NNC=N1.NC1=NNC(=N1)S Chemical compound NC1=NNC=N1.NC1=NNC(=N1)S JOJJGSNBEQLVOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTKYIPIBEKWOLC-UHFFFAOYSA-N NC=1SC(=NN1)SCC.C(C)NC=1SC=NN1 Chemical compound NC=1SC(=NN1)SCC.C(C)NC=1SC=NN1 XTKYIPIBEKWOLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N Proline Natural products OC(=O)C1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005708 Sodium hypochlorite Substances 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIVBCDIJIAJPQS-UHFFFAOYSA-N Tryptophan Natural products C1=CC=C2C(CC(N)C(O)=O)=CNC2=C1 QIVBCDIJIAJPQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEHOTFFKMJEONL-UHFFFAOYSA-N Uric Acid Chemical compound N1C(=O)NC(=O)C2=C1NC(=O)N2 LEHOTFFKMJEONL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVWHNULVHGKJHS-UHFFFAOYSA-N Uric acid Natural products N1C(=O)NC(=O)C2NC(=O)NC21 TVWHNULVHGKJHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229960000643 adenine Drugs 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 235000004279 alanine Nutrition 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910001514 alkali metal chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000003927 aminopyridines Chemical class 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- RUOKPLVTMFHRJE-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2,3-triamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1N RUOKPLVTMFHRJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCXKHYLLVKZPKE-UHFFFAOYSA-N benzotriazol-1-amine Chemical compound C1=CC=C2N(N)N=NC2=C1 JCXKHYLLVKZPKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 description 1
- RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N boron;n-methylmethanamine Chemical compound [B].CNC RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229960001948 caffeine Drugs 0.000 description 1
- VJEONQKOZGKCAK-UHFFFAOYSA-N caffeine Natural products CN1C(=O)N(C)C(=O)C2=C1C=CN2C VJEONQKOZGKCAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical compound [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRZDLTCXOSFHJC-UHFFFAOYSA-N chromene-2-thione Chemical compound C1=CC=C2OC(=S)C=CC2=C1 FRZDLTCXOSFHJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- JOPOVCBBYLSVDA-UHFFFAOYSA-N chromium(6+) Chemical compound [Cr+6] JOPOVCBBYLSVDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011284 combination treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000012787 coverlay film Substances 0.000 description 1
- CMMUKUYEPRGBFB-UHFFFAOYSA-L dichromic acid Chemical compound O[Cr](=O)(=O)O[Cr](O)(=O)=O CMMUKUYEPRGBFB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- KPVWDKBJLIDKEP-UHFFFAOYSA-L dihydroxy(dioxo)chromium;sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O.O[Cr](O)(=O)=O KPVWDKBJLIDKEP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- AXZAYXJCENRGIM-UHFFFAOYSA-J dipotassium;tetrabromoplatinum(2-) Chemical compound [K+].[K+].[Br-].[Br-].[Br-].[Br-].[Pt+2] AXZAYXJCENRGIM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N dipropyl ether Chemical compound CCCOCCC POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019800 disodium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- JKFAIQOWCVVSKC-UHFFFAOYSA-N furazan Chemical compound C=1C=NON=1 JKFAIQOWCVVSKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 125000001188 haloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 150000002473 indoazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 238000004255 ion exchange chromatography Methods 0.000 description 1
- 150000002506 iron compounds Chemical class 0.000 description 1
- RUTXIHLAWFEWGM-UHFFFAOYSA-H iron(3+) sulfate Chemical compound [Fe+3].[Fe+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O RUTXIHLAWFEWGM-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000360 iron(III) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GLVAUDGFNGKCSF-UHFFFAOYSA-N mercaptopurine Chemical compound S=C1NC=NC2=C1NC=N2 GLVAUDGFNGKCSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001428 mercaptopurine Drugs 0.000 description 1
- 125000005641 methacryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- AWIJRPNMLHPLNC-UHFFFAOYSA-N methanethioic s-acid Chemical compound SC=O AWIJRPNMLHPLNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000002971 oxazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229940083251 peripheral vasodilators purine derivative Drugs 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M phosphinate Chemical compound [O-][PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical compound O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- VKJKEPKFPUWCAS-UHFFFAOYSA-M potassium chlorate Chemical compound [K+].[O-]Cl(=O)=O VKJKEPKFPUWCAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SATVIFGJTRRDQU-UHFFFAOYSA-N potassium hypochlorite Chemical compound [K+].Cl[O-] SATVIFGJTRRDQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001487 potassium perchlorate Inorganic materials 0.000 description 1
- VISKNDGJUCDNMS-UHFFFAOYSA-M potassium;chlorite Chemical compound [K+].[O-]Cl=O VISKNDGJUCDNMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 150000003212 purines Chemical class 0.000 description 1
