JP5109399B2 - 銅の表面処理方法 - Google Patents
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Description
銅表面に銅より貴な金属を離散的に形成する方法としては、特に限定されないが、例えば、銅よりも貴な金属を、無電解めっき、電気めっき、置換めっき、スプレー噴霧、塗布、スパッタリング、蒸着等により、下地の銅表面を完全に覆うことなく、銅表面に均一に分散するように形成することが好ましい。より好ましくは、銅より貴な金属を置換めっきにより離散的に銅表面に形成する方法である。置換めっきは、銅と銅よりも貴な金属とのイオン化傾向の違いを利用するものであり、これによれば銅より貴な金属を容易かつ安価に銅表面に離散的に形成することができる。
本発明では、上記のようにして銅より貴な金属を離散的に銅表面に形成した後、当該銅表面を、酸化剤を含むアルカリ性溶液にて酸化処理する。この酸化処理により、銅表面が緻密且つ均一な酸化銅の針状結晶で覆われることになる。
上記酸化処理により銅表面に形成された酸化銅の結晶による微細凹凸は、還元処理により金属銅の微細凹凸にすることが好ましい。この還元処理では、pH9.0から13.5に調整したアルカリ性溶液中に、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、芳香族アルデヒド化合物などを添加した水溶液、次亜リン酸や次亜リン酸塩などを添加した水溶液、ジメチルアミンボランやそれを含む化合物などを添加した水溶液、水素化ほう素塩やそれを含む化合物などを添加した水溶液等を使用することが好ましい。より具体的には、例えば、HIST−100(日立化成工業株式会社製、商品名、HIST−100BおよびHIST−100Dを含む)などを上記還元処理用の溶液として用いることがより好ましい。また、ここに示すアルカリ性溶液としては、特に限定されないが、例えば、アルカリ金属またはアルカリ土類金属などを含むアルカリ性溶液であることが好ましい。さらに詳細に説明すると、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム等のアルカリ金属化合物やアルカリ土類金属化合物を水あるいはイオン交換樹脂により処理した水などの溶媒に添加したものがより好ましい。
上記酸化処理後、銅表面と絶縁層(ビルドアップ層等)との接着強度をより向上させるために、カップリング処理を行うことが好ましく、当該カップリング処理は、上記還元処理後や上記腐食抑制処理後に行うことがより好ましい。カップリング処理に使用するカップリング剤としては、例えば、シラン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、チタン系カップリング剤、ジルコニウム系カップリング剤が好ましく、これらは1種もしくは2種以上を併用することがより好ましい。中でもシラン系カップリング剤が好ましく、シラン系カップリング剤としては、例えば、エポキシ基、アミノ基、メルカプト基、イミダゾール基、ビニル基、またはメタクリル基等の官能基を分子中に有するものであることが好ましい。また、上記カップリング剤は、これを含む溶液として使用するのが好ましく、当該カップリング剤溶液の調整に使用される溶媒は、特に限定されないが、水、アルコール、ケトン類等を用いることが好ましい。また、カップリング剤の加水分解を促進させるために、少量の酢酸や塩酸等の酸を添加するとより好ましい。また、カップリング剤の含有量は、カップリング剤溶液全体に対して、0.01質量%〜5質量%であることが好ましく、0.1質量%〜1.0質量%であることがさらに好ましい。カップリング剤による処理は、上記のように調整したカップリング剤溶液に処理対象となる銅を浸漬する、カップリング剤溶液を銅に対しスプレー噴霧もしくは塗布する等の方法により行うことが好ましい。また、上記シラン系カップリング剤で処理した銅は、自然乾燥、加熱乾燥、または真空乾燥により乾燥する際、使用するカップリング剤の種類によっては、乾燥前に水洗または超音波洗浄を行うことが好ましい。
上記酸化処理後、銅の腐食を抑制するために腐食抑制処理を行うことが好ましく、当該腐食抑制処理は、上記還元処理後もしくは上記カップリング処理後に行うことが好ましい。腐食抑制処理に使用する腐食抑制剤としては、特に限定されないが、例えば、硫黄含有有機化合物または窒素含有有機化合物を少なくとも1種以上含むものが好ましく、メルカプト基、スルフィド基、又はジスルフィド基のような硫黄原子含有有機化合物、または分子内に−N=またはN=Nまたは−NH2を含む窒素含有有機化合物を少なくとも1種以上含むものがより好ましい。
図9に、本発明の銅の表面処理を水平搬送方式により行う場合の一実施形態の模式図を示す。これによれば、銅表面の貴金属処理(125)および酸化処理(127)、さらには、脱脂処理(118)、湯洗(119)、水洗(120、122、124、126、128、130、132、134)、エッチング処理(121)、酸洗処理(123)、還元処理(129)、腐食抑制処理もしくはカップリング処理(131、133)、乾燥処理(135)を必要に応じて適宜組み合わせて、効率的な銅の表面処理を行うことが可能である。なお、上記水洗は、各処理間において1回以上行うことが好ましく、2回から3回行うことがより好ましい。また、処理対象物の移動は、搬送ベルト(コンベア)等の水平搬送手段により行うことができる。
本発明の配線基板は、本発明の銅の表面処理方法を適用してなる配線を有するものである。以下、本発明の配線基板の一実施形態として、半導体チップ搭載用基板を例に挙げ、その一般的な構造、本発明の銅の表面処理方法を適用して半導体チップ搭載用基板を製造する方法、および当該基板を用いた半導体パッケージについて、図面を用いて説明するが、本発明はこれら記載に限定されるものではない。
図1に、本発明の半導体チップ搭載用基板の一実施形態の断面模式図を示す。ここでは、ビルドアップ層(層間絶縁層)を片面に2層形成した実施形態で説明するが、ビルドアップ層は必要に応じて両面に形成しても良い(図8参照)。
コア基板の材質は、一定以上の強度と絶縁性を有するものであれば、特に限定されないが、有機基材、セラミック基材、シリコン基材、ガラス基材などを使用することが好ましい。熱膨張係数や絶縁性を考慮すると、セラミック基材やガラス基材を用いることが好ましい。ガラス基材としては、非感光性ガラス基材や感光性ガラス基材を用いることができ、非感光性ガラス基材としては、例えば、ソーダ石灰ガラス(成分例:SiO2 65〜75wt%、Al2O3 0.5〜4wt%、CaO 5〜15wt%、MgO 0.5〜4wt%、Na2O 10〜20wt%)、ホウ珪酸ガラス(成分例:SiO2 65〜80wt%、B2O3 5〜25wt%、Al2O3 1〜5wt%、CaO 5〜8wt%、MgO 0.5〜2wt%、Na2O 6〜14wt%、K2O 1〜6wt%)等が好ましい。また、感光性ガラスとしては、例えば、Li2O−SiO2系結晶化ガラスに感光剤として金イオン及び銀イオンを含むものが好ましい。
