JP2727347B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2727347B2 JP2727347B2 JP5025889A JP5025889A JP2727347B2 JP 2727347 B2 JP2727347 B2 JP 2727347B2 JP 5025889 A JP5025889 A JP 5025889A JP 5025889 A JP5025889 A JP 5025889A JP 2727347 B2 JP2727347 B2 JP 2727347B2
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- oxide film
- silicon oxide
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- thin film
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置の製造方法に関し、特にシリ
コン基板上の下地の酸化膜上に不純物を添加したシリコ
ン酸化膜を形成し、前記シリコン酸化膜の一部を選択的
に除去した後に、前記下地の酸化膜上に薄膜抵抗体を形
成する半導体装置の製造方法に関する。
コン基板上の下地の酸化膜上に不純物を添加したシリコ
ン酸化膜を形成し、前記シリコン酸化膜の一部を選択的
に除去した後に、前記下地の酸化膜上に薄膜抵抗体を形
成する半導体装置の製造方法に関する。
この発明は、シリコン基板上の下地の酸化膜上に不純
物を添加したシリコン酸化膜を形成し、選択的に除去す
る工程と、前記不純物を添加したシリコン酸化膜を選択
的に除去した後にリフローする工程と、前記不純物を添
加したシリコン酸化膜をリフローした後に前記下地の酸
化膜上に薄膜抵抗体を形成し、選択的に除去する工程か
ら成って、熱工程における前記薄膜抵抗体への前記不純
物を添加したシリコン酸化膜からの不純物の拡散を防止
するようにしたものである。
物を添加したシリコン酸化膜を形成し、選択的に除去す
る工程と、前記不純物を添加したシリコン酸化膜を選択
的に除去した後にリフローする工程と、前記不純物を添
加したシリコン酸化膜をリフローした後に前記下地の酸
化膜上に薄膜抵抗体を形成し、選択的に除去する工程か
ら成って、熱工程における前記薄膜抵抗体への前記不純
物を添加したシリコン酸化膜からの不純物の拡散を防止
するようにしたものである。
従来、第２図（ａ）〜（ｃ）に示すような半導体装置
の製造方法が知られていた。まず、シリコン基板１上に
下地の酸化膜２を形成後、下地の酸化膜２上に不純物を
添加したシリコン酸化膜３を形成し、次に不純物を添加
したシリコン酸化膜３上に薄膜抵抗体４を形成する（第
２図（ａ））。次に薄膜抵抗体４上に選択的に感光性樹
脂５を形成する（第２図（ｂ））。この感光性樹脂５を
マスクとして薄膜抵抗体４をエッチングした後感光性樹
脂５を除去する（第２図（ｃ））。
の製造方法が知られていた。まず、シリコン基板１上に
下地の酸化膜２を形成後、下地の酸化膜２上に不純物を
添加したシリコン酸化膜３を形成し、次に不純物を添加
したシリコン酸化膜３上に薄膜抵抗体４を形成する（第
２図（ａ））。次に薄膜抵抗体４上に選択的に感光性樹
脂５を形成する（第２図（ｂ））。この感光性樹脂５を
マスクとして薄膜抵抗体４をエッチングした後感光性樹
脂５を除去する（第２図（ｃ））。
しかし、従来の製造方法により得られる半導体装置
は、薄膜抵抗体４を形成した後の熱工程により、不純物
を添加したシリコン酸化膜３から不純物が拡散し、薄膜
抵抗体４の抵抗値が変化してしまうという欠点があっ
た。
は、薄膜抵抗体４を形成した後の熱工程により、不純物
を添加したシリコン酸化膜３から不純物が拡散し、薄膜
抵抗体４の抵抗値が変化してしまうという欠点があっ
た。
そこで、この発明は従来のこのような欠点を解決する
ため、薄膜抵抗体４形成後の熱工程によっても薄膜抵抗
体４の抵抗値が変化しない半導体装置の製造方法を得る
ことを目的としている。
ため、薄膜抵抗体４形成後の熱工程によっても薄膜抵抗
体４の抵抗値が変化しない半導体装置の製造方法を得る
ことを目的としている。
上記課題を解決するために、この発明は、下地の酸化
膜上に不純物を添加したシリコン酸化膜を形成し、選択
的に除去する工程と、不純物を添加したシリコン酸化膜
を選択的に除去した後にリフローする工程と、不純物を
添加したシリコン酸化膜をリフローした後に薄膜抵抗体
を形成し、選択的に除去する工程とを用いることによ
り、薄膜抵抗体形成後の熱工程においても不純物を添加
したシリコン酸化膜からの不純物の拡散を防ぎ、薄膜抵
抗体の抵抗値の変化を防止するようにした。
膜上に不純物を添加したシリコン酸化膜を形成し、選択
的に除去する工程と、不純物を添加したシリコン酸化膜
を選択的に除去した後にリフローする工程と、不純物を
添加したシリコン酸化膜をリフローした後に薄膜抵抗体
を形成し、選択的に除去する工程とを用いることによ
り、薄膜抵抗体形成後の熱工程においても不純物を添加
したシリコン酸化膜からの不純物の拡散を防ぎ、薄膜抵
抗体の抵抗値の変化を防止するようにした。
半導体装置の製造方法において、下地の酸化膜上に不
純物を添加したシリコン酸化膜を形成し、選択的に除去
する工程と、不純物を添加したシリコン酸化膜を選択的
に除去した後にリフローする工程と、不純物を添加した
シリコン酸化膜をリフローした後に薄膜抵抗体を形成
し、選択的に除去する工程とを用いることにより、薄膜
抵抗体形成後の熱工程においても、不純物を添加したシ
リコン酸化膜からの不純物の拡散を防ぎ、薄膜抵抗体の
