JPH02114603A - グレーズバリスタの製造方法 - Google Patents
グレーズバリスタの製造方法Info
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- JPH02114603A JPH02114603A JP63268480A JP26848088A JPH02114603A JP H02114603 A JPH02114603 A JP H02114603A JP 63268480 A JP63268480 A JP 63268480A JP 26848088 A JP26848088 A JP 26848088A JP H02114603 A JPH02114603 A JP H02114603A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はバリスタ特性の優れた高均質のグレーズバリス
タの製造方法に関するものである。
タの製造方法に関するものである。
従来の技術
印加電圧によって抵抗値が変化する電圧非直線性素子と
しては、ZnOバリスタ、SiCバリスタ。
しては、ZnOバリスタ、SiCバリスタ。
Siバリスタなどが一般的に知られている。バリスタの
電圧(V)−電流(I)特性は通常工=(v/C)a で表わされる。但し、Cは抵抗に相当する定数、αは電
圧非直線指数と呼ばれる。
電圧(V)−電流(I)特性は通常工=(v/C)a で表わされる。但し、Cは抵抗に相当する定数、αは電
圧非直線指数と呼ばれる。
一般にバリスタの特性はαとある特定電流における電圧
(以下バリスタ電圧Vthと記述する)で表わされ、バ
リスタとしては、バリスタ電圧が適当な範囲にあり、α
の値が大きいほど望ましいとされている。前述のバリス
タの中では、ZnOバリスタが最もバリスタ特性に優れ
ており、例えば、SiCバリスタのαが3〜7であるの
に対し、ZnOバリスタは30〜60あるいはそれ以上
のものが得られる。このためZnOバリスタは、電圧の
安定化、パルスの抑制、各種サージを吸収して機器を保
護する目的など、広い分野にわたって実用化されている
。一方、各種機器の半導体化は、増々進展し、これらバ
リスタへの要望も一層多様化し、小型化、薄型化が強く
要求されている。この要求を満たす一方法としてグレー
ズバリスタが開発された。グレーズバリスタは、例えば
、ZnOバリスタ焼結体等の半導体セラミックスの粉砕
粉とガラス、有機ビヒクルからなるペーストを、印刷な
どにより電極間に塗布した後、焼付は処理を行なうこと
により電極間にバリスタ特性を得るものである。第1図
に、サンドイッチ型の電極構造を有するグレーズバリス
タの構成を示す。なお第1図において1は上部電極、2
は下部電極、3はZnOバリスタ粉体からなるバリスタ
膜、4はガラスなどの基板である。(National
Technical Report 24 p、1
5(197B)小田大他)かかる構成からなるグレーズ
バリスタをスイッチング素子として利用し、液晶あるい
はKLなどの表示デバイスへの応用が現在進められてい
る。
(以下バリスタ電圧Vthと記述する)で表わされ、バ
リスタとしては、バリスタ電圧が適当な範囲にあり、α
の値が大きいほど望ましいとされている。前述のバリス
タの中では、ZnOバリスタが最もバリスタ特性に優れ
ており、例えば、SiCバリスタのαが3〜7であるの
に対し、ZnOバリスタは30〜60あるいはそれ以上
のものが得られる。このためZnOバリスタは、電圧の
安定化、パルスの抑制、各種サージを吸収して機器を保
護する目的など、広い分野にわたって実用化されている
。一方、各種機器の半導体化は、増々進展し、これらバ
リスタへの要望も一層多様化し、小型化、薄型化が強く
要求されている。この要求を満たす一方法としてグレー
ズバリスタが開発された。グレーズバリスタは、例えば
、ZnOバリスタ焼結体等の半導体セラミックスの粉砕
粉とガラス、有機ビヒクルからなるペーストを、印刷な
どにより電極間に塗布した後、焼付は処理を行なうこと
により電極間にバリスタ特性を得るものである。第1図
に、サンドイッチ型の電極構造を有するグレーズバリス
タの構成を示す。なお第1図において1は上部電極、2