層間絶縁層(ビルドアップ層)104は、絶縁材料からなる層であればよく、その材質は特に限定されない。絶縁材料としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、またはそれらの混合樹脂が好ましく、熱硬化性の有機絶縁材料を主成分とするものがより好ましい。熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シリコン樹脂、シクロペンタジエンから合成した樹脂、トリス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌラートを含む樹脂、芳香族ニトリルから合成した樹脂、3量化芳香族ジシアナミド樹脂、トリアリルトリメタリレートを含む樹脂、フラン樹脂、ケトン樹脂、キシレン樹脂、縮合多環芳香族を含む熱硬化性樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂等を用いることが好ましい。熱可塑性樹脂としては、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、アラミド樹脂、液晶ポリマ等が好ましい。また、上記絶縁材料には充填材を添加することが好ましい。充填材としては、シリカ、タルク、水酸化アルミニウム、ホウ酸アルミニウム、窒化アルミニウム、アルミナ等が挙げられる。
上記コア基板100の熱膨張係数は、特に限定されないが、半導体チップの熱膨張係数と近似していて、かつビルドアップ層の熱膨張係数と近似していることが好ましく、半導体チップ、コア基板、ビルドアップ層の各々の熱膨張係数をα1、α2、α3(ppm/℃)としたとき、α1≦α2≦α3であることがより好ましい。
ビルドアップ層のヤング率は、1〜5GPaであるのが熱ストレスに対する応力緩和の点で好ましい。ビルドアップ層のヤング率と熱膨張係数は、充填材の添加量で制御することができ、好ましくは、ビルドアップ層の熱膨張係数が10〜40ppm/℃、ヤング率が1〜5GPaとなるように調整する。
配線の配置は、特に限定されないが、図5や図6(内層配線、層間接続端子等は省略)に示すように、少なくとも半導体チップが搭載される側には、半導体チップ接続端子16(ワイヤボンド端子等)を配置し、その反対面には、マザーボードと電気的に接続される外部接続端子(はんだボール等が搭載される箇所)及びそれらを繋ぐ展開配線、層間接続端子等を配置する。なお、図5は、半導体チップ接続端子16より内側に外部接続端子19を形成したファン−インタイプの半導体チップ搭載用基板であり、図6は、半導体チップ接続端子16の外側に外部接続端子19を形成したファン−アウトタイプの半導体チップ搭載用基板であるが、これらを組み合わせたタイプでもよい。また、図5および図6において、13は半導体パッケージ領域、14はダイボンドフィルム接着領域(フリップチップタイプ)、15は半導体チップ搭載領域(フリップチップタイプ)、17はダイボンドフィルム接着領域(ワイヤボンドタイプ)、18は半導体チップ搭載領域(ワイヤボンドタイプ)、20は展開配線を示す。
半導体チップ搭載用基板の形状は、特に問わないが、図7に示すようなフレーム形状であることが好ましい。半導体チップ搭載用基板の形状をフレーム形状とすることで、半導体パッケージの組立てを効率よく行うことができる。以下、フレーム形状の半導体チップ搭載用基板の好ましい形態について図7を用いて詳細に説明する。
以下、信頼性の高い半導体パッケージを得る上で好ましい半導体チップ搭載用基板の製造方法の一実施形態を、図2(a)〜(g)の断面模式図を参照しながら工程ごとに説明する。ただし、製造工程の順番は、本発明の目的を逸脱しない範囲では、特に限定しない。また、少なくとも下記(工程d)における銅の貴金属処理工程と酸化処理工程は、水平搬送方式を適用し、好ましくは、下記全ての工程において水平搬送方式を適用する。
(工程a)は、図2(a)に示すように、コア基板100上に第1の配線106aを作製する工程である。配線の形成方法としては、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法、セミアディティブ法などを挙げることができ、目的に合わせて選択することが好ましい。なお、第1の配線106aは、第1の層間接続端子101及び半導体チップ接続端子(半導体チップと電気的に接続される部分)を含んでいるため、微細配線の形成に有利なセミアディティブ法を用いることが好ましい。
上記サブトラクティブ法は、コア基板表面またはビルドアップ層上に銅層を形成し、銅層上の配線となる箇所にエッチングレジストを形成し、エッチングレジストから露出した銅箔をエッチングにより除去し、配線を形成する方法である。この銅層は、例えば、スパッタリング、蒸着、めっき等により薄膜銅を形成した後、所望の厚みになるまで電気銅めっきを行う方法や銅箔を貼り付ける方法などにより形成することができる。また、エッチングレジストのパターンは、例えば、レジストインクをシルクスクリーン印刷したり、エッチングレジスト用ネガ型感光性ドライフィルムを銅箔の上にラミネートして、その上に配線形状に光を透過するフォトマスクを重ね、紫外線で露光し、露光しなかった箇所を現像液で除去したりすることで形成することができる。また、エッチング時に用いるエッチング液としては、塩化第二銅と塩酸の溶液、塩化第二鉄溶液、硫酸と過酸化水素の溶液、過硫酸アンモニウム溶液など、通常の配線板に用いる化学エッチング液を用いることができる。また、エッチングレジストは、通常の配線板に用いることのできるエッチングレジスト材料を使用することが好ましい。
上記アディティブ法は、コア基板またはビルドアップ層上の必要な箇所にのみ、めっきを行うことで配線を形成する方法である。より具体的には、例えば、コア基板上に無電解めっき用触媒を付着させた後、めっきが行われない表面部分にめっきレジストを形成して、無電解銅めっき液に浸漬し、めっきレジストに覆われていない箇所にのみ、無電解めっきを行い、配線形成する。
上記セミアディティブ法は、コア基板表面またはビルドアップ層上に、薄い銅層(シード層)を形成し、その後、電解銅めっきで必要な配線を形成した後、不要な薄い銅層をエッチングで除去する方法であり、L/S=35μm/35μm以下の微細な配線を形成するプロセスとしては最適である。より具体的には、例えば、コア基板表面に、蒸着、めっき、スパッタリングまたは銅箔を貼り合わせるなどの方法によりシード層(薄膜銅)を形成した後、当該シード層上にめっきレジストを形成し、電解銅めっきで必要な配線を形成し、めっきレジストを除去した後、不要な薄い銅層をエッチング方法により除去し、配線形成する。
(工程b)は、図2(b)に示したように、前記第1の層間接続端子101と、後述する第2の配線とを接続するための第1の層間接続用IVH102(バイアホール)を形成する工程である。
(工程c)は、図2(c)に示すように、コア基板100の、第1の配線106aが形成された面の反対面に第2の配線106bを形成する工程である。第2の配線106bは、上記(工程a)における第1の配線と同様にして形成することができる。なお、第2の配線106bは第2の層間接続端子103を含んでおり、微細配線の形成方法としてはセミアディティブ法を用いることが好ましい。
(工程d)は、図2(d)に示すように、前記第2の配線106bを形成した面にビルドアップ層(層間絶縁層)104を形成する工程である。
