JP2012216773A - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 188
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 184
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 126
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 126
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 88
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 claims abstract description 85
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 68
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 65
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 65
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 64
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims abstract description 8
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical class [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 claims description 98
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 96
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 25
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims description 18
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 7
- -1 methacryloxy group Chemical group 0.000 claims description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 5
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000001951 carbamoylamino group Chemical group C(N)(=O)N* 0.000 claims description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000000101 thioether group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 claims description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 abstract description 11
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 18
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 10
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920006290 polyethylene naphthalate film Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000004154 testing of material Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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Abstract
【解決手段】第1絶縁樹脂層40の上に、第1カップリング剤層18に第1銅・錫合金層16及び銅層12が順に配置された積層体を得る工程と、銅層12の上にシード層52を形成する工程と、開口部32aが設けられためっきレジスト32をシード層52の上に形成する工程と、電解めっきによりめっきレジスト32の開口部32aに金属めっき層54を形成する工程と、めっきレジスト32を除去する工程と、金属めっき層54をマスクにしてシード層52から第1銅・錫合金層16までエッチングすることにより、第1カップリング剤層18の上に第1配線層50を形成する工程とを含む。
【選択図】図8
Description
図3は第1実施形態の金属層転写基材の製造方法を示す断面図、図4〜図10は第1実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図、図11は第1実施形態の配線基板を示す断面図である。
図15〜図22は第2実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図、図23は第2実施形態の配線基板を示す断面図である。
Claims (13)
- 第1絶縁樹脂層の上に、第1カップリング剤層に第1銅・錫合金層及び銅層が順に配置された積層体を得る工程と、
前記銅層の上にシード層を形成する工程と、
開口部が設けられためっきレジストを前記シード層の上に形成する工程と、
前記シード層をめっき給電経路に利用する電解めっきにより、前記めっきレジストの開口部に金属めっき層を形成する工程と、
前記めっきレジストを除去する工程と、
前記金属めっき層をマスクにして前記シード層、前記銅層及び前記第1銅・錫合金層をエッチングすることにより、前記第1カップリング剤層の上に第1配線層を形成する工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 前記第1配線層を形成する工程の後に、
前記第1配線層の露出面に第2銅・錫合金層を形成する工程と、
前記第1配線層の前記第2銅・錫合金層を被覆する第2カップリング剤層を形成する工程と、
前記第2カップリング剤層の上に第2絶縁樹脂層を形成する工程とをさらに有することを特徴とする請求項1に記載の配線基板の製造方法。 - 前記第2絶縁樹脂層を形成する工程の後に、
前記第2絶縁樹脂層、前記第2カップリング剤層、及び第2銅・錫合金層を加工することにより、前記第1配線層に到達するビアホールを形成する工程と、