- WHMDPDGBKYUEMW-UHFFFAOYSA-N pyridine-2-thiol Chemical compound SC1=CC=CC=N1 WHMDPDGBKYUEMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- LJXQPZWIHJMPQQ-UHFFFAOYSA-N pyrimidin-2-amine Chemical compound NC1=NC=CC=N1 LJXQPZWIHJMPQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTGOHKSTWXHQJK-UHFFFAOYSA-N pyrimidin-2-ol Chemical compound OC1=NC=CC=N1 VTGOHKSTWXHQJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYRRZWATULMEPF-UHFFFAOYSA-N pyrimidin-4-amine Chemical compound NC1=CC=NC=N1 OYRRZWATULMEPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940083082 pyrimidine derivative acting on arteriolar smooth muscle Drugs 0.000 description 1
- HBCQSNAFLVXVAY-UHFFFAOYSA-N pyrimidine-2-thiol Chemical compound SC1=NC=CC=N1 HBCQSNAFLVXVAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003230 pyrimidines Chemical class 0.000 description 1
- 238000004451 qualitative analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M sodium bicarbonate Substances [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N sodium hypochlorite Chemical compound [Na+].Cl[O-] SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAZAXWOYCMUHIX-UHFFFAOYSA-M sodium perchlorate Chemical compound [Na+].[O-]Cl(=O)(=O)=O BAZAXWOYCMUHIX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001488 sodium perchlorate Inorganic materials 0.000 description 1
- PODWXQQNRWNDGD-UHFFFAOYSA-L sodium thiosulfate pentahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.[Na+].[Na+].[O-]S([S-])(=O)=O PODWXQQNRWNDGD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 125000003831 tetrazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229960004559 theobromine Drugs 0.000 description 1
- 229960000278 theophylline Drugs 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 150000004867 thiadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000007979 thiazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000004001 thioalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- MDYPJPPXVOPUNX-UHFFFAOYSA-N thiochromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2SC(=O)C=CC2=C1 MDYPJPPXVOPUNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 1
- NJRXVEJTAYWCQJ-UHFFFAOYSA-N thiomalic acid Chemical compound OC(=O)CC(S)C(O)=O NJRXVEJTAYWCQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GLQWRXYOTXRDNH-UHFFFAOYSA-N thiophen-2-amine Chemical compound NC1=CC=CS1 GLQWRXYOTXRDNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 229940103494 thiosalicylic acid Drugs 0.000 description 1
- ZEMGGZBWXRYJHK-UHFFFAOYSA-N thiouracil Chemical compound O=C1C=CNC(=S)N1 ZEMGGZBWXRYJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229950000329 thiouracil Drugs 0.000 description 1
- 150000003585 thioureas Chemical class 0.000 description 1
- PYAOPMWCFSVFOT-UHFFFAOYSA-N tisopurine Chemical compound SC1=NC=NC2=C1C=NN2 PYAOPMWCFSVFOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- TWQULNDIKKJZPH-UHFFFAOYSA-K trilithium;phosphate Chemical compound [Li+].[Li+].[Li+].[O-]P([O-])([O-])=O TWQULNDIKKJZPH-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910000404 tripotassium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019798 tripotassium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 229940116269 uric acid Drugs 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
- 239000000052 vinegar Substances 0.000 description 1
- 235000021419 vinegar Nutrition 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229940075420 xanthine Drugs 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Chemical Treatment Of Metals (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
1.銅表面に銅よりも貴な金属を形成する工程、その後、前記銅表面を酸化処理する工程を有することを特徴とする銅の表面処理方法。
2.銅表面を酸化処理する工程後、還元処理、カップリング処理、腐食抑制処理のうち少なくとも1つ以上を行う工程を有する項1に記載の銅の表面処理方法。
3.前記銅の表面処理後の表面粗さは、Rzで1nm以上かつ1000nm以下であることを特徴とする項1または2に記載の銅の表面処理方法。
4.前記銅表面を酸化処理する工程は、銅表面を酸性溶液あるいはアルカリ性溶液で処理する工程である項1〜3のいずれかに記載の銅の表面処理方法。
5.アルカリ性溶液で処理する工程は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属からなるアルカリ性溶液に有機酸を含むアルカリ溶液で処理する工程である項3に記載の銅の表面処理方法。
6.アルカリ性溶液で処理する工程は、リン酸塩およびアルカリ金属またはアルカリ土類金属からなるアルカリ性溶液に、塩素酸塩、亜塩素酸塩、次亜塩素酸塩、過塩素酸塩を少なくとも1つ以上含むアルカリ溶液で処理する工程である項3に記載の銅の表面処理方法。
7.銅よりも貴な金属は、金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、レニウム、ルテニウム、オスミウム、イリジウムから選択される金属、または前記金属を含む合金である項1〜5のいずれかに記載の銅の表面処理方法。
8.前記銅よりも貴な金属の非連続膜を形成する工程は、前記銅よりも貴な金属を0.001μmol/dm2以上かつ40μmol/dm2以下形成する工程であることを特徴とする項1〜7のいずれかに記載の銅の表面処理方法。
9.銅表面に銅よりも貴な金属の非連続膜を形成し、その後酸化処理を行ったことを特徴とする銅。
10.前記酸化処理後、還元処理、カップリング処理、腐食抑制処理を少なくとも1つ以上行ったことを特徴とする項9に記載の銅。
11.銅の表面粗さが、Rz(十点平均粗さ)で1nm以上かつ1000nm以下である項9または10に記載の銅。
12.前記酸化処理は、酸性溶液あるいはアルカリ性溶液で処理することを特徴とする項9〜11のいずれかに記載の銅。
13.前記アルカリ処理は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属からなるアルカリ性溶液に有機酸を含むアルカリ溶液で処理することを特徴とする項12に記載の銅。
14.前記アルカリ処理は、リン酸塩およびアルカリ金属またはアルカリ土類金属からなるアルカリ性溶液に、塩素酸塩、亜塩素酸塩、次亜塩素酸塩、過塩素酸塩を少なくとも1つ以上含むアルカリ溶液で処理することを特徴とする項12に記載の銅。
15.前記銅よりも貴な金属の非連続膜は、金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、レニウム、ルテニウム、オスミウム、イリジウムから選択される金属、または前記金属を含む合金であることを特徴とする項9〜14のいずれかに記載の銅。
16.前記銅よりも貴な金属の非連続膜が、前記銅の表面に0.001μmol/dm2以上かつ40μmol/dm2以下形成された項9〜15のいずれかに記載の銅。
(銅表面の凹凸形成法)