抵抗値の変化を防止することができる。
純物を添加したシリコン酸化膜を形成し、選択的に除去
する工程と、不純物を添加したシリコン酸化膜を選択的
に除去した後にリフローする工程と、不純物を添加した
シリコン酸化膜をリフローした後に薄膜抵抗体を形成
し、選択的に除去する工程とを用いることにより、薄膜
抵抗体形成後の熱工程においても、不純物を添加したシ
リコン酸化膜からの不純物の拡散を防ぎ、薄膜抵抗体の
抵抗値の変化を防止することができる。
以下に、この発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。第１図（ａ）〜（ｆ）は、この発明にかかる半導体
装置の製造方法の工程順断面図である。まず、シリコン
基板１上に下地の酸化膜２を形成した後、下地の酸化膜
２上に不純物を添加したシリコン酸化膜３を形成し、次
に不純物を添加したシリコン酸化膜３上に選択的に感光
性樹脂５を形成する（第１図（ａ））。次にこの感光性
樹脂５をマスクとして不純物を添加したシリコン酸化膜
をエッチングする（第１図（ｂ））。感光性樹脂５を除
去した後、不純物を添加したシリコン酸化膜３をリフロ
ーし（第１図（ｃ））表面に薄膜抵抗体４を形成する
（第１図（ｄ））。次に薄膜抵抗体４上に選択的に感光
性樹脂６を形成し（第１図（ｅ））、この感光性樹脂６
をマスクとして薄膜抵抗体４をエッチングした後、感光
性樹脂６を除去する（第１図（ｆ））。
る。第１図（ａ）〜（ｆ）は、この発明にかかる半導体
装置の製造方法の工程順断面図である。まず、シリコン
基板１上に下地の酸化膜２を形成した後、下地の酸化膜
２上に不純物を添加したシリコン酸化膜３を形成し、次
に不純物を添加したシリコン酸化膜３上に選択的に感光
性樹脂５を形成する（第１図（ａ））。次にこの感光性
樹脂５をマスクとして不純物を添加したシリコン酸化膜
をエッチングする（第１図（ｂ））。感光性樹脂５を除
去した後、不純物を添加したシリコン酸化膜３をリフロ
ーし（第１図（ｃ））表面に薄膜抵抗体４を形成する
（第１図（ｄ））。次に薄膜抵抗体４上に選択的に感光
性樹脂６を形成し（第１図（ｅ））、この感光性樹脂６
をマスクとして薄膜抵抗体４をエッチングした後、感光
性樹脂６を除去する（第１図（ｆ））。
この発明は、以上説明したように、薄膜抵抗体下面の
不純物を添加したシリコン酸化膜を除去し、薄膜抵抗体
を下地の酸化膜上に形成するという製造方法をとること
により、薄膜抵抗体形成後の熱工程においても不純物を
添加したシリコン酸化膜からの不純物の拡散を防ぎ、薄
膜抵抗体の抵抗値の変化を防止する効果がある。
不純物を添加したシリコン酸化膜を除去し、薄膜抵抗体
を下地の酸化膜上に形成するという製造方法をとること
により、薄膜抵抗体形成後の熱工程においても不純物を
添加したシリコン酸化膜からの不純物の拡散を防ぎ、薄
膜抵抗体の抵抗値の変化を防止する効果がある。
第１図（ａ）〜（ｆ）は、この発明にかかる半導体装置
の製造方法の工程順断面図、第２図（ａ）〜（ｃ）は従
来の半導体装置の製造方法の工程順断面図である。 １……シリコン基板 ２……下地の酸化膜 ３……不純物を添加したシリコン酸化膜 ４……薄膜抵抗体 5,6……感光性樹脂
の製造方法の工程順断面図、第２図（ａ）〜（ｃ）は従
来の半導体装置の製造方法の工程順断面図である。 １……シリコン基板 ２……下地の酸化膜 ３……不純物を添加したシリコン酸化膜 ４……薄膜抵抗体 5,6……感光性樹脂
Claims (1)
- 【請求項１】シリコン基板上の下地の酸化膜上に不純物
を添加したシリコン酸化膜を形成し、選択的に除去する
工程と、 前記不純物を添加したシリコン酸化膜を選択的に除去し
た後にリフローする工程と、前記不純物を添加したシリ
コン酸化膜をリフローした後に前記下地の酸化膜上に薄
膜抵抗体を形成し、選択的に除去する工程とを有するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5025889A JP2727347B2 (ja) | 1989-03-01 | 1989-03-01 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5025889A JP2727347B2 (ja) | 1989-03-01 | 1989-03-01 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02229463A JPH02229463A (ja) | 1990-09-12 |
| JP2727347B2 true JP2727347B2 (ja) | 1998-03-11 |
Family
ID=12853955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5025889A Expired - Lifetime JP2727347B2 (ja) | 1989-03-01 | 1989-03-01 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2727347B2 (ja) |
-
1989
- 1989-03-01 JP JP5025889A patent/JP2727347B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02229463A (ja) | 1990-09-12 |
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Legal Events
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