(工程e)は、図2(e)に示したように、前記ビルドアップ層104に第2の層間接続用のIVH(バイアホール)108を形成する工程であり、その形成手段としては、上記(工程b)における第1の層間接続用IVH102と同様に行うことが好ましい。
(工程f)は、図2(f)に示したように、前記第2のIVH108が形成されたビルドアップ層上に、第3の配線106cを形成する工程である。第3の配線106cは、上記(工程a)における第1の配線106aと同様にして形成することができる。
(工程g)は、図2(g)に示すように、外部接続端子以外の配線等を保護するための絶縁被覆109を形成する工程である。絶縁被覆材としては、熱硬化型や紫外線硬化型のソルダーレジストを用いることができるが、レジスト形状を精度良く仕上げることができる紫外線硬化型のものが好ましい。絶縁被覆パターン形成は、ワニス状の材料であれば印刷で行うことも可能であるが、より精度を確保するためには、感光性のソルダーレジスト、カバーレイフィルム、フィルム状レジストを用いることが好ましい。材質としては、エポキシ系、ポリイミド系、エポキシアクリレート系、フルオレン系の材料を用いることができる。なお、このような絶縁被覆は硬化時の収縮があるため、片面だけに形成すると基板に大きな反りを生じやすい。そこで、必要に応じて半導体チップ搭載用基板の両面に絶縁被覆を形成することもできる。さらに、反りは絶縁被覆の厚みによって変化するため、両面に絶縁被覆を形成する場合には、それぞれの厚みを反りが発生しないように調整することがより好ましい。この場合、予備検討を行い、両面の絶縁被覆の厚みを決定することが好ましい。また、薄型の半導体パッケージを得るためには、絶縁被覆の厚みが50μm以下であることが好ましく、30μm以下がより好ましい。
本発明の半導体パッケージは、本発明の配線基板(半導体チップ搭載用基板)に半導体チップを搭載してなるものである。図3に、本発明の半導体パッケージの一実施形態(フリップチップタイプ半導体パッケージ)の断面模式図を示す。この半導体パッケージは、図2(g)の半導体チップ搭載用基板の所定位置に半導体チップ111が搭載され、外部接続端子107に、マザーボードとの電気的な接続を行うためのはんだボール114が形成されているもので、半導体チップと半導体チップ接続端子は接続バンプ112によりフリップチップ接続されている。また、半導体チップと半導体チップ搭載用基板の間はアンダーフィル材113で封止されている。アンダーフィル材の熱膨張係数は、半導体チップ及びコア基板100の熱膨張係数と近似していることが好ましいがこれに限定したものではない。さらに好ましくは(半導体チップの熱膨張係数)≦(アンダーフィル材の熱膨張係数)≦(コア基板の熱膨張係数)である。また、半導体チップの搭載には、異方導電性フィルム(ACF)や導電性粒子を含まない接着フィルム(NCF)を用いて行うこともでき、この場合、アンダーフィル材で封止する必要がなく、好ましい。さらに、半導体チップを搭載する際に超音波を併用すれば、電気的な接続が低温でしかも短時間で行うことができる。また、上記はんだボールは、共晶はんだやPbフリーはんだを用いることができる。上記はんだボールを外部接続端子107に固着する方法としては、例えば、N2リフロー装置などを用いることができるが、これに限定されない。
本発明の銅表面処理を適用して作製した半導体パッケージの信頼性を評価するために、以下のようにして半導体パッケージサンプルを作製した(図2参照)。
実施例1
(工程a)
図2に示すコア基板100として0.4mm厚のソーダガラス基板(熱膨張係数11ppm/℃)を用意し、片面にスパッタリングにより厚さ200nmの薄膜銅を形成した後、当該薄膜銅上に電気銅めっきを施し、厚さ10μmの銅層を形成した。なお、スパッタリングは、日本真空技術株式会社製装置型番MLH−6315を用いて、以下に示した条件1で行った。その後、第1の配線106aとなる部分にエッチングレジストを形成し、塩化第二銅130g/Lおよび塩酸100g/Lを含むエッチング液を用いてエッチングし、エッチングレジストを除去することで、第1の配線106a(第1の層間接続端子101及び半導体チップ接続端子を含む)を形成した。
電流:3.5A
電圧:500V
アルゴン流量:35SCCM
圧力:5×10−3Torr(4.9×10−2Pa)
成膜速度:5nm/秒
第1の配線106aが形成されたガラス基板の当該第1の配線106aと反対面から第1の層間接続端子101に到達するまで、レーザで穴径50μmのIVHとなる穴を形成した。レーザにはYAGレーザLAVIA−UV2000(住友重機械工業株式会社製、商品名)を使用し、周波数4kHz、ショット数50、マスク径0.4mmの条件でIVHとなる穴の形成を行った。ついで、穴内のデスミア処理を行った。
ガラス基板の、第1の配線106aが形成された面の反対面に、上記(工程a)と同様にして、厚さ10μmの銅層を形成した後、これをエッチングすることで、(工程b)で形成された第1の層間接続用IVH102(第1のバイアホール)と電気的に接続された第2の配線106b(第2の層間接続端子103を含む)を形成した。
(工程c)で形成した第2の配線106bの表面を、下記(工程d−1)に従い前処理し、(工程d−2)に従い処理(粗化)した後、下記(工程d−3)に従い当該第2の配線側の面にビルドアップ層を形成した。なお、(工程d−1)〜(工程d−2)は、図9に示すような水平搬送装置を用いて、各処理槽の搬送距離2.0m、各水洗槽の搬送距離1.0m、コンベア速度4.0m/分の条件で行った。
第2の配線106bの表面を、200ml/L、液温40℃に調整した酸性脱脂液Z−200(ワールドメタル社製、商品名)を用いて、脱脂処理118した後、液温40℃の条件で湯洗処理119を行い、さらに水洗処理120、水洗処理122を行った。次いで、3.6Nの硫酸水溶液により酸洗処理123し、その後、水洗処理124を行った。
上記前処理工程を経た後に、第2の配線106b表面を、液温30℃の置換パラジウムめっき液SA−100(日立化成工業株式会社、製品名)でディップ処理し、1.0μmol/dm2の置換パラジウムめっきを施し(貴金属処理125)、水洗処理126を2段階行った後、りん酸三ナトリウム10g/Lおよび水酸化カリウム25g/Lを含むアルカリ性溶液に亜塩素酸ナトリウム15g/L添加した液温40℃の酸化処理液によりディップ処理した(酸化処理127)。ついで、水洗処理128を2段階行った後、乾燥処理135を85℃で行った。
シアネートエステル系樹脂組成物の絶縁ワニスを、スピンコート法により、条件1500rpmで、上記表面処理済みの第2の配線106b側の面に塗布し、厚み20μmの樹脂層を形成した後、常温(25℃)から6℃/minの昇温速度で230℃まで加熱し、230℃で80分間保持することにより熱硬化し、厚み15μmのビルドアップ層を形成した。
上記(工程d−3)で形成したビルドアップ層104の表面から第2の層間接続用端子103に到達するまで、レーザで穴径50μmのIVHとなる穴を形成した。レーザにはYAGレーザLAVIA−UV2000(住友重機械工業株式会社製、商品名)を使用し、周波数4kHz、ショット数20、マスク径0.4mmの条件でIVHとなる穴の形成を行った。その後、デスミア処理を行った。デスミア処理方法は、膨潤液サーキュポジットホールプリップ4125(ローム・アンド・ハース電子材料株式会社、製品名)に80℃で3分浸漬し、3分間水洗した後、デスミア液サーキュポジットMLBプロモーター213(ローム・アンド・ハース電子材料株式会社、製品名)に80℃で5分浸漬し、3分間水洗し、さらに、還元液サーキュポジットMLB216−4(ローム・アンド・ハース電子材料株式会社、製品名)に40℃で3分浸漬し、3分間水洗した後、85℃で30分間乾燥させて行った。