銅表面に銅よりも貴な金属を形成し、その後酸化処理を行うことで銅表面に均一な微細凹凸を形成できる。さらに酸化処理後、還元処理、カップリング処理、腐食抑制処理のうち少なくとも1つ以上の処理を行うことが好ましい。処理後の銅表面の粗さは、Rz(十点平均粗さ)で1nm以上かつ1,000nm以下であることが好ましい。また、Rz(十点平均粗さ)で1nm以上かつ100nm以下であることがより好ましく、1nm以上かつ50nm以下であることがさらに好ましい。Rz(十点平均粗さ)が1nm未満では、絶縁層との接着力が低下する傾向があり、Rz(十点平均粗さ)が1,000nmを超えると従来技術の問題点が発生しやすくなる傾向がある。以下、Rzとのみ記載する。
銅より貴な金属の銅表面への形成量は、0.001μmol/dm2以上かつ40μmol/dm2以下であることが好ましい。また、形成量は0.01μmol/dm2以上かつ10μmol/dm2以下であることがより好ましく、0.1μmol/dm2以上かつ4μmol/dm2以下であることがさらに好ましい。形成量が0.001μmol/dm2未満では、均一な微細凹凸を形成することが困難になる傾向があり、40μmol/dm2を超えると接着強度が低下する傾向がある。銅より貴な金属としては、金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、レニウム、ルテニウム、オスミウム、イリジウムから選択される金属及びこれらの金属を含む合金からなる金属を用いることができる。また、銅より貴な金属を連続的もしくは離散的に銅表面に形成する方法としては、無電解めっき、電気めっき、置換めっき、スプレー噴霧、塗布、スパッタリング、蒸着等が挙げられる。また好ましい方法としては、金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、レニウム、ルテニウム、オスミウム、イリジウムから選択される金属及びこれらの金属を含む合金を置換めっきで形成する方法である。
銅表面を酸化処理する工程で用いる酸化処理方法としては、例えば酸性溶液を用いる方法、アルカリ溶液を用いる方法、その他の方法がある。
(酸性溶液)
本発明に用いる酸性溶液としては、例えば塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、蟻酸、塩化第二銅、硫酸第二鉄などの鉄化合物、アルカリ金属塩化物、過硫酸アンモニウムなどから選ばれる化合物、またはこれらを組み合わせた水溶液、または、クロム酸、クロム酸−硫酸、クロム酸−フッ酸、重クロム酸、重クロム酸−ホウフッ酸などの酸性の6価クロムを含む水溶液が挙げられる。これらの酸性溶液の濃度および処理時間については、Rzで1nm以上かつ1000nm以下となるように適宜条件を選択して用いることが好ましい。さらにRzで1nm以上かつ100nm以下がより好ましく、1nm以上かつ50nm以下がさらに好ましい。
本発明に用いるアルカリ性溶液としては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属からなるアルカリ性溶液が挙げられる。また、これらのアルカリ溶液は、有機酸または、キレート剤等を加えて用いることが好ましい。ここでいうアルカリ金属またはアルカリ土類金属を具体的にあげると、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、等がある。これらのアルカリ性溶液の濃度および処理時間、処理温度については、Rzで1nm以上かつ1000nm以下となるように適宜条件を選択して用いることが好ましい。さらにRzで1nm以上かつ100nm以下がより好ましく、1nm以上かつ50nm以下がさらに好ましい。
本発明の銅表面を酸化処理する工程に用いるその他方法としては、自然放置処理、加熱処理、プラズマ処理またはそれらの組み合わせ処理による酸化処理方法が挙げられる。
(還元処理方法)
酸化処理により銅表面に形成された酸化銅皮膜は、還元処理により銅に還元でき、銅表面に表面粗さがRzで1nm以上かつ1000nm以下の凹凸を形成することが好ましい。還元処理を行う水溶液としては、pH9.0から13.5に調整したアルカリ性溶液中にホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、芳香族アルデヒド化合物を添加した水溶液、または次亜リン酸および次亜リン酸塩などを含んだ水溶液、またはジメチルアミンボランおよびそれを含む化合物などを含んだ水溶液が使用できる。
例えばカップリング処理を行なうことによって、銅表面と絶縁層(ビルドアップ層等)との接着強度が向上できる。カップリング処理に使用するカップリング剤はシラン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、チタン系カップリング剤、ジルコニウム系カップリング剤が挙げられ、中でもシラン系カップリング剤が好ましく、例えば、シラン系カップリング剤は、エポキシ基、アミノ基、メルカプト基、イミダゾール基、ビニル基、またはメタクリル基等の官能基を分子中に有し、これらのシラン系カップリング剤の少なくとも1種もしくは2種以上の混合物を含有する溶液を使用することができる。シラン系カップリング剤溶液の調整に使用される溶媒は、水或いはアルコール、ケトン類等を用いることが可能である。また、カップリング剤の加水分解を促進するために、少量の酢酸や塩酸等の酸を添加することもできる。前記カップリング剤の含有量は、溶液全体に対して、0.01重量%〜5重量%が好ましく、0.1重量%〜1.0重量%がさらに好ましい。カップリング剤による処理は、前記のように調整したカップリング剤溶液に浸漬、スプレー噴霧、塗布等の方法により処理を行うことができる。前記のシラン系カップリング剤で処理した基板は、自然乾燥、加熱乾燥、または真空乾燥により乾燥を行うが、使用するカップリング剤の種類によって、乾燥前に水洗または超音波洗浄を行うことも可能である。
腐食抑制処理に使用する腐食抑制剤は、例えばS含有有機化合物またはN含有有機化合物を少なくとも1種以上含んでいるものであればよい。ここでいう腐食抑制剤を具体的にあげると、メルカプト基、スルフィド基、又はジスルフィド基のようなイオウ原子を含有する化合物、もしくは分子内に−N=またはN=Nまた派−NH2を含むN含有有機化合物を少なくとも1種以上含む化合物であり、前記記載の酸性溶液またはアルカリ性溶液またはカップリング剤溶液に加えて用いることも可能であり、カップリング剤を含む溶液による処理の前または後に、前記腐食抑制剤を含む溶液を用いて処理を行うことが可能である。
メルカプト基、スルフィド基、又はジスルフィド基のようなイオウ原子を含有する化合物としては、脂肪族チオール(HS−(CH2)n−R(但し、式中、nは1から23までの整数、Rは一価の有機基、水素基またはハロゲン原子を表す)で表される構造を有し、Rはアミノ基、アミド基、カルボキシル基、カルボニル基、ヒドロキシル基のいずれかであることが好ましいが、これに限定したものではなく、炭素数1〜18のアルキル基、炭素数1〜8のアルコキシ基、アシルオキシ基、ハロアルキル基、ハロゲン原子、水素基、チオアルキル基、チオール基、置換されていても良いフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、複素環などが挙げられる。また、R中のアミノ基、アミド基、カルボキシル基、ヒドロキシル基は、1個あればよく、好ましくは1個以上、他に上記のアルキル基等の置換基を有していても良い。式中、nが1から23までの整数で示される化合物を用いることが好ましく、さらに、nが4から15までの整数で示される化合物がより好ましく、またさらに6から12までの整数で示される化合物であることが特に好ましい。)、チアゾール誘導体(チアゾール、2−アミノチアゾール、2−アミノチアゾール−4−カルボン酸、アミノチオフェン、ベンゾチアゾール、2−メルカプトベンゾチアゾール、2−アミノベンゾチアゾール、2−アミノ−4−メチルベンゾチアゾール、2−ベンゾチアゾロール、2,3−ジヒドロイミダゾ〔2,1−b〕ベンゾチアゾール−6−アミン、2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノ酢酸エチル、2−メチルベンゾチアゾール、2−フェニルベンゾチアゾール、2−アミノ−4−メチルチアゾール等)、チアジアゾール誘導体(1,2,3−チアジアゾール)、1,2,4−チアジアゾール、1,2,5−チアジアゾール、1,3,4−チアジアゾール、2−アミノ−5−エチル−1,3,4−チアジアゾール、5−アミノ−1,3,4−チアジアゾール−2−チオール、2,5−メルカプト−1,3,4−チアジアゾール、3−メチルメルカプト−5−メルカプト−1,2,4−チアジアゾール、2−アミノ−1,3,4−チアジアゾール、2−(エチルアミノ)−1,3,4−チアジアゾール、2−アミノ−5−エチルチオ−1,3,4−チアジアゾール等)、メルカプト安息香酸、メルカプトナフトール、メルカプトフェノール、4−メルカプトビフェニル、メルカプト酢酸、メルカプトコハク酸、3−メルカプトプロピオン酸、チオウラシル、3−チオウラゾール、2−チオウラミル、4−チオウラミル、2−メルカプトキノリン、チオギ酸、1−チオクマリン、チオクモチアゾン、チオクレゾール、チオサリチル酸、チオチアヌル酸、チオナフトール、チオトレン、チオナフテン、チオナフテンカルボン酸、チオナフテンキノン、チオバルビツル酸、チオヒドロキノン、チオフェノール、チオフェン、チオフタリド、チオフテン、チオールチオン炭酸、チオルチドン、チオールヒスチジン、3−カルボキシプロピルジスルフィド、2−ヒドロキシエチルジスルフィド、2−アミノプロピオン酸、ジチオジグリコール酸、D−システイン、ジ−t−ブチルジスルフィド、チオシアン、チオシアン酸等が挙げられる。
分子内に−N=またはN=Nまた派−NH2を含むN含有有機化合物を少なくとも1種以上含む化合物として好ましい化合物は、トリアゾール誘導体(1H−1,2,3−トリアゾール、2H−1,2,3−トリアゾール、1H−1,2,4−トリアゾール、4H−1,2,4−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、1−アミノベンゾトリアゾール、3−アミノ−5−メルカプト−1,2,4−トリアゾール、3−アミノ−1H−1,2,4−トリアゾール、3,5−ジアミノ−1,2,4−トリアゾール、3−オキシ−1,2,4−トリアゾール、アミノウラゾール等)、テトラゾール誘導体(テトラゾリル、テトラゾリルヒドラジン、1H−1,2,3,4−テトラゾール、2H−1,2,3,4−テトラゾール、5−アミノ−1H−テトラゾール、1−エチル−1,4−ジヒドロキシ5H−テトラゾール−5−オン、5−メルカプト−1−メチルテトラゾール、テトラゾールメルカプタン等)、オキサゾール誘導体(オキサゾール、オキサゾリル、オキサゾリン、ベンゾオキサゾール、3−アミノ−5−メチルイソオキサゾール、2−メルカプトベンゾオキサゾール、2−アミノオキサゾリン、2−アミノベンゾオキサゾール等)、オキサジアゾール誘導体(1,2,3−オキサジアゾール、1,2,4−オキサジアゾール、1,2,5−オキサジアゾール、1,3,4−オキサジアゾール、1,2,4−オキサジアゾロン−5、1,3,4−オキサジアゾロン−5等)、オキサトリアゾール誘導体(1,2,3,4−オキサトリアゾール、1,2,3,5−オキサトリアゾール等)、プリン誘導体(プリン、2−アミノ−6−ヒドロキシ−8−メルカプトプリン、2−アミノ−6−メチルメルカプトプリン、2−メルカプトアデニン、メルカプトヒポキサンチン、メルカプトプリン、尿酸、グアニン、アデニン、キサンチン、テオフィリン、テオブロミン、カフェイン等)、イミダゾール誘導体(イミダゾール、ベンゾイミダゾール、2−メルカプトベンゾイミダゾール、4−アミノ−5−イミダゾールカルボン酸アミド、ヒスチジン等)、インダゾール誘導体(インダゾール、3−インダゾロン、インダゾロール等)、ピリジン誘導体(2−メルカプトピリジン、アミノピリジン等)、ピリミジン誘導体(2−メルカプトピリミジン、2−アミノピリミジン、4−アミノピリミジン、2−アミノ−4,6−ジヒドロキシピリミジン、4−アミノ−6−ヒドロキシ−2−メルカプトピリミジン、2−アミノー4−ヒドロキシ−6−メチルピリミジン、4−アミノ−6−ヒドロキシ−2−メチルピリミジン、4−アミノ−6−ヒドロキシピラゾロ[3,4−d]ピリミジン、4−アミノ−6−メルカプトピラゾロ[3,4−d]ピリミジン、2−ヒドロキシピリミジン、4−メルカプト−1H−ピラゾロ[3,4−d]ピリミジン、4−アミノ−2,6−ジヒドロキシピリミジン、2,4−ジアミノ−6−ヒドロキシピリミジン、2,4,6−トリアミノピリミジン等)、チオ尿素誘導体(チオ尿素、エチレンチオ尿素、2−チオバルビツール酸等)、アミノ酸(グリシン、アラニン、トリプトファン、プロリン、オキシプロリン等)、1,3,4−チオオキサジアゾロン−5、チオクマゾン、2−チオクマリン、チオサッカリン、チオヒダントイン、チオピリン、γ-チオピリン、グアナジン、グアナゾール、グアナミン、オキサジン、オキサジアジン、メラミン、2,4,6−トリアミノフェノール、トリアミノベンゼン、アミノインドール、アミノキノリン、アミノチオフェノール、アミノピラゾール等があげられる。
