JPS5946057A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS5946057A JPS5946057A JP15641882A JP15641882A JPS5946057A JP S5946057 A JPS5946057 A JP S5946057A JP 15641882 A JP15641882 A JP 15641882A JP 15641882 A JP15641882 A JP 15641882A JP S5946057 A JPS5946057 A JP S5946057A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特にその抵抗
体の製造方法に関するものである。
体の製造方法に関するものである。
半導体装置において、小さな面積内に高い層抵抗を有す
る抵抗体として、不純物を含まない、ないしは微量しか
含まない多結晶シリコンにより形成された抵抗体が用い
られている。
る抵抗体として、不純物を含まない、ないしは微量しか
含まない多結晶シリコンにより形成された抵抗体が用い
られている。
従来のこの種の抵抗体の製造方法は、最初に多結晶シリ
コンを写真食刻工程（以降ＰＲ工稈と呼ぶ）により配線
部分と抵抗体部分を同時に形成し、次に抵抗体と成る部
分の上に不純物の添加に対するマスクをＰｎ工稈により
設け、その後不純物の添加を行ない、配線部分の多結晶
シリコンには不純物を高温度に添加し、マスクがある部
分の下の多結晶シリコンには不純物が添加されずに高い
抵抗値を有する抵抗体となるものである。
コンを写真食刻工程（以降ＰＲ工稈と呼ぶ）により配線
部分と抵抗体部分を同時に形成し、次に抵抗体と成る部
分の上に不純物の添加に対するマスクをＰｎ工稈により
設け、その後不純物の添加を行ない、配線部分の多結晶
シリコンには不純物を高温度に添加し、マスクがある部
分の下の多結晶シリコンには不純物が添加されずに高い
抵抗値を有する抵抗体となるものである。
この従来技術によると、拡散工程などＫよる熱処理によ
り、配線部分の多結晶シリコン中の不純物が、抵抗部分
の多結晶シリコン中に拡散し、抵抗部分となる不純物濃
度の低い多結晶シリコンの部分の長さが減少し、その抵
抗値がさがってしまうという欠点があった。との事は、
抵抗値の大きな抵抗を多結晶シリコンで作ろうとした時
に、抵抗体の長さに熱処理による抵抗長の減少分を加え
なければならなく半導体装置の面積を小さくするととの
妨げになっていた。
り、配線部分の多結晶シリコン中の不純物が、抵抗部分
の多結晶シリコン中に拡散し、抵抗部分となる不純物濃
度の低い多結晶シリコンの部分の長さが減少し、その抵
抗値がさがってしまうという欠点があった。との事は、
抵抗値の大きな抵抗を多結晶シリコンで作ろうとした時
に、抵抗体の長さに熱処理による抵抗長の減少分を加え
なければならなく半導体装置の面積を小さくするととの
妨げになっていた。
本発明は、多結晶シリコンよりなる抵抗体を右する半導
体装置において、抵抗体の所要面積を減らし、集積度を
高めることを目的とするものである。
体装置において、抵抗体の所要面積を減らし、集積度を
高めることを目的とするものである。
本発明の半導体装置の製造方法は、絶縁膜を介して半導
体基板上に、−・導電型の不純物を含む多結晶シリコン
のパターンを形成する工程と、前記多結晶シリコンの一
部に、逆導電型の不純物を導入する工程を含むことを特
徴とするものである。
体基板上に、−・導電型の不純物を含む多結晶シリコン
のパターンを形成する工程と、前記多結晶シリコンの一
部に、逆導電型の不純物を導入する工程を含むことを特
徴とするものである。
本発明によれば、−導電型の不純物を含んだ多結晶シリ
コンに１逆導電型の不純物を導入して抵抗部分を形成す
るだめに、熱処理により抵抗部分の長さが短くなってし
捷うことがなく、第１を抗部分の長さに熱処理による減
少分を増加させる必要がないために、半導体装置の面積
を減少さセることかできる。
コンに１逆導電型の不純物を導入して抵抗部分を形成す
るだめに、熱処理により抵抗部分の長さが短くなってし
捷うことがなく、第１を抗部分の長さに熱処理による減
少分を増加させる必要がないために、半導体装置の面積
を減少さセることかできる。
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
まず、第１図に示すように、シリコン基板１にフィール
ド絶縁膜２を形成し、その上に多結晶シリコン３を化学
気相成長法により全面に被着する。
ド絶縁膜２を形成し、その上に多結晶シリコン３を化学
気相成長法により全面に被着する。
その後前記多結晶シリコンに一導電型の不純物、たとえ
ばリンを配線部分の多結晶シリコンの所望の層抵抗とな
るよう全面に導入する。この場合、多結晶シリコンを化
学気相成長する時に、ソースガスに不純物を添加して、
多結晶シリコンを被着してもよい。
ばリンを配線部分の多結晶シリコンの所望の層抵抗とな
るよう全面に導入する。この場合、多結晶シリコンを化
学気相成長する時に、ソースガスに不純物を添加して、
多結晶シリコンを被着してもよい。
その後、第２図に示すように、多結晶シリコンを写真食
刻工程によりパターン化し、配線部分４と抵抗体となる
べき部分を含む配線５を形成する。
刻工程によりパターン化し、配線部分４と抵抗体となる
べき部分を含む配線５を形成する。
次に、第３図に示すように、ノ１トレジスト６を被着し
、その後パターニングし、抵抗体となる部分の上のフォ
トレジストを取りのぞく。その後前記フォトレジストを
マスクとして、逆導電型の不純物、たとえばガリウムを
イオン注入で多結晶シリコン中に導入する。この時、逆
導電型の不純物の導入酸を変えることにより、抵抗部分
の抵抗値を変えることができる。
、その後パターニングし、抵抗体となる部分の上のフォ
トレジストを取りのぞく。その後前記フォトレジストを
マスクとして、逆導電型の不純物、たとえばガリウムを
イオン注入で多結晶シリコン中に導入する。この時、逆
導電型の不純物の導入酸を変えることにより、抵抗部分
の抵抗値を変えることができる。
その後、第４図に示すように、フォトレジストを除去す