上記(工程d−3)で形成したビルドアップ層104上に第3の配線106c及び第2のIVH108を形成するために、ビルドアップ層104上にスパッタリングにより、厚さ20nmのNi層(下地金属)を形成し、さらに当該Ni層上に厚さ200nmの薄膜銅層を形成することで、シード層を形成した。スパッタリングは、日本真空技術株式会社製MLH−6315を用いて以下に示した条件2で行った。
(ニッケル)
電流:5.0A
電圧:350V
アルゴン流量:35SCCM
圧力:5×10−3Torr(4.9×10−2Pa)
成膜速度:0.3nm/秒
(薄膜銅)
電流:3.5A
電圧:500V
アルゴン流量:35SCCM
圧力:5×10−3Torr(4.9×10−2Pa)
成膜速度:5nm/秒
この後、(工程d)〜(工程f)までを再度繰り返し、ビルドアップ層及び外部接続端子107を含む最外層の配線をさらに一層形成した。最後にソルダーレジスト109を形成し、外部接続端子107および半導体チップ接続端子に金めっき処理を施し、図1(1パッケージ分の断面図)、図5(1パッケージ分の平面図)、及び図7(半導体チップ搭載用基板全体図)に示すようなファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載用基板を作製した。
次に、上記で得た半導体チップ搭載用基板の半導体チップ搭載領域に、接続バンプ112が形成された半導体チップ111を、フリップチップボンダを用いて超音波を印加しながら必要な数だけ搭載した。さらに、半導体チップ搭載用基板と半導体チップの隙間に、半導体チップ端部からアンダーフィル材113を注入し、オーブンを用いて80℃で1時間の1次硬化及び150℃で4時間の2次硬化を行った。次に、外部接続端子107に直径0.45mmの鉛・錫共晶はんだボール114をN2リフロー装置を用いて融着した。最後に、幅200μmのブレードを装着したダイサーで半導体チップ搭載用基板を切断し、図3に示すような半導体パッケージサンプルを22個作製した。
実施例1の(工程d−2)において、銅配線表面の貴金属処理125、酸化処理127を行い、水洗処理128を2段階行った後、さらに、40℃に調製された還元処理液HIST−100D(日立化成工業株式会社製、商品名)によりディップ処理し(還元処理129)、水洗処理130を2段階行った以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載用基板及び半導体パッケージを作製した。また、水平搬送方式による(工程d−1)〜(工程d−2)のトータルの処理時間は、約16分であった。
実施例1の(工程d−2)において、銅配線表面の貴金属処理125、酸化処理127を行い、水洗処理128を2段階行った後、さらに、30℃に調製されたγ−アミノプロピルトリエトキシシラン0.5質量%水溶液によりディップ処理し(カップリング処理131)、水洗処理132を2段階行った以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載用基板及び半導体パッケージを作製した。また、水平搬送方式による(工程d−1)〜(工程d−2)のトータルの処理時間は、約16分であった。
実施例1の(工程d−2)において、銅配線表面の貴金属処理125、酸化処理127を行い、水洗処理128を2段階行った後、さらに、25℃に調製された、2−アミノ−6−ヒドロキシ−8−メルカプトプリン(和光純薬工業株式会社製、商品名)の濃度が10ppmであるエタノール溶液によりディップ処理し(腐食抑制処理131)、水洗処理132を2段階行った以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載用基板及び半導体パッケージを作製した。また、水平搬送方式による(工程d−1)〜(工程d−2)のトータルの処理時間は、約16分であった。
実施例1の(工程d−2)において、銅配線表面の貴金属処理125、酸化処理127を行い、水洗処理128を2段階行った後、さらに、25℃に調製された、3−アミノ−5−メルカプト−1,2,4−トリアゾール(和光純薬工業株式会社製、商品名)の濃度が10ppmであるエタノール溶液によりディップ処理し(腐食抑制処理131)、水洗処理132を2段階行った以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載用基板及び半導体パッケージを作製した。また、水平搬送方式による(工程d−1)〜(工程d−2)のトータルの処理時間は、約16分であった。
実施例1の(工程d−2)において、銅配線表面の貴金属処理125、酸化処理127を行い、水洗処理128を2段階行った後、さらに、25℃に調製された、2−アミノ−6−ヒドロキシ−8−メルカプトプリン(和光純薬工業株式会社製、商品名)の濃度が10ppmであるエタノール溶液によりディップ処理(腐食抑制処理131)し、水洗処理132を2段階行い、30℃に調製されたγ−アミノプロピルトリエトキシシラン0.5質量%水溶液によりディップ処理した(カップリング処理133)、水洗処理134を2段階行った以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載用基板及び半導体パッケージを作製した。また、水平搬送方式による(工程d−1)〜(工程d−2)のトータルの処理時間は、約17分であった。
実施例1の(工程d−2)において、銅配線表面の貴金属処理125、酸化処理127を行い、水洗処理128を2段階行った後、さらに、30℃に調製されたγ−アミノプロピルトリエトキシシラン0.5質量%水溶液によりディップ処理(カップリング処理131)し、水洗処理132を2段階行い、25℃に調製された、3−アミノ−5−メルカプト−1,2,4−トリアゾール(和光純薬工業株式会社製、商品名)の濃度が10ppmであるエタノール溶液によりディップ処理し(腐食抑制処理131)、水洗処理134を2段階行った以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載用基板及び半導体パッケージを作製した。また、水平搬送方式による(工程d−1)〜(工程d−2)のトータルの処理時間は、約17分であった。
実施例1の(工程d−2)において、銅配線表面の貴金属処理125、酸化処理127を行い、水洗処理128を2段階行った後、さらに、40℃に調製された還元処理液HIST−100D(日立化成工業株式会社製、商品名)によりディップ処理(還元処理129)し、水洗処理130を2段階行い、30℃に調製されたγ−アミノプロピルトリエトキシシラン0.5質量%水溶液によりディップ処理し(カップリング処理131)、水洗処理132を2段階行った以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載用基板及び半導体パッケージを作製した。また、水平搬送方式による(工程d−1)〜(工程d−2)のトータルの処理時間は、約17分であった。