本発明で使用する腐食抑制剤を含む溶液の調整には、水および有機溶媒を使用することができる。有機溶媒の種類は、特に限定はしないが、メタノール、エタノール、n−プロピルアルコール、n−ブチルアルコールなどのアルコール類、ジ−n−プロピルエーテル、ジ−n−ブチルエーテル、ジアリルエーテルなどのエーテル類、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナンなどの脂肪族炭化水素、ベンゼン、トルエン、フェノールなどの芳香族炭化水素などを用いることができ、これらの溶媒を1種類ないし2種類以上組み合わせて用いることもできる。
本発明で用いる腐食抑制剤溶液の濃度は、0.1〜5000ppmの濃度が好ましい。さらに、0.5〜3000ppmがより好ましく、またさらに1〜1000ppmであることが特に好ましい。腐食抑制剤の濃度が0.1ppm未満では、イオンマイグレーション抑制効果や、銅表面と絶縁層との接着強度が低下する傾向がある。腐食抑制剤の濃度が5000ppmを超えると、イオンマイグレーション抑制効果は得られるが、銅表面と絶縁層との接着強度が低下する傾向がある。腐食抑制剤を含んだ溶液での処理時間は、特に限定しないが腐食抑制剤の種類および濃度に応じて適宜変化させることが好ましい。また、処理後に超音波洗浄を行うことも可能である。
図1に、本発明の半導体チップ搭載基板の一実施例(片面ビルドアップ層2層)の断面模式図を示した。ここでは、ビルドアップ層(層間絶縁層)を片面にのみ形成した実施形態で説明するが、必要に応じて図8に示すようにビルドアップ層は両面に形成しても良い。
コア基板の材質は特に問わないが、有機基材、セラミック基材、シリコン基材、ガラス基材などが使用できる。熱膨張係数や絶縁性を考慮すると、セラミックや、ガラスを用いることが好ましい。ガラスのうち非感光性ガラスとしては、ソーダ石灰ガラス(成分例:SiO2 65〜75wt%、Al2O3 0.5〜4wt%、CaO 5〜15wt%、MgO 0.5〜4wt%、Na2O 10〜20wt%)、ホウ珪酸ガラス(成分例:SiO2 65〜80wt%、B2O3 5〜25wt%、Al2O3 1〜5wt%、CaO 5〜8wt%、MgO 0.5〜2wt%、Na2O 6〜14wt%、K2O 1〜6wt%)等が挙げられる。また、感光性ガラスとしてはLi2O−SiO2系結晶化ガラスに感光剤として金イオン及び銀イオンを含むものが挙げられる。
層間絶縁層(ビルドアップ層)104は、絶縁材料からなり、絶縁材料としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、またはそれらの混合樹脂が使用できる。またビルドアップ層は熱硬化性の有機絶縁材料を主成分とするのが好ましい。熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シリコン樹脂、シクロペンタジエンから合成した樹脂、トリス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌラートを含む樹脂、芳香族ニトリルから合成した樹脂、3量化芳香族ジシアナミド樹脂、トリアリルトリメタリレートを含む樹脂、フラン樹脂、ケトン樹脂、キシレン樹脂、縮合多環芳香族を含む熱硬化性樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂等を用いることができる。熱可塑性樹脂としては、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、アラミド樹脂、液晶ポリマ等が挙げられる。
半導体チップの熱膨張係数とコア基板の熱膨張係数とが近似していて、かつコア基板の熱膨張係数とビルドアップ層の熱膨張係数とが近似していることが好ましいが、これに限定したものではない。さらに、半導体チップ、コア基板、ビルドアップ層の各々の熱膨張係数をα1、α2、α3(ppm/℃)としたとき、α1≦α2≦α3であることがより好ましい。
ビルドアップ層のヤング率は、1〜5GPaであるのが熱ストレスに対する応力緩和の点で好ましい。ビルドアップ層中の充填材は、ビルドアップ層の熱膨張係数が10〜40ppm/℃、ヤング率が1〜5GPaになるように添加量を適宜調整して添加するのが好ましい。
半導体チップ搭載基板は、以下の製造方法の組み合わせで製造することができる。製造工程の順番は、本発明の目的を逸脱しない範囲では、特に限定しない。
配線の形成方法としては、コア基板表面またはビルドアップ層上に金属箔を形成し、金属箔の不要な箇所をエッチングで除去する方法(サブトラクト法)、コア基板表面またはビルドアップ層上の必要な箇所にのみめっきにより配線を形成する方法(アディティブ法)、コア基板表面またはビルドアップ層上に薄い金属層(シード層)を形成し、その後、電解めっきで必要な配線を形成した後、薄い金属層をエッチングで除去する方法(セミアディティブ法)がある。
金属箔の配線となる箇所にエッチングレジストを形成し、エッチングレジストから露出した箇所に、化学エッチング液をスプレー噴霧して、不要な金属箔をエッチング除去し、配線を形成することができる。例えば、金属箔として銅箔を用いる場合、エッチングレジストは、通常の配線板に用いることのできるエッチングレジスト材料を使用できる。例えばレジストインクをシルクスクリーン印刷してエッチングレジストを形成したり、またエッチングレジスト用ネガ型感光性ドライフィルムを銅箔の上にラミネートして、その上に配線形状に光を透過するフォトマスクを重ね、紫外線で露光し、露光しなかった箇所を現像液で除去してエッチングレジストを形成する。化学エッチング液には、塩化第二銅と塩酸の溶液、塩化第二鉄溶液、硫酸と過酸化水素の溶液、過硫酸アンモニウム溶液など、通常の配線板に用いる化学エッチング液を用いることができる。
また、配線は、コア基板またはビルドアップ層上の必要な箇所にのみ、めっきを行うことで形成することも可能であり、通常のめっきによる配線形成技術を用いることができる。例えば、コア基板に無電解めっき用触媒を付着させた後、めっきが行われない表面部分にめっきレジストを形成して、無電解めっき液に浸漬し、めっきレジストに覆われていない箇所にのみ、無電解めっきを行い配線形成する。
コア基板表面またはビルドアップ層上に、セミアディティブ法のシード層を形成する方法は、蒸着またはめっきによる方法と、金属箔を貼り合わせる方法がある。また同様の方法で、サブトラクト法の金属箔を形成することもできる。
コア基板表面またはビルドアップ層上に蒸着またはめっきによってシード層を形成することができる。例えば、シード層として、スパッタリングにより下地金属と薄膜銅層を形成する場合、薄膜銅層を形成するために使用されるスパッタリング装置は、2極スパッタ、3極スパッタ、4極スパッタ、マグネトロンスパッタ、ミラートロンスパッタ等を用いることができる。スパッタに用いるターゲットは、密着を確保するために、例えばCr、Ni、Co、Pd、Zr、Ni/Cr、Ni/Cu等の金属を下地金属として用い、5〜50nmスパッタリングする。その後、銅をターゲットにして200〜500nmスパッタリングしてシード層を形成できる。
コア基板またはビルドアップ層に接着機能がある場合は、金属箔をプレスやラミネートによって貼り合わせることによりシード層を形成することもできる。しかし、薄い金属層を直接貼り合わせるのは非常に困難であるため、厚い金属箔を張り合わせた後にエッチング等により薄くする方法や、キャリア付金属箔を貼り合わせた後にキャリア層を剥離する方法などがある。例えば前者としてはキャリア銅/ニッケル/薄膜銅の三層銅箔があり、キャリア銅をアルカリエッチング液で、ニッケルをニッケルエッチング液で除去できる。後者としては、アルミ、銅、絶縁材料などをキャリアとしたピーラブル銅箔などが使用でき、5μm以下のシード層を形成できる。また、厚み9〜18μmの銅箔を貼り付け、5μm以下になるように、エッチングにより均一に薄くし、シード層を形成してもかまわない。
前述の方法で形成されたシード層上に、めっきレジストを必要なパターンに形成し、シード層を介して電解銅めっきにより配線を形成する。その後、めっきレジストを剥離し、最後にシード層をエッチング等により除去し、配線が形成できる。
配線の形状は特に問わないが、少なくとも半導体チップが搭載される側には半導体チップ接続端子16(ワイヤボンド端子等)、その反対面にはマザーボードと電気的に接続される外部接続続端子(はんだボール等が搭載される箇所)及びそれらを繋ぐ展開配線、層間接続端子等から構成される。また、配線の配置も特に問わないが、図3に示したように(内層配線、層間接続端子等は省略)、半導体チップ接続端子より内側に外部接続端子を形成したファン−インタイプや、図4に示したような半導体チップ接続端子の外側に外部接続端子を形成したファン−アウトタイプ、またはこれらを組み合わせたタイプでもよい。図5に、ファン−インタイプ半導体チップ搭載基板の平面図を、図6にファン−アウトタイプ半導体チップ搭載基板の平面図を示した。なお、半導体チップ接続端子16の形状は、ワイヤボンド接続やフリップチップ接続などが、可能であれば、特に問わない。また、ファン−アウト、ファン−インどちらのタイプでも、ワイヤボンド接続やフリップチップ接続などは、可能である。さらに必要に応じて、半導体チップと電気的に接続されないダミーパターン21(図6参照)を形成してもかまわない。ダミーパターンの形状や配置も特には問わないが、半導体チップ搭載領域に均一に配置するのが好ましい。これによって、ダイボンド接着剤で半導体チップを搭載する際に、ボイドが発生しにくくなり、信頼性を向上できる。
多層の半導体チップ搭載基板は、複数の配線層を有するため、各層の配線を電気的に接続するためのバイアホールを設けることができる。バイアホールは、コア基板またはビルドアップ層に接続用の穴を設け、この穴を導電性ペーストやめっき等で充填し形成できる。穴の加工方法としては、パンチやドリルなどの機械加工、レーザ加工、薬液による化学エッチング加工、プラズマを用いたドライエッチング法などがある。
半導体チップ搭載基板の外部接続端子側には絶縁被覆を形成することができる。パターン形成は、ワニス状の材料であれば印刷で行うことも可能であるが、より精度を確保するためには、感光性のソルダーレジスト、カバーレイフィルム、フィルム状レジストを用いるのが好ましい。材質としては、エポキシ系、ポリイミド系、エポキシアクリレート系、フルオレン系の材料を用いることができる。