ると、Ｒで示しだ部分の多結晶シリコンが抵抗部分とな
り、他の部分の多結晶シリコンは配線となる。
ると、Ｒで示しだ部分の多結晶シリコンが抵抗部分とな
り、他の部分の多結晶シリコンは配線となる。
上記実施例では、−導電型の不純物をリン、逆導電型の
不純物をガリウムとしたが、条件を満たす不純物ならた
んでもよい。
不純物をガリウムとしたが、条件を満たす不純物ならた
んでもよい。
又、多結晶シリコンの下の部分をフィールド絶縁膜とし
たが、絶縁１１％があれば、その下に素子や配線があっ
ても本発明の効果は影響をうけない。
たが、絶縁１１％があれば、その下に素子や配線があっ
ても本発明の効果は影響をうけない。
又、絶縁基板上に形成した多結晶シリコンに対しても本
発明の効果は同一である。
発明の効果は同一である。
又、多結晶シリコンをパターン化した後に、逆導電型の
不純物を導入したが、抵抗部分に逆導電型の不純物を導
入した後に多結晶シリコンをパターン化してもよい。
不純物を導入したが、抵抗部分に逆導電型の不純物を導
入した後に多結晶シリコンをパターン化してもよい。
以上のように、本発明では多結晶シリコン全体に一導電
型の不純物を導入し、抵抗部分となる多結晶シリコン中
に逆導電型の不純物を導入して、抵抗部分の層抵抗を、
他の部分の層抵抗よシ高くすることにより、抵抗を製造
することができる。
型の不純物を導入し、抵抗部分となる多結晶シリコン中
に逆導電型の不純物を導入して、抵抗部分の層抵抗を、
他の部分の層抵抗よシ高くすることにより、抵抗を製造
することができる。
この製造方法によれば熱処理により配線部分の多結晶シ
リコン中の不純物が抵抗部分の多結晶シリコン中に拡散
し抵抗部分の長さが短かくなるということがなく、抵抗
部分の長さに熱処理による減少分を増加させる必要がな
いという利点があり、半導体装置の抵抗体の所要面積を
減少させることができる。
リコン中の不純物が抵抗部分の多結晶シリコン中に拡散
し抵抗部分の長さが短かくなるということがなく、抵抗
部分の長さに熱処理による減少分を増加させる必要がな
いという利点があり、半導体装置の抵抗体の所要面積を
減少させることができる。
第１図〜第４図は本発明の実施例を税１明するだめの工
程順断面図である。 なお図において、■・・・・・基板、２・・・・・フィ
ールド絶縁膜、３・・・・・・多結晶シリコン膜、４・
・・・・配、陣多結晶シリコン膜、５・・・・・・抵抗
部分を含む多結晶シリコン膜、６・・・・・・フォトレ
ジスト、である。 代理人 弁理士 内 原 （１、華 ／ 図 第２図 茅 ３ 図 葉４ 図
程順断面図である。 なお図において、■・・・・・基板、２・・・・・フィ
ールド絶縁膜、３・・・・・・多結晶シリコン膜、４・
・・・・配、陣多結晶シリコン膜、５・・・・・・抵抗
部分を含む多結晶シリコン膜、６・・・・・・フォトレ
ジスト、である。 代理人 弁理士 内 原 （１、華 ／ 図 第２図 茅 ３ 図 葉４ 図
Claims (1)
- 絶縁膜を介して半導体基板上に一導電型の不純物を含む
多結晶シリコン層を形成し、前記多結晶シリコン層の一
部に逆導電型の不純物を導入するととにより、前記多結
晶シリコン層よりなる抵抗体の抵抗値を制御することを
特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15641882A JPS5946057A (ja) | 1982-09-08 | 1982-09-08 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15641882A JPS5946057A (ja) | 1982-09-08 | 1982-09-08 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5946057A true JPS5946057A (ja) | 1984-03-15 |
Family
ID=15627317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15641882A Pending JPS5946057A (ja) | 1982-09-08 | 1982-09-08 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5946057A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60262453A (ja) * | 1984-05-30 | 1985-12-25 | ソーン、イーエムアイ、ノース、アメリカ、インコーポレーテッド | ポリシリコン中に抵抗を作る方法および半導体素子 |
| JPS61160961A (ja) * | 1985-01-08 | 1986-07-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02202052A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-10 | Nec Corp | ポリシリコン抵抗素子の製造方法 |
-
1982
- 1982-09-08 JP JP15641882A patent/JPS5946057A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60262453A (ja) * | 1984-05-30 | 1985-12-25 | ソーン、イーエムアイ、ノース、アメリカ、インコーポレーテッド | ポリシリコン中に抵抗を作る方法および半導体素子 |
| JPS61160961A (ja) * | 1985-01-08 | 1986-07-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02202052A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-10 | Nec Corp | ポリシリコン抵抗素子の製造方法 |
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