JPWO2008044300A1 - 半導体集積回路 - Google Patents
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Abstract
Description
MC11〜MCmn メモリセル
CBL、BLT 第1信号線
CBLdm、BLB 第2信号線
RC、RC_A、RC_B,RC_C読出し回路
PC1、PC4、PC5 第1初期化回路
PA、PA1 プリアンプ
DL、DL1、DL2 データラッチ回路
PC2、PC6第2初期化回路
MP1、MP2、MN14、MN15 第1MOSトランジスタ
MN3、MN4、MP14、MP15 第2MOSトランジスタ
MP5、MP6、MN18、MN19入力MOSトランジスタ
SAIN、SAINB入力ノード
SAOT、SAOB 出力ノード
図2には本発明による相変化メモリモジュール(PCM)1の一例が示される。同図に示される相変化メモリモジュール1は例えばマイクロプロセッサ等のデータ処理LSIにオンチップされた書換え可能な不揮発性メモリであってもよいし、或いは単体の不揮発性メモリLSIであってもよい。
図7には別の相変化メモリセルモジュール1_Aの例が示される。読み出しのためのメモリセルアレイ2_Aの構成が図2とは相違される。この構成の特徴は、下記の二つである。第1に、ビット線BL1〜BLmに平行にソース線SL1〜SLmがそれぞれ配置されている点にある。メモリセルMCR11〜MCRmnは、直列された相変化素子RPCとMOSトランジスタCTが、ビット線とソース線との間に挿入されて構成される。及びダミーメモリセル回路DMC1〜DMCmも同様に配置される。第2に、一本のビット線と一本のソース線を対とした単位で、YスイッチYSWA1〜YSWAmが配置される点にある。YスイッチYSWA1〜YSWAmは、第1のCMOSトランスファゲートTG、第2のCMOSトランスファゲートTG2、及びNチャンネル型スイッチMOSトランジスタMN20から構成され、Y選択信号YSN1,YSP1〜YSNmYSPmで制御される。前記第1のCMOSトランスファゲートTG1は対応するビット線と共通ビット線CBLとの間に挿入され、Y選択信号で選択されたビット線を共通ビット線CBLに接続する。第2のCMOSトランスファゲートTG2はソース線と読出し電圧Vpc端子との間に挿入され、読出し動作時にソース線を読出し電圧Vpcにプリチャージする。スイッチMOSトランジスタMN20はソース線とグランド電圧Vssとの間に挿入され、待機時にソース線SL1〜SLmをグランド電圧Vssに駆動する。ダミーセルアレイ3_Aの基本構成は図4と同じであり、メモリアレイ2に対するメモリセルアレイ2_Aの相違点と同じ相違が反映されている。
図10には図1の相変化メモリセルモジュール1に採用可能な別の読み出し回路RC_Bの詳細が例示される。図1との相違点は、プリアンプPAの出力をクロスカップル型ラッチアンプDL1のセンスノードに直接接続している点にある。プリアンプPAの出力信号差が最大となるタイミングにて、ラッチアンプ活性化信号LSAEおよびLSAEBを活性化する。この構成においてプリチャージ回路PC3は不要になる。この構成により、読出し回路に用いられるトランジスタ数を低減することができ、小面積で高速な相変化メモリの実現が可能になる。
図11には更に別の読み出し回路が例示される。同図に示される読出し回路RC_Cは、例えばSRAM(Static Random Access Memory)のように、ビット線を電源電圧Vdd寄りまでプリチャージして読み出し動作を行うメモリ、或いはフラッシュメモリのように読出しディスターブの影響を低減するためにビット線を電源電圧一杯までプリチャージせずに読み出し動作を行うメモリへの適用を想定する。即ち、プリアンプやデータラッチ回路は電源電圧で動作させるがビット線プリチャージは電源電圧よりも低い電源電圧寄りで行なうメモリへの適用を想定する。この場合には図1に対して極性を逆とする構成を備える。