実施例1の(工程d−2)において、銅配線表面の貴金属処理125、酸化処理127を行い、水洗処理128を2段階行った後、さらに、40℃に調製された還元処理液HIST−100D(日立化成工業株式会社製、商品名)によりディップ処理(還元処理129)し、水洗処理130を2段階行い、25℃に調製された、2−アミノ−6−ヒドロキシ−8−メルカプトプリン(和光純薬工業株式会社製、商品名)の濃度が10ppmであるエタノール溶液によりディップ処理し(腐食抑制処理131)、水洗処理132を2段階行った以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載用基板及び半導体パッケージを作製した。また、水平搬送方式による(工程d−1)〜(工程d−2)のトータルの処理時間は、約17分であった。
実施例1の(工程d−2)において、銅配線表面の貴金属処理125、酸化処理127を行い、水洗処理128を2段階行った後、さらに、40℃に調製された還元処理液HIST−100D(日立化成工業株式会社製、商品名)によりディップ処理(還元処理129)し、水洗処理130を2段階行い、25℃に調製された、3−アミノ−5−メルカプト−1,2,4−トリアゾール(和光純薬工業株式会社製、商品名)の濃度が10ppmであるエタノール溶液によりディップ処理し(腐食抑制処理131)、水洗処理132を2段階行った以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載用基板及び半導体パッケージを作製した。また、水平搬送方式による(工程d−1)〜(工程d−2)のトータルの処理時間は、約17分であった。
実施例1の(工程d−2)において、銅配線表面の貴金属処理125、酸化処理127を行い、水洗処理128を2段階行った後、さらに、40℃に調製された還元処理液HIST−100D(日立化成工業株式会社製、商品名)によりディップ処理(還元処理129)し、水洗処理130を2段階行い、25℃に調製された、2−アミノ−6−ヒドロキシ−8−メルカプトプリン(和光純薬工業株式会社製、商品名)の濃度が10ppmであるエタノール溶液によりディップ処理し(腐食抑制処理131)、水洗処理132を2段階行い、30℃に調製されたγ−アミノプロピルトリエトキシシラン0.5質量%水溶液によりスプレー処理し(カップリング処理133)、水洗処理134を2段階行った以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載用基板及び半導体パッケージを作製した。また、水平搬送方式による(工程d−1)〜(工程d−2)のトータルの処理時間は、約18分であった。
実施例1の(工程d−2)において、銅配線表面の貴金属処理125、酸化処理127を行い、水洗処理128を2段階行った後、さらに、40℃に調製された還元処理液HIST−100D(日立化成工業株式会社製、商品名)によりディップ処理(還元処理129)し、水洗処理130を2段階行い、30℃に調製されたγ−アミノプロピルトリエトキシシラン0.5質量%水溶液によりディップ処理し(カップリング処理131)、水洗処理132を2段階行い、25℃に調製された、3−アミノ−5−メルカプト−1,2,4−トリアゾール(和光純薬工業株式会社製、商品名)の濃度が10ppmであるエタノール溶液によりディップ処理し(腐食抑制処理133)、水洗処理134を2段階行った以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載用基板及び半導体パッケージを作製した。また、水平搬送方式による(工程d−1)〜(工程d−2)のトータルの処理時間は、約18分であった。
実施例1の(工程d−2)において、貴金属処理125として、30℃の置換金めっき液HGS−500(日立化成工業株式会社、製品名)により、銅配線表面に1.0μmol/dm2の置換金めっきを施し、また、酸化処理127を行い、水洗処理128を2段階行った後、さらに、40℃に調製された還元処理液HIST−100D(日立化成工業株式会社製、商品名)によりディップ処理(還元処理129)し、水洗処理130を2段階行った以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載用基板及び半導体パッケージを作製した。また、水平搬送方式による(工程d−1)〜(工程d−2)のトータルの処理時間は、約16分であった。
実施例1の(工程d−2)において、貴金属処理125として、硝酸銀7.5g/L、水酸化アンモニア75g/L、チオ硫酸ナトリウム5水和物をそれぞれ含む30℃の置換銀めっき液により、銅配線表面に1.0μmol/dm2の置換銀めっきを施し、また、酸化処理127を行い、水洗処理128を2段階行った後、さらに、40℃に調製された還元処理液HIST−100D(日立化成工業株式会社製、商品名)によりディップ処理(還元処理129)し、水洗処理130を2段階行った以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載用基板及び半導体パッケージを作製した。また、水平搬送方式による(工程d−1)〜(工程d−2)のトータルの処理時間は、約16分であった。
実施例1の(工程d−2)において、貴金属処理125を行わなかった以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載用基板及び半導体パッケージを作製した。
実施例1の(工程d−2)において、貴金属処理125を行わず、また、酸化処理127の水洗処理128後に、実施例2と同様にして還元処理129、水洗処理130を行った以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載用基板及び半導体パッケージを作製した。
実施例1の(工程d−2)において、貴金属処理125を行わず、また、酸化処理127の代わりに、メックエッチボンドCZ8100(メック株式会社製、商品名)によるマイクロエッチング処理121を30℃で行った以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載用基板及び半導体パッケージを作製した。
実施例1の(工程d−2)の工程を行わなかった、すなわち、銅配線の表面処理(凹凸形成処理)を行わなかった以外は、実施例1と同様にしてファン−インタイプBGA用半導体チップ搭載用基板及び半導体パッケージを作製した。
実施例1〜14及び比較例1〜4で作製された各々22個の半導体パッケージサンプルに対して吸湿処理を行った後、到達温度240℃、長さ2mのリフロー炉に0.5m/分の条件で各サンプルを流して、リフローを行った。その後、各サンプルについてクラック発生の有無を調べ、発生した場合をNGとした。結果を表1に示す。
本発明の銅表面処理後における銅表面の接着性、平滑性、外観を評価するために、以下のようにして評価用電解銅箔を作製した。
実施例15