配線の必要な部分にニッケル、金めっきを順次施すことができる。さらに必要に応じてニッケル、パラジウム、金めっきとしても良い。これらのめっきは、配線の半導体チップ接続端子と、マザーボードまたは他の半導体パッケージと電気的に接続するための外部接続端子に施される。このめっきは、無電解めっき、または電解めっきのどちらを用いてもよい。
このような半導体チップ搭載基板は、以下のような工程で製造することができる。図2の(a)〜(g)に、本発明半導体チップ搭載基板製造方法の実施形態一例を断面模式図で示した。ただし、製造工程の順番は、本発明の目的を逸脱しない範囲では、特に限定しない。
(工程a)は、図2(a)に示したようにコア基板100上に第1の配線106aを作製する工程である。
(工程b)は、図2(b)に示したように、前記第1の層間接続端子101と、後述する第2の配線とを接続するための第1の層間接続用IVH102(バイアホール)を形成する工程である。
(工程c)は、図2(c)に示したように、コア基板の第1の配線106aと反対側の面に第2の配線106bを形成する工程である。コア基板の第1の配線と反対の面に(工程a)と同様に銅層を形成し、その銅層を必要な配線形状にエッチングレジストを形成し、塩化銅や塩化鉄等のエッチング液を用いて第2の配線を形成する。銅層の形成方法としては、(工程a)と同様にスパッタリング、蒸着、無電解めっきなどで銅薄膜を形成した後、電気銅めっきを用いて所望の厚みまで銅めっきすることにより銅層が得られる。
(工程d)は、図2(d)に示すように前記第2の配線を形成した面にビルドアップ層(層間絶縁層)104を形成する工程である。まず、第2の配線表面を、前記脱脂処理を行い、塩酸あるいは硫酸洗浄を行う。
(工程e)は、図2(e)に示したように、前記ビルドアップ層に第2の層間接続用のIVH(バイアホール)108を形成する工程であり、バイアホールの形成手段としては、レーザ穴あけ装置を使用することができる。レーザ穴あけ機で用いられるレーザの種類はCO2レーザ、YAGレーザ、エキシマレーザ等を用いることができるが、CO2レーザが生産性及び穴品質の点で好ましい。また、IVH径が30μm未満の場合は、レーザ光を絞ることが可能なYAGレーザが適している。また、ビルドアップ層が有機溶剤等の薬液による化学エッチング加工が可能な材料の場合は、化学エッチングによってバイアホールを形成することもできる。
(工程f)は、図2(f)に示したように、前記第2のバイアホールが形成されたビルドアップ層上に、第3の配線106cを形成する工程である。またL/S=35μm/35μm以下の微細な配線を形成するプロセスとしては、前記したセミアディティブ法が好ましい。ビルドアップ層上に、蒸着またはめっきによる方法や金属箔を貼り合わせる方法などにより、シード層を形成する。前述の方法で形成されたシード層上に、めっきレジストを必要なパターンに形成し、シード層を介して電解銅めっきにより配線を形成する。その後、めっきレジストを剥離し、最後にシード層をエッチング等により除去し、微細な配線が形成できる。
(工程g)は、図2(g)に示したように、外部接続端子以外の配線等を保護するための絶縁被覆109を形成する工程である。絶縁被覆材としては、ソルダーレジストが用いられ、熱硬化型や紫外線硬化型のものが使用できるが、レジスト形状を精度良く仕上げることができる紫外線硬化型のものが好ましい。
半導体チップ搭載基板22の形状は、特に問わないが、図7に示したようなフレーム形状にすることが好ましい。半導体チップ搭載基板の形状をこのようにすることで、半導体パッケージの組立てを効率よく行うことができる。以下、好ましいフレーム形状について詳細に説明する。
図3に、本発明のフリップチップタイプ半導体パッケージの実施形態一例を断面模式図で示す。図3に示したように本発明の半導体パッケージは、上記本発明の半導体チップ搭載基板に、さらに半導体チップ111が搭載されているもので、半導体チップと半導体チップ接続端子とを接続バンプ112を用いてフリップチップ接続することによって電気的に接続して得ることができる。
(工程a)
コア基板100として0.4mm厚のソーダガラス基板(熱膨張係数11ppm/℃)を用意し、片面にスパッタリングにより200nmの銅薄膜を形成した後、電気銅めっきで10μmの厚さまでめっきを行った。なおスパッタリングは、日本真空技術株式会社製装置型番MLH−6315を用いて、以下に示した条件1で行った。その後、第1の配線106aとなる部分にエッチングレジストを形成し、塩化第二鉄エッチング液を用いてエッチングして第1の配線106a(第1の層間接続端子101及び半導体チップ接続端子を含む)を形成した。
条件1
電流:3.5A
電圧:500V
アルゴン流量:35SCCM
圧力:5×10−3Torr(4.9×10−2Pa)
成膜速度:5nm/秒
第1の配線が形成されたガラス基板の第1の配線と反対面から第1の層間接続端子に到達するまで、レーザで穴径50μmのIVH穴を形成した。レーザにはYAGレーザLAVIA−UV2000(住友重機械工業株式会社製、商品名)を使用し、周波数4kHz、ショット数50、マスク径0.4mmの条件でIVH穴の形成を行った。
(工程b)で形成された第1の層間接続用IVH(第1のバイアホール)と電気的に接続するために、ガラス基板の、第1の配線と反対側の面にスパッタリングにより200nmの銅薄膜を形成した後、電気銅めっきで10μmの厚さまでめっきを行った。スパッタリングは、(工程a)と同様に行った。さらに、(工程a)と同様に第2の配線の形状にエッチングレジストを形成し、塩化第二鉄エッチング液を用い、エッチングして第2の配線106b(第2の層間接続端子103を含む)を形成した。
(工程c)で形成した第2の配線側の面に、200ml/Lに調整した酸性脱脂液Z−200(ワールドメタル社製、商品名)に、液温50℃で2分間浸漬した後、液温50℃の水に2分間浸漬することにより湯洗し、さらに1分間水洗した。次いで、3.6Nの硫酸水溶液に1分間浸漬し、1分間水洗した。
この前処理工程を経た後に、置換パラジウムめっき液SA−100(日立化成工業株式会社、製品名)に30℃で3分間浸漬して、銅よりも貴な金属である1.0μmol/dm2の置換パラジウムめっきを施し、1分間水洗し、りん酸三ナトリウム10g/Lおよび水酸化カリウム25g/Lを含むアルカリ溶液に亜塩素酸ナトリウム15g/L添加した酸化処理液に50℃で3分間浸漬した。この後、5分間水洗し、85℃で30分間乾燥させた。
次に、層間絶縁層(ビルドアップ層)104を次のように形成した。すなわち、シアネ―トエステル系樹脂組成物の絶縁ワニスをスピンコート法により、条件1500rpmで、ガラス基板上に塗布し、厚み20μmの樹脂層を形成した後、常温(25℃)から6℃/minの昇温速度で230℃まで加熱し、230℃で80分間保持することにより熱硬化し、15μmのビルドアップ層を形成した。
ビルドアップ層104の表面から第2の層間接続用端子103に到達するまで、レーザで穴径50μmのIVH穴を形成した。レーザにはYAGレーザLAVIA−UV2000(住友重機械工業株式会社製、商品名)を使用し、周波数4kHz、ショット数20、マスク径0.4mmの条件でIVH穴の形成を行った。
第3の配線形成及び第2のバイアホール形成のために、スパッタリングにより、シード層となる下地金属Ni層20nmを形成し、さらに薄膜銅層200nmを形成した。スパッタリングは、日本真空技術株式会社製MLH−6315を用いて以下に示した条件2で行った。
条件2
(ニッケル)
電流:5.0A
電流:350V
電圧アルゴン流量:35SCCM
圧力:5×10−3Torr(4.9×10−2Pa)
成膜速度:0.3nm/秒
(銅)
電流:3.5A
電圧:500V
アルゴン流量:35SCCM
圧力:5×10−3Torr(4.9×10−2Pa)
成膜速度:5nm/秒
この後、(工程d)〜(工程f)までを再度繰り返し、ビルドアップ層及び外部接続端子107を含む最外層の配線をさらに一層形成し、最後にソルダーレジスト109を形成して、図1(1パッケージ分の断面図)、図5(1パッケージ分の平面図)、及び図7(半導体チップ搭載基板全体図)に示すようなファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板を作製した。
前記(工程a)〜(工程g)により作製された半導体チップ搭載基板の半導体チップ搭載領域に、接続バンプ112の形成された半導体チップ111を、フリップチップボンダを用いて超音波を印加しながら必要な数だけ搭載した。さらに、半導体チップ搭載基板と半導体チップの隙間に、半導体チップ端部からアンダーフィル材を注入し、オーブンを用いて80℃で1時間の1次硬化及び150℃で4時間の2次硬化を行った。次に、外部接続端子に直径0.45mmの鉛・錫共晶はんだボール114をN2リフロー装置で融着した。最後に、幅200μmのブレードを装着したダイサーで半導体チップ搭載基板を切断し、図3に示す半導体パッケージを作製した。
(工程d)で実施例1と同様の前処理を行った後、置換パラジウムめっき液SA−100(日立化成工業株式会社、製品名)に30℃で3分間浸漬して、銅よりも貴な金属である1.0μmol/dm2の置換パラジウムめっきを施し、1分間水洗し、りん酸三ナトリウム10g/Lおよび水酸化カリウム25g/Lを含むアルカリ溶液に亜塩素酸ナトリウム15g/L添加した酸化処理液に50℃で3分間浸漬した。この後、5分間水洗し、還元処理液HIST−100(日立化成工業株式会社製、商品名)に40℃で3分間浸漬し、さらに10分間水洗を行った。この処理工程を経た後に、85℃で30分間乾燥させた。これらの工程を経た後に、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
(工程d)で実施例1と同様の前処理を行った後、置換パラジウムめっき液SA−100(日立化成工業株式会社、製品名)に30℃で3分間浸漬して、銅よりも貴な金属である1.0μmol/dm2の置換パラジウムめっきを施し、1分間水洗し、りん酸三ナトリウム10g/Lおよび水酸化カリウム25g/Lを含むアルカリ溶液に亜塩素酸ナトリウム15g/L添加した酸化処理液に50℃で3分間浸漬し、この後5分間水洗した。これらの工程を経た後に、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン0.5重量%水溶液に30℃で3分間浸漬してカップリング処理を施し、1分間水洗した。この処理工程を経た後に、85℃で30分間乾燥させた。これらの工程を経た後に、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
(工程d)で実施例1と同様の前処理を行った後、置換パラジウムめっき液SA−100(日立化成工業株式会社、製品名)に30℃で3分間浸漬して、銅よりも貴な金属である1.0μmol/dm2の置換パラジウムめっきを施し、1分間水洗し、りん酸三ナトリウム10g/Lおよび水酸化カリウム25g/Lを含むアルカリ溶液に亜塩素酸ナトリウム15g/L添加した酸化処理液に50℃で3分間浸漬し、この後5分間水洗した。これらの工程を経た後に、2−アミノ−6−ヒドロキシ−8−メルカプトプリン(和光純薬工業株式会社製、商品名)の濃度が、10ppmであるエタノール溶液に25℃で、10分間浸漬し、1分間水洗した。この処理工程を経た後に、85℃で30分間乾燥させた。これらの工程を経た後に、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
