TWI404811B - 金屬氮氧化物薄膜結構之製作方法 - Google Patents

金屬氮氧化物薄膜結構之製作方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI404811B
TWI404811B TW099100915A TW99100915A TWI404811B TW I404811 B TWI404811 B TW I404811B TW 099100915 A TW099100915 A TW 099100915A TW 99100915 A TW99100915 A TW 99100915A TW I404811 B TWI404811 B TW I404811B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
oxynitride
film structure
titanium
zirconium
Prior art date
Application number
TW099100915A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201040302A (en
Inventor
Zih Sian Lu
Keng Shen Liu
Yang Wen Biing Ou
Chih Hung Wu
Original Assignee
Atomic Energy Council
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Atomic Energy Council filed Critical Atomic Energy Council
Priority to TW099100915A priority Critical patent/TWI404811B/zh
Publication of TW201040302A publication Critical patent/TW201040302A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI404811B publication Critical patent/TWI404811B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5846—Reactive treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C22/00—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C22/05—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions
    • C23C22/60—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions using alkaline aqueous solutions with pH greater than 8
    • C23C22/64—Treatment of refractory metals or alloys based thereon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/44—Compositions for etching metallic material from a metallic material substrate of different composition

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

金屬氮氧化物薄膜結構之製作方法
本發明係有關於一種氮氧化鈦、氮氧化鉭或氮氧化鋯(TiON、TaON、ZrON)薄膜結構，尤指涉及一種綠色環保無氯(Cl)產品，特別係適用於電子材料界，為採用製程設備簡單、相對低溫及成本低，可適合大量生產用之具有耐腐蝕性、導電性及裝飾功能者。
目前製程技術係將一基板放置於充滿氮氣(N2 )之環境下，亦或使用四氯化鈦(TiCl4 )及氨氣(NH3 )作為反應氣體，藉由化學氣相沉積法(CVD)及退火(Anneal)直接於該基板上鍍上(TiN)薄膜。然而，一般傳統技術在形成薄膜時，其係使用介於500℃~600℃之高沉積溫度，不僅有造成基材品質不穩而滲透雜質之可能，且高溫耗能對製程成本而言亦相對提高。故，一般習用者係無法符合使用者於實際使用時之所需。
本發明之主要目的係在於，克服習知技藝所遭遇之上述問題並提供一種涉及綠色環保無氯(Cl)產品，特別係適用於電子材料界，為採用製程設備簡單、相對低溫及成本低，可適合大量生產用之具有耐腐蝕性、導電性及裝飾功能者。
為達以上之目的，本發明係一種金屬氮氧化物薄膜結構之製作方法，係經由使用一混合有氨水(NH4 OH)、過氧化氫(H2 O2 )及水(H2 O)之溶液，以其體積比例範圍介於1：1：1 ~100蝕刻去除一基板表面之保護薄膜後，與下方之鈦、鉭或鋯薄膜產生反應所形成沉積在該基板表面上之結構體，其中該基板係施予蒸鍍法或濺鍍處理，據使該基板之表面形成有一鈦、鉭或鋯薄膜及一保護薄膜者。最後，經過退火製程，即獲得本發明新型完整退火處理之氮氧化鈦、氮氧化鉭或氮氧化鋯薄膜結構者。