すなわち、図1で示した構成例に対してnチャネル型MOSトランジスタの箇所をpチャネル型MOSトランジスタとし、反対にpチャネル型MOSトランジスタの箇所をnチャネル型MOSトランジスタにし、電源電圧Vddの箇所をグランド電圧Vssに、グランド電圧Vssの箇所を電源電圧Vddに接続する。これに応じて、プリチャージ回路の構成と機能も変更されている。プリチャージ回路PC5は、相補ビット線BLT,BLBを読出し電圧Vpcに駆動する二つのPチャンネル型MOSトランジスタMP12,MP13で構成する。ここで、読出し電圧Vpcは電源電圧Vdd寄りの電圧であり、Vddであっても差し支えない。また、プリチャージ回路PC6は、プリアンプPA1の出力側ノードSAIN,SAINBをグランド電圧Vssに駆動する二つのnチャンネル型MOSトランジスタMN16,MN17で構成される。さらに、プリチャージ回路PC7は、データラッチ回路DL2の出力ノードSAOT,SAOBを電源電圧Vddに駆動する二つのpチャンネル型MOSトランジスタMP18,MP19で構成される。
Claims (15)
- 複数のメモリセルの中から選択されたメモリセルの記憶情報に応じて第1信号線に現れる変化と他の第2信号線に現れる変化との相違を検出して記憶情報を判定する読出し回路を供え、
前記読出し回路は、読出し動作の開始前に前記第1信号線及び前記第2信号線を第1レベルに初期化する第1初期化回路と、読出し動作において前記第1信号線と前記第2信号線の初期化レベルの変化を夫々増幅して出力するプリアンプと、前記プリアンプの一対の出力を入力ノードに受けてラッチ動作を行うデータラッチ回路と、読出し動作の開始前に前記データラッチ回路の入力ノードを第2レベルに初期化する第2初期化回路とを有し、
前記プリアンプは、前記第1信号線をゲートに受け入力ゲート容量を介して前記第1信号線を前記データラッチ回路の対応する入力ノードに結合し、前記第2信号線をゲートに受け入力ゲート容量を介して前記第2信号線を前記データラッチ回路の対応する入力ノードに結合する一対の第1MOSトランジスタと、一方の前記第1MOSトランジスタを前記第1信号線に接続し、他方の前記第1MOSトランジスタを前記第2信号線に接続し、前記初期化の後にオン動作される一対の第2MOSトランジスタとを有する、半導体集積回路。 - 前記読出し動作において前記第1信号線及び第2信号線は前記第1レベルからディスチャージされ、前記第1レベルは第2レベルよりも低いレベルである、請求項1記載の半導体集積回路。
- 前記第1レベルは第2レベルとの差電圧の半分よりも低いレベルであり、前記第1MOSトランジスタはpチャンネル型であり、第2MOSトランジスタはnチャンネル型である、請求項2記載の半導体集積回路。
- 前記メモリセルは相変化メモリセルであり、読出し動作において前記第1信号線には選択された相変化メモリセルの抵抗値に応じてディスチャージ電流が流れ、読出し動作において前記第2信号線には相変化メモリセルの高抵抗値に応じたディスチャージ電流値と低抵抗値に応じたディスチャージ電流値との間のディスチャージ電流が流れる、請求項3記載の半導体集積回路。
- 前記読出し動作において前記第1信号線及び第2信号線は前記第1レベルからディスチャージされ、前記第1レベルは第2レベルとの差電圧の半分よりも高いレベルであり、前記第1MOSトランジスタはnチャンネル型であり、第2MOSトランジスタはpチャンネル型である、請求項2記載の半導体集積回路。
- 前記メモリセルはスタティックメモリセルであり、読出し動作において前記第1信号線及び第2信号線には選択されたスタティックメモリセルの記憶情報に応じて相補的に電流が流れる、請求項5記載の半導体集積回路。
- 前記データラッチ回路は前記プリアンプの出力をゲートに受ける入力MOSトランジスタと、前記入力MOSトランジスタを介して動作電源が供給されるスタティックラッチとを有し、前記入力MOSトランジスタのゲートを前記入力ノードとし、前記スタティックラッチの入出力端子を前記出力ノードとする、請求項1記載の半導体集積回路。
- 前記データラッチ回路の出力ノードを第3レベルに初期化する第3初期化回路を更に有し、前記第3レベルは前記第2レベルとは逆極性である、請求項7記載の半導体集積回路。