厚み18μmの電解銅箔GTS−18(古河サーキットフォイル株式会社製、商品名)を5cm×8cm×3枚(接着試験用、平滑度評価用、外観評価用)に切り出し、各電解銅箔の片面に、実施例1の(工程d)の(工程d−1)および(工程d−2)に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属処理および酸化処理)を施し、電解銅箔の試験片を作製した。処理の際は、電解銅箔が折れ曲がらないように、リジット板に試験片をテープで貼り付けて行った。
電解銅箔に対する表面処理として、実施例2に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属処理、酸化処理および還元処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例15と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、実施例3に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属処理、酸化処理およびカップリング処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例15と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、実施例4に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属処理、酸化処理および腐食抑制処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例15と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、実施例5に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属処理、酸化処理および腐食抑制処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例15と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、実施例6に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属処理、酸化処理、腐食抑制処理およびカップリング処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例15と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、実施例7に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属処理、酸化処理、カップリング処理および腐食抑制処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例15と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、実施例8に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属処理、酸化処理、還元処理およびカップリング処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例15と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、実施例9に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属処理、酸化処理、還元処理および腐食抑制処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例15と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、実施例10に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属処理、酸化処理、還元処理および腐食抑制処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例15と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、実施例11に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属処理、酸化処理、還元処理、腐食抑制処理およびカップリング処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例15と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、実施例12に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属処理、酸化処理、還元処理、カップリング処理および腐食抑制処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例15と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、実施例13に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属(金)処理および酸化処理、還元処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例15と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、実施例14に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属(銀)処理および酸化処理、還元処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例15と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、比較例1に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理および酸化処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例15と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、比較例2に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、酸化処理および還元処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例15と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対する表面処理として、比較例3に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理およびエッチング処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例15と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
