JPS64101B2 - - Google Patents
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- JPS64101B2 JPS64101B2 JP55129404A JP12940480A JPS64101B2 JP S64101 B2 JPS64101 B2 JP S64101B2 JP 55129404 A JP55129404 A JP 55129404A JP 12940480 A JP12940480 A JP 12940480A JP S64101 B2 JPS64101 B2 JP S64101B2
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- grinding media
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28B—SHAPING CLAY OR OTHER CERAMIC COMPOSITIONS; SHAPING SLAG; SHAPING MIXTURES CONTAINING CEMENTITIOUS MATERIAL, e.g. PLASTER
- B28B3/00—Producing shaped articles from the material by using presses; Presses specially adapted therefor
- B28B3/003—Pressing by means acting upon the material via flexible mould wall parts, e.g. by means of inflatable cores, isostatic presses
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
- C23C8/08—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases only one element being applied
- C23C8/10—Oxidising
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
- C23C8/08—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases only one element being applied
- C23C8/24—Nitriding
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
- C23C8/28—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases more than one element being applied in one step
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体−、コンデンサ−又は圧電−材
料など組織及び不純分に敏感な特殊セラミツク材
料を調製するためのドラム粉砕機内での粉砕法に
関する。
料など組織及び不純分に敏感な特殊セラミツク材
料を調製するためのドラム粉砕機内での粉砕法に
関する。
予定されている適用範囲に関しては、電気的諸
特性が粉砕装置（たとえば燧石）の摩耗に極めて
敏感に反応するセラミツク材料を極めて高価な半
貴石瑪瑙で製した粉砕媒体を用いて粉砕すること
が公知となつている（Heuschkel／mne−heセラ
ミツクABC、ライプチツヒ1975年ごろ刊行、第
９頁）。
特性が粉砕装置（たとえば燧石）の摩耗に極めて
敏感に反応するセラミツク材料を極めて高価な半
貴石瑪瑙で製した粉砕媒体を用いて粉砕すること
が公知となつている（Heuschkel／mne−heセラ
ミツクABC、ライプチツヒ1975年ごろ刊行、第
９頁）。
さらに粉砕すべき材料中に存在している物質
（たとえば西独特許出願公告第1072179号記載の
TiO2）又はその中に存在している物質と化学的
に近似している物質（たとえば東独特許第57493
号記載のチタン金属）で製した粉砕媒体を用いる
ことも公知である。ここでは摩耗が部分的に著し
く一方では全く頻繁な粉砕媒体更新を要し他方で
は混入物によつて少なくとも、たとえば押出プレ
スによつてさらに加工すべき材料の塑性が劣化す
る（Palatzky、工業セラミツク、ベルリン1954
年刊第17〜22頁）。
（たとえば西独特許出願公告第1072179号記載の
TiO2）又はその中に存在している物質と化学的
に近似している物質（たとえば東独特許第57493
号記載のチタン金属）で製した粉砕媒体を用いる
ことも公知である。ここでは摩耗が部分的に著し
く一方では全く頻繁な粉砕媒体更新を要し他方で
は混入物によつて少なくとも、たとえば押出プレ
スによつてさらに加工すべき材料の塑性が劣化す
る（Palatzky、工業セラミツク、ベルリン1954
年刊第17〜22頁）。
本発明の目的は、電気的諸特性が組織及び不純
物に敏感に反応する特殊セラミツク材料の経済上
有利な調製である。
物に敏感に反応する特殊セラミツク材料の経済上
有利な調製である。
本発明には、対応の粉砕法によつて
−著しい摩耗低減
−大幅に無害な混入物
−粉砕効果の改良すなわち所与の粉砕度について
の所要時間短縮とエネレギー消費低減を電気的
用途向の組織及び不純分に敏感な特殊セラミツ
ク材料において達成するという課題が根拠にな
つている。
の所要時間短縮とエネレギー消費低減を電気的
用途向の組織及び不純分に敏感な特殊セラミツ
ク材料において達成するという課題が根拠にな
つている。
本発明によりこの課題は、粉末冶金法に従つて
製した酸素及びチタンより構成され、酸素0.5乃
至15原子％、窒素0.03乃至7.5原子％及び残余が
チタンであるチタン−酸素−合金で製した粉砕媒
体の使用によつて解決される。
製した酸素及びチタンより構成され、酸素0.5乃
至15原子％、窒素0.03乃至7.5原子％及び残余が
チタンであるチタン−酸素−合金で製した粉砕媒
体の使用によつて解決される。
その際円筒状の粉砕媒体は円筒の稜を丸めるた
めの水中で最大100時間のなじみ運転の后に始め
て該材料に用いるのが好都合である。
めの水中で最大100時間のなじみ運転の后に始め
て該材料に用いるのが好都合である。
本発明による解決は本発明の課題を最適に成就
する（実施例によつて数値をあげて立証する）ほ