(工程d)で実施例1と同様の前処理を行った後、置換パラジウムめっき液SA−100(日立化成工業株式会社、製品名)に30℃で3分間浸漬して、銅よりも貴な金属である1.0μmol/dm2の置換パラジウムめっきを施し、1分間水洗し、りん酸三ナトリウム10g/Lおよび水酸化カリウム25g/Lを含むアルカリ溶液に亜塩素酸ナトリウム15g/L添加した酸化処理液に50℃で3分間浸漬し、この後、5分間水洗した。これらの工程を経た後に、3−アミノ−5−メルカプト−1,2,4−トリアゾール(和光純薬工業株式会社製、商品名)の濃度が、10ppmであるエタノール溶液に25℃で、10分間浸漬し、1分間水洗した。この処理工程を経た後に、85℃で30分間乾燥させた。これらの工程を経た後に、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
(工程d)で実施例1と同様の前処理を行った後、置換パラジウムめっき液SA−100(日立化成工業株式会社、製品名)に30℃で3分間浸漬して、銅よりも貴な金属である1.0μmol/dm2の置換パラジウムめっきを施し、1分間水洗し、りん酸三ナトリウム10g/Lおよび水酸化カリウム25g/Lを含むアルカリ溶液に亜塩素酸ナトリウム15g/L添加した酸化処理液に50℃で3分間浸漬し、この後、5分間水洗した。これらの工程を経た後に、2−アミノ−6−ヒドロキシ−8−メルカプトプリン(和光純薬工業株式会社製、商品名)の濃度が、10ppmであるエタノール溶液に25℃で、10分間浸漬し、1分間水洗した。さらに、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン0.5重量%水溶液に30℃で3分間浸漬してカップリング処理を施し、1分間水洗した。この処理工程を経た後に、85℃で30分間乾燥させた。これらの工程を経た後に、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
(工程d)で実施例1と同様の前処理を行った後、置換パラジウムめっき液SA−100(日立化成工業株式会社、製品名)に30℃で3分間浸漬して、銅よりも貴な金属である1.0μmol/dm2の置換パラジウムめっきを施し、1分間水洗し、りん酸三ナトリウム10g/Lおよび水酸化カリウム25g/Lを含むアルカリ溶液に亜塩素酸ナトリウム15g/L添加した酸化処理液に50℃で3分間浸漬し、この後、5分間水洗した。さらに、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン0.5重量%水溶液に30℃で3分間浸漬してカップリング処理を施し、1分間水洗した。これらの工程を経た後に、3−アミノ−5−メルカプト−1,2,4−トリアゾール(和光純薬工業株式会社製、商品名)の濃度が、10ppmであるエタノール溶液に25℃で、10分間浸漬し、1分間水洗した。この処理工程を経た後に、85℃で30分間乾燥させた。これらの工程を経た後に、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
(工程d)で実施例1と同様の前処理を行った後、置換パラジウムめっき液SA−100(日立化成工業株式会社、製品名)に30℃で3分間浸漬して、銅よりも貴な金属である1.0μmol/dm2の置換パラジウムめっきを施し、1分間水洗し、りん酸三ナトリウム10g/Lおよび水酸化カリウム25g/Lを含むアルカリ溶液に亜塩素酸ナトリウム15g/L添加した酸化処理液に50℃で3分間浸漬した。この後、5分間水洗し、還元処理液HIST−100(日立化成工業株式会社製、商品名)に40℃で3分間浸漬し、さらに10分間水洗を行った。これらの工程を経た後に、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン0.5重量%水溶液に30℃で3分間浸漬してカップリング処理を施し、1分間水洗した。この処理工程を経た後に、85℃で30分間乾燥させた。これらの工程を経た後に、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
(工程d)で実施例1と同様の前処理を行った後、置換パラジウムめっき液SA−100(日立化成工業株式会社、製品名)に30℃で3分間浸漬して、銅よりも貴な金属である1.0μmol/dm2の置換パラジウムめっきを施し、1分間水洗し、りん酸三ナトリウム10g/Lおよび水酸化カリウム25g/Lを含むアルカリ溶液に亜塩素酸ナトリウム15g/L添加した酸化処理液に50℃で3分間浸漬した。この後、5分間水洗し、還元処理液HIST−100(日立化成工業株式会社製、商品名)に40℃で3分秒間浸漬し、さらに10分間水洗を行った。これらの工程を経た後に、2−アミノ−6−ヒドロキシ−8−メルカプトプリン(和光純薬工業株式会社製、商品名)の濃度が、10ppmであるエタノール溶液に25℃で、10分間浸漬し、1分間水洗した。この処理工程を経た後に、85℃で30分間乾燥させた。これらの工程を経た後に、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
(工程d)で実施例1と同様の前処理を行った後、置換パラジウムめっき液SA−100(日立化成工業株式会社、製品名)に30℃で3分間浸漬して、銅よりも貴な金属である1.0μmol/dm2の置換パラジウムめっきを施し、1分間水洗し、りん酸三ナトリウム10g/Lおよび水酸化カリウム25g/Lを含むアルカリ溶液に亜塩素酸ナトリウム15g/L添加した酸化処理液に50℃で3分間浸漬した。この後、5分間水洗し、還元処理液HIST−100(日立化成工業株式会社製、商品名)に40℃で3分秒間浸漬し、さらに10分間水洗を行った。これらの工程を経た後に、3−アミノ−5−メルカプト−1,2,4−トリアゾール(和光純薬工業株式会社製、商品名)の濃度が、10ppmであるエタノール溶液に25℃で、10分間浸漬し、1分間水洗した。この処理工程を経た後に、85℃で30分間乾燥させた。これらの工程を経た後に、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
(工程d)で実施例1と同様の前処理を行った後、置換パラジウムめっき液SA−100(日立化成工業株式会社、製品名)に30℃で3分間浸漬して、銅よりも貴な金属である1.0μmol/dm2の置換パラジウムめっきを施し、1分間水洗し、りん酸三ナトリウム10g/Lおよび水酸化カリウム25g/Lを含むアルカリ溶液に亜塩素酸ナトリウム15g/L添加した酸化処理液に50℃で3分間浸漬した。この後、5分間水洗し、還元処理液HIST−100(日立化成工業株式会社製、商品名)に40℃で3分秒間浸漬し、さらに10分間水洗を行った。これらの工程を経た後に、2−アミノ−6−ヒドロキシ−8−メルカプトプリン(和光純薬工業株式会社製、商品名)の濃度が、10ppmであるエタノール溶液に25℃で、10分間浸漬し、1分間水洗した。さらに、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン0.5重量%水溶液に30℃で3分間浸漬してカップリング処理を施し、1分間水洗した。この処理工程を経た後に、85℃で30分間乾燥させた。これらの工程を経た後に、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
(工程d)で実施例1と同様の前処理を行った後、置換パラジウムめっき液SA−100(日立化成工業株式会社、製品名)に30℃で3分間浸漬して、銅よりも貴な金属である1.0μmol/dm2の置換パラジウムめっきを施し、1分間水洗し、りん酸三ナトリウム10g/Lおよび水酸化カリウム25g/Lを含むアルカリ溶液に亜塩素酸ナトリウム15g/L添加した酸化処理液に50℃で3分間浸漬した。この後、5分間水洗し、還元処理液HIST−100(日立化成工業株式会社製、商品名)に40℃で3分秒間浸漬し、さらに10分間水洗を行った。さらに、γ-アミノプロピルトリエトキシシラン0.5重量%水溶液に30℃で3分間浸漬してカップリング処理を施し、1分間水洗した。これらの工程を経た後に、3−アミノ−5−メルカプト−1,2,4−トリアゾール(和光純薬工業株式会社製、商品名)の濃度が、10ppmであるエタノール溶液に25℃で、10分間浸漬し、1分間水洗した。この処理工程を経た後に、85℃で30分間乾燥させた。これらの工程を経た後に、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
(工程d)で実施例1と同様の前処理を行った後、置換パラジウムめっき液SA−100(日立化成工業株式会社、製品名)に変えて、置換金めっき液HGS−500(日立化成工業株式会社、製品名)に30℃で1分間浸漬して、銅よりも貴な金属である1.0μmol/dm2の置換金めっきを施し、1分間水洗し、りん酸三ナトリウム10g/Lおよび水酸化カリウム25g/Lを含むアルカリ溶液に亜塩素酸ナトリウム15g/L添加した酸化処理液に50℃で3分間浸漬した。この後、5分間水洗し、85℃で30分間乾燥させた。これらの工程を経た後に、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
(工程d)で実施例1と同様の前処理を行った後、置換パラジウムめっき液SA−100(日立化成工業株式会社、製品名)に変えて、硝酸銀7.5g/L、水酸化アンモニア75g/L、チオ硫酸ナトリウム5水和物をそれぞれ含む置換銀めっき液に30℃で20秒間浸漬して、銅よりも貴な金属である1.0μmol/dm2の置換銀めっきを施し、1分間水洗し、りん酸三ナトリウム10g/Lおよび水酸化カリウム25g/Lを含むアルカリ溶液に亜塩素酸ナトリウム15g/L添加した酸化処理液に50℃で3分間浸漬した。この後、5分間水洗し、85℃で30分間乾燥させた。これらの工程を経た後に、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
防錆処理を施していない18μmの電解銅箔GTS−18(古河サーキットフォイル株式会社製、商品名)を5cm×8cm×3枚(接着試験用、銅表面清浄度評価用、銅表面平滑度評価用)に切り出し、この電解銅箔を試験片として、これに実施例1の(工程d)に記載された表面処理を施した。
条件2
陽イオン測定条件
溶離液:8mM−メタンスルホン酸
注入量:100μL
分離カラム:2mmφ×250mm lonPac CS14
検出器:電気伝導度計
陰イオン測定条件
溶離液:2.7mM−炭酸ナトリウム/0.3mM−炭酸水素ナトリウム
注入量:500μL
分離カラム:4mmφ×200mm lonPac AS12A
検出器:電気伝導度計
条件3
測定長さ:1μm
SCAN SPEED:1.35μm/sec
FORCE REFARENCE:160
電解銅箔に対する表面処理が、実施例2の(工程d)に記載された表面処理である以外は、実施例15と同様に行った。
電解銅箔に対する表面処理が、実施例3の(工程d)に記載された表面処理である以外は、実施例15と同様に行った。
電解銅箔に対する表面処理が、実施例4の(工程d)に記載された表面処理である以外は、実施例15と同様に行った。
電解銅箔に対する表面処理が、実施例5の(工程d)に記載された表面処理である以外は、実施例15と同様に行った。
電解銅箔に対する表面処理が、実施例6の(工程d)に記載された表面処理である以外は、実施例15と同様に行った。
電解銅箔に対する表面処理が、実施例7の(工程d)に記載された表面処理である以外は、実施例15と同様に行った。
電解銅箔に対する表面処理が、実施例8の(工程d)に記載された表面処理である以外は、実施例15と同様に行った。
電解銅箔に対する表面処理が、実施例9の(工程d)に記載された表面処理である以外は、実施例15と同様に行った。
電解銅箔に対する表面処理が、実施例10の(工程d)に記載された表面処理である以外は、実施例15と同様に行った。
電解銅箔に対する表面処理が、実施例11の(工程d)に記載された表面処理である以外は、実施例15と同様に行った。
