JPWO2008114418A1 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

半導体基板1の上方に形成される絶縁膜と、絶縁膜7上に形成される容量下部電極11bと、容量下部電極11bの上面及び側面の上に形成される誘電体膜13と、誘電体膜13の上に形成され且つ容量下部電極11bよりも広く形成された金属膜の第1金属パターンから構成される容量上部電極19bとを有する容量素子と、絶縁膜7上で前記金属膜の第2金属パターンから構成される配線19a,19bと、を有するキャパシタを有している。【選択図】図1J

Description

本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に、下部金属膜と上部金属膜の間に絶縁膜が形成される構造のMIM容量素子を有する半導体装置とその製造方法に関する。
高速動作が要求される高周波アナログ集積回路の容量素子として、MIM(Metal-Insulator-Metal)容量素子が使用されている。MIM容量素子は、MOS(Metal-Insulator-Semiconductor) 容量素子に比べて寄生抵抗や寄生容量の低減が可能である。
MIM容量素子として、例えば、特開2003−318269号公報(特許文献1)には、層間絶縁膜上に形成されたアルミニウム銅(AlCu)からなる下膜電極膜と、下膜電極膜上に形成された誘電体膜と、誘電体膜上に形成された上膜電極膜を有する構造が記載されている。
また、特開2004−303908号公報(特許文献2)には、基板を覆う層間絶縁膜上に形成されたAlCu膜をパターニングすることにより、層間絶縁膜上に配線を形成すると同時にMIM容量素子の上部電極を形成することが記載されている。
特開2006−210952号公報(特許文献3)には、特許文献2と同じ構造のMIM容量素子において容量下部電極の厚みを容量上部電極の厚みよりも薄くすることと、容量下部電極に接続されるコンタクトをその下の層間絶縁膜内に形成することが記載されている。
特許文献2、特許文献3に記載のMIM容量素子では、容量下部電極と容量絶縁膜と容量上部電極が同じ平面形状を有している。
また、特表2003−526927号公報(特許文献4)には、同じ平面形状の容量下部電極及び誘電体膜と、誘電体膜上より狭い形状で誘電体膜上に形成された容量上部電極を有するMIMコンデンサが記載されている。
特開2003−318269号公報 特開2004−303908号公報 特開2006−210952号公報 特表2003−526927号公報
ところで、特許文献1に記載のMIM容量素子は、例えば図16に示すように、層間絶縁膜101上に第1バリアメタル膜102、AlCu膜103、第2バリアメタル膜104、誘電体膜105及び上膜電極膜106を順に形成し、その後に、上部電極膜106と誘電体膜105を別々にパターニングするといったプロセスを経て形成される。
MIM容量素子100の下膜電極膜を構成するAlCu膜103は、一般に、スパッタで成膜されて多結晶構造となり、結晶の大きさは不均一であって結晶粒界により生じる窪みの深さはまちまちであるため、AlCu膜103の表面には凹凸が生じてしまう。その凹凸は、AlCu膜103が厚くなるほど顕著に表れる。
一方、MIM容量素子100の側方では、同じ第1バリアメタル膜102、AlCu膜103及び第2バリアメタル膜104をパターニングして配線107a,107bが形成さる。この場合、配線107a,107bの抵抗を下げるためにAlCu膜103は厚く形成されるので、AlCu膜103表面の凹凸差が大きくなる。
AlCu膜103の凹凸の差が大きくなると、その上に形成される誘電体膜105の膜厚が不均一となり、電界集中箇所が生じてリーク電流が流れたり、その凸部で誘電体膜105に絶縁破壊が生じたりするおそれがある。
これに対して、特許文献2、3に記載のMIM容量素子は、図17Aに示すように、AlCu膜103とその下の第1バリアメタル膜102の間に誘電体膜105が形成されているので、誘電体膜105はAlCu膜103の上面に生じる凹凸の影響を受けなくなる。このような構造では、第1バリアメタル膜102が下部電極となり、AlCu膜103が上部電極となる。
しかし、AlCu膜103が厚くなるとAlCu膜103のエッチングの終点の制御が難しくなる。そして、AlCu膜103にエッチング不足が生じる場合には、横方向へのリーク電流が増加する原因となる。
一方、エッチングが過剰になる場合には、図17Bに示すように、AlCu膜103に続いて誘電体膜105もエッチングされて、AlCu膜103と誘電体膜105の形状が同じになる。この結果、誘電体膜105の縁部で第1バリアメタル膜(下部電極)102とAlCu膜(上部電極)103が接近し、それらの間にリーク電流が流れやすくなる。
特に、MIM容量100の電荷容量を増加させるために誘電体膜105を薄くすると、誘電体膜105のエッチング制御も難しくなるので、パターニングによりAlCu膜103と第1バリアメタル膜102は同じ平面形状になり易い。
本発明の目的は、容量素子の特性を向上することができる半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
本発明の観点によれば、絶縁膜上に形成される容量下部電極と、容量下部電極の上面及び側面の上に形成される容量誘電体膜と、容量誘電体膜の上に形成され且つ容量下部電極よりも広く形成された金属膜の第1金属パターンから構成される容量上部電極とを有する容量素子と、絶縁膜上で金属膜の第2金属パターンから構成される配線とを有している。
配線を構成する金属膜のパターンによって容量上部電極を構成するとともに、容量上部電極を容量下部電極より広い形状となし、さらに容量誘電体膜を容量下部電極の上面及び側面を覆う形状としている。
これにより、配線を構成する金属膜により容量上部電極を構成する場合であっても、容量上部電極と容量下部電極の縁部での距離を容量誘電体膜と同じかそれ以上に離すことが可能になり、容量素子の縁部でのリーク電流を抑制することができる。
図1A〜図1Mは、本発明の第1実施形態に係る半導体装置及びその形成工程を示す断面図である。 . . . . 図2A〜図2Kは、本発明の第1実施形態に係る半導体装置及びその形成工程を示す平面図である。 . . . 図3A〜図3Dは、本発明の第2実施形態に係る半導体装置及びその形成工程を示す断面図である。 . 図4A〜図4Cは、本発明の第2実施形態に係る半導体装置及びその形成工程を示す平面図である。 . 図5A〜図5Jは、本発明の第3実施形態に係る半導体装置及びその形成工程を示す断面図である。 . . . . 図6は、本発明の実施形態に係る第3〜第5半導体装置を示す平面図である。 図7は、本発明の第3実施形態に係る半導体装置内の容量素子を構成する誘電体膜のパターニング後にウェット処理を行った状態を示す断面平面図である。 図8Aは、本発明の第3実施形態に係る半導体装置を構成する容量素子とリファレンスの容量素子の電荷容量を示し、図8Bは、発明の第3実施形態に係る半導体装置を構成する容量素子とリファレンスの容量素子のリーク電流特性を示している。 図9A〜図9Gは、本発明の第4実施形態に係る半導体装置及びその形成工程を示す断面図である。 . . 図10A〜図10Cは、本発明の第4実施形態に係る半導体装置及びその形成工程の別の例を示す断面図である。 図11A〜図11Hは、本発明の第5実施形態に係る半導体装置及びその形成工程を示す断面図である。 . . 図12は、本発明の第6実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。 図13A〜図13Jは、本発明の第6実施形態に係る半導体装置及びその形成工程において図12のI−I線から見た断面図である。 . . . . 図14A〜図14Hは、本発明の第6実施形態に係る半導体装置及びその形成工程において図12のII−II線から見た断面図である。 . . . . 図15は、リファレンスに係る半導体装置を示す断面図である。 図16は、第1の従来技術に係る半導体装置を示す断面図である。 図17A、図17Bは、それぞれ第2、第3の従来技術に係る半導体装置を示す断面図である。
以下に本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
(第1の実施の形態)
図1A〜図1Mは、本発明の第1実施形態を示す半導体装置の形成工程を示す断面図、図2A〜図2Kは、本発明の第1実施形態を示す半導体装置の形成工程を示す平面図である。なお、図1Aは、図2AのV−V線断面図である。
まず、図1A、図2Aに示すように、シリコン等の半導体基板1上に形成されたシリコン酸化膜よりなる第1層間絶縁膜2上に、第1バリアメタル膜3、第1主導電膜4及び第2バリアメタル膜5をスパッタにより順に形成する。
第1、第2のバリアメタル膜3、5として例えば40nmのチタン(Ti)膜と厚さ100nmの窒化チタン(TiN)膜の二層構造が形成され、第1主導電膜4として例えば厚さ1μmのAlCu(アルミニウム銅)膜が形成される。
その後に、第2バリアメタル膜5上にフォトレジストを塗布し、これを露光、現像して配線形状のレジストパターン(不図示)を形成する。その後に、レジストパターンをマスクに使用して塩素系ガスを用いる反応性イオンエッチング(RIE)法により、第2バリアメタル膜5から第1バリアメタル膜3までの各膜をエッチングする。この場合、第1バリアメタル膜3が残らないようにオーバーエッチングを行う。
これにより、レジストパターン(不図示)の下に残された第1バリアメタル膜3、第1主導電膜4及び第2バリアメタル膜5を一層目の配線6a,6bとする。その後、一層目の配線6a、6b上のレジストパターンを除去する。
次に、図1B、図2Bに示すように、一層目の配線6a、6bを覆う第2層間絶縁膜7をCVD法により第1層間絶縁膜2上に形成する。第2層間絶縁膜7として、例えば、TEOS(テトラエトキシシラン)又はシラン系ガスを含むガスを使用してシリコン酸化膜を成長する。
続いて、第2層間絶縁膜7の上面を化学機械研磨(CMP)法により平坦化する。その後、第2層間絶縁膜7上にレジスト8を塗布し、これを露光、現像して、例えば配線6a、6bの上に開口部8a〜8dを形成する。
さらに、図1C、図2Cに示すように、レジスト8をマスクにして、例えばフッ素系反応ガスを使用するRIE法により第2層間絶縁膜7を異方性エッチングし、これにより配線6a、6bの上に一層目のビアホール7a〜7dを形成する。
レジスト8を除去した後に、図1D、図2Dに示すように、一層目のビアホール7a〜7d内に一層目のビアプラグ10a〜10dを形成する。一層目のビアプラグ10a〜10dは次のような工程により形成される。
即ち、ビアホール7a〜7dの底面及び内壁面と第2層間絶縁膜7上にビア用バリアメタル膜9a、例えばTiN膜をスパッタにより形成し、続いて、一層目のビアホール7a〜7d内にタングステン(W)膜9bを埋め込む。W膜9bは、例えば六フッ化タングステンを含むガスを使用してCVD法により成長される。