は下部電極、3はZnOバリスタ粉体からなるバリスタ
膜、4はガラスなどの基板である。(National
Technical Report 24 p、1
5(197B)小田大他)かかる構成からなるグレーズ
バリスタをスイッチング素子として利用し、液晶あるい
はKLなどの表示デバイスへの応用が現在進められてい
る。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、酸化物原料等を出発原料に用いて作製し
たZnOバリスタ焼結体の粉砕粉から構成された従来の
グレーズバリスタは、ZnOバリスタ焼結体が不均質で
あることから、非直線性指数αも小さく、バリスタ電圧
にもバラツキが生じ、信頼性が強く要求されるマトリッ
クス、駆動の表示デバイスのスイッチング素子等として
、使用することが難しいのが現状である。
たZnOバリスタ焼結体の粉砕粉から構成された従来の
グレーズバリスタは、ZnOバリスタ焼結体が不均質で
あることから、非直線性指数αも小さく、バリスタ電圧
にもバラツキが生じ、信頼性が強く要求されるマトリッ
クス、駆動の表示デバイスのスイッチング素子等として
、使用することが難しいのが現状である。
本発明は、上記問題点に鑑み、バリスタ特性の優れた高
均質ZnOのグレーズバリスタの製造方法を提供し、よ
うとするものである。
均質ZnOのグレーズバリスタの製造方法を提供し、よ
うとするものである。
課題を解決するための手段
上記問題点を解決するために、本発明のグレーズバリス
タの主要構成成分となるZnOバリスタ焼結体の粒子は
以下のようにして作られたものを用いる。すなわち、Z
nOK少なくともコバルト。
タの主要構成成分となるZnOバリスタ焼結体の粒子は
以下のようにして作られたものを用いる。すなわち、Z
nOK少なくともコバルト。
マンガン1クロム、アルミニウムのうち一種以上をZn
Oの固溶範囲内の量だけ、添加、混合し、仮焼した後、
粉砕する。次にビスマスとコバルト。
Oの固溶範囲内の量だけ、添加、混合し、仮焼した後、
粉砕する。次にビスマスとコバルト。
マンガン、亜鉛の各イオンを含む溶液を作製し、この溶
液中に前述のZnO仮焼粉砕粒子を混合。
液中に前述のZnO仮焼粉砕粒子を混合。
撹拌しながら、スプレードライを行う。このようにして
得られた粉体を成形、焼成して得られたZnOバリスタ
焼結体を、ジェットミルなどを用いて超微細粉に粉砕後
、適当な粒子径範囲になるよう分級する。かかる分級さ
れたZnOバリスタ粒子と、ガラス、有機ビヒクルを配
合することにより、高均質なグレーズバリスタを得るも
のである。
得られた粉体を成形、焼成して得られたZnOバリスタ
焼結体を、ジェットミルなどを用いて超微細粉に粉砕後
、適当な粒子径範囲になるよう分級する。かかる分級さ
れたZnOバリスタ粒子と、ガラス、有機ビヒクルを配
合することにより、高均質なグレーズバリスタを得るも
のである。
作用
ZnO系バリスタ焼結体は、微細構造的にみると、Zn
O粒成分成分ビスマス粒界層成分とからなる。従来、Z
nOバリスタを製造する時は、これらの両者を構成する
に必要な各酸化物原料、例えばZnO,Co2o5.M
nO2,0r20.。
O粒成分成分ビスマス粒界層成分とからなる。従来、Z
nOバリスタを製造する時は、これらの両者を構成する
に必要な各酸化物原料、例えばZnO,Co2o5.M
nO2,0r20.。
A320.、Bi2O5等を所望する組成となるよう配
合、混合、成形した後、焼成することにより得られてい
た。かかる焼結体は、一般的・に均質性が悪く、従って
、これらの粉砕粒子を用いて作製したZnOグレーズバ
リスタの非直線指数αやバリスタ電圧等のバリスタ特性
も著しく悪くなる。
合、混合、成形した後、焼成することにより得られてい
た。かかる焼結体は、一般的・に均質性が悪く、従って
、これらの粉砕粒子を用いて作製したZnOグレーズバ
リスタの非直線指数αやバリスタ電圧等のバリスタ特性
も著しく悪くなる。
この焼結体の不均質の原因の一つとして酸化物原料の粒
子径の不揃いによる混合時の均一性に問題があると考え
られる。例えば、ZnO,Cr2O5の平均粒子径は0
.1〜0.2μm 、Ga2O3+Ae2’5では0.