電解銅箔に対して、比較例4と同様、表面処理((工程d−2)の凹凸形成処理)を行わなかった以外は、実施例15と同様に電解銅箔の試験片を作製した。
低誘電正接高耐熱多層材料として使用することが可能な、厚さ0.8mmのガラス布−シアネートエステル系樹脂組成物含浸両面銅張り積層板であるMCL−LX−67(日立化成工業株式会社製、商品名)の片面を、化学エッチング粗化処理液HIST−7300(日立化成工業株式会社製)を用いて粗化処理し、その銅表面粗さRzを3.5μmとした。その後、Rz=3.5μmの銅表面に、シアネートエステル系樹脂組成物をガラスクロスに含浸させたプリプレグであるGXA−67N(日立化成工業株式会社製、商品名)を積層し、さらに最外層に実施例15〜28及び比較例5〜8で作製した電解銅箔1枚を積層し、3.0MPaの圧力で常温(25℃)から6℃/minの昇温速度で230℃まで加熱し、230℃において1時間保持することにより積層接着し、接着性試験用基板を作製した。なお、上記電解銅箔は、各種表面処理を施した面側において絶縁層(プリプレグ)と接着している。
実施例15〜28及び比較例5〜8で作製した電解銅箔の表面処理を施した面側の表面粗さ(Rz)を簡易式原子間力顕微鏡(AFM) Nanopics2100を用いて、以下に示した条件3で測定した。Rzが1nm以上かつ100nm以下のものを◎、Rzが100nmを超えかつ1000nm以下のものを○、Rzが1nm未満または1000nmを超えるものを△とした。結果を表2に示す。
測定長さ:1μm
SCAN SPEED:1.35μm/sec
FORCE REFARENCE:160
実施例15〜28及び比較例5〜8で作製した電解銅箔の表面処理を施した面側の銅表面外観を調べた。目視による観察で、銅表面に傷あるいは処理ムラがないものを○、そうでないものを×とした。結果を表2に示す。
本発明の銅の表面処理方法により表面処理された銅配線間の絶縁信頼性を評価するために、以下のような評価用基板を作製した。
実施例29
(工程a’)
図12に示すコア基板100として0.4mm厚のソーダガラス基板(熱膨張係数11ppm/℃)を用意し、片面に層間絶縁層104を次のように形成した。すなわち、シアネートエステル系樹脂組成物の絶縁ワニスをスピンコート法により、条件1500rpmで、ガラス基板上に塗布し、厚み20μmの樹脂層を形成した後、常温(25℃)から6℃/minの昇温速度で230℃まで加熱し、230℃で80分間保持することにより熱硬化し、層間絶縁層104を形成した。その後、実施例1の(工程f)と同様に厚さ20nmのNi層及び厚さ200nmの薄膜銅からなるシード層150を形成した。
上記(工程a’)で形成した配線106に対し、実施例1の(工程d)の(工程d−1)および(工程d−2)と同様にして、各表面処理(前処理、貴金属処理、酸化処理)を施した後、(工程d−3)と同様にして、図12(d’)に示す層間絶縁層(ビルドアップ層)104をそれぞれ形成し、図13に示すL/S=5μm/5μm、図14に示すL/S=10μm/10μmの評価用基板をそれぞれ32枚作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、実施例2に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属処理、酸化処理および還元処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例29と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、実施例3に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属処理、酸化処理およびカップリング処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例29と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、実施例4に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属処理、酸化処理および腐食抑制処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例29と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、実施例5に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属処理、酸化処理および腐食抑制処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例29と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、実施例6に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属処理、酸化処理、腐食抑制処理およびカップリング処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例29と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、実施例7に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属処理、酸化処理、カップリング処理および腐食抑制処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例29と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、実施例8に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属処理、酸化処理、還元処理およびカップリング処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例29と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、実施例9に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属処理、酸化処理、還元処理および腐食抑制処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例29と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、実施例10に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属処理、酸化処理、還元処理および腐食抑制処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例29と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、実施例11に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属処理、酸化処理、還元処理、腐食抑制処理およびカップリング処