電解銅箔に対する表面処理が、実施例12の(工程d)に記載された表面処理である以外は、実施例15と同様に行った。
電解銅箔に対する表面処理が、実施例13の(工程d)に記載された表面処理である以外は、実施例15と同様に行った。
電解銅箔に対する表面処理が、実施例14の(工程d)に記載された表面処理である以外は、実施例15と同様に行った。
(工程a’)
電食試験評価用基板を作成するため、図9に示すコア基板100として0.4mm厚のソーダガラス基板(熱膨張係数11ppm/℃)を用意し、片面に図9に示す層間絶縁層104を次のように形成した。すなわち、シアネ―トエステル系樹脂組成物の絶縁ワニスをスピンコート法により、条件1500rpmで、ガラス基板上に塗布し、厚み20μmの樹脂層を形成した後、常温(25℃)から6℃/minの昇温速度で230℃まで加熱し、230℃で80分間保持することにより熱硬化し、層間絶縁層104を形成した。
実施例1の(工程a)と同様に配線106を形成した。
実施例1の(工程d)と同様の前処理工程及び表面処理を行った後、層間絶縁層(ビルドアップ層)104を(工程a’)と同様に形成し、図10に示すL/S=5μm/5μm、図11に示すL/S=10μm/10μmの電食試験評価基板を作製した。
各L/S配線間の絶縁抵抗はアドバンテスト株式会社社製R−8340A型デジタル超高抵抗微小電流計を用いて、室温でDC5Vの電圧を30秒間印加し、櫛型間の絶縁抵抗値を測定した。また、1GΩ以下の絶縁抵抗測定には、株式会社ヒューレット・パッカード(HP)社製デジタルマルチメータ3457Aを用いた。
(工程c’)の表面処理が、実施例2の(工程d)に記載された表面処理である以外は、実施例29と同様に行った。
(工程c’)の表面処理が、実施例3の(工程d)に記載された表面処理である以外は、実施例29と同様に行った。
(工程c’)の表面処理が、実施例4の(工程d)に記載された表面処理である以外は、実施例29と同様に行った。
(工程c’)の表面処理が、実施例5の(工程d)に記載された表面処理である以外は、実施例29と同様に行った。
(工程c’)の表面処理が、実施例6の(工程d)に記載された表面処理である以外は、実施例29と同様に行った。
(工程c’)の表面処理が、実施例7の(工程d)に記載された表面処理である以外は、実施例29と同様に行った。
(工程c’)の表面処理が、実施例8の(工程d)に記載された表面処理である以外は、実施例29と同様に行った。
(工程c’)の表面処理が、実施例9の(工程d)に記載された表面処理である以外は、実施例29と同様に行った。
(工程c’)の表面処理が、実施例10の(工程d)に記載された表面処理である以外は、実施例29と同様に行った。
(工程c’)の表面処理が、実施例11の(工程d)に記載された表面処理である以外は、実施例29と同様に行った。
(工程c’)の表面処理が、実施例12の(工程d)に記載された表面処理である以外は、実施例29と同様に行った。
(工程c’)の表面処理が、実施例13の(工程d)に記載された表面処理である以外は、実施例29と同様に行った。
(工程c’)の表面処理が、実施例14の(工程d)に記載された表面処理である以外は、実施例29と同様に行った。
(工程d)で、実施例1と同様の前処理を行った後、りん酸三ナトリウム10g/Lおよび水酸化カリウム25g/Lを含むアルカリ溶液に亜塩素酸ナトリウム15g/L添加した酸化処理液に85℃で3分間浸漬した。この後、5分間水洗し、85℃で30分間乾燥させた。それ以外の工程は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
(工程d)で、実施例1と同様の前処理を行った後、りん酸三ナトリウム10g/Lおよび水酸化カリウム25g/Lを含むアルカリ溶液に亜塩素酸ナトリウム15g/L添加した酸化処理液に85℃で3分間浸漬した。この後、5分間水洗し、還元処理液HIST−100(日立化成工業株式会社製、商品名)に40℃で3分間浸漬し、さらに10分間水洗を行った。この処理工程を経た後に、85℃で30分間乾燥させた。それ以外の工程は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
(工程d)で、実施例1と同様の前処理を行った後、マイクロエッチング剤であるメックエッチボンドCZ8100(メック株式会社製、商品名)に40℃で1分30秒間浸漬し、水洗した後、常温にて3.6Nの硫酸水溶液に60秒間浸漬し、更に水洗を1分間行った。この処理工程を経た後に、85℃で30分間乾燥させた。それ以外の工程は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
電解銅箔に対する表面処理が、比較例1の(工程d)に記載された表面処理である以外は、実施例15と同様に行った。
電解銅箔に対する表面処理が、比較例2の(工程d)に記載された表面処理である以外は、実施例15と同様に行った。
電解銅箔に対する表面処理が、比較例3の(工程d)に記載された表面処理である以外は、実施例15と同様に行った。
(工程c’)表面処理が、比較例1の(工程d)に記載された表面処理である以外は、実施例29と同様に行った。
(工程c’)表面処理が、比較例2の(工程d)に記載された表面処理である以外は、実施例29と同様に行った。
(工程c’)表面処理が、比較例3の(工程d)に記載された表面処理である以外は、実施例29と同様に行った。
実施例1〜14及び比較例1〜3に記載された各々の半導体パッケージを、吸湿処理を行った後、到達温度240℃、長さ2mのリフロー炉に0.5m/分の条件で流し、22個のサンプルをリフローし、クラックの発生を調べ、発生した場合をNGとした。結果を表1に示した。また、同様に22個のサンプルを厚さ0.8mmのマザーボードに実装し、−55℃、30分〜125℃、30分の条件で、温度サイクル試験を行い、試験後、ヒューレットパッカード社製マルチメータ3457Aを用い、導通抵抗値を測定し、はんだボールの接続信頼性を調べた。初期抵抗値より10%以上、抵抗値が変化した場合をNGとした。結果を表1に示した。
実施例15〜28及び比較例4〜6に記載された接着性試験用基板を用いて、150℃放置後の接着性試験を行い、投入後240hまで行った。接着性の指標となるピール強度(N/m)の測定には、レオメータNRM−3002D−H(不動工業株式会社製、商品名)を用い、電解銅箔を基板に対して角度を90度に常に維持し、基板と垂直方向に50mm/minの速度で引き剥がした。ピール強度の値が300N/m以上の値を示した場合を○、300N/m未満の値を示した場合を×とした。結果を表2に示した。
実施例15〜28及び比較例4〜6に記載された接着性試験用基板を用いて、銅表面洗浄度評価試験を行った。洗浄性の度合いとなる各陽イオン・陰イオンおよび各金属イオンの検出量が1μg/枚以上の値を示した場合を+++、0.1μg/枚以上かつ1μg/枚未満の値を示した場合を++、0.04μg/枚以上かつ0.1μg/枚未満の値を示した場合を+、0.04μg/枚未満の値を示した場合を−とした。結果を表3に示した。
実施例15〜28及び比較例4〜6に記載された銅表面平滑度評価用基板を用いて、銅表面平滑度評価試験を行った。Rzが1nm以上かつ100nm以下のものを◎、Rzが100nmを超えかつ1000nm以下のものを○、Rzが1nm未満または1000nmを超えるものを△とした。結果を表2に併記し示した。
実施例29〜42及び比較例7〜9に記載された電食試験用基板を用いて、放置後のL/S=5/5μmおよびL/S=10/10μm配線間の絶縁抵抗値を測定し、1.0×109Ω未満の場合を×とし、1.0×109Ω以上の場合を○とした。結果を表4、表5に示した。ただし、比較例9については、配線精度を維持することができず、試験基板を作製することができなかった。
13.半導体パッケージ領域
14.ダイボンドフィルム接着領域(フリップチップタイプ)
15.半導体チップ搭載領域(フリップチップタイプ)
16.半導体チップ接続端子
17.ダイボンドフィルム接着領域(ワイヤボンドタイプ)
18.半導体チップ搭載領域(ワイヤボンドタイプ)
19.外部接続端子
20.展開配線
21.ダミーパターン
22.半導体チップ搭載基板
23.ブロック
24.補強パターン
25.切断位置合わせマーク
100 コア基板
101 第1の層間接続端子
102 第1の層間接続用IVH(バイアホール)
103 第2の層間接続端子
104 層間絶縁層(ビルドアップ層)
105 第3の層間接続用IVH(バイアホール)
106 配線
106a 第1の配線
106b 第2の配線
106c 第3の配線
107 外部接続端子
108 第2の層間接続用IVH(バイアホール)
109 絶縁被覆(ソルダーレジスト)
111 半導体チップ
112 接続バンプ
113 アンダーフィル材
114 はんだボール
115 金ワイヤ
116 半導体用封止樹脂
117 ダイボンドフィルム
Claims (15)
- 銅表面に銅よりも貴な金属の非連続膜を形成する工程、その後、前記銅表面を酸性溶液あるいはアルカリ性溶液で酸化処理することにより、前記銅表面に凹凸を形成する工程を有することを特徴とする銅の表面の凹凸形成方法。
- 銅表面を酸化処理する工程後、還元処理、カップリング処理、腐食抑制処理のうち少なくとも1つ以上を行う工程を有する請求項1に記載の銅の表面の凹凸形成方法。
- 前記銅の表面処理後の表面粗さは、Rzで1nm以上かつ1000nm以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の銅の表面の凹凸形成方法。
- アルカリ性溶液で処理する工程は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属からなるアルカリ性溶液に有機酸を含むアルカリ溶液で処理する工程である請求項1〜3のいずれか1項に記載の銅の表面の凹凸形成方法。
- アルカリ性溶液で処理する工程は、リン酸塩およびアルカリ金属またはアルカリ土類金属からなるアルカリ性溶液に、塩素酸塩、亜塩素酸塩、次亜塩素酸塩、過塩素酸塩を少なくとも1つ以上含むアルカリ溶液で処理する工程である請求項1〜3のいずれか1項に記載の銅の表面の凹凸形成方法。
- 銅よりも貴な金属は、金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、レニウム、ルテニウム、オスミウム、イリジウムから選択される金属、または前記金属を含む合金である請求項1〜5のいずれか1項に記載の銅の表面の凹凸形成方法。
- 前記銅よりも貴な金属の非連続膜を形成する工程は、前記銅よりも貴な金属を0.001μmol/dm2以上かつ40μmol/dm2以下形成する工程であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の銅の表面の凹凸形成方法。
- 配線基板の銅配線を、請求項1〜7のいずれか1項に記載の銅の表面の凹凸形成方法により処理する工程を有することを特徴とする銅配線の表面処理方法。
- 配線基板の銅配線が、銅表面に銅よりも貴な金属の非連続膜を形成し、その後、酸性溶液あるいはアルカリ性溶液で酸化処理を行った銅配線である配線基板。
- 前記酸化処理後、還元処理、カップリング処理、腐食抑制処理を少なくとも1つ以上行ったことを特徴とする請求項9に記載の配線基板。
- 銅の表面粗さが、Rz(十点平均粗さ)で1nm以上かつ1000nm以下である請求項9または10に記載の配線基板。
- 前記アルカリ処理は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属からなるアルカリ性溶液に有機酸を含むアルカリ溶液で処理することを特徴とする請求項9〜11のいずれか1項に記載の配線基板。