かに粒度スペクトルの単一化及びそれに結びつい
ている焼結均質性の改良にも導く。
する（実施例によつて数値をあげて立証する）ほ
かに粒度スペクトルの単一化及びそれに結びつい
ている焼結均質性の改良にも導く。
后者は優先的電流路の形成、従つてまた局部的
熱を避けるためとくにセラミツク・バリスタにと
つて極めて重要である。粉末過程における固形分
の増大によつて粉砕材料懸濁液の脱水のためのま
た粉砕用エネルギーの経費を全く一般的にを低減
する。
熱を避けるためとくにセラミツク・バリスタにと
つて極めて重要である。粉末過程における固形分
の増大によつて粉砕材料懸濁液の脱水のためのま
た粉砕用エネルギーの経費を全く一般的にを低減
する。
実施例 １
この実施例は通常のセラミツク技法に従つて調
製したCoO、MnO、Bi2O3、Cr2O3及び場合によ
つてはその他の金属酸化物を全体で１乃20モル％
の範囲で添加したZnO基質の金属酸化物バリスタ
の製造に関する。粉砕は、粉砕媒体を用いるタン
ブリング粉砕法で行ない、ドラム粉砕機で本発明
による酸素８原子％、窒素３原子％及び残余がチ
タンより成る酸素、窒素を含むチタン材料で製し
た粉砕媒体を用いて行なわれる。これと比較する
ため同じ混合組成物を瑪瑙ボールを用いて処理し
た。得られた泥状物は公知の方法に従つて脱水す
る。脱水した品物はプレスして成形体とし1100乃
至1300℃の温度で焼結する。焼結成形体はさまざ
まな接点装着法に従つて電極を、たとえばシルク
スクリーンプリント法により銀電極を設けること
ができる。第１図及び第２図は本発明による粉砕
媒体を用いての電気的パラメータの改良を示す。
第２図の結果は瑪瑙ボールを用いて達成されたが
５乃至８倍長い粉砕時間を要した。新規の粉砕媒
体の使用により極めて短かい粉砕時間ですでに僅
かな残留電流IR、高い非線形値及び低いバリスタ
電圧VCが達成できることが認められる。
製したCoO、MnO、Bi2O3、Cr2O3及び場合によ
つてはその他の金属酸化物を全体で１乃20モル％
の範囲で添加したZnO基質の金属酸化物バリスタ
の製造に関する。粉砕は、粉砕媒体を用いるタン
ブリング粉砕法で行ない、ドラム粉砕機で本発明
による酸素８原子％、窒素３原子％及び残余がチ
タンより成る酸素、窒素を含むチタン材料で製し
た粉砕媒体を用いて行なわれる。これと比較する
ため同じ混合組成物を瑪瑙ボールを用いて処理し
た。得られた泥状物は公知の方法に従つて脱水す
る。脱水した品物はプレスして成形体とし1100乃
至1300℃の温度で焼結する。焼結成形体はさまざ
まな接点装着法に従つて電極を、たとえばシルク
スクリーンプリント法により銀電極を設けること
ができる。第１図及び第２図は本発明による粉砕
媒体を用いての電気的パラメータの改良を示す。
第２図の結果は瑪瑙ボールを用いて達成されたが
５乃至８倍長い粉砕時間を要した。新規の粉砕媒
体の使用により極めて短かい粉砕時間ですでに僅
かな残留電流IR、高い非線形値及び低いバリスタ
電圧VCが達成できることが認められる。
実施例 ２
組成LaxBaySrzTil（ただしｘ＝0.001−0.004、ｙ
＝0.5−１、ｚ＝０−0.5であるもの）の低温導体
材料の製造。
＝0.5−１、ｚ＝０−0.5であるもの）の低温導体
材料の製造。
原料の秤量及び混合の后、これをバラの状態で
1000−1200℃で暇焼する。暇焼ずみの材料をプラ
スチツクドラム又は実施例による合金で裏張した
ドラム粉砕機内で１−10時間同様の粉砕媒体と水
とを用いて粉砕する。通常のセラミツク用の乾燥
−及び成形法を施こした后に成形体を1300−1450
℃の温度範囲で焼結し電極を設ける。こうして製
した直径10−12mm、丈３−５mmの寸法の円板では
10−30Ωの抵抗値が実現できる。これらの低い抵
抗値は従来同様の条件下では瑪瑙ボールを用いて
のみ達成できた。
1000−1200℃で暇焼する。暇焼ずみの材料をプラ
スチツクドラム又は実施例による合金で裏張した
ドラム粉砕機内で１−10時間同様の粉砕媒体と水
とを用いて粉砕する。通常のセラミツク用の乾燥
−及び成形法を施こした后に成形体を1300−1450
℃の温度範囲で焼結し電極を設ける。こうして製
した直径10−12mm、丈３−５mmの寸法の円板では
10−30Ωの抵抗値が実現できる。これらの低い抵
抗値は従来同様の条件下では瑪瑙ボールを用いて
のみ達成できた。
粉砕媒体は円筒形の体の稜を除くため使用に先
立つて液状媒体中で80−100時間ドラム内で転動
させる。これによつてさらに使用中の摩耗が低減
できる。球状の粉砕媒体ではこの段階は不要であ
る。
立つて液状媒体中で80−100時間ドラム内で転動
させる。これによつてさらに使用中の摩耗が低減
できる。球状の粉砕媒体ではこの段階は不要であ
る。
第１図及び第２図は本発明による粉砕体を用い
ての電気的パラメータの改良を示す図である。
ての電気的パラメータの改良を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体、コンデンサ又は圧電材料など組織及
び不純分に敏感な特殊セラミツク材料の調製のた
めの粉砕媒体による粉砕法において、粉末冶金法
に従つて製した酸素0.5乃至15原子％、窒素0.03
乃至7.5原子％及び残余がチタンである酸素、窒
素を含むチタン材料で製した粉砕媒体を用いるこ
とを特徴とする方法。 ２ 円筒形粉砕媒体は水のみを用い最長100時間
にわたるなじみ運転の後に使用することを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３ 粉砕媒体とともに同じ材質の粉砕用ドラム裏
張を用いることを特徴とする特許請求の範囲第１
項又は第２項記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD21562479A DD146556B1 (de) | 1979-09-19 | 1979-09-19 | Hochverschleissfeste teile,insbesondere fuer misch-und mahlaggregate und verfahren zu ihrer herstellung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5653754A JPS5653754A (en) | 1981-05-13 |
| JPS64101B2 true JPS64101B2 (ja) | 1989-01-05 |
Family
ID=5520157