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例29と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、実施例12に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属処理、酸化処理、還元処理、カップリング処理および腐食抑制処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例29と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、実施例13に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属(金)処理、酸化処理、還元処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例29と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、実施例14に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、貴金属(銀)処理、酸化処理、還元処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例29と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、比較例1に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理および酸化処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例29と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、比較例2に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理、酸化処理および還元処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例29と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)における各表面処理として、比較例3に記載された配線表面に対する各表面処理(前処理およびエッチング処理)と同様の表面処理を施した以外は、実施例29と同様に評価用基板を作製した。
上記(工程d’)において、比較例4と同様、表面処理((工程d−2)の凹凸形成処理)を行わなかった以外は、実施例29と同様に評価用基板を作製した。
実施例29〜42及び比較例9〜12で作製した各評価用基板について、以下のようにして、L/S=5/5μmおよびL/S=10/10μmの配線間の絶縁抵抗値を測定した。ただし、比較例11の評価基板については、配線精度を維持することができなかったため、測定を行わなかった。
表1に示すように、実施例1〜14で作製した半導体パッケージのうち、アルカリ性溶液による酸化処理後に還元処理を行った実施例2、8〜14については、極めて良好な信頼性を示した。また、表2に示すように、実施例15から28で作製した電解銅箔は、緻密且つ均一な数十ナノレベルの凹凸をその表面に有し、その表面と絶縁層との150℃・240h放置後の接着強度(ピール強度)は、300N/m以上であり良好であった。また、表3および表4に示すように、実施例29から42で作製した評価基板における配線間絶縁信頼性は、L/S=5/5μmおよびL/S=10/10μmのいずれにおいても極めて良好であった。
13.半導体パッケージ領域
14.ダイボンドフィルム接着領域(フリップチップタイプ)
15.半導体チップ搭載領域(フリップチップタイプ)
16.半導体チップ接続端子
17.ダイボンドフィルム接着領域(ワイヤボンドタイプ)
18.半導体チップ搭載領域(ワイヤボンドタイプ)
19.外部接続端子
20.展開配線
21.ダミーパターン
22.半導体チップ搭載用基板
23.ブロック
24.補強パターン
25.切断位置合わせマーク
100 コア基板
101 第1の層間接続端子
102 第1の層間接続用IVH(バイアホール)
103 第2の層間接続端子
104 層間絶縁層(ビルドアップ層)
105 第3の層間接続用IVH(バイアホール)
106 配線
106a 第1の配線
106b 第2の配線
106c 第3の配線
107 外部接続端子
108 第2の層間接続用IVH(バイアホール)
109 絶縁被覆(ソルダーレジスト)
111 半導体チップ
112 接続バンプ
113 アンダーフィル材
114 はんだボール
115 金ワイヤ
116 半導体用封止樹脂
117 ダイボンドフィルム
118 脱脂処理槽
119 湯洗槽
120 水洗槽(1)
121 エッチング処理槽
122 水洗槽(2)
123 酸洗槽
124 水洗槽(3)
125 貴金属処理槽
126 水洗槽(4)
127 酸化処理槽
128 水洗槽(5)
129 還元処理槽
130 水洗槽(6)
131 腐食抑制処理槽もしくはカップリング処理槽
132 水洗槽(7)
133 腐食抑制処理槽もしくはカップリング処理槽
134 水洗槽(8)
135 乾燥処理槽
136 噴流穴
137 ディップ槽
138 液循環配管
139 循環ポンプ
140 フィルター
141 液せき止めロール
142 処理液槽
143 スプレー穴
150 シード層
151 レジストパターン
Claims (8)
- 銅の表面処理を水平搬送方式により行う方法であって、銅表面に銅よりも貴な金属を離散的に形成する工程、および前記銅表面を酸化剤を含むアルカリ性溶液で酸化処理する工程を有する、銅の表面処理方法。
- 前記酸化処理する工程の後、還元処理、カップリング処理および腐食抑制処理からなる群から選択される1以上の処理工程をさらに有する、請求項1に記載の銅の表面処理方法。
- 前記酸化剤が、塩素酸塩、亜塩素酸塩、次亜塩素酸塩、過塩素酸塩およびペルオキソ二硫酸塩からなる群から選択される1種以上である、請求項1または2に記載の銅の表面処理方法。
- 前記銅よりも貴な金属が、金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、レニウム、ルテニウム、オスミウムおよびイリジウムからなる群から選択される金属、または前記金属を含む合金である、請求項1〜3のいずれかに記載の銅の表面処理方法。
- 前記銅よりも貴な金属の形成量が、0.001μmol/dm2以上かつ40μmol/dm2以下である、請求項1〜4のいずれかに記載の銅の表面処理方法。
- 前記各処理工程における処理時間が10〜180秒である、請求項1〜5のいずれかに記載の銅の表面処理方法。
- 前記酸化剤を含むアルカリ性溶液の、酸化処理時の液温が20〜95℃である、請求項1〜6のいずれかに記載の銅の表面処理方法。
- 銅表面に銅よりも貴な金属を離散的に形成するための手段、
前記銅表面を、酸化剤を含むアルカリ性溶液で酸化処理するための手段、および
銅を水平搬送するための搬送手段、
を少なくとも備える、銅の表面処理装置。
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