その後に、W膜9b、ビア用バリアメタル膜9aをCMP法により研磨して第2層間絶縁膜7の上面上から除去する。これにより一層目のビアホール7a〜7d内に残されたW膜9b、ビア用バリアメタル膜9aは、一層目のビアプラグ10a〜10dとして使用される。
なお、タングステンの代わりに、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)、Ti等の金属を使用してもよい。
次に、図1E、図2Eに示すように、一層目のビアプラグ10a〜10d及び第2層間絶縁膜7の上に、第3バリアメタル膜11を形成する。第3バリアメタル膜11として、例えば、厚さ40nmのTi膜と厚さ100nmのTiN膜をスパッタにより順に形成する。なお、Ti膜の代わりにTa膜を形成してもよく、また、TiN膜の代わりにTaNを形成してもよい。
続いて、第3バリアメタル膜11上にレジストを塗布し、これを露光、現像することにより、配線用のレジストパターン12a,12cと容量下部電極用のレジストパターン12bを形成する。
配線用のレジストパターン12a,12cは、その一部が所定の一層目のビアプラグ10a、10dに重なる位置に配置される。また、容量下部電極用のレジストパターン12bは、例えば四角形の平面形状を有し、別の一層目のビアプラグ10b、10cに重なる位置に形成される。
次に、図1F、図2Fに示すように、塩素系ガスを使用してRIE法により第3バリアメタル膜11を異方性エッチングし、これにより、配線用のレジストパターン12a,12cの下の残された第3バリアメタル膜11を下側配線バリアメタル膜11a,11cとし、また、容量下部電極用のレジストパターン12bの下に残された第3バリアメタル膜11を容量下部電極11bとする。
レジストパターン12a〜12cを除去した後に、図1G、図2Gに示すように、下側配線バリアメタル膜11a,11c、容量下部電極11b及び第2層間絶縁膜7の上に誘電体膜13を形成する。誘電体膜13として、厚さ40nmのシリコン酸化膜をCVD法により形成する。シリコン酸化膜形成に使用される反応ガスは、例えば、シラン系ガス又はTEOSを含むガスである。なお、シリコン酸化膜の代わりにシリコン窒化膜、酸化タンタル膜等を形成してもよい。
次に、図1H、図2Hに示すように、誘電体膜13上にフォトレジストを塗布し、これを露光、現像してレジストパターン14を形成する。レジストパターン14は、容量下部電極11bに重なり且つ容量下部電極11bの周囲にはみ出る平面形状となっている。
続いて、レジストパターン14をマスクにして、RIE法により誘電体膜13を異方性エッチングする。誘電体膜13がシリコン酸化膜の場合にはエッチングガスとして例えばフッ素系ガスを使用する。
次に、図1I、図2Iに示すように、誘電体膜13、下側配線バリアメタル膜11a,11c及び第2層間絶縁膜7の上の全体に、例えば、厚さ40nmのTiN膜からなる第4バリアメタル膜15と、厚さ1μmのAlCu膜からなる第2主導電膜16と、厚さ5nmのTi膜と厚さ100nmのTiN膜の積層構造からなる第5バリアメタル膜17をスパッタにより順に形成する。
なお、第2主導電膜16としてAlCu膜の代わりにAlSi膜、AlSiCu膜を用いてもよい。また、第4、第5バリアメタル膜15、17を構成するTiN膜の代わりにTaN膜を使用してもよいし、第5バリアメタル膜17を構成するTi膜の代わりにTa膜を使用してもよい。
続いて、第5バリアメタル膜17上にフォトレジストを塗布し、これを露光、現像することにより、図1J、図2Jに示すように、配線用のレジストパターン18a,18cと上部電極用のレジストパターン18bを形成する。
上部電極用のレジストパターン18bは、容量下部電極11b及び誘電体膜13に重なる形状を有している。しかも、上部電極用のレジストパターン18bの外周縁の少なくとも一部は、誘電体膜13の外周縁と容量下部電極11bの外周縁の間に位置する形状となっている。また、上部電極用のレジストパターン18bの縁部は容量下部電極11bの縁部から横方向に例えば、0.3μm〜1.0μm程度広がる形状となっている。
このような状態で、レジストパターン18a〜18cをマスクに使用して、第5バリアメタル膜17から第4バリアメタル膜15および下側配線バリアメタル膜11a,11cまでの各膜をRIE法により異方性エッチングする。エッチングガスとして塩素系ガスを用いる。なお、エッチング後にレジストパターン18a〜18cは除去される。
なお、レジストパターン18a〜18cと第5バリアメタル膜17の間にシリコン酸化膜を形成した後に、シリコン酸化膜をパターニングしてこれをハードマスクとして使用してもよい。
これにより、図1K、図2Kに示すように、上部電極用のレジストパターン18bの下に残された第4バリアメタル膜15、主導電膜16、第5バリアメタル膜17は容量上部電極19bとなる。そして、容量上部電極19b、誘電体膜13及び容量下部電極11bによってMIM容量素子Qが構成される。
また、配線用のレジストパターン18a,18cの下に残された下側配線バリアメタル膜11a,11c、第4バリアメタル膜15、第2主導電膜16、および第5バリアメタル膜17を二層目の配線19a,19cとする。
ところで、容量上部電極19bを構成する第2主導電膜16の膜厚は厚く、しかも第2主導電膜16のエッチングはそのレートを高くする条件に設定されるので、その下の誘電体膜13も連続してエッチングされる。
これにより、容量上部電極19bと誘電体膜13のそれぞれの外周縁がほぼ一致するが、容量下部電極11bの側面は誘電体膜13に覆われ、しかも、容量上部電極19bの縁部は、誘電体膜13を介して容量下部電極11bの縁部の斜め上に位置するので、それらの縁部の距離を誘電体膜13の膜厚以上に離すことが可能になる。
容量下部電極11bの縁部と容量上部電極19bの互いの縁部の間隔の調整は、容量上部電極19bの形状を変えることにより行え、MIM容量素子を形成容量素子Qの縁部でのリーク電流の抑制が容易になる。
次に、図1Lに示すように、MIM容量素子Q及び二層目の配線19a,19cを覆う第3層間絶縁膜20をCVD法により及び第2層間絶縁膜7上に形成する。第3層間絶縁膜20は例えばシリコン酸化膜から構成され、TEOS、シラン等のガスを使用して成長される。
さらに、二層目の配線19a,19cと容量上部電極19bのそれぞれの上に、二層目のビアホール20a〜20dを第3層間絶縁膜20内に形成し、その中に二層目のビアプラグ21a〜21dを形成する。
なお、二層目のビアホール20a〜20d、二層目のビアプラグ21a〜21dの形成は、一層目のビアホール7a〜7d、ビアプラグ10a〜10dの形成と同様に、金属の成膜とフォトリソグラフィー法とCMP処理により形成される。
この後に、図1Mに示すように、第3層間絶縁膜19上に三層目の配線25a〜25cを形成する。三層目の配線25a〜25cは、第6バリアメタル膜22と第3の主導電膜23と第7バリアメタル膜24の積層構造から構成される。三層目の配線25a〜25cは、一層目の配線6a,6bと同様に積層構造をフォトリソグラフィー法によりパターニングすることにより形成される。
第6、第7バリアメタル膜22、24として例えば厚さ40nmのTi膜と厚さ100nmのTiNの二層構造が形成され、第3の主導電膜23として例えば厚さ1μmのAlCu膜が形成される。
この後に、特に図示しないが、さらに上側の層間絶縁膜、配線等が形成される。
以上のような構造のMIM容量素子Qにおいて、二層目の配線19a、19cと同じ第2主導電膜16等から構成される容量上部電極19bの縁部はその下方の誘電体膜13の縁部と連続してパターニングされる。
これにより、容量上部電極19bは誘電体膜13と同一平面形状となるが、誘電体膜13が容量下部電極11b及びその周囲を覆うような平面形状となっているので、容量上部電極19bの縁部と容量下部電極11bの縁部は互いに横方向に所望の距離で離すことが可能になる。従って、MIM容量素子Qの縁部における上下の電極間でのリーク電流の発生が抑制される。
(第2の実施の形態)
図3A〜図3Dは、本発明の第2実施形態を示す半導体装置の形成工程を示す断面図、図4A、図4Cは、本発明の第2実施形態を示す半導体装置の形成工程を示す平面図である。なお、図3A〜図3D、図4A〜図4Cにおいて、図1A〜図1M、図2A〜図2Kと同一符号は同一要素を示している。
まず、図3A、図3Aに示すように、第1実施形態と同様にして、第1層間絶縁膜2上に一層目の配線6a,6bを形成し、さらに一層目の配線6a,6b及び第1層間絶縁膜2の上に第2層間絶縁膜7を形成する。続いて、一層目の配線6a,6b上に一層目のビアプラグ10a〜10dを形成した後に、第1実施形態と同じ方法により下側配線バリアメタル膜11a,11c、容量下部電極11bを第2層間絶縁膜7上に形成する。さらに、容量下部電極11bとその周辺を覆う形状の誘電体膜13を形成する。
次に、図3B、図4Bに示すように、誘電体膜13、下側配線バリアメタル膜11a,11c及び第2層間絶縁膜7の上の全体に第4バリアメタル膜15、第2主導電膜16及び第5バリアメタル膜17をスパッタにより順に形成する。
続いて、第5バリアメタル膜17上にフォトレジストを塗布し、これを露光、現像することにより、配線用のレジストパターン28a,28cと上部電極用のレジストパターン28bを形成する。
上部電極用のレジストパターン28bは、容量下部電極11b及び誘電体膜13に重なる平面形状を有している。しかも、容量上部電極用のレジストパターン28bの外周縁の少なくとも一部は、誘電体膜13の外周縁の側方に0.3〜1.0μm程度にはみ出している。即ち、容量上部電極用のレジストパターン28bは、誘電体膜13よりも広く形成されている。
このような状態で、レジストパターン28a〜28cをマスクに使用して、第5バリアメタル膜17から第4バリアメタル膜15および下側配線バリアメタル膜11a,11cまでの各膜をRIE法又はスパッタにより異方性エッチングする。RIE法を適用する場合のエッチングガスとして塩素系ガスを用いる。なお、エッチング後にレジストパターン28a〜28cは除去される。
これにより、図3C、図4Cに示すように、配線用のレジストパターン28a,28cの下に残された下側配線バリアメタル膜11a,11c、第4バリアメタル膜15、第2主導電膜16、第5バリアメタル膜17は、二層目の配線29a,29cとなる。
また、上部電極用のレジストパターン28bの下に残された第4バリアメタル膜15、主導電膜16、第5バリアメタル膜17は容量上部電極29bとなる。そして、容量上部電極29b、誘電体膜13及び容量下部電極11bによってMIM容量素子Qが構成される。
上部電極用のレジストパターン28bは、その周縁が誘電体膜13からはみ出す形状となっているので、4バリアメタル膜15、主導電膜16、第5バリアメタル膜17をエッチングする際に誘電体膜13の大きさは当初のパターン形状となっている。
