JP2011199212A - 金属−セラミックス回路基板およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】セラミックス基板の少なくとも一方の面に接合した銅回路板の表面を脱脂し、水洗し、酸洗し、水洗した後、Pd活性化液に20〜40℃で20〜600秒間浸漬することにより銅回路板の表面にPdを付着させ、その後、銅回路板の表面を水洗し、30〜60℃程度の純水で温洗し、40〜70℃の温風により乾燥する。
【選択図】なし
Description
まず、セラミックス基板として48mm×43mm×0.6mmのAlN基板を用意し、このセラミックス基板の一方の面に、活性金属として3質量%のTiを添加したAg−Cu共晶組成のろう材を塗布し、その上に48mm×43mm×0.3mmの銅板を配置し、真空炉中において840℃でセラミックス基板と銅板を接合して、銅張りAlN基板を作製した。
酸洗前の脱脂と水洗を行わず、0.03質量%のPdと0.3質量%のHClと0.5質量%のNH4Clと残部として水を含むPd活性化液を使用した以外は、実施例5と同様の方法により、銅板の表面にPdが付着した銅張りAlN基板を得た。このようにして得られた銅張りAlN基板について、実施例1と同様の方法により、銅板の表面に付着したPd層の厚さの平均値を求めるとともに、(Pd層が付着した)銅板の1日後の外観、半田濡れ性、耐熱性およびワイヤボンディング性を調べた。その結果、Pd層の厚さの平均値は0.0025μmであった。また、1日後の(Pd層が付着した)銅板は変色おらず、大気中において125℃で5分間加熱した後の(Pd層が付着した)銅板も変色しておらず、耐熱性は良好であった。また、高温半田の半田濡れ率は95%以上であり、半田濡れ性は良好であった。さらに、ワイヤボンディングによるアルミニウムワイヤの接合も良好であった。
0.01質量%のPdと0.1質量%のHClと0.1質量%のNH4Clを含む水からなるPd活性化液を使用し、Pd活性化液に浸漬する時間を600秒間とした以外は、実施例8と同様の方法により、銅板の表面にPdが付着した銅張りAlN基板を得た。このようにして得られた銅張りAlN基板について、実施例1と同様の方法により、銅板の表面に付着したPd層の厚さの平均値を求めるとともに、(Pd層が付着した)銅板の1日後の外観、半田濡れ性、耐熱性およびワイヤボンディング性を調べた。その結果、Pd層の厚さの平均値は0.0015μmであった。また、1日後の(Pd層が付着した)銅板は変色おらず、大気中において125℃で5分間加熱した後の(Pd層が付着した)銅板も変色しておらず、耐熱性は良好であった。また、高温半田の半田濡れ率は95%以上であり、半田濡れ性は良好であった。さらに、ワイヤボンディングによるアルミニウムワイヤの接合も良好であった。
0.1質量%のPdと1.0質量%のHClと1.0質量%のNH4Clを含む水からなるPd活性化液を使用し、Pd活性化液に浸漬する時間を60秒間とした以外は、実施例8と同様の方法により、銅板の表面にPdが付着した銅張りAlN基板を得た。このようにして得られた銅張りAlN基板について、実施例1と同様の方法により、銅板の表面に付着したPd層の厚さの平均値を求めるとともに、(Pd層が付着した)銅板の1日後の外観、半田濡れ性、耐熱性およびワイヤボンディング性を調べた。その結果、Pd層の厚さの平均値は0.0032μmであった。また、1日後の(Pd層が付着した)銅板は変色おらず、大気中において125℃で5分間加熱した後の(Pd層が付着した)銅板も変色しておらず、耐熱性は良好であった。また、高温半田の半田濡れ率は95%以上であり、半田濡れ性は良好であった。さらに、ワイヤボンディングによるアルミニウムワイヤの接合も良好であった。
実施例1と同様のセラミックス基板にろう材を介して銅板を接合した銅張りAlN基板(Pd付与処理およびその前処理を行っていない銅張りAlN基板)について、実施例1と同様の方法により、銅板の1日後の外観、半田濡れ性および耐熱性を調べた。その結果、1日後の銅板は僅かに変色し、大気中において125℃で5分間加熱した後の銅板は変色しており、耐熱性は良好ではなかった。また、高温半田およびPbフリー半田の半田濡れ率はいずれも低く、半田濡れ性も良好ではなかった。
Pd活性化液に浸漬する時間を600秒間とした以外は、実施例10と同様の方法により、銅板の表面にPdが付着した銅張りAlN基板を得た。このようにして得られた銅張りAlN基板について、実施例1と同様の方法により、銅板の表面に付着したPd層の厚さの平均値を求めるとともに、(Pd層が付着した)銅板の1日後の外観を調べた。その結果、Pd層の厚さの平均値は0.034μmであった。また、1日後の(Pd層が付着した)銅板は暗色になっており、ムラがあった。
Claims (9)
- セラミックス基板の少なくとも一方の面に接合した銅回路板の表面を酸洗し、水洗した後、Pd活性化液により銅回路板の表面にPdを付着させ、その後、銅回路板の表面を水洗し、乾燥することを特徴とする、金属−セラミックス回路基板の製造方法。
- 前記Pd活性化液による銅回路板の表面へのPdの付着が、前記銅回路板をPd活性化液に20〜40℃で20〜600秒間浸漬することにより行われることを特徴とする、請求項1に記載の金属−セラミックス回路基板の製造方法。
- 前記Pd活性化液が、0.1質量%以下のPdと0.1〜1質量%のHClと0.1〜1質量%のNH4Clを含む水からなるPd活性化液であることを特徴とする、請求項1または2に記載の金属−セラミックス回路基板の製造方法。
- 前記セラミックス基板に接合した銅回路板の表面を酸洗する前に、銅回路板の表面を脱脂液により脱脂し、水洗することを特徴とする、請求項1乃至3のいずれかに記載の金属−セラミックス回路基板の製造方法。
- 前記脱脂液が、1〜2質量%の蟻酸と1〜2質量%の塩化アンモニウムと0.1〜1質量%の分散剤を含む水からなる脱脂液であることを特徴とする、請求項4に記載の金属−セラミックス回路基板の製造方法。
- 前記Pdを付着させた銅回路板の表面を水洗した後、乾燥する前に、銅回路板の表面を30〜60℃程度の純水で温洗することを特徴とする、請求項1乃至5のいずれかに記載の金属−セラミックス回路基板の製造方法。
- セラミックス基板の少なくとも一方の面に銅回路板が接合し、この銅回路板の表面にPdが付着して厚さ0.0005〜0.008μmのPd層が形成されていることを特徴とする、金属−セラミックス回路基板。
- 前記Pd層の厚さが0.001〜0.007μmであることを特徴とする、請求項7に記載の金属−セラミックス回路基板。
- 前記Pd層の厚さが0.001〜0.004μmであることを特徴とする、請求項7に記載の金属−セラミックス回路基板。
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