請參閱『第1圖』所示，係本發明於一較佳實施例之結構剖面示意圖。如圖所示：本發明係一種金屬氮氧化物薄膜結構之製作方法，係經由使用一混合有氨水(NH4 OH)、過氧化氫(H2 O2 )及水(H2 O)之溶液，以其體積比例範圍介於1：1：1~100蝕刻去除一基板2表面之保護薄膜後，與下方之鈦、鉭或鋯薄膜產生反應並經退火(Anneal)處理所形成沉積在該基板2表面上之氮氧化鈦、氮氧化鉭或氮氧化鋯(TiON、TaON、ZrON)薄膜結構體。
上述基板2係施予電子槍蒸鍍法、熱蒸鍍法、濺鍍法、有電電鍍法或無電電鍍法處理，據使該基板2之表面形成有一鈦、鉭或鋯薄膜及一保護薄膜者，其中，該鈦、鉭或鋯薄膜之厚度範圍係介於1nm~5000nm之間者，而該保護薄膜係為銀薄膜，且厚度範圍係介於1nm~200nm之間者。
請參閱『第2圖』所示，係本發明於一較佳實施例之結構之製備流程示意圖。如圖所示：於一較佳實施例中，本發明係一種氮氧化鈦薄膜結構，係將上述可選自不銹鋼、陶瓷、塑膠、高分子或玻璃其中之一者之基板2置於一真空狀態中；接著先 行在該基板2上以熱蒸鍍法鍍上一層厚度範圍介於10nm~5000nm間之金屬鈦薄膜3後，再以相同操作條件於該鈦薄膜3上熱蒸鍍一用以防止該鈦薄膜3產生氧化反應之金屬銀薄膜4，於其中該銀薄膜4之厚度範圍係為65nm者；之後係使用一x(NH4 OH)+yH2 O2 +zH2 O溶液，以其中係數x：y：z之比例範圍為1：1：10之體積配比，對該銀薄膜4進行蝕刻，使該溶液於剝離該銀薄膜4後並與下方之鈦薄膜3產生反應而形成一氮氧化鈦薄膜；最後經過氮氣氛或氮氫氣氛或無氧真空下450℃以上退火(Anneal)製程，即獲得本發明新型完整退火處理之氮氧化鈦薄膜1結構者(如第1圖所示)。
請參閱『第3圖』所示，係本發明於另一較佳實施例之結構之製備流程示意圖。如圖所示：本發明係一種氮氧化鉭薄膜結構，於本實施例中，亦採用與上述相同選擇之基板2與銀薄膜4。首先，係將該基板2置於一真空狀態中；接著先行在該基板2上以熱蒸鍍法鍍上一層金屬鉭薄膜6後，再以相同操作條件於該鉭薄膜6上熱蒸鍍可用以防止該鉭薄膜6產生氧化反應之金屬銀薄膜4；之後使用一混合有氨水、過氧化氫及水之溶液，以其體積比例範圍介於1：1：1~100，對該銀薄膜4進行蝕刻，使該溶液於剝離該銀薄膜4後並與下方之鉭薄膜6產生反應而形成一氮氧化鉭薄膜5a；再者，本實施例亦可進一步將此氮氧化鉭薄膜5a於氮氣氛或氮氫氣氛或無氧真空下450℃以上退火製程。因此，本發明之氮氧化鉭薄膜係可視使用者需求選擇為無需經過退火處理而得之氮氧化鉭薄膜5a結構者，或經完整退火處理之氮氧化鉭薄膜5結構者。
請參閱『第4圖』所示，係本發明於再一較佳實施例之結 構之製備流程示意圖。如圖所示：本發明係一種氮氧化鋯薄膜結構，於本實施例中，亦採用與上述相同選擇之基板2與銀薄膜4。首先，係將該基板2置於一真空狀態中；接著先行在該基板2上以熱蒸鍍法鍍上一層金屬鋯薄膜8後，再以相同操作條件於該鋯薄膜8上熱蒸鍍可用以防止該鋯薄膜8產生氧化反應之金屬銀薄膜4；之後使用一混合有氨水、過氧化氫及水之溶液，以其體積比例範圍介於1：1：1~100，對該銀薄膜4進行蝕刻，使該溶液於剝離該銀薄膜4後並與下方之鋯薄膜8產生反應而形成一氮氧化鋯薄膜；最後經過氮氣氛或氮氫氣氛或無氧真空下450℃以上退火製程，即獲得本發明新型完整退火處理之氮氧化鋯薄膜7結構者。
請參閱『第5圖~第7圖』所示，係分別為本發明對氮氧化鈦薄膜進行定性及定量分析示意圖、本發明對氮氧化鉭薄膜進行定性及定量分析示意圖、及本發明對氮氧化鋯薄膜進行定性及定量分析示意圖。如圖所示：本發明亦將上述各實施例所得之氮氧化鈦、氮氧化鉭及氮氧化鋯經由X射線光電子能譜(XPS)進行定性及定量分析，由其分析結果可知，經本發明所得之氮氧化鈦薄膜確定鈦與氮及氧有鍵結(如第5圖所示)、氮氧化鉭薄膜確定鉭與氮及氧有鍵結(如第6圖所示)、以及氮氧化鋯薄膜確定鋯與氮及氧有鍵結(如第7圖所示)，因此與一般氮氧化鈦、氮氧化鉭及氮氧化鋯性質接近，具有耐腐蝕性、導電性及裝飾功能，相較於傳統技術，本發明不僅製程設備簡單、相對低溫及成本低，可適合大量生產用，同時生產過程環保無氯(Cl)，能因應國際綠色趨勢，適合應用於電子材料界。
綜上所述，本發明係一種金屬氮氧化物薄膜結構之製作方法，可有效改善習用之種種缺點，與一般氮氧化鈦、氮氧化鉭或氮氧化鋯性質接近，具有耐腐蝕性、導電性及裝飾功能，不僅製程設備簡單、相對低溫及成本低，可適合大量生產用，同時生產過程環保無氯，能因應國際綠色趨勢，適合應用於電子材料界，進而使本發明之產生能更進步、更實用、更符合使用者之所須，確已符合創作專利申請之要件，爰依法提出專利申請。
惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍；故，凡依本發明申請專利範圍及新型說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆應仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。
1‧‧‧氮氧化鈦薄膜
2‧‧‧基板
3‧‧‧鈦薄膜
4‧‧‧銀薄膜
5、5a‧‧‧氮氧化鉭薄膜
6‧‧‧鉭薄膜
7‧‧‧氮氧化鋯薄膜
8‧‧‧鋯薄膜
第1圖，係本發明於一較佳實施例之結構剖面示意圖。
第2圖，係本發明於一較佳實施例之結構之製備流程示意圖。
第3圖，係本發明於另一較佳實施例之結構之製備流程示意圖。
第4圖，係本發明於再一較佳實施例之結構之製備流程示意圖。
第5圖，係本發明對氮氧化鈦薄膜進行定性及定量分析示意圖。
第6圖，係本發明對氮氧化鉭薄膜進行定性及定量分析示意圖。
第7圖，係本發明對氮氧化鋯薄膜進行定性及定量分析示意圖。
1‧‧‧氮氧化鈦薄膜
2‧‧‧基板