その後に、図3Dに示すように、第1実施形態と同じプロセスにより、第3層間絶縁膜19、二層目のビアプラグ21a〜21d、三層目の配線25a〜25cが形成される。
以上のMIM容量素子Qにおいて、容量上部電極29bは、その下の誘電体膜13よりも広く形成されているので、容量下部電極11bと容量上部電極29bの互いの外周縁間の距離は、誘電体膜13が容量下部電極11bからはみ出た幅と等しくなる。
従って、誘電体膜13のはみ出し量を十分に大きくすることにより、容量下部電極11bと容量上部電極29bの縁部間でリーク電流の発生が防止される。
(第3の実施の形態)
図5A〜図5Jは、本発明の第3実施形態に係る半導体装置の形成工程を示す断面図である。また、図6は、本発明の第3実施形態に係る半導体装置におけるMIM容量素子とその周辺の配線の配置を示す平面図である。
図5Aにおいて、シリコン等の半導体基板31上には、第1のシリコン酸化膜32がプラズマCVD法により例えば数百nm〜1000nm、例えば500nmの厚さに形成されている。なお、シリコン酸化膜32を成長するためのその反応ガスとして、TEOS又はシラン系ガスを含むガスが使用される。
また、第1のシリコン酸化膜32上には、CVD法により第1のシリコン窒化膜33が30nm〜50nmの厚さに形成されている。なお、シリコン窒化膜を成長するための反応ガスとして、例えば、アンモニア及びシランを使用する。
さらに、第1のシリコン窒化膜33上には第2のシリコン酸化膜34が形成されている。そして、第2のシリコン酸化膜34及び第1のシリコン窒化膜33には、レジスト(不図示)を使用するフォトリソグラフィー法により、配線用溝34a〜34dが形成されている。一部の配線用溝34a、34bは、容量素子形成領域の下を通る経路に形成されている。
配線用溝34a〜34d内には一層目の銅配線35a〜35dが形成されている。一層目の銅配線35a〜35dは次のようにして形成される。
即ち、配線用溝34a〜34dの内面及び底面に、バリアメタル膜、シード膜をスパッタにより形成した後に、配線用溝34a〜34dの中に銅膜を電解メッキにより充填する。続いて、第2のシリコン酸化膜34上面上のバリアメタル膜、シード膜及び銅膜をCMP法により除去する。これにより、配線用溝34a〜34d内に残された銅膜を銅配線35a〜35dとする。
バリアメタル膜として例えば厚さ30nm〜50nmのタンタル(Ta)膜を形成する。また、シード膜として例えば銅膜をスパッタにより約100nmの厚さに形成する。
次に、第2のシリコン酸化膜34と一層目の銅配線35a〜35dの上に、第2のシリコン窒化膜36をCVD法により例えば30nm〜50nmの厚さに形成する。さらに、第2のシリコン窒化膜35上に第3のシリコン酸化膜37をプラズマCVD法により形成する。
なお、第2のシリコン窒化膜36は、一層目の銅配線35a〜35dの銅拡散防止膜となる。
以上のような状態で、図5Bに示すように、一層目の配線35a〜35dの一部に達する深さのビアホール37a〜37dを第3のシリコン酸化膜37及び第2のシリコン窒化膜36内に形成する。この場合、容量素子形成領域の下に存在する一層目の銅配線35a、35b上にもビアホール37a、37bを形成する。
続いて、ビアホール37a〜37d内にビアプラグ38a〜38dを形成する。即ち、グルー(密着)膜としてチタン(Ti)をビアホール37a〜37d内に形成した後に、六フッ化タングステン(WF)をソースガスに用いてCVD法によってタングステン(W)膜をビアホール37a〜37d内に埋め込む。続いて、第3のシリコン酸化膜37の上面上からグルー膜とW膜をCMP法により除去し、これによりビアホール37a〜37d内に残されたW膜をビアプラグ38a〜38dとする。
次に、図5Cに示すように、ビアプラグ38a〜38dおよび第3のシリコン酸化膜37の上に下部電極膜39を形成する。下部電極膜39として、バリアメタルとしても機能する例えばTiN膜をスパッタにより50nm〜100nmの厚さに形成する。
さらに、下部電極膜39の上にフォトレジストを塗布し、これを露光、現像して、容量下部電極の平面形状を有する容量下部電極用のレジストパターン40を形成する。
続いて、レジストパターン40をマスクに使用して、下部電極膜39をエッチングする。そして、図5Dに示すように、レジストパターン40を除去した後に残された下部電極膜39を容量下部電極39aとする。
なお、容量素子形成領域以外におけるビアプラグ38c,38dの上方にレジストパターン(不図示)を形成することにより、ビアプラグ38c,38dの上に例えば孤立した形状に下部電極膜39を残してもよい。これにより、後の工程でタングステン(W)からなるビアプラグ38c、38dの損傷が防止される。
次に、図5Eに示すように、容量下部電極39aと第3のシリコン酸化膜37の上に、誘電体膜41と導電性保護膜42を順に形成する。誘電体膜41として、TEOSを使用するプラズマCVD法によってシリコン酸化膜を約40nmの厚さに形成する。また、導電性保護膜42として、例えばTiN膜をスパッタにより約30nmの厚さに形成する。
その後に、導電性保護膜42上にフォトレジストを塗布し、これを露光、現像することにより、容量下部電極39aに重なりかつその外周からはみ出す形状を有する容量誘電体用のレジストパターン43を形成する。このレジストパターン43は、容量素子形成領域にあるビアプラグ38a、38bの上を含む形状となっている。
続いて、レジストパターン43をマスクに使用して、導電性保護膜42と誘電体膜41をエッチングする。このエッチング後にも誘電体膜41は、容量下部電極39aの上面及び側面上に形成された状態のままとなっている。
この後に、図5Fに示すように、例えば酸素プラズマを用いるアッシングによりレジストパターン43を除去する。この場合、導電性保護膜42は、プラズマやイオンが誘電体膜41に入るのを阻止する。
次に、図5Gに示すように、導電性保護膜42、第3のシリコン酸化膜37及びビアプラグ38c、38dの上に、下側バリアメタル膜43、主導電膜44、上側バリアメタル膜45を順に形成する。
下側バリアメタル膜43として、例えば厚さ約40nmのTiN膜をスパッタにより形成する。また、主導電膜44として、例えば厚さ1μmのAlCu膜を形成する。さらに、上側バリアメタル膜45として、例えば厚さ5nmのTi膜と厚さ100nmのTiN膜を順に形成した積層構造を形成してもよい。
ここで、図5Gの破線で示すように、下側バリアメタル膜43の下膜にTi密着膜43aを形成してもよい。Ti密着膜43aは、第3のシリコン酸化膜37とTiN膜の密着性を向上するために形成される。Ti密着膜43aの形成は、以下の実施形態でも同様に適用されてもよい。
なお、Ti膜の代わりにTa膜を形成してもよいし、TiN膜の代わりにTaNを形成してもよいし、さらに、AlCu膜の代わりにAlSi膜、AlSiCu膜等を形成してもよい。
次に、図5Hに示すように、上側バリアメタル膜45の上にフォトレジストを塗布し、これを露光、現像することにより、上部電極用のレジストパターン46aと、配線用のレジストパターン46b、46cを形成する。上部電極用のレジストパターン46aは、誘電体膜41に重なり且つその外周にはみ出す形状を有している。
また、配線用のレジストパターン46b、46cは、容量素子形成領域以外のビアプラグ38c、38dに重なる形状を有している。
続いて、レジストパターン46a、46b、46cをマスクに使用して、上側バリアメタル膜45、主導電膜44及び下側バリアメタル膜43をRIE法によりエッチングする。この場合の反応ガスとして例えば塩素系ガスを使用する。
なお、レジストパターン46a〜46cと上側バリアメタル膜45の間にシリコン酸化膜を形成した後に、シリコン酸化膜をパターニングしてこれをハードマスクとして使用してもよい。ハードマスクについては、以下の実施形態で採用してもよい。
その後にレジストパターン46a、46b、46cを除去すると、図5Iに示すように、容量下部電極39a、誘電体膜41の上に残された上側バリアメタル膜45、主導電膜44、下側バリアメタル膜43と導電性保護膜42は、容量上部電極47となる。そして、容量上部電極47、誘電体膜41及び容量下部電極39aによってMIM容量素子Qが構成される。
また、容量上部電極39a以外の領域において、一層目のビアプラグ38c,38d上に残された上側バリアメタル膜45、主導電膜44、下側バリアメタル膜43は、二層目の配線48a、48b等として使用される。
MIM容量素子Q、配線48a、48b等は、例えば図6に示すような平面形状となる。
次に、図5Jに示すように、キャパシタQ、配線48a、48b及び第3のシリコン酸化膜37の上に第4のシリコン酸化膜50、第3のシリコン窒化膜51、第5のシリコン酸化膜52を順にCVD法により形成する。なお、第4のシリコン酸化膜50を形成した後に、その表面をCMP法により平坦化する。
この後に、レジストパターンを使用するフォトリソグラフィー法により、第5のシリコン酸化膜52、第3のシリコン窒化膜51及び第4のシリコン酸化膜50をパターニングして、MIMキャパシタQの容量上部電極47の上と配線48a、48bの上にそれぞれビアホール50a〜50cを形成する。
続いて、フォトリソグラフィー法により第5のシリコン酸化膜52をパターニングすることにより、ビアホール50a〜50cに一部が重なる配線溝52a〜52cを形成する。この場合、第5のシリコン酸化膜52のエッチングには、例えばCF系ガスを用いたプラズマエッチング法を使用するが、第3のシリコン窒化膜51はエッチングストッパとして機能するので、配線溝52a〜52cの深さの制御は容易である。その後、配線溝52a〜52cから露出する第3のシリコン窒化膜51をガス種、或いは、プラズマ条件を調整することによって選択除去して、配線溝52a〜52cを深くする。
この後に、配線溝52a〜52c内にTaN膜と銅シード膜をそれぞれスパッタにより30nm〜50nm、100nmの厚さ順に形成し、さらに、それらの中を電解メッキにより銅膜で埋め込む。なお、第5のシリコン酸化膜52上面上に形成されたTaN膜、銅シード膜、銅膜はCMP法により除去される。
これにより、配線溝52a〜52cとその下のビアホール50a〜50cには、デュアルダマシン構造の配線及びビア膜53〜55が形成される。
その後、図示しないが、シリコン酸化膜、銅配線及びビアなどの多層配線が形成される。
以上のような構成を有するMIMキャパシタQの誘電体膜41は、その上に形成された導電性保護膜42とともにパターニングされるので、レジストパターン46aの除去やその後の洗浄処理の際に、導電性保護膜42によってプラズマ、イオン又は溶液に直接触れることが防止される。
これに対して、アッシングのために発生させる酸素プラズマが、誘電体膜41に直接に照射されると、誘電体膜41にダメージが入るため、誘電体膜41に膜厚が変動したり、耐圧が低くなったりするおそれがある。