- 前記データラッチ回路は前記入力ノードと前記出力ノードに共通化された入出力端子を有するスタティックラッチから成る、請求項1記載の半導体集積回路。
- 読出し動作において、選択された相変化メモリセルの抵抗値に応じて第1信号線に流れるディスチャージ電流と、相変化メモリセルの高抵抗に応じたディスチャージ電流値と低抵抗に応じたディスチャージ電流値との間の電流値をもって第2信号線に流れる参照電流との相違を検出して記憶情報を判定する読出し回路を供え、
前記読出し回路は、読出し動作の開始前に前記第1信号線及び前記第2信号線を第1レベルに初期化する第1初期化回路と、読出し動作において前記第1信号線と前記第2信号線の初期化レベルの変化を夫々増幅して出力するプリアンプと、前記プリアンプの一対の出力を入力ノードに受けてラッチ動作を行うデータラッチ回路と、読出し動作の開始前に前記データラッチ回路の入力ノードを第1レベルよりも高い第2レベルに初期化する第2初期化回路とを有し、
前記プリアンプは、前記第1信号線をゲートに受け入力ゲート容量を介して前記第1信号線を前記データラッチ回路の対応する入力ノードに結合し、前記第2信号線をゲートに受け入力ゲート容量を介して前記第2信号線を前記データラッチ回路の対応する入力ノードに結合するpチャンネル型の一対の第1MOSトランジスタと、一方の前記第1MOSトランジスタを前記第1信号線に接続し、他方の前記第1MOSトランジスタを前記第2信号線に接続し、前記初期化の後にオン動作されるnチャンネル型の一対の第2MOSトランジスタとを有する、半導体集積回路。 - 前記データラッチ回路は前記プリアンプの出力をゲートに受けるpチャンネル型の入力MOSトランジスタと、前記入力MOSトランジスタを介して動作電源が供給されるスタティックラッチとを有し、前記入力MOSトランジスタのゲートを前記入力ノードとし、前記スタティックラッチの入出力端子を前記出力ノードとする、請求項10記載の半導体集積回路。
- 前記データラッチ回路の出力ノードを前記第2レベルと反対極性の第3レベルに初期化する第3初期化回路を更に有する、請求項11記載の半導体集積回路。
- 読出し動作において、ワード線で選択されたスタティックメモリセルの記憶情報に応じて第1信号線と第2信号線に相補的に流れる電流の相違を検出して記憶情報を判定する読出し回路を供え、
前記読出し回路は、読出し動作の開始前に前記第1信号線及び前記第2信号線を第1レベルに初期化する第1初期化回路と、読出し動作において前記第1信号線と前記第2信号線の初期化レベルの変化を夫々増幅して出力するプリアンプと、前記プリアンプの一対の出力を入力ノードに受けてラッチ動作を行うデータラッチ回路と、読出し動作の開始前に前記データラッチ回路の入力ノードを第1レベルよりも高い第2レベルに初期化する第2初期化回路とを有し、
前記プリアンプは、前記第1信号線をゲートに受け入力ゲート容量を介して前記第1信号線を前記データラッチ回路の対応する入力ノードに結合し、前記第2信号線をゲートに受け入力ゲート容量を介して前記第2信号線を前記データラッチ回路の対応する入力ノードに結合するnチャンネル型の一対の第1MOSトランジスタと、一方の前記第1MOSトランジスタを前記第1信号線に接続し、他方の前記第1MOSトランジスタを前記第2信号線に接続し、前記初期化の後にオン動作されるpチャンネル型の一対の第2MOSトランジスタとを有する、半導体集積回路。 - 前記データラッチ回路は前記プリアンプの出力をゲートに受けるnチャンネル型の入力MOSトランジスタと、前記入力MOSトランジスタを介して動作電源が供給されるスタティックラッチとを有し、前記入力MOSトランジスタのゲートを前記入力ノードとし、前記スタティックラッチの入出力端子を前記出力ノードとする、請求項13記載の半導体集積回路。
- 前記データラッチ回路の出力ノードを前記第2レベルと反対極性の第3レベルに初期化する第3初期化回路を更に有する、請求項14記載の半導体集積回路。
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