Claims (9)

  1. 一種金屬氮氧化物薄膜結構之製作方法，其特徵在於經由使用混合氨水(NH4 OH)、過氧化氫(H2 O2 )及水(H2 O)之溶液，以其體積比例範圍介於1：1：1~100蝕刻所成之結構者，係包括：一氮氧化鈦、氮氧化鉭或氮氧化鋯(TiON、TaON、ZrON)薄膜，係經由上述溶液蝕刻去除一基板表面之銀薄膜後與下方之鈦、鉭或鋯薄膜產生反應並經退火(Anneal)處理所形成沉積在該基板表面上之結構體。
  2. 依申請專利範圍第1項所述之金屬氮氧化物薄膜結構之製作方法，其中，該基板係施予電子槍蒸鍍法、熱蒸鍍法、濺鍍法、有電電鍍法或無電電鍍法處理，據使該基板之表面形成該鈦、鉭或鋯薄膜及該銀薄膜者。
  3. 依申請專利範圍第1項所述之金屬氮氧化物薄膜結構之製作方法，其中，該溶液之配方體積比例範圍係為1：1：10。
  4. 依申請專利範圍第1項所述之金屬氮氧化物薄膜結構之製作方法，其中，該鈦、鉭或鋯薄膜之厚度範圍係介於1nm~5000nm之間者。
  5. 依申請專利範圍第1項所述之金屬氮氧化物薄膜結構之製作方法，其中，該銀薄膜之厚度範圍係介於1nm~200nm之間者。
  6. 依申請專利範圍第5項所述之金屬氮氧化物薄膜結構之製作方法，其中，該銀薄膜之厚度範圍係為65nm者。
  7. 依申請專利範圍第1項所述之金屬氮氧化物薄膜結構之製作方法，其中，該氮氧化鈦、氮氧化鉭或氮氧化鋯薄膜係需經 過氮氣氛或氮氫氣氛或無氧真空下450℃以上退火製程，以獲得完整退火處理之氮氧化鈦、氮氧化鉭或氮氧化鋯薄膜結構者。
  8. 依申請專利範圍第1項所述之金屬氮氧化物薄膜結構之製作方法，其中，該氮氧化鉭薄膜係可進一步無需經過退火處理即可形成氮氧化鉭薄膜結構者。
  9. 依申請專利範圍第1項所述之金屬氮氧化物薄膜結構之製作方法，其中，該基板係可選自不銹鋼、陶瓷、塑膠、高分子或玻璃其中之一者。
TW099100915A 2009-05-07 2010-01-14 金屬氮氧化物薄膜結構之製作方法 TWI404811B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW099100915A TWI404811B (zh) 2009-05-07 2010-01-14 金屬氮氧化物薄膜結構之製作方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW98115080 2009-05-07
TW099100915A TWI404811B (zh) 2009-05-07 2010-01-14 金屬氮氧化物薄膜結構之製作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201040302A TW201040302A (en) 2010-11-16
TWI404811B true TWI404811B (zh) 2013-08-11

Family

ID=43061877

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW099100915A TWI404811B (zh) 2009-05-07 2010-01-14 金屬氮氧化物薄膜結構之製作方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20100283179A1 (zh)
JP (1) JP5170788B2 (zh)
TW (1) TWI404811B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102534478A (zh) * 2010-12-14 2012-07-04 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 壳体及其制备方法
TW201338071A (zh) * 2012-03-06 2013-09-16 Axuntek Solar Energy 基板載具及其硒化製程系統
JP7233217B2 (ja) * 2018-12-28 2023-03-06 関東化学株式会社 酸化亜鉛および銀を有する積層膜の一括エッチング液組成物