しかし、本実施形態では、図5Fに示したように、誘電体膜41はその上から導電性保護膜42により覆われているので、酸素プラズマ、イオンの照射によるダメージによる膜厚変動や耐圧劣化が生じにくい構造となる。
また、その後の工程でも、エッチング残渣等を除去するために、第3のシリコン酸化膜37の表面にはフッ酸やフッ化アンモニウムの溶液が供給される。この場合、図7に示すように、導電性保護膜42に覆われていない誘電体膜41の外周縁は溶液によりエッチングされてわずかに縮小されるが、これが誘電体膜41に膜厚変動を生じさせることはない。
誘電体膜41の縮小については、ウェット処理を考慮して予め広くパターニングすれば、支障はない。ただし、ウェット処理後に、誘電体膜41が容量下部電極39aの外周縁を露出せずに覆う必要があるので、ウェット処理による誘電体膜41の縁部の後退量を制御することが好ましい。
以上により、本実施形態によってパターニングされた誘電体膜41がダメージを受けることは防止され、誘電体膜41の膜質の劣化が抑制される。
また、下側バリアメタル膜43の下にTi膜を形成する場合に、導電性保護膜42をTiN膜から構成することによりTiの誘電体膜41への拡散が防止される。
Ti膜は、その一部が第3のシリコン酸化膜37に拡散して密着性が向上する一方、誘電体膜41に拡散するとMIM容量素子Qの耐圧低下、固定電荷発生の原因となる。しかし、本実施形態では、誘電体膜41と下側バリアメタル膜43の間にTiNよりなる導電性保護膜42を形成しているので、誘電体膜31へのTi拡散は防止され、容量特性の劣化が防止される。
ところで、誘電体膜41の上に導電性保護膜42を形成して構成されるMIM容量素子Qと、誘電体膜41の上に導電性保護膜42を形成せずに構成されるリファレンスのMIM容量素子のそれぞれについて電荷容量とリーク電流を調べたところ、図8A、図8Bのような結果が得られた。これらにより、誘電体膜41を導電性保護膜42により保護することによって容量素子特性劣化が抑制されることがわかる。
リファレンスのMIM容量素子については、形成条件の調整により容量素子特性をさらに向上させることは可能である。
なお、図8A、図8Bに使用した試験用素子は、容量下部電極を約90μm×90μmの大きさとして、さらに容量下部電極の縁と誘電体膜の縁の距離を0.5μmとした構造をするMIM容量素子を約2mm×2mmの四角い領域に多数個形成した構成を有している。
(第4の実施の形態)
図9A〜図9Gは、本発明の第4実施形態に係る半導体装置の形成工程を示す断面図である。なお、図9A〜図9Gにおいて、図5A〜図5Jと同一の符号は同一要素を示している。
図9Aにおいて、第3実施形態と同様に、半導体基板31上には、第1のシリコン酸化膜32、第1のシリコン窒化膜33及び第2のシリコン酸化膜34が順に形成されている。そして、第2のシリコン酸化膜34及び第1のシリコン窒化膜33内には一層目の銅配線35a〜35dが形成されている。
また、第2のシリコン酸化膜34と銅配線35a〜35dの上には、第2のシリコン窒化膜36、第3のシリコン酸化膜37が順に形成されている。さらに、第3のシリコン酸化膜37及び第2のシリコン窒化膜36には、一層目の銅配線35a〜35dに接続される一層目のビア38a〜38dが形成されている。
このような状態で第3のシリコン酸化膜37及びビア38a〜38dの上に、下部電極膜39として例えばTiN膜をスパッタにより50nm〜100nmの厚さに形成する。その後に、第3実施形態と同様な方法により下部電極膜39をパターニングして容量下部電極39aを形成する。
ところで、本実施形態においては、容量下部電極39aの下にあるビア38a、38bの他のビア38c,38dの上にも下部電極膜39を個別に残し、それらを導電性パッド39b、39cとする。これにより、後の工程でWからなるビア38c、38dの損傷が防止される。
次に、図9Bに示すように、容量下部電極39a、導電性パッド39b,29c及び第3のシリコン酸化膜37の上に絶縁膜57を例えば100nm〜150nmの厚さに形成する。
絶縁膜57として、例えばシラン又はTEOSを含む反応ガスを使用してプラズマCVD法により形成したシリコン酸化膜であってもよいし、シランとアンモニアを含む反応ガスを使用してCVD法により形成したシリコン窒化膜などを適用する。
その後に、図9Cに示すように、スパッタ、RIE法等により、絶縁膜57を異方性エッチングすることにより、容量下部電極39a、導電性パッド39b,29cの側面に絶縁性のサイドウォール57sとして残す。この場合、サイドウォール57sの膜厚は、容量下部電極39a、導電性パッド39b,29cの側面から外方にかけてなだらか且つ連続的に薄くなり、これによりサイドウォール57sの露出面は斜面となる。
次に、図9Dに示すように、容量下部電極39a、導電性パッド39b,29c、絶縁性サイドウォール57s及び第3のシリコン酸化膜37の上に、誘電体膜41、導電性保護42を順に形成する。この場合、誘電体膜41として、TEOSを使用するプラズマCVD法によってシリコン酸化膜を約40nmの厚さに形成する。また、導電性保護膜42として、TiN膜をスパッタにより約30nmの厚さに形成する。
容量下部電極39aの側部では、誘電体膜41と導電性保護膜42はなだらかな露出斜面を有するサイドウォール57s上に形成される誘電体膜41、導電性保護42の膜厚はそれぞれほぼ均一になる。
その後に、導電性保護膜42上にフォトレジストを塗布し、これを露光、現像して容量下部電極39aとその外周からはみ出す領域に容量誘電体用のレジストパターン58を形成する。続いて、レジストパターン58をマスクに使用して、導電性保護膜42と誘電体膜41をエッチングする。
これにより、容量下部電極39aの上面と側面を覆う形状に誘電体膜41がパターニングされ、さらに、導電性保護膜42は誘電体膜41上面を覆う形状にパターニングされる。導電性保護膜42のエッチングには例えば塩素系ガスが使用され、誘電体膜41のエッチングには例えばフッ素系ガスが使用される。
この場合、電極パッド39b、39c側部のサイドウォール57s上で、少なくとも導電性保護膜42が残らないようにエッチング条件が設定される。
続いて、図9Eに示すように、誘電体膜41と導電性保護膜42のエッチング後にレジストパターン58を除去する。その除去方法として、例えば、酸素プラズマを使用によるアッシングが用いられる。この場合、プラズマによる誘電体膜41への影響は導電性保護膜42により防止される。また、アッシング後にフッ酸等により第3のシリコン酸化膜37の表面をクリーニングする際に、誘電体膜41にはサイドエッチングがわずかに入るが、導電性保護膜42による保護により誘電体膜41の膜厚が減少することはない。
次に、図9Fに示すように、導電性保護膜42、第3のシリコン酸化膜37及び導電性パッド39c、389の上に、下側バリアメタル膜43、主導電膜44、上側バリアメタル膜45を第3実施形態と同様な方法により形成する。
続いて、第3実施形態と同様に、上側バリアメタル膜45上にレジストパターン(不図示)を形成した後に、レジストパターンをマスクに使用して、上側バリアメタル膜45、主導電膜44及び下側バリアメタル膜43をエッチングする。
その後に、レジストパターンを除去すると、図9Gに示すように、容量下部電極39a、誘電体膜41の上方及びその周辺に残された上側バリアメタル膜45、主導電膜44、下側バリアメタル膜43は、容量上部電極47となる。なお、誘電体膜41上の導電性保護膜42は容量上部電極47の一部となる。
そして、容量上部電極47、誘電体膜41及び容量下部電極39aによってMIM容量素子Qが構成される。
また、容量上部電極39a以外の領域において、導電性パッド39c,39d上に残された上側バリアメタル膜45、主導電膜44、下側バリアメタル膜43は、二層目の配線48a、48b等として使用される。
MIM容量素子Q、配線48a、48b等の平面は、例えば図6に示した形状とほぼ同様になる。
その後に、特に図示しないが、第3実施形態と同様に、第4のシリコン酸化膜、第3のシリコン窒化膜等が形成される。51、第5のシリコン酸化膜52を順にCVD法により形成する。
以上MIM容量素子Qにおいて、容量下部電極39aと導電性パッド39b,39cのそれぞれの側面に、外側に膜厚が緩やかに変化する絶縁性サイドウォール57sを形成したので、容量下部電極39a及び導電性パッド39b,39の各側面での急峻な段差が解消される。
これにより、基板面に対して垂直成分の堆積量が多い条件で誘電体膜41及び導電性保護膜42を形成しても、容量下部電極39aと導電性パッド39b,39cの側面における誘電体膜41及び導電性保護膜42の膜厚が均一になる。
また、容量下部電極39aと導電性パッド39b,39の側方ではサイドウォール57s上に誘電体膜41及び導電性保護膜42が形成されてその膜厚が均一となり、MIM容量素子Qの特性劣化の発生を未然に防止できる。しかも、絶縁性のサイドウォール57sは、容量下部電極39aの側部と容量上部電極47の側部の距離を離す機能も有するので、それらの電極39a、47の縁部でのリーク電流の流れを抑制することが可能になる。
これに対し、容量下部電極39a側部の段差が急峻な場合に、基板面に対して垂直成分の堆積量が多い条件で膜を形成すると、側壁でのカバレッジが悪くなって段差のコーナーで誘電体膜41及び導電性保護膜42が局所的に薄くなり、その部分で誘電体膜41にリーク電流が流れ易くなり、MIM容量素子Qに要求される容量素子特性が得られなくなる。
さらに、MIMキャパシタQの誘電体膜41は、第3実施形態と同様に、その上に形成された導電性保護膜42とともに連続してパターニングされるので、パターニング時にマスクとなるレジストパターン46aの除去やその後の洗浄処理の際に、誘電体膜41がプラズマ、イオン又は溶液に直接触れることが防止され、容量素子特性向上に寄与する。
ところで、下部電極膜39をパターニングして容量下部電極39aと導電性パッド39b、39cを形成する際に、オーバーエッチングを行うと、図10Aに示すように、第3のシリコン酸化膜37に容量下部電極39aと導電性パッド39b、39c以外の領域に凹部37uが形成される。
凹部37uは、容量下部電極39aと導電性パッド39b、39cの側部での段差を大きくすることになり、ステップカバレッジの改善はさらに必要になる。
そこで、図10Bに示すように、容量下部電極39a、導電性パッド39b、39c及び凹部37uの上に絶縁膜57を厚く形成し、これを垂直方向に異方性エッチングを行って、サイドウォール57sを形成する。
これによれば、図10Cに示すように、容量下部電極39aと導電性パッド39b、39cの厚さ以外の要因に起因してその周囲の段差が大きくなっても、サイドウォール57sにより誘電体膜41及び導電性保護膜42の膜厚をほぼ均一にすることができる。
(第5の実施の形態)