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12940680A Pending JPS5653757A (en) | 1979-09-19 | 1980-09-19 | Manufacture of part having high wearrproof property* particularly* part for mixing and pulverizer |
| JP12940580A Pending JPS5653756A (en) | 1979-09-19 | 1980-09-19 | Manufacture of part having high wearrproof property* particularly* part for mixing and pulverizer |
| JP12940480A Granted JPS5653754A (en) | 1979-09-19 | 1980-09-19 | Pulverizing method for preparation of special ceramic material sensitive to structure and impurity |
Family Applications Before (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12940680A Pending JPS5653757A (en) | 1979-09-19 | 1980-09-19 | Manufacture of part having high wearrproof property* particularly* part for mixing and pulverizer |
| JP12940580A Pending JPS5653756A (en) | 1979-09-19 | 1980-09-19 | Manufacture of part having high wearrproof property* particularly* part for mixing and pulverizer |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (3) | JPS5653757A (ja) |
| CS (1) | CS235919B1 (ja) |
| DD (1) | DD146556B1 (ja) |
| DE (1) | DE3028023C2 (ja) |
| FR (1) | FR2465788A1 (ja) |
| HU (1) | HU190775B (ja) |
| YU (1) | YU240580A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2544748A2 (fr) * | 1981-02-06 | 1984-10-26 | Maschf Augsburg Nuernberg Ag | Procede de realisation de couche d'oxyde protectrice |
| JPS59145705A (ja) * | 1983-02-10 | 1984-08-21 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | 高純度チタンカ−バイド微粉末の製造方法 |
| JPS6019054A (ja) * | 1983-07-14 | 1985-01-31 | 石原産業株式会社 | チタン酸化物粉粒体の粉砕方法 |
| JPS6032052A (ja) * | 1983-08-03 | 1985-02-19 | Toray Ind Inc | 静電記録体 |
| US5171480A (en) * | 1988-08-29 | 1992-12-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrophotographic photosensitive member containing a conductive layer which comprises a resin and a conductive zinc oxide having a tetrapad structure |
| US5183594A (en) * | 1988-08-29 | 1993-02-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Conductive resin composition containing zinc oxide whiskers having a tetrapod structure |
| EP0905271B1 (en) * | 1996-03-26 | 2004-08-04 | Citizen Watch Co. Ltd. | Titanium or titanium alloy member and surface treatment method therefor |
| US6451129B2 (en) | 1996-07-18 | 2002-09-17 | Citizen Watch Co., Ltd. | Titanium-base decoration member and method for curing the same |
| JP2002097914A (ja) * | 2000-07-18 | 2002-04-05 | Fuji Oozx Inc | チタン合金製エンジンバルブ及びその製造方法 |
| TWI404811B (zh) * | 2009-05-07 | 2013-08-11 | Atomic Energy Council | 金屬氮氧化物薄膜結構之製作方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1052243A (ja) * | 1900-01-01 | |||
| FR2123207B1 (ja) * | 1971-01-29 | 1974-03-22 | Pompey Acieries | |
| FR2136037A5 (ja) * | 1971-04-05 | 1972-12-22 | Metaux Precieux Sa |
-
1979
- 1979-09-19 DD DD21562479A patent/DD146556B1/de not_active IP Right Cessation
-
1980
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