3〜1μmと比較的小さいのに対しMnO2では4μm
とかなり大きい。さらにBi2O,では6〜8μmの平
均粒子径からなる。
子径の不揃いによる混合時の均一性に問題があると考え
られる。例えば、ZnO,Cr2O5の平均粒子径は0
.1〜0.2μm 、Ga2O3+Ae2’5では0.
3〜1μmと比較的小さいのに対しMnO2では4μm
とかなり大きい。さらにBi2O,では6〜8μmの平
均粒子径からなる。
このように、粒子径が不揃いの各原料を、ボールミルな
どを用いて混合しても、均一な混合粉を得ることは極め
て難しい。
どを用いて混合しても、均一な混合粉を得ることは極め
て難しい。
また、従来法のように、構成に必要な全酸化物原料を混
合して、焼成すると、本来粒界層へ入った方が望ましい
添加成分もZnOの中に入りこみ、一方ZnOの中にだ
け入った方がよいような添加成分もBi2O3の中に入
り込むため、均一性が悪く、そのため特性が悪くなると
考えられる。また特性のバラツキも、添加物の分布のバ
ラツキが起因しているとも考えられる。
合して、焼成すると、本来粒界層へ入った方が望ましい
添加成分もZnOの中に入りこみ、一方ZnOの中にだ
け入った方がよいような添加成分もBi2O3の中に入
り込むため、均一性が悪く、そのため特性が悪くなると
考えられる。また特性のバラツキも、添加物の分布のバ
ラツキが起因しているとも考えられる。
本発明は、これらの問題点を解決するために、部分反応
法とスプレードライ法に着目した。部分反応法とは、あ
らかじめ、ZnO焼結体の主要構成成分であるZnO粒
成分成分界層成分を、あらかじめ、別々に配合、混合、
仮焼した後、両成分を混合、成形、焼成する方法である
。この方法では仮焼において最終反応生成物を作製して
いるため、成形後の焼成において新たな反応がおこるの
が避けられ、均質性が向上すると共に、低い温度での焼
結が可能となる。しかしながら、画成分層の仮焼粉砕粉
を混合する工程においてボールミルなどの方式を用いる
従来方法では、やはりこの工程で、混合粉の均質性に問
題が生じる。本発明ではこの問題点を解決するためにス
プレードライ法に着目した。すなわち、出発原料の粒子
径が比較的小さいZnO粒成分成分酸化物原料を用いて
従来と同様、仮焼、粉砕する。次に粒子径が非常に大き
いBi2O5等からなる粒界層成分は、硝酸塩等を用い
て、溶液にし、かかる溶液中に、前述のZnO粒成分成
分砕粉を混合、撹拌しながら、スプレードライする。こ
れによりZnO仮焼粉の周囲には、ビスマス粒界層成分
となる各原料粒子が、均一に付着することになり、これ
を成形、焼成したZnOバリスタは均一性にすぐれ、こ
の粉砕粉を用いたグレーズバリスタは、非直線性指数a
も大きく、またバリスタ電圧のバラツキも非常に低減す
ることが可能になる。
法とスプレードライ法に着目した。部分反応法とは、あ
らかじめ、ZnO焼結体の主要構成成分であるZnO粒
成分成分界層成分を、あらかじめ、別々に配合、混合、
仮焼した後、両成分を混合、成形、焼成する方法である
。この方法では仮焼において最終反応生成物を作製して
いるため、成形後の焼成において新たな反応がおこるの
が避けられ、均質性が向上すると共に、低い温度での焼
結が可能となる。しかしながら、画成分層の仮焼粉砕粉
を混合する工程においてボールミルなどの方式を用いる
従来方法では、やはりこの工程で、混合粉の均質性に問
題が生じる。本発明ではこの問題点を解決するためにス
プレードライ法に着目した。すなわち、出発原料の粒子
径が比較的小さいZnO粒成分成分酸化物原料を用いて
従来と同様、仮焼、粉砕する。次に粒子径が非常に大き
いBi2O5等からなる粒界層成分は、硝酸塩等を用い
て、溶液にし、かかる溶液中に、前述のZnO粒成分成
分砕粉を混合、撹拌しながら、スプレードライする。こ
れによりZnO仮焼粉の周囲には、ビスマス粒界層成分
となる各原料粒子が、均一に付着することになり、これ
を成形、焼成したZnOバリスタは均一性にすぐれ、こ
の粉砕粉を用いたグレーズバリスタは、非直線性指数a
も大きく、またバリスタ電圧のバラツキも非常に低減す
ることが可能になる。
実施例
以下本発明の実施例について詳細に説明する。
第1表に示す組成となるようZnOと各添加物を配合後
、ボールミルで混合した粉体を1000℃で1hr仮焼
した。かかる仮焼粉をライカイ機で粗粉砕後、アトライ
タを用いて微粉末とした。
、ボールミルで混合した粉体を1000℃で1hr仮焼
した。かかる仮焼粉をライカイ機で粗粉砕後、アトライ
タを用いて微粉末とした。
方、ビスマス粒界層成分となる各硝酸塩、すなわちBi
(No、) 5.Co(No、)3.Mn(No3)4
゜Zn(No、)2が熱分解後Bi□O,−Co20.
−MnO2−ZnOが60−60−15−l5−10%
の組成となるように、秤量後、水で溶解した。
(No、) 5.Co(No、)3.Mn(No3)4
゜Zn(No、)2が熱分解後Bi□O,−Co20.
−MnO2−ZnOが60−60−15−l5−10%
の組成となるように、秤量後、水で溶解した。
(以 下 余 白)
このようにして作製した硝酸塩溶液中に前述のZnOと
各添加物からなる仮焼微粉砕粉がZnO/Bi203=
99/1 (mol比)となるように仮焼粉末を投入し
た。次に、この粉体を含む水溶液を充分に撹拌しながら
、スプレードライ装置を用いて噴霧乾燥した。なおスプ
レードライ温度はsoo℃となるように設定した。この
スプレードライ粉を金型ガラスにより直径36 n 、
厚み1゜nの円板状の成形体を作製した。なおバインダ
ーはポリビニルアルコール(eswt%液)を粉体に対
しswt%添加し、加圧力は1000 Kg / dと
なるよう設定した。この成形体を1250℃で2hr焼
成した後、得られた焼結体を、ジェットミルを用いて微
粉砕後、分級機によゆ粉砕粒子の直径が2〜4μmとな
る粒子を取り出した。次にこの焼結体粉砕粒子100重
量部に対し、ホウケイ酸を主成分としたガラスフリット
を20重量部、エチルセルロースを主成分とする有機ビ
ヒクル76重量部を添加し、ツーパーマ−2を用いてグ
レーズバリスタペーストを作製後、第1図に示すような
ブレーナ型電極1,2間にスクリーン印刷によりペース
トを塗布後、480℃で1hr熱処理することにより、
ZnOグレーズバリスタを電極間に形成した。なお、電
極間隔は20μmである。次に本発明の製造方法による
ZnOグレーズバリスタと従来法により作製されたZn
Oグレーズバリスタの特性比較を行うために、ZnO。
各添加物からなる仮焼微粉砕粉がZnO/Bi203=
99/1 (mol比)となるように仮焼粉末を投入し
た。次に、この粉体を含む水溶液を充分に撹拌しながら
、スプレードライ装置を用いて噴霧乾燥した。なおスプ
レードライ温度はsoo℃となるように設定した。この
スプレードライ粉を金型ガラスにより直径36 n 、
厚み1゜nの円板状の成形体を作製した。なおバインダ
ーはポリビニルアルコール(eswt%液)を粉体に対
しswt%添加し、加圧力は1000 Kg / dと
なるよう設定した。この成形体を1250℃で2hr焼
成した後、得られた焼結体を、ジェットミルを用いて微
粉砕後、分級機によゆ粉砕粒子の直径が2〜4μmとな
る粒子を取り出した。次にこの焼結体粉砕粒子100重
量部に対し、ホウケイ酸を主成分としたガラスフリット
を20重量部、エチルセルロースを主成分とする有機ビ
ヒクル76重量部を添加し、ツーパーマ−2を用いてグ
レーズバリスタペーストを作製後、第1図に示すような
ブレーナ型電極1,2間にスクリーン印刷によりペース
トを塗布後、480℃で1hr熱処理することにより、
ZnOグレーズバリスタを電極間に形成した。なお、電
極間隔は20μmである。次に本発明の製造方法による
ZnOグレーズバリスタと従来法により作製されたZn
Oグレーズバリスタの特性比較を行うために、ZnO。
Bi O、Co O、MnO、Cr2O3゜ム12
03の各酸化物原料を前述の本発明のZnOグレーズバ
リスタ組成と全く同一となるよう配合した後、アトライ
タを用いて混合した。これを前述と同じバインダーを用
い、同一条件で加圧成形した後焼成した。かかる焼結体
を前述と同様ジェットミルで粉砕1分級した後前述と同