図11A〜図11Hは、本発明の第5実施形態に係る半導体装置の形成工程を示す断面図である。なお、図11A〜図11Hにおいて、図5A〜図5Jと同一の符号は同一要素を示している。
図11Aにおいて、第3実施形態と同様に、半導体基板31上には、第1のシリコン酸化膜32、第1のシリコン窒化膜33及び第2のシリコン酸化膜34が順に形成されている。そして、第2のシリコン酸化膜34及び第1のシリコン窒化膜33内には一層目の銅配線35a〜35dが形成されている。
また、第2のシリコン酸化膜34と銅配線35a〜35dの上には、第2のシリコン窒化膜36、第3のシリコン酸化膜37が順に形成されている。さらに、第3のシリコン酸化膜37及び第2のシリコン窒化膜36には、一層目の銅配線35a〜35dに接続される一層目のビア38a〜38dが形成されている。
このような状態で第3のシリコン酸化膜37及びビア38a〜38dの上に、下部電極膜として、例えば、厚さ30nm〜50nmの第1のTiN膜59aと厚さ150nm〜200nmのW膜59bをスパッタにより順に形成する。
さらに、W膜59bの上にフォトレジストを塗布し、これを露光、現像して、容量下部電極の平面形状を有する容量下部電極用のレジストパターン60を形成する。
続いて、レジストパターン60をマスクに使用し、例えば塩素系ガスを使用するRIE法により第1のTiN膜59aと第1のW膜59bをエッチングする。そして、図11Bに示すように、レジストパターン60を除去した後に残された第1のTiN膜59aと第2のW膜59bを容量下部電極59とする。
次に、図11Cに示すように、容量下部電極59と第3のシリコン酸化膜37の上に、導電膜として、例えば、厚さ30nm〜50nmの第2のTiN膜60aと厚さ150nm〜200nmの第2のW膜60bをスパッタにより順に形成する。
続いて、図11Dに示すように、第2のTiN膜60aと第2のW膜60bをスパッタ、RIE法等により異方性エッチングして導電性のサイドウォール60として残し、容量下部電極59の一部を構成する。この場合、サイドウォール60の膜厚分布は、容量下部電極59側面から外方にかけてなだらかに変化するので、その露出面は斜面となる。なお、導電性サイドウォール60は容量下部電極59の一部を構成する。
なお、容量下部電極59とサイドウォール60の構成材料は、TiN、Wに限られるものではなく、その他の金属や金属化合物を使用してもよい。また、容量下部電極59とサイドウォール60は、二層構造に限られるものではなく、単層構造又は3膜以上の多層構造であってもよい。
次に、図11Eに示すように、容量下部電極59、導電性サイドウォール60及び第3のシリコン酸化膜37の上に、誘電体膜41、導電性保護膜42を順に形成する。この場合、誘電体膜41として、TEOSを使用するプラズマCVD法によってシリコン酸化膜を約40nmの厚さに形成する。また、導電性保護膜42として、TiN膜をスパッタにより約30nmの厚さに形成する。
容量下部電極59の側部における誘電体膜41と導電性保護膜42は、なだらかな斜面を有するサイドウォール60上に形成されるので、それらの膜厚は基板全体でほぼ均一になる。
その後に、第3実施形態と同様に、導電性保護膜42上にフォトレジストを塗布し、これを露光、現像して容量下部電極59とその外周からはみ出す領域に容量誘電体用のレジストパターン61を形成する。続いて、レジストパターン51をマスクに使用して、導電性保護膜42と誘電体膜41をエッチングする。
これにより、容量下部電極59の上面と側面を覆う形状に誘電体膜41がパターニングされ、さらに、導電性保護膜42は誘電体膜41上面を覆う形状にパターニングされる。導電性保護膜42のエッチングには例えば塩素系ガスが使用され、誘電体膜41のエッチングには例えばフッ素系ガスが使用される。
続いて、図11Fに示すように、レジストパターン61は、誘電体膜41と導電性保護膜42のエッチング後に除去される。その除去方法として、例えば、酸素プラズマを使用によるアッシングが用いられる。この場合、プラズマによる誘電体膜41への影響は導電性保護膜42により防止される。また、アッシング後にフッ酸等により第3のシリコン酸化膜37の表面をクリーニングする際に、誘電体膜41にはサイドエッチングがわずかに入るが、導電性保護膜42による保護により誘電体膜41の膜厚が減少することはない。
次に、図11Gに示すように、導電性保護膜42、第3のシリコン酸化膜37及び導電性パッド39b、39cの上に、下側バリアメタル膜43、主導電膜44、上側バリアメタル膜45を第3実施形態と同様な方法により形成する。
続いて、第3実施形態と同様に、上側バリアメタル膜45上にレジストパターン(不図示)を形成した後に、レジストパターンをマスクに使用して、上側バリアメタル膜45、主導電膜44及び下側バリアメタル膜43をエッチングする。
その後に、レジストパターンを除去すると、図11Hに示すように、容量下部電極59及び誘電体膜41の上方に残された上側バリアメタル膜45、主導電膜44、下側バリアメタル膜43は、容量上部電極47となる。なお、誘電体膜41上の導電性保護膜42は容量上部電極47の一部となる。
そして、容量上部電極47、誘電体膜41及び容量下部電極59によってMIM容量素子Qが構成される。
また、容量上部電極39a以外の領域において、ビア38c、38d上を通る経路に残された上側バリアメタル膜45、主導電膜44、下側バリアメタル膜43は、二層目の配線48a、48b等として使用される。
MIM容量素子Q、配線48a、48b等の平面は、例えば図6に示したMIM容量素子Qの形状とほぼ同様になる。
その後に、特に図示しないが、第3実施形態と同様に、第4のシリコン酸化膜、第3のシリコン窒化膜等が形成される。51、第5のシリコン酸化膜52を順にプラズマCVD法により形成する。
以上のMIM容量素子Qにおいて、容量下部電極59の側部は導電性のサイドウォール60から構成されているので、誘電体膜41が形成される容量下部電極39a及び導電性パッド39b,39の各側面での急峻な段差が解消される。
これにより、基板面に対して垂直成分の堆積量が多い条件で誘電体膜41及び導電性保護膜42を形成しても、容量下部電極59の側壁における誘電体膜41及び導電性保護膜42の膜厚が均一になる。
これにより、容量下部電極59の側面で誘電体膜41及び導電性保護膜42の膜厚が均一となって、MIM容量素子Qの特性劣化の発生を未然に防止できる。
また、MIMキャパシタQ誘電体膜41は、第3実施形態と同様に、その上に形成された導電性保護膜42とともに連続してパターニングされるので、パターニング時にマスクとなるレジストパターン61の除去やその後の洗浄処理の際に、プラズマ、イオン又は溶液による誘電体膜41の劣化が防止される。
(第6の実施の形態)
図12は、本発明の第6実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。また、図13A〜図13Jは、本発明の第6実施形態に係る半導体装置の図12のI−I線から見た形成工程を示す断面図、図14A〜図14Hは、本発明の第6実施形態に係る半導体装置の形成工程の図12のII−II線から見た断面図である。なお、図12、図13A〜U13J、図14A〜図14Hにおいて、図5A〜図5Jと同一の符号は同一要素を示している。
図12において、半導体装置は容量素子領域A、配線領域B、フューズ領域C、耐湿リング領域D及びその他の領域を有し、それらの領域A〜Dには以下に説明する工程に従ってMIM容量素子Q、配線71、溶断フューズ67、耐湿リング80が形成される。なお、耐湿リング80は、チップ状の半導体装置の外周縁に沿って半導体回路を囲む環状となっている
以下に半導体装置の構造を形成工程とともに説明する。
まず、図13Aにおいて、第3実施形態と同様に、半導体基板31上には、第1のシリコン酸化膜32、第1のシリコン窒化膜33及び第2のシリコン酸化膜34が順に形成されている。そして、第2のシリコン酸化膜34及び第1のシリコン窒化膜33内において、容量素子領域A、配線領域Bにはそれぞれ銅配線35a、35cが形成されている。
耐湿リング領域Dにおいて、第1のシリコン酸化膜32には、半導体基板31の内部に到達する深さの第1リング用溝32gが形成され、さらに、第2のシリコン酸化膜34及び第1のシリコン窒化膜33内には、第1リング用溝32gに重なってそれより広く形成された第2リング用溝34gが形成されている。第1、第2リング用溝32g、34gは半導体回路を囲むように環状に形成される。
第1、第2リング用溝32g、34g内には、銅配線35a、35cと同時に形成されたデュアルダマシン構造の第1のリング63が形成されている。第1のリング63は、TaNバリア膜と銅膜の積層構造を有している。
また、フューズ領域Cにおいては、図14Aに示すように、半導体基板31の内部に到達する深さを有する2つの第1クラックストッパ用溝32eが、4μm程度の間隔をおいて第1のシリコン酸化膜32内に形成されている。さらに、第2のシリコン酸化膜34及び第1のシリコン窒化膜33内には第1クラックストッパ用溝32eに重なってそれより広く形成された第2クラックストッパ用溝34eが形成されている。
第1、第2クラックストッパ用溝32e、34e内には、銅配線35a、35cと同時に形成されたデュアルダマシン構造の第1のクラックストッパ64が形成されている。第1のクラックストッパ64は、TaNバリア膜と銅膜の積層構造を有している。
さらに、第1のリング63、第1のクラックストッパ64、銅配線35a、35c及び第2のシリコン酸化膜34の上には、第2のシリコン窒化膜36と第3のシリコン酸化膜37がCVD法により順に形成されている。
以上のような状態で、図13Bに示すように、第3のシリコン酸化膜37と第2のシリコン窒化膜36をフォトリソグラフィー法によりパターニングして、容量素子領域A及び配線領域Bにある銅配線35a、35cの一部の上にビアホール37a,37cを形成し、さらに、耐湿リング領域Dにある第1のリング63の上に第3リング用溝37gを形成する。
これと同時に、図14Bに示すように、フューズ領域Cでは、第1のクラックストッパ64の上にこれより広い第3クラックストッパ用溝37eを形成し、さらに、2つの第3クラックストッパ溝37eの間の領域にフューズ用溝37fを形成する。フューズ用溝37fは、1.5μm〜50μmの長さと約0.5μmの幅を有している。
その後に、ビアホール37a、37c、第3クラックストパ用溝37e、第3リング用溝37g及びフューズ用溝37fの中に、TiNバリア膜とW膜をそれぞれスパッタ、及びプラズマCVD法により形成する。
続いて、CMP法により第3のシリコン酸化膜37上のバリア膜、W膜を除去する。これによりビアホール37a、37c、第3リング用溝37g、第3クラックストパ用溝37e及びフューズ用溝37fの中に残されたバリア膜、W膜は、それぞれビアプラグ38a、38c、第2のリング65、第2のクラックストッパ66及びフューズ67として使用される。なお、フューズ67の中央にはCMPによる窪みが生じている。この形態は使用されるフューズの幅に依存する。幅が合う場合には、より窪みが生じる傾向がある。