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002009016A (ja) * 2000-02-22 2002-01-11 Applied Materials Inc 基板を処理するめの方法
TW200625545A (en) * 2004-12-16 2006-07-16 Nanya Technology Corp Method for fabricating a deep trench capacitor of DRAM
TW200721515A (en) * 2005-11-07 2007-06-01 Applied Materials Inc Photovoltaic contact and wiring formation

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3567508A (en) * 1968-10-31 1971-03-02 Gen Electric Low temperature-high vacuum contact formation process
DD146556B1 (de) * 1979-09-19 1982-09-29 Wilm Heinrich Hochverschleissfeste teile,insbesondere fuer misch-und mahlaggregate und verfahren zu ihrer herstellung
JPS56162820A (en) * 1980-05-20 1981-12-15 Kiyoshi Okazaki Vapor bank layered laminated ceramic capacitor and method of manufacturing same
JP2553574B2 (ja) * 1987-07-24 1996-11-13 エヌ・イーケムキャット株式会社 銀剥離液
JP2612884B2 (ja) * 1988-02-24 1997-05-21 三菱マテリアル株式会社 酸窒化チタン繊維とその製造法
JPH05182928A (ja) * 1991-06-28 1993-07-23 Sony Corp ＴｉＯＮ膜形成方法
JP3128556B2 (ja) * 1996-03-27 2001-01-29 株式会社住友シチックス尼崎 チタン発色方法
EP1416527A1 (de) * 2002-10-23 2004-05-06 ABB Schweiz AG Verfahren zur Herstellung eines Stufenprofils aus einer Schichtfolge
US20080083611A1 (en) * 2006-10-06 2008-04-10 Tegal Corporation High-adhesive backside metallization

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002009016A (ja) * 2000-02-22 2002-01-11 Applied Materials Inc 基板を処理するめの方法
TW200625545A (en) * 2004-12-16 2006-07-16 Nanya Technology Corp Method for fabricating a deep trench capacitor of DRAM
TW200721515A (en) * 2005-11-07 2007-06-01 Applied Materials Inc Photovoltaic contact and wiring formation

Also Published As

Publication number Publication date
US20100283179A1 (en) 2010-11-11
TW201040302A (en) 2010-11-16
JP5170788B2 (ja) 2013-03-27
JP2010261098A (ja) 2010-11-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI494452B (zh) 透明導電層及包含彼之透明電極
JP6169605B2 (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
TWI443207B (zh) 電子零件用積層配線膜及被覆層形成用濺鍍靶材
CN108137390A (zh) 用于转移石墨烯膜和包含石墨烯膜的基底的方法
TWI404811B (zh) 金屬氮氧化物薄膜結構之製作方法
Cabrero-Vilatela et al. Atomic layer deposited oxide films as protective interface layers for integrated graphene transfer
CN102934175A (zh) 氧化锌系透明导电膜及其制造方法和用途
KR100212906B1 (ko) 산화물박막의 제조방법 및 그것에 사용되는 화학증착장치
CN103928233A (zh) 具有稳定电极结构的薄膜电容器及其制备方法
TWI538270B (zh) 電晶體結構及其製作方法
Kondratiev et al. Low temperature sol-gel technique for processing Al-doped Zinc Oxide films
JP5224570B2 (ja) 絶縁膜形成方法および半導体装置の製造方法
TW569256B (en) Electrode materials with improved hydrogen degradation resistance and fabrication method
JP2014022549A (ja) 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
JP2005167291A5 (zh)
TWI576443B (zh) Copper alloy film, copper laminated film, wiring electrode, input device and touch panel sensor
CN101036230A (zh) 在形成硅化镍之前对硅进行的处理
JP2012189725A (ja) Ｔｉ合金バリアメタルを用いた配線膜および電極、並びにＴｉ合金スパッタリングターゲット
JP5496995B2 (ja) 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
US11976364B2 (en) Method for selectively manufacturing material layer and target pattern
TWI543262B (zh) 阻障層之製造方法與半導體元件及其製造方法
CN108807511A (zh) 一种聚苯二甲酸乙二酯衬底异质结构器件及其制备方法
TW410389B (en) Manufacture of semiconductor device
JP2010225469A (ja) 有機ｅｌ用透明陽極基板およびその製造方法
US11866336B2 (en) Method for producing reduced graphene oxide

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees