JPS6366419B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

この発明は、シリコン窒化膜等の耐酸化性絶縁
膜を用いた半導体装置の製造方法に関し、特にこ
のような絶縁膜の耐酸化性の程度をイオン注入に
より変化させる方法に関するものである。 従来、シリコン窒化膜を用いた半導体装置の製
造方法、特にシリコン基板による集積回路装置等
の製造方法においては、シリコン窒化膜はその耐
酸化性を利用した基板の部分的酸化、いわゆる選
択酸化の工程に用いられることが多かつた。 以下図に従つて従来例の説明を行なう。 第１図は従来の選択酸化の工程を示す図であ
り、図において、１はシリコン基板、２は該基板
１の主表面上に形成されたシリコン酸化膜、３は
該酸化膜２上に形成されたシリコン窒化膜、４は
該シリコン窒化膜３をパターンニングするための
レジストマスク、１２は選択酸化により形成され
たシリコン酸化膜である。 次に製造方法について説明する。 まず第１図ａに示すようにシリコン基板１上に
シリコン酸化膜２を形成し、その上にシリコン窒
化膜３を形成する。この第１図ａの構造に対し、
レジストマスク４を用いた写真製版技術等によ
り、シリコン窒化膜３の一部を除去し、第１図ｂ
の構造を得る。次にイオン注入法等により、上記
シリコン窒化膜３の除去された部分からシリコン
基板１に対し、ボロン等をイオン注入し、レジス
ト４を除去した後、該シリコン基板１を酸化性雰
囲気中で熱処理してシリコン酸化膜１２を形成す
る。 このようなシリコン窒化膜を用いた従来の選択
酸化法では、写真製版技術によるレジストをマス
クとして、不必要な部分のシリコン窒化膜を除去
した後に酸化性雰囲気中で熱処理を行つていた。 ところが、このような従来の方法には、シリコ
ン窒化膜のパターンニング除去工程が含まれてお
り、このためマスクであるレジストとシリコン窒
化膜との密着性の良し悪し、又パターンニング除
去に伴うサイドエツチング効果等により、レジス
トパターンが正確に形成されていても、最終的な
酸化膜のパターン寸法や形状について、精度と再
現性を十分得ることができなかつた。 この発明は、上記のような問題点を解決するた
めになされたもので、酸化膜形成のためのマスク
となる耐酸化性膜にイオン注入して酸化速度を変
化させ、その後熱処理を行つて、イオン注入した
領域に酸化膜を形成するようにすることにより、
酸化膜パターンの寸法や形状における精度と再現
性を向上することができる半導体装置の製造方法
に得ることを目的とする。 以下この発明の一実施例を図について説明す
る。 第２図は本発明の一実施例による半導体装置の
製造方法を工程順に示す断面図であり、図中第１
図と同一符号は同一のものを示し、２２はシリコ
ン窒化膜３の酸化膜化した部分である。 次に製造方法について説明する。 まず、第２図ａに示すように、シリコン半導体
基板１の主表面上にシリコン酸化膜２を形成し、
その上にシリコン窒化膜３を形成する。続いて写
真製版技術によりシリコン窒化膜３上に必要とす
るレジストパターン４を形成する。これを第２図
ｂに示す。 第２図ｂに示された半導体基板上のシリコン窒
化膜３に対し、たとえばリンを、イオン注入法に
より注入する。このときの注入条件としては、イ
オンがレジスト４を通過しない程度のエネルギー
であればいくらでもよく、また注入量及び注入角
度についても、用途・目的に応じて任意に設定し
てよい。また、上記リンのイオン注入前に、たと
えばボロン等の異種の不純物を基板側へ注入する
ようにしてもよい。 その後レジスト４を除去した後、酸化性雰囲気
中で熱処理すると、上記シリコン窒化膜３はリン
のイオン注入領域の耐酸化性が弱まつているため
この部分が酸化膜２２に変わる。 次に本発明を適用した実験例について説明す
る。 まず、第２図ａのシリコン半導体基板１として
Ｐ形〈111〉のシリコン基板を用い、この上に
1000Åの熱酸化膜２及び400Åのシリコン窒化膜
３を形成する。続いて、第２図ｂに示すように、
写真製版技術を用いてレジスト４により必要とす
るパターンを形成した後、シリコン半導体基板１
に対し、リンをイオン注入技術により注入した。
注入条件は、注入量を５×10¹⁵、１×10¹⁶、２×
10¹⁶atoms／cm²とし、いづれの場合も注入エネル
ギーについては、注入された不純物の最大濃度に
なる深さが、上記シリコン窒化膜３の膜厚のほぼ
中心になる様に選んだ。 次にシリコン半導体基板を1050℃のH₂／O₂雰
囲気中で約７時間熱酸化を行つた。この熱処理後
の断面構造は第２図ｃのようになつている。 レジストにより選択的にリンがイオン注入され
た領域２２の酸化膜厚の測定結果は下記に示すと
おりである。

【表】 また、リンがイオン注入されていない領域につ
いては、シリコン窒化膜３がまだ幾分残存してお
り、耐酸化性の変化のないことを示していた。 このような本実施例では、半導体基板主面上に
形成されたシリコン窒化膜に対して、選択的にリ
ンをイオン注入した後、半導体基板を酸化性雰囲
気中で熱処理するようにしたので、窒化膜の、イ
オン注入された部分のみを選択的に他の部分より
速く酸化膜に変えることができ、選択的な酸化膜
の形成が可能となる。またレジストパターンを、
窒化膜の選択エツチングのためではなく、選択的
なイオン注入のためのマスクとして用いているた
め、最終的に形成される絶縁膜のパターンや形状
に、従来法のようなレジストの密着性やサイドエ
ツチ等による精度あるいは再現性の低下が少なく
なる。 またシリコン窒化膜のイオン注入による耐酸化
性の度合いは、注入される不純物の注入量に依存
するから、第２図ｃに示されるシリコン基板上の
酸化膜２２の厚みも、酸化温度・時間及び注入量
によつて正確に制御できる。 なお、上記実施例では、シリコン基板主面上に
形成されたシリコン窒化膜に対する、リンの選択
的イオン注入について説明したが、基板は半導体
なら何でもよく、注入不純物の絶縁膜の耐酸化性
を変化させるものであれば、異種の不純物の組み
合わせでもよく、注入も条件等を変えて何回行つ
てもよい。また、絶縁膜もシリコン窒化膜に限ら
ず、シリコン、オキシナイトライド等でもよい。 さらに上記実施例では、耐酸化性絶縁膜に選択
的にイオン注入を行なう場合について示したが、
本発明は耐酸化性絶縁膜全面にイオン注入する場
合にも適用できる。 すなわち本発明の原理は半導体基板主表面上に
形成されたシリコン窒化膜等の耐酸化性絶縁膜に
対し、酸化雰囲気中での酸化速度をリン等のイオ
ン注入によつて加速させるもので、イオン注入量
あるいはイオン注入深さ（注入エネルギー）を変
えることで、酸化速度あるいは酸化厚さを正確に
制御できるものであり、従つて本発明は、上記実
施例以外の応用例として、シリコン窒化膜の表面
部分全面に熱酸化膜を形成する場合にも適用でき
る。この場合イオン注入の注入量、あるいは注入
エネルギーを変えることにより、基板表面部の任
意の深さまで酸化することができ、しかも酸化性
雰囲気中での熱処理をより低温かつ短時間で行な
うことができる効果がある。 以上のように本発明によれば、窒化膜形成のた
めのマスクとなる耐酸化性絶縁膜にイオン注入を
施して、その酸化速度を加速し、その後熱処理を
行つて、イオン注入した領域に酸化膜を形成する
ようにしたので、耐酸化性絶縁膜のパターンニン
グ工程をなくして、酸化膜パターンの寸法や形状
における精度及び再現性を向上することができ、
しかも酸化処理をより低温かつ短時間で行なうこ
とができる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来法によるシリコン窒化膜を用いた
シリコン基板の選択酸化法の一例を示す断面図、
第２図は本発明の一実施例による半導体装置の製
造方法を説明するための断面図である。 図において、１はシリコン基板、２はシリコン
酸化膜、３はシリコン窒化膜、４はレジスト、２
２はシリコン窒化膜の酸化膜化部分である。なお
図中同一符号は同一又は相当部分を示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 半導体基板主表面上に耐酸化性絶縁膜を形成
   する第１の工程と、 該耐酸化性絶縁膜に不純物をイオン注入する第
   ２の工程と、 上記半導体基板を酸素雰囲気中で熱処理する第
   ３の工程とを含むことを特徴とする半導体装置の
   製造方法。 ２ 上記半導体基板をシリコン、イオン注入する
   不純物をリン、上記耐酸化性絶縁膜をシリコン窒
   化膜としたことを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の半導体装置の製造方法。