次に、図13C、図14Cに示すように、ビアプラグ38a、38c、第2のリング65、第2のクラックストッパ66及びフューズ67を覆う下部電極膜39を第3のシリコン酸化膜37上にスパッタにより形成する。
さらに、下部電極膜39の上にフォトレジストを塗布し、これを露光、現像することにより、容量素子領域Aでビアプラグ38aを含む領域を覆う下部電極用のレジストパターン69aと、配線領域Bでビアプラグ38cを覆うパッド用のレジストパターン68cと、フューズ領域Cでフューズ67と第2のクラックストッパ66をそれぞれ覆うフューズ用のレジストパターン68fとクラックストッパ用のレジストパターン68eと、リング領域Dで第2のリング65を覆うリング用のレジストパターン68gを形成する。
次に、レジストパターン68a、68c、68e、68f、68gをマスクにして、下部電極膜39をスパッタ、RIE等によりエッチングする。その後に、レジストパターン68a、68c、68e、68f、68gを除去する。
これによりパターニングされた下部電極膜67は、図13D、図14Dに示すように、容量素子領域Aではビアプラグ38aに接続される容量下部電極39aとなり、配線領域Bではビアプラグ38cを個別に覆う導電性パッド39cとなり、フューズ領域Cではフューズ67及び第2のクラックストッパ66を覆う保護膜39f,39eとなり、さらに、耐湿リング領域Dでは第2のリング65を覆う導電性パッド39gとなる。
下部電極膜39をパターニングする際のエッチングは過剰に行われ、レジストパターン68a、68c、68e、68f、68gから露出した第3のシリコン酸化膜37の表面には凹部37uが形成される。過剰なエッチングは、下部電極膜39を構成する導電材を第3のシリコン酸化膜37表面から除去することによりリーク電流を防止するために行われる。
次に、図13E、図14Eに示すように、容量下部電極39a、導電性パッド39f等の上に誘電体膜41、導電性保護膜42を順に形成する。なお、誘電体膜41、導電性保護膜42は、例えば第3実施形態と同様に、それぞれシリコン酸化膜、TiN膜により構成される。
その後に、導電性保護膜42上にフォトレジストを塗布し、これを露光、現像して容量下部電極39aとその外周からはみ出す領域に容量誘電体用のレジストパターン43を形成する。
続いて、レジストパターン43をマスクに使用して、導電性保護膜42と誘電体膜41を例えばスパッタ、RIE等によりエッチングする。導電性保護膜42と誘電体膜41のエッチングをオーバーに行って、第3のシリコン酸化膜37表面に導電性保護膜42の構成材料が残存することを防止する。このオーバーエッチングによって第3のシリコン酸化膜37に形成された凹部37uが深くなる。
この後、図13F、図14Fに示すように、例えば酸素プラズマを用いるアッシングによりレジストパターン43を除去する。この場合、誘電体膜41は、導電性保護膜42によってプラズマやイオン、或いは溶液から保護される。
次に、図13G、図14Gに示すように、導電性保護膜42、第3のシリコン酸化膜37及びビアプラグ38c、38dの上に、下側バリアメタル膜43、主導電膜44、上側バリアメタル膜45を順に形成する。なお、下側バリアメタル膜43の下地としてTi密着膜を形成してもよい。
さらに、上側バリアメタル膜45の上にフォトレジストを塗布し、これを露光、現像して上部電極用のレジストパターン70aと、配線用のレジストパターン70cと、フューズ電極用のレジストパターン70fと、クラックスストッパ用のレジストパターン70eと、ガードリング用のレジストパターン70gを形成する。
上部電極用のレジストパターン70aは、容量素子領域Aにおいて誘電体膜41及び導電性保護膜42に重なり且つその外周にはみ出す領域に至る大きさを有している。また、配線領域Bにおいて、配線用のレジストパターン70cは、ビアプラグ38cに重なる形状を有している。フューズ領域Cにおいて、フューズ電極用のレジストパターン70fは、フューズ65の両端に重なる位置に形成され、また、クラックスストッパ用のレジストパターン70eは、第2のクラックストッパ66を覆う範囲に形成されている。さらに、耐湿リング領域Dにおいて、ガードリング用のレジストパターン70gは、第3のリング39gに重なるように枠状に形成されている。
次に、それらのレジストパターン70a、70c、70f、70e、70gをマスクに使用して、下側バリアメタル膜43、主導電膜44及び上側バリアメタル膜45をスパッタ、RIE等で異方性エッチングする。その後に、レジストパターン70a、70c、70f、70e、70gを除去する。
このような下側バリアメタル膜43、主導電膜44及び上側バリアメタル膜45のパターニングにより、図13H、図14Hに示すように、容量素子領域Aでは容量上部電極47が形成され、配線領域Bで導電性パッド39cを介してビアプラグ38cに接続される配線71が形成される。また、フューズ領域Cでは、溶断フューズ67の両端に接続される電極72,73が形成され、その両側には第3のクラックストッパ75が形成される。さらに、耐湿リング領域Dでは第4のリング74が形成される。
これにより、容量素子領域Aにおいて、容量上部電極71、誘電体膜41及び容量下部電極39aによりMIM容量素子Qが構成される。なお、MIM容量素子Qにおいて、第3実施形態と同様に、誘電体膜41上の導電性保護膜42は、容量上部電極41の一部を構成し、さらに、容量上部電極41の下にTi密着膜が形成される場合に、Ti拡散防止膜として機能する。
また、第1乃至第4のリング63、65、39g、74により耐湿リング80が構成される。耐湿リング80は、基板外周に沿った枠状となっていて、各膜の界面を通して外部から水分等が侵入することを防止する機能を有している。さらに、第1乃至第4のクラックストッパ64、66、39e、75は、膜厚方向に連続して金属又は金属化合物を積膜して構成されるために、溶断フューズ67をレーザ照射により溶断する際に、その衝撃によりその周囲に発生するクラックが外方に広がることを防止する機能を有している。
ところで、下側バリアメタル膜43、主導電膜44、上側バリアメタル膜45をパターニングする際には、過剰なエッチングを行って第3のシリコン酸化膜37表面に金属材料が残ることを防止する。これにより。第3のシリコン酸化膜37表面の凹部37uの一部は、さらに深くなる。
また、その過剰なエッチングによれば、フューズ領域Cにおいて電極72,73から露出した保護膜39fが薄くなる。これにより、レーザ照射して溶断フューズ67を溶断する際に、保護膜39fがその溶断を遮ることがなくなる。なお、電極72,73から露出した保護膜39fをエッチングにより図13Iに示すように除去してもよく、これによりフューズ65の溶断がさらに容易になる。
なお、主導電膜44等をパターニングする際に使用されるマスクはフォトレジストを使用するものに限られない。例えば、フォトレジストと上側バリアメタル膜45上にシリコン酸化膜(不図示)を形成した後に、レジストパターン70a、70c、70f、70e、70gをマスクにしてシリコン酸化膜をパターニングしてそれらをハードマスクとして使用してもよい。
この後に、図13J、図14Hに示すように、第4のシリコン酸化膜77、第3のシリコン窒化膜78が形成される。
上記した実施形態において、下部電極膜39をパターニングして容量下部電極39aを形成する際に、同時に、下部電極膜39を配線領域B、フューズ領域C及び耐湿リング領域Dに形成されたビアプラグ38c、溶断フューズ67、第2のクラックストッパ及び第2のリング66を個別に覆う形状に下部電極膜39をパターニングしている。ここで、ビアプラグ38c、溶断フューズ67、第2のクラックストッパ及び第2のリング66は、TiNバリア膜とW膜から構成されている。
W膜は、第3のシリコン酸化膜37の表面からエッチング残渣を除去するために使用される薬液、処理条件によってはエッチングされ易い場合がある。しかし、ビアプラグ38c、溶断フューズ67、第2のクラックストッパ及び第2のリング66は、下部電極膜39のパターンにより覆われた状態となっているため、処理される薬液によって損傷を受けることはない。
ところで溶断フューズ67を構成するW膜を保護膜39fにより覆わない状態で、第3のシリコン酸化膜37の表面を薬液にてウェット処理すると、図15に示すように、溶断フューズ67が溶液によりエッチングされてその凹部67uが深くなり易い場合がある。この結果、溶断フューズ67の上方で、第4のシリコン酸化膜77、第3のシリコン窒化膜78内に空洞79が形成され易くなる場合が想定される。上部絶縁膜の厚み、及び、形状が変化する事によって、レーザによる溶断フューズ67の溶断が安定しなくなる。
従って、本実施形態のように、容量下部電極39aを構成する金属膜により溶断フューズ67を覆うことは溶断フューズ67の膜減り防止に有効である。
以上説明した実施形態は典型例として挙げたに過ぎず、その各実施形態の構成要素を組み合わせること、その変形およびバリエーションは当業者にとって明らかであり、当業者であれば本発明の原理および請求の範囲に記載した発明の範囲を逸脱することなく上述の実施形態の種々の変形を行えることは明らかである。
高速動作が要求される高周波アナログ集積回路の容量素子として、MIM(Metal-Insulator-Metal)容量素子が使用されている。MIM容量素子は、MOS(Metal-Oxide-Semiconductor) 容量素子に比べて寄生抵抗や寄生容量の低減が可能である。
本発明の観点によれば、半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の上方に形成される絶縁膜と、その絶縁膜内に形成される第1の導電性プラグと、その絶縁膜内に形成される第2の導電性プラグと、その第1の導電性プラグの一方の端に接続され且つその絶縁膜上に形成され第1のバリア金属膜からなる容量下部電極と、その容量下部電極の上面及び側面の上に形成される誘電体膜と、その誘電体膜の上に形成され且つその容量下部電極よりも広く形成された第2のバリア金属膜からなる容量上部電極とを有する容量素子と、その第1の導電性プラグの一方の端に接続され、その絶縁膜上に形成される配線とを含んでいる。その配線は、その第1のバリア金属膜からなる第1の層と、その第1の層上に積層されるその第2のバリア金属膜からなる第2の層とを含んでいる。
【0021】
【図面の簡単な説明】
【図1A】 図1A〜図1Mは、本発明の第1実施形態に係る半導体装置及びその形成工程を示す断面図である。
【図1D】(図1Aで説明)
【図1G】(図1Aで説明)
【図1J】(図1Aで説明)
【図1L】(図1Aで説明)
【図2A】 図2A〜図2Kは、本発明の第1実施形態に係る半導体装置及びその形成工程を示す平面図である。
【図2D】(図2Aで説明)
【図2G】(図2Aで説明)
【図2J】(図2Aで説明)