じ配合比で、焼結体粉砕粒子と、ガラスフリット有機ビ
ヒクルを混合後、スクリーン印刷法により、20μmの
電極間にZnOグレーズバリスタペーストを塗布後、熱
処理した。なお用いたガラスフリット、有機ビヒクルの
種類、電極間隔、あるいは熱処理条件等は全て同一であ
る。このようにして作製したZnOグレーズバリスタの
バリスタ特性を通常の方法に従がい測定し、α及びバリ
スタ電圧Vthを求めた。なお、Vthは、電流値が1
O−8(ム)時における電圧値、αは、そのときの電圧
非直線指数である。第2表にn=100のそれぞれの平
均バリスタ電圧(Vth)及び非直線性指数(α)を示
す。またバリスタ電圧のバラツキを調べるために、n=
100の各試料の平均値の±6チ以内に入らない試料数
を求めた。その結果も第2表に示す。
03の各酸化物原料を前述の本発明のZnOグレーズバ
リスタ組成と全く同一となるよう配合した後、アトライ
タを用いて混合した。これを前述と同じバインダーを用
い、同一条件で加圧成形した後焼成した。かかる焼結体
を前述と同様ジェットミルで粉砕1分級した後前述と同
じ配合比で、焼結体粉砕粒子と、ガラスフリット有機ビ
ヒクルを混合後、スクリーン印刷法により、20μmの
電極間にZnOグレーズバリスタペーストを塗布後、熱
処理した。なお用いたガラスフリット、有機ビヒクルの
種類、電極間隔、あるいは熱処理条件等は全て同一であ
る。このようにして作製したZnOグレーズバリスタの
バリスタ特性を通常の方法に従がい測定し、α及びバリ
スタ電圧Vthを求めた。なお、Vthは、電流値が1
O−8(ム)時における電圧値、αは、そのときの電圧
非直線指数である。第2表にn=100のそれぞれの平
均バリスタ電圧(Vth)及び非直線性指数(α)を示
す。またバリスタ電圧のバラツキを調べるために、n=
100の各試料の平均値の±6チ以内に入らない試料数
を求めた。その結果も第2表に示す。
(以 下 余 白)
第2表から明らかなように、本発明による製造法から作
製されたZnOグレーズバリスタは、従来法に比べ、非
直線性指数αが大きく、Vth は小さい。しかもV
th の特性バラツキは、従来法に比べ著しく小さいこ
とがわかる。
製されたZnOグレーズバリスタは、従来法に比べ、非
直線性指数αが大きく、Vth は小さい。しかもV
th の特性バラツキは、従来法に比べ著しく小さいこ
とがわかる。
発明の効果
以上述べたように、ZnOに少なくともコバルト、マン
ガン、クロム、アルミニウムのうち少なくとも一種以上
を固溶範囲内の量だけ添加、混合し、仮焼、粉砕した粒
子を、ビスマス、コバルト。
ガン、クロム、アルミニウムのうち少なくとも一種以上
を固溶範囲内の量だけ添加、混合し、仮焼、粉砕した粒
子を、ビスマス、コバルト。
マンガン、亜鉛の各イオンを含む溶液中に混合。
撹拌しながら、スプレードライした後、成形、焼成した
焼結体の微粉砕粉と、ガラス及び有機ビヒクルを配合す
ることにより作製されたZnOグレーズバリスタは、従
来法により作製されたZnOグレーズバリスタに比べ、
非直線性指数は犬きく、バリスタ電圧が小さい。しかも
、バリスタ電圧の特性バラツキが著しく良好であること
から、マトリックス駆動の液晶、KLなどの信頼性を要
する表示デバイスのスイッチング素子として利用が出来
るなど、その工業的価値は極めて犬なるものがある。
焼結体の微粉砕粉と、ガラス及び有機ビヒクルを配合す
ることにより作製されたZnOグレーズバリスタは、従
来法により作製されたZnOグレーズバリスタに比べ、
非直線性指数は犬きく、バリスタ電圧が小さい。しかも
、バリスタ電圧の特性バラツキが著しく良好であること
から、マトリックス駆動の液晶、KLなどの信頼性を要
する表示デバイスのスイッチング素子として利用が出来
るなど、その工業的価値は極めて犬なるものがある。
第1図はグレーズバリスタの構成を示した断面図である
。 1・・・・・・上部電極、2・・・・・・下部電極、3
・・・・・・バリスタ膜、4・・・・・・基板。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか1名斗−
一一五扱
。 1・・・・・・上部電極、2・・・・・・下部電極、3
・・・・・・バリスタ膜、4・・・・・・基板。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか1名斗−
一一五扱
Claims (1)
- ZnOに少なくともコバルト,マンガン,クロム,アル
ミニウムのうち一種以上をZnOの固溶範囲内の量だけ
添加,混合し、仮焼,粉砕した粒子を、ビスマス及びコ
バルト,マンガン,亜鉛の各イオンを含む溶液中に混合
,撹拌しながら、スプレードライした後、成形,焼成し
た焼結体の微粉砕粉と、ガラス及び有機ビヒクルを配合
することを特徴とするグレーズバリスタの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63268480A JPH02114603A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | グレーズバリスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63268480A JPH02114603A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | グレーズバリスタの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02114603A true JPH02114603A (ja) | 1990-04-26 |
Family
ID=17459079
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63268480A Pending JPH02114603A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | グレーズバリスタの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02114603A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007266478A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Tateyama Kagaku Kogyo Kk | 静電気保護素子とその製造方法 |
JP2008294325A (ja) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Tateyama Kagaku Kogyo Kk | 静電気保護素子とその製造方法 |
JP2008294324A (ja) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Tateyama Kagaku Kogyo Kk | 静電気保護素子とその製造方法 |
-
1988
- 1988-10-25 JP JP63268480A patent/JPH02114603A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007266478A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Tateyama Kagaku Kogyo Kk | 静電気保護素子とその製造方法 |
JP2008294325A (ja) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Tateyama Kagaku Kogyo Kk | 静電気保護素子とその製造方法 |
JP2008294324A (ja) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Tateyama Kagaku Kogyo Kk | 静電気保護素子とその製造方法 |
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