前記ビアホールを介して前記第1配線層に接続される第2配線層を前記第2絶縁樹脂層の上に形成する工程とをさらに有することを特徴とする請求項2に記載の配線基板の製造方法。 - 前記第2配線層を形成する工程の後に、
前記第2配線層の露出面に第3銅・錫合金層を形成する工程と、
前記第2配線層の前記第3銅・錫合金層を被覆する第3カップリング剤層を形成する工程と、
前記第3カップリング剤層の上に、前記第2配線層の接続部に対応する部分に開口部が設けられた保護絶縁層を形成する工程と、
前記保護絶縁層の開口部内の前記第3カップリング剤層及び前記第3銅・錫合金層を除去する工程とをさらに有することを特徴とする請求項3に記載の配線基板の製造方法。 - 前記積層体を得る工程は、
支持体の上に、剥離できる状態で前記銅層及び前記第1銅・錫合金層が順に形成された構造体を用意し、前記第1銅・錫合金層の上に前記第1カップリング剤層を形成することにより金属層転写基材を得る工程と、
前記金属層転写基材の前記第1カップリング剤層の面を前記第1絶縁樹脂層の上に積層する工程と、
前記金属層転写基材から前記支持体を除去する工程とを含むことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。 - 前記金属層転写基材を得る工程は、
前記支持体の上に前記銅層を形成する工程と、
前記銅層の上に錫層を形成し、加熱処理することにより前記銅層から前記錫層に銅を拡散させて前記第1銅・錫合金層を得る工程とを含むことを特徴とする請求項5に記載の配線基板の製造方法。 - 前記積層体を得る工程において、下層配線層の上に前記第1絶縁樹脂層が形成されており、
前記積層体を得る工程の後に、
前記銅層から前記第1絶縁樹脂層まで厚み方向に加工することにより、前記下層配線層に到達するビアホールを形成する工程をさらに有し、
前記シード層を形成する工程において、前記シード層は前記ビアホール内から前記銅層の上に形成され、
前記めっきレジストを形成する工程において、前記めっきレジストの開口部は前記ビアホールを含む部分に形成され、
前記金属めっき層を形成する工程において、前記金属めっき層は前記ビアホール及び前記めっきレジストの開口部に形成され、
前記第1配線層を形成する工程において、前記第1配線層は前記ビアホールを介して前記下層配線層に接続されることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。 - 前記第1カップリング剤層はシランカップリング剤からなり、官能基として、アミノ基、エポキシ基、メルカプト基、イソシネアート基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、ウレイド基、又はスルフィド基を含むことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
- 第1絶縁樹脂層と、
前記第1絶縁樹脂層の上に形成された第1カップリング剤層と、
前記第1カップリング剤層の上に形成された第1銅・錫合金層と、前記第1銅・錫合金層の上に形成された銅層と、前記銅層の上に形成されたシード層と、前記シード層の上に形成された金属めっき層とを含む第1配線層とを有することを特徴とする配線基板。 - 前記第1配線層の上面及び側面に形成された第2銅・錫合金層と、
前記第1配線層の前記第2上側銅・錫合金層を被覆する第2カップリング剤層と、
前記第2カップリング剤層の上に形成された第2絶縁樹脂層とをさらに有することを特徴とする請求項9に記載の配線基板。 - 前記第1絶縁樹脂層の下に形成された下層配線層と、
前記第1絶縁樹脂層に形成され、前記下層配線層に到達するビアホールとをさらに有し、
前記第1カップリング剤層は前記ビアホールを除く前記第1絶縁樹脂層の上に形成され、
前記シード層は、前記ビアホールの内面から前記銅層の上に延在し、
前記第1配線層は前記ビアホールを介して前記下層配線層に接続されていることを特徴とする請求項9又は10に記載の配線基板。 - 前記第2絶縁樹脂層、前記第2カップリング剤層、及び第2銅・錫合金層に形成され、前記第1配線層に到達するビアホールと、
前記第2絶縁樹脂層の上に形成され、前記ビアホールを介して前記第1配線層に接続される第2配線層とをさらに有することを特徴とする請求項10に記載の配線基板 - 前記第2配線層の上面及び側面に形成された第3銅・錫合金層と、
前記第2配線層の前記第3銅・錫合金層を被覆する第3カップリング剤層と、
前記第3カップリング剤層の上に形成され、前記第2配線層の接続部に対応する部分に開口部が設けられた保護絶縁層とを有し、
前記保護絶縁層の開口部内の前記第3カップリング剤層及び前記第3銅・錫合金層が除去されていることを特徴とする請求項12に記載の配線基板。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012015679A JP2012216773A (ja) | 2011-03-29 | 2012-01-27 | 配線基板及びその製造方法 |
US13/433,680 US9040832B2 (en) | 2011-03-29 | 2012-03-29 | Wiring substrate and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011072694 | 2011-03-29 | ||
JP2011072694 | 2011-03-29 | ||
JP2012015679A JP2012216773A (ja) | 2011-03-29 | 2012-01-27 | 配線基板及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012216773A true JP2012216773A (ja) | 2012-11-08 |
JP2012216773A5 JP2012216773A5 (ja) | 2015-01-22 |
Family
ID=46925753
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012015679A Pending JP2012216773A (ja) | 2011-03-29 | 2012-01-27 | 配線基板及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9040832B2 (ja) |
JP (1) | JP2012216773A (ja) |
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- 2012-01-27 JP JP2012015679A patent/JP2012216773A/ja active Pending
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