【図3A】 図3A〜図3Dは、本発明の第2実施形態に係る半導体装置及びその形成工程を示す断面図である。
【図3C】(図3Aで説明)
【図4A】 図4A〜図4Cは、本発明の第2実施形態に係る半導体装置及びその形成工程を示す平面図である。
【図4C】(図4Aで説明)
【図5A】 図5A〜図5Jは、本発明の第3実施形態に係る半導体装置及びその形成工程を示す断面図である。
【図5D】(図5Aで説明)
【図5F】(図5Aで説明)
【図5H】(図5Aで説明)
【図5J】(図5Aで説明)
【図6】 図6は、本発明の実施形態に係る第3〜第5半導体装置を示す平面図である。
【図7】 図7は、本発明の第3実施形態に係る半導体装置内の容量素子を構成する誘電体膜のパターニング後にウェット処理を行った状態を示す断面平面図である。
【図8A】 図8Aは、本発明の第3実施形態に係る半導体装置を構成する容量素子とリファレンスの容量素子の電荷容量を示し、図8Bは、発明の第3実施形態に係る半導体装置を構成する容量素子とリファレンスの容量素子のリーク電流特性を示している。
【図9A】 図9A〜図9Gは、本発明の第4実施形態に係る半導体装置及びその形成工程を示す断面図である。
【図9D】(図9Aで説明)
【図9F】(図9Aで説明)
【図10A】 図10A〜図10Cは、本発明の第4実施形態に係る半導体装置及びその形成工程の別の例を示す断面図である。
【図11A】 図11A〜図11Hは、本発明の第5実施形態に係る半導体装置及びその形成工程を示す断面図である。
【図11D】(図11Aで説明)
【図11G】(図11Aで説明)
【図12】 図12は、本発明の第6実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。
【図13A】 図13A〜図13Jは、本発明の第6実施形態に係る半導体装置及びその形成工程において図12のI−I線から見た断面図である。
【図13C】(図13Aで説明)
【図13E】(図13Aで説明)
【図13G】(図13Aで説明)
【図14A】 図14A〜図14は、本発明の第6実施形態に係る半導体装置及びその形成工程において図12のII−II線から見た断面図である。
【図14C】(図14Aで説明)
【図14E】(図14Aで説明)
【図14F】(図14Aで説明)
【図14H】(図14Aで説明)
【図15】 図15は、リファレンスに係る半導体装置を示す断面図である。
【図16】 図16は、第1の従来技術に係る半導体装置を示す断面図である。
【図17】 図17A、図17Bは、それぞれ第2、第3の従来技術に係る半導体装置を示す断面図である。
次に、図1E、図2Eに示すように、一層目のビアプラグ10a〜10d及び第2層間絶縁膜7の上に、第3バリアメタル膜11を形成する。第3バリアメタル膜11として、例えば、厚さ40nmのTi膜と厚さ100nmのTiN膜をスパッタにより順に形成する。なお、Ti膜の代わりにTa膜を形成してもよく、また、TiN膜の代わりにTaNを形成してもよい。
続いて、第3バリアメタル膜11上にレジスト12を塗布し、これを露光、現像することにより、配線用のレジストパターン12a,12cと容量下部電極用のレジストパターン12bを形成する。
容量下部電極11bの縁部と容量上部電極19bの互いの縁部の間隔の調整は、容量上部電極19bの形状を変えることにより行え、MIM容量素の縁部でのリーク電流の抑制が容易になる。
次に、図1Lに示すように、MIM容量素子Q及び二層目の配線19a,19cを覆う第3層間絶縁膜20をCVD法によ第2層間絶縁膜7上に形成する。第3層間絶縁膜20は例えばシリコン酸化膜から構成され、TEOS、シラン等のガスを使用して成長される。
この後に、図1Mに示すように、第3層間絶縁膜20上に三層目の配線25a〜25cを形成する。三層目の配線25a〜25cは、第6バリアメタル膜22と第3の主導電膜23と第7バリアメタル膜24の積層構造から構成される。三層目の配線25a〜25cは、一層目の配線6a,6bと同様に積層構造をフォトリソグラフィー法によりパターニングすることにより形成される。
第6、第7バリアメタル膜22、24として例えば厚さ40nmのTi膜と厚さ100nmのTiNの二層構造が形成され、第3の主導電膜23として例えば厚さ1μmのAlCu膜が形成される。
まず、図3A、図Aに示すように、第1実施形態と同様にして、第1層間絶縁膜2上に一層目の配線6a,6bを形成し、さらに一層目の配線6a,6b及び第1層間絶縁膜2の上に第2層間絶縁膜7を形成する。続いて、一層目の配線6a,6b上に一層目のビアプラグ10a〜10dを形成した後に、第1実施形態と同じ方法により下側配線バリアメタル膜11a,11c、容量下部電極11bを第2層間絶縁膜7上に形成する。さらに、容量下部電極11bとその周辺を覆う形状の誘電体膜13を形成する。
上部電極用のレジストパターン28bは、その周縁が誘電体膜13からはみ出す形状となっているので、4バリアメタル膜15、主導電膜16、第5バリアメタル膜17をエッチングする際に誘電体膜13の大きさは当初のパターン形状となっている。
その後に、導電性保護膜42上にフォトレジストを塗布し、これを露光、現像することにより、容量下部電極39aに重なりかつその外周からはみ出す形状を有する容量誘電体用のレジストパターン43を形成する。このレジストパターン43は、容量素子形成領域にあるビアプラグ38a、38bの上を含めて覆う形状となっている。
続いて、レジストパターン43をマスクに使用して、導電性保護膜42と誘電体膜41をエッチングする。このエッチング後にも誘電体膜41は、容量下部電極39aの上面及び側面上に形成された状態のままとなっている。
なお、図8A、図8Bに使用した試験用素子は、容量下部電極を約90μm×90μmの大きさとして、さらに容量下部電極の縁と誘電体膜の縁の距離を0.5μmとした構造をするMIM容量素子を約2mm×2mmの四角い領域に多数個形成した構成を有している。
また、第2のシリコン酸化膜34と銅配線35a〜35dの上には、第2のシリコン窒化膜36、第3のシリコン酸化膜37が順に形成されている。さらに、第3のシリコン酸化膜37及び第2のシリコン窒化膜36には、一層目の銅配線35a〜35dに接続される一層目のビアプラグ38a〜38dが形成されている。
このような状態で第3のシリコン酸化膜37及びビアプラグ38a〜38dの上に、下部電極膜39として例えばTiN膜をスパッタにより50nm〜100nmの厚さに形成する。その後に、第3実施形態と同様な方法により下部電極膜39をパターニングして容量下部電極39aを形成する。
ところで、本実施形態においては、容量下部電極39aの下にあるビアプラグ38a、38bの他のビア38c,38dの上にも下部電極膜39を個別に残し、それらを導電性パッド39b、39cとする。これにより、後の工程でWからなるビアプラグ38c、38dの損傷が防止される。
次に、図9Bに示すように、容量下部電極39a、導電性パッド39b,9c及び第3のシリコン酸化膜37の上に絶縁膜57を例えば100nm〜150nmの厚さに形成する。
その後に、図9Cに示すように、スパッタ、RIE法等により、絶縁膜57を異方性エッチングすることにより、容量下部電極39a、導電性パッド39b,9cの側面に絶縁性のサイドウォール57sとして残す。この場合、サイドウォール57sの膜厚は、容量下部電極39a、導電性パッド39b,9cの側面から外方にかけてなだらか且つ連続的に薄くなり、これによりサイドウォール57sの露出面は斜面となる。
次に、図9Dに示すように、容量下部電極39a、導電性パッド39b,9c、絶縁性サイドウォール57s及び第3のシリコン酸化膜37の上に、誘電体膜41、導電性保護42を順に形成する。この場合、誘電体膜41として、TEOSを使用するプラズマCVD法によってシリコン酸化膜を約40nmの厚さに形成する。また、導電性保護膜42として、TiN膜をスパッタにより約30nmの厚さに形成する。
容量下部電極39aの側部ではなだらかな露出斜面を有するサイドウォール57s上に形成される誘電体膜41、導電性保護42の膜厚はそれぞれほぼ均一になる。
次に、図9Fに示すように、導電性保護膜42、第3のシリコン酸化膜37及び導電性パッド39、38の上に、下側バリアメタル膜43、主導電膜44、上側バリアメタル膜45を第3実施形態と同様な方法により形成する。
その後に、特に図示しないが、第3実施形態と同様に、第4のシリコン酸化膜、第3のシリコン窒化膜等が形成される。第3のシリコン窒化膜51、第5のシリコン酸化膜52を順にCVD法により形成する。
また、第2のシリコン酸化膜34と銅配線35a〜35dの上には、第2のシリコン窒化膜36、第3のシリコン酸化膜37が順に形成されている。さらに、第3のシリコン酸化膜37及び第2のシリコン窒化膜36には、一層目の銅配線35a〜35dに接続される一層目のビアプラグ38a〜38dが形成されている。
このような状態で第3のシリコン酸化膜37及びビアプラグ38a〜38dの上に、下部電極膜として、例えば、厚さ30nm〜50nmの第1のTiN膜59aと厚さ150nm〜200nmの第1のW膜59bをスパッタにより順に形成する。
さらに、第1のW膜59bの上にフォトレジストを塗布し、これを露光、現像して、容量下部電極の平面形状を有する容量下部電極用のレジストパターン60を形成する。
続いて、レジストパターン60をマスクに使用し、例えば塩素系ガスを使用するRIE法により第1のTiN膜59aと第1のW膜59bをエッチングする。そして、図11Bに示すように、レジストパターン60を除去した後に残された第1のTiN膜59aと第のW膜59bを容量下部電極59とする。
その後に、第3実施形態と同様に、導電性保護膜42上にフォトレジストを塗布し、これを露光、現像して容量下部電極59とその外周からはみ出す領域に容量誘電体用のレジストパターン61を形成する。続いて、レジストパターン1をマスクに使用して、導電性保護膜42と誘電体膜41をエッチングする。
次に、図11Gに示すように、導電性保護膜42、第3のシリコン酸化膜37及びビアプラグ38c、38dの上に、下側バリアメタル膜43、主導電膜44、上側バリアメタル膜45を第3実施形態と同様な方法により形成する。
また、容量上部電極47以外の領域において、ビア38c、38d上を通る経路に残された上側バリアメタル膜45、主導電膜44、下側バリアメタル膜43は、二層目の配線48a、48b等として使用される。
その後に、特に図示しないが、第3実施形態と同様に、第4のシリコン酸化膜、第3のシリコン窒化膜等が形成される。第3のシリコン窒化膜51、第5のシリコン酸化膜52を順にプラズマCVD法により形成する。
以上のMIM容量素子Qにおいて、容量下部電極59の側部は導電性のサイドウォール60から構成されているので、誘電体膜41が形成される容量下部電極59の各側面での急峻な段差が解消される。
(第6の実施の形態)
図12は、本発明の第6実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。また、図13A〜図13Jは、本発明の第6実施形態に係る半導体装置の図12のI−I線から見た形成工程を示す断面図、図14A〜図14は、本発明の第6実施形態に係る半導体装置の形成工程の図12のII−II線から見た断面図である。なお、図12、図13A〜U13J、図14A〜図14において、図5A〜図5Jと同一の符号は同一要素を示している。
続いて、CMP法により第3のシリコン酸化膜37上のバリア膜、W膜を除去する。これによりビアホール37a、37c、第3リング用溝37g、第3クラックストパ用溝37e及びフューズ用溝37fの中に残されたバリア膜、W膜は、それぞれビアプラグ38a、38c、第2のリング65、第2のクラックストッパ66及びフューズ67として使用される。なお、フューズ67の中央にはCMPによる窪みが生じている。この形態は使用されるフューズの幅に依存する。幅がある(大きい)場合には、より窪みが生じる傾向がある。
これによりパターニングされた下部電極膜39は、図13D、図14Dに示すように、容量素子領域Aではビアプラグ38aに接続される容量下部電極39aとなり、配線領域Bではビアプラグ38c覆う導電性パッド39cとなり、フューズ領域Cではフューズ67及び第2のクラックストッパ66を覆う保護膜39f,第3のクラックストッパ39eとなり、さらに、耐湿リング領域Dでは第2のリング65を覆う導電性パッド39gとなる。
下部電極膜39をパターニングする際のエッチングは過剰に行われ、レジストパターン68a、68c、68e、68f、68gから露出した第3のシリコン酸化膜37の表面には凹部37uが形成される。過剰なエッチングは、下部電極膜39導電材の不要部分を第3のシリコン酸化膜37表面から除去することによりリーク電流を防止するために行われる。
次に、図13G、図14Gに示すように、導電性保護膜42、第3のシリコン酸化膜37及び要素39b、39e、39f、39gの上に、下側バリアメタル膜43、主導電膜44、上側バリアメタル膜45を順に形成する。なお、下側バリアメタル膜43の下地としてTi密着膜を形成してもよい。
上部電極用のレジストパターン70aは、容量素子領域Aにおいて誘電体膜41及び導電性保護膜42に重なり且つその外周にはみ出す領域に至る大きさを有している。また、配線領域Bにおいて、配線用のレジストパターン70cは、ビアプラグ38cに重なる形状を有している。フューズ領域Cにおいて、フューズ電極用のレジストパターン70fは、フューズ6の両端に重なる位置に形成され、また、クラックスストッパ用のレジストパターン70eは、第2のクラックストッパ66を覆う範囲に形成されている。さらに、耐湿リング領域Dにおいて、ガードリング用のレジストパターン70gは、第3のリング39gに重なるように枠状に形成されている。
これにより、容量素子領域Aにおいて、容量上部電極47、誘電体膜41及び容量下部電極39aにより、MIM容量素子Qが構成される。なお、MIM容量素子Qにおいて、第3実施形態と同様に、誘電体膜41上の導電性保護膜42は、容量上部電極47の一部を構成し、さらに、容量上部電極41の下にTi密着膜が形成される場合に、Ti拡散防止膜として機能する。
この後に、図13J、図14に示すように、第4のシリコン酸化膜77、第3のシリコン窒化膜78が形成される。
上記した実施形態において、下部電極膜39をパターニングして容量下部電極39aを形成する際に、同時に配線領域B、フューズ領域C及び耐湿リング領域Dに形成されたビアプラグ38c、溶断フューズ67、第2のクラックストッパ66及び第2のリング6を個別に覆う形状に下部電極膜39をパターニングしている。ここで、ビアプラグ38c、溶断フューズ67、第2のクラックストッパ66及び第2のリング6は、TiNバリア膜とW膜から構成されている。
W膜は、第3のシリコン酸化膜37の表面からエッチング残渣を除去するために使用される薬液、処理条件によってはエッチングされ易い場合がある。しかし、ビアプラグ38c、溶断フューズ67、第2のクラックストッパ66及び第2のリング6は、下部電極膜39のパターンにより覆われた状態となっているため、処理される薬液によって損傷を受けることはない。

Claims (20)

  1. 半導体基板と、
    半導体基板の上方に形成される絶縁膜と、
    前記絶縁膜上に形成される容量下部電極と、前記容量下部電極の上面及び側面の上に形成される誘電体膜と、前記誘電体膜の上に形成され且つ前記容量下部電極よりも広く形成された金属膜の第1金属パターンから構成される容量上部電極とを有する容量素子と、
    前記絶縁膜上で前記金属膜の第2金属パターンから構成される配線と
    を有することを特徴とする半導体装置。
  2. 前記容量上部電極の外周縁は、前記誘電体膜の外周縁の外側に広がっていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  3. 前記誘電体膜の上面上に形成され、且つ上面及び側面が前記容量上部電極の下面に接合される導電性保護膜を有することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置。
  4. 前記容量下部電極の側面に形成され、且つ外方にかけて連続的に低くなる斜面を有するサイドウォールを有することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置。
  5. 前記絶縁膜内に形成されて前記容量下部電極の下面に接続される導電性プラグを有することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の半導体装置。
  6. 前記金属膜は前記絶縁膜の表面上に形成される密着膜を有することを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の半導体装置。
  7. 前記容量素子の側方において前記絶縁膜内に形成された第2の導電性プラグと、前記容量下部電極を構成する材料と同じ導電膜から構成され且つ前記第2の導電性プラグの上面を覆う導電パターンとを有することを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の半導体装置。
  8. 前記容量素子の側方において前記絶縁膜内に形成された第3の導電性プラグと、前記容量上部電極を構成する前記金属膜から構成され且つ前記第3の導電性プラグを上から覆う第3金属パターンとを有することを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の半導体装置。
  9. 前記容量素子の側方において前記絶縁膜内に形成されたフューズと、前記容量下部電極を構成する材料と同じ導電膜から構成され且つ前記フューズの少なくとも一部を覆う保護パターンとを有することを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載の半導体装置。
  10. それぞれ前記絶縁膜内とその上下に連続的に形成される多層金属パターンを有し、前記多層金属パターンの一部は前記容量下部電極を構成する導電膜のパターンと前記容量上部電極を構成する前記金属膜の第4金属パターンの少なくとも一方を含んでいることを特徴とする請求項1乃至請求項9のいずれか1項に記載の半導体装置。
  11. 半導体基板上の絶縁膜上に第1金属膜を形成する工程と、
    前記第1金属膜をパターニングして容量下部電極を形成する工程と、
    前記容量下部電極の上面及び側面と前記絶縁膜の上に誘電体膜を形成する工程と、
    前記誘電体膜をパターニングして前記容量下部電極の前記上面及び側面を覆う形状の容量誘電体膜を形成する工程と、
    前記容量誘電体膜と前記絶縁膜の上に第2金属膜を形成する工程と、
    前記第2金属膜をパターニングして前記容量誘電体膜の少なくとも上面を覆う容量上部電極を形成する工程と、
    前記第2金属膜をパターニングして前記絶縁膜上に配線を形成する工程と
    を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  12. 前記容量誘電体膜及び前記容量上部電極は、同層のマスクを使用してパターニングされることを特徴とする請求項11に記載の半導体装置の製造方法。
  13. 前記容量上部電極は、前記容量誘電体膜に重なり且つ前記容量誘電体膜よりも広いマスクを使用してパターニングされることを特徴とする請求項11に記載の半導体装置の製造方法。
  14. 前記容量誘電体膜のパターニング前に、前記誘電体膜の上に導電性保護膜を形成する工程と、前記第2金属膜を形成する前に前記導電性保護膜をパターニングして前記容量誘電体膜の上面を覆う形状にパターニングする工程を有することを特徴とする請求項11乃至請求項13のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
  15. パターニングされた前記導電性保護膜から露出した前記絶縁膜の表面をエッチングする工程を有することを特徴とする請求項14に記載の半導体装置の製造方法。
  16. 前記容量下部電極及び前記絶縁膜の全面に膜を形成する工程と、前記膜をエッチングして前記容量下部電極の側面にサイドウォールとして残す工程とを有することを特徴とする請求項11乃至請求項15いずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
  17. 前記絶縁膜内にプラグを形成する工程と、前記第1金属膜と前記第2金属膜の少なくとも一方をパターニングして前記プラグの上を覆う金属パターンを形成する工程を有することを特徴とする請求項11乃至請求項16のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
  18. 前記絶縁膜内にフューズを形成する工程と、前記第1金属膜をパターニングして前記フューズの上を覆う保護膜を形成する工程とを有することを特徴とする請求項11乃至請求項17のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
  19. 前記第2金属膜をパターニングするエッチャントにより前記フューズ上の前記保護膜をエッチングする工程を有することを特徴とする請求項18に記載の半導体装置の製造方法。
  20. 前記絶縁膜内に第1の金属の第1の耐湿リングを形成する工程と、前記第1金属膜をパターニングして前記第1の耐湿リングに接続される第2の耐湿リングを形成する工程と、
    前記第2金属膜をパターニングして前記第2の耐湿リングに重なる第3の耐湿リングを形成する工程とを有することを特徴とする請求項11乃至請求項19のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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