- 前記アルカリ処理は、リン酸塩およびアルカリ金属またはアルカリ土類金属からなるアルカリ性溶液に、塩素酸塩、亜塩素酸塩、次亜塩素酸塩、過塩素酸塩を少なくとも1つ以上含むアルカリ溶液で処理することを特徴とする請求項9〜11のいずれか1項に記載の配線基板。
- 前記銅よりも貴な金属の非連続膜は、金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、レニウム、ルテニウム、オスミウム、イリジウムから選択される金属、または前記金属を含む合金であることを特徴とする請求項9〜13のいずれか1項に記載の配線基板。
- 前記銅よりも貴な金属の非連続膜が、前記銅の表面に0.001μmol/dm2以上かつ40μmol/dm2以下形成された請求項9〜14のいずれか1項に記載の配線基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005206083A JP4774844B2 (ja) | 2005-07-14 | 2005-07-14 | 銅の表面処理方法及び銅 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005206083A JP4774844B2 (ja) | 2005-07-14 | 2005-07-14 | 銅の表面処理方法及び銅 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005069058A Division JP2006249519A (ja) | 2005-03-11 | 2005-03-11 | 銅の表面処理方法及び銅 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006249573A JP2006249573A (ja) | 2006-09-21 |
JP4774844B2 true JP4774844B2 (ja) | 2011-09-14 |
Family
ID=37090363
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005206083A Active JP4774844B2 (ja) | 2005-07-14 | 2005-07-14 | 銅の表面処理方法及び銅 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4774844B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007291448A (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Hitachi Chem Co Ltd | 銅箔の表面処理方法及び銅箔 |
JP2008088543A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-04-17 | Hitachi Chem Co Ltd | 銅表面処理液セット、これを用いた銅の表面処理方法、銅、配線基板および半導体パッケージ |
JP2008088542A (ja) * | 2006-09-06 | 2008-04-17 | Hitachi Chem Co Ltd | 銅の表面処理方法 |
JP2009084653A (ja) * | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Hitachi Chem Co Ltd | 銅表面の処理方法及び配線基板 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006249519A (ja) * | 2005-03-11 | 2006-09-21 | Hitachi Chem Co Ltd | 銅の表面処理方法及び銅 |
JP4872368B2 (ja) * | 2005-09-26 | 2012-02-08 | 日立化成工業株式会社 | 銅表面の前処理方法及びこの方法を用いた配線基板 |
JP2009197304A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Hitachi Chem Co Ltd | 銅表面の処理方法および処理した銅並びに配線基板 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6038465B2 (ja) * | 1978-02-12 | 1985-08-31 | 武夫 川合 | 筆記具外筒に黒色模様を付与する方法 |
JP3333228B2 (ja) * | 1992-04-10 | 2002-10-15 | シチズン時計株式会社 | 装飾部品とその製造方法 |
JPH06260741A (ja) * | 1993-03-08 | 1994-09-16 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 金属ベース回路基板の製造方法 |
JP3594724B2 (ja) * | 1995-09-29 | 2004-12-02 | 大日本印刷株式会社 | リードフレームの部分貴金属めっき方法 |
-
2005
- 2005-07-14 JP JP2005206083A patent/JP4774844B2/ja active Active
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007291448A (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Hitachi Chem Co Ltd | 銅箔の表面処理方法及び銅箔 |
JP2008088542A (ja) * | 2006-09-06 | 2008-04-17 | Hitachi Chem Co Ltd | 銅の表面処理方法 |
JP2008088543A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-04-17 | Hitachi Chem Co Ltd | 銅表面処理液セット、これを用いた銅の表面処理方法、銅、配線基板および半導体パッケージ |
JP2009084653A (ja) * | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Hitachi Chem Co Ltd | 銅表面の処理方法及び配線基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006249573A (ja) | 2006-09-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4033237B2 (ja) | 銅の表面処理方法及び銅 | |
JP4872368B2 (ja) | 銅表面の前処理方法及びこの方法を用いた配線基板 | |
JP2006249519A (ja) | 銅の表面処理方法及び銅 | |
JP5286893B2 (ja) | 接続端子、接続端子を用いた半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法 | |
JP4747770B2 (ja) | プリント配線板の製造方法、及び半導体チップ搭載基板の製造方法 | |
JP4774844B2 (ja) | 銅の表面処理方法及び銅 | |
JP5105137B2 (ja) | 銅箔を有する基板の製造方法及び銅箔を有する基板 | |
JP6201622B2 (ja) | 接続端子及びそれを用いた半導体チップ搭載用基板 | |
JP2009155668A (ja) | 無電解パラジウムめっき反応開始促進前処理液、この前処理液を用いた無電解めっき方法、無電解めっき方法で形成された接続端子並びにこの接続端子を用いた半導体パッケージ及びその製造方法 | |
JP5109399B2 (ja) | 銅の表面処理方法 | |
JP2008248269A (ja) | 銅表面の処理方法およびこの方法を用いた配線基板 | |
JP2005086071A (ja) | 多層配線基板、半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージ、並びにそれらの製造方法 | |
JP4605446B2 (ja) | 多層配線基板、半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージ、並びにそれらの製造方法 | |
JP2007262579A (ja) | 銅の表面処理方法及び銅 | |
JP5109400B2 (ja) | 銅表面処理液セット、これを用いた銅の表面処理方法、銅、配線基板および半導体パッケージ | |
JP2007107080A (ja) | 銅の表面処理方法及び銅表面 | |
JP5194748B2 (ja) | 銅表面の処理方法、銅および配線基板 | |
JP5105162B2 (ja) | 銅表面の処理方法 | |
JP2007142376A (ja) | 半導体チップ搭載用基板、これを用いた半導体パッケージ | |
JP2010090402A (ja) | めっき析出物 | |
JP2006316300A (ja) | 銅の表面処理方法及び銅表面 | |
JP2006344920A (ja) | プリント配線基板、半導体チップ搭載基板、半導体パッケージ、プリント配線基板の製造方法、及び半導体チップ搭載基板の製造方法 | |
JP2009197304A (ja) | 銅表面の処理方法および処理した銅並びに配線基板 | |
JP2007134692A (ja) | 半導体チップ搭載用基板、これを用いた半導体パッケージ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080304 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100713 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100913 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101012 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101221 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20101228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110405 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110428 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110531 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110613 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4774844 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140708 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140708 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |