JPS6350106A - 高周波半導体装置 - Google Patents
高周波半導体装置Info
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- JPS6350106A JPS6350106A JP61193233A JP19323386A JPS6350106A JP S6350106 A JPS6350106 A JP S6350106A JP 61193233 A JP61193233 A JP 61193233A JP 19323386 A JP19323386 A JP 19323386A JP S6350106 A JPS6350106 A JP S6350106A
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- Pending
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 13
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 241001441723 Takifugu Species 0.000 description 1
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48092—Helix
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1203—Rectifying Diode
- H01L2924/12032—Schottky diode
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、化合物半導体基板上にトランジスタとインピ
ーダンス変換回路が一体形成された高周波半導体装置に
関する。
ーダンス変換回路が一体形成された高周波半導体装置に
関する。
従来の技術
化合物半導体（特にＧａＡｓ）ではチップ上にトランジ
スターとマイクロ・ストリップ線路を用いたインピーダ
ンス変換回路を一体形成して高周波（特に５Ｇ）ｈ以上
）における損失を防ぎ利得を確保する手法が一般に行な
われている。マイクロ・ストリップ線路をインピーダン
ス変換回路として用いる場合には、変換回路として容量
性が必要な場合にはオーブン・スタブを、又誘導性が必
要な場合にはショート・スタブを、位相回転が必要な場
合には所定の長さのマイクロ・ストリップ線路を付加す
ることにより所定のインピーダンスとなるように設計す
る。トランジスタの入出力のインピーダンスは一般に６
０Ωよりかなり小さく、従って６ｏΩの信号源もしくは
負荷に直接トランジスタを接続した場合大きな損失が発
生するが、マイクロ・ストリップ線路を用いたインピー
ダンス変換回路をトランジスタの入出力に付加すること
で、損失を大幅に低減できる。
スターとマイクロ・ストリップ線路を用いたインピーダ
ンス変換回路を一体形成して高周波（特に５Ｇ）ｈ以上
）における損失を防ぎ利得を確保する手法が一般に行な
われている。マイクロ・ストリップ線路をインピーダン
ス変換回路として用いる場合には、変換回路として容量
性が必要な場合にはオーブン・スタブを、又誘導性が必
要な場合にはショート・スタブを、位相回転が必要な場
合には所定の長さのマイクロ・ストリップ線路を付加す
ることにより所定のインピーダンスとなるように設計す
る。トランジスタの入出力のインピーダンスは一般に６
０Ωよりかなり小さく、従って６ｏΩの信号源もしくは
負荷に直接トランジスタを接続した場合大きな損失が発
生するが、マイクロ・ストリップ線路を用いたインピー
ダンス変換回路をトランジスタの入出力に付加すること
で、損失を大幅に低減できる。
化合物半導体基板上に、この様にトランジスタとマイク
ロ・ストリップ線路を用いたインピーダンス変換回路を
一体形成した場合においては、前述した様なマイクロ・
ストリップ線路のオーブン・スタブ、ショートΦスタブ
等を組み合わせて変換回路を構成するが、高周波のイン
ピーダンス変換回路は必ずしも設計通りの入出力インピ
ーダンスにならず、マイクロ・ストリップ線路のパター
ン上の補正を必要としていた。このマイクロ・ストリッ
プ線路のパターンの補正は、１チツプづつマイクロ・ス
トリップ線路のパターンを切断したり、ボンディング・
ワイヤーを用いて接続したりしなければならず、高周波
半導体装置の製造上の大きな障害となっていた。
ロ・ストリップ線路を用いたインピーダンス変換回路を
一体形成した場合においては、前述した様なマイクロ・
ストリップ線路のオーブン・スタブ、ショートΦスタブ
等を組み合わせて変換回路を構成するが、高周波のイン
ピーダンス変換回路は必ずしも設計通りの入出力インピ
ーダンスにならず、マイクロ・ストリップ線路のパター
ン上の補正を必要としていた。このマイクロ・ストリッ
プ線路のパターンの補正は、１チツプづつマイクロ・ス
トリップ線路のパターンを切断したり、ボンディング・
ワイヤーを用いて接続したりしなければならず、高周波
半導体装置の製造上の大きな障害となっていた。
第３図は、従来の半絶縁性ＧａＡｓ基板上にＦＥＴとマ
イクロ・ストリップ線路が一体形成された高周波半導体
装置である。第２図において半絶縁性ＧａＡｓ基板１の
主面上にはＦＥＴと入力側整合回路及び出力側整合回路
が一体形成され１チツプが構成されている。第３図のＦ
ＥＴ領域のＳ、Ｇ。
イクロ・ストリップ線路が一体形成された高周波半導体
装置である。第２図において半絶縁性ＧａＡｓ基板１の
主面上にはＦＥＴと入力側整合回路及び出力側整合回路
が一体形成され１チツプが構成されている。第３図のＦ
ＥＴ領域のＳ、Ｇ。
Ｄはそれぞれンース、ゲート、ドレインを示す。
入力側マイクロ・ストリップ線路２には整合用回路とし
てマイクロ・ストリップ線路を用いた入力側オーブン・
スタブ２０が両側に付加され、インピーダンス変換回路
が形成される。同様に、出力側マイクロ・ストリップ線
路３にも同じく出力側オーブン・スタブ２２が付加され
ＦＥＴの出力インピーダンスが他の値に変換される。し
かしながらこの様にして形成された高周波半導体装置の
入出力インピーダンスは必ずしも設計通りの値にならず
、マイクロ・ストリップ線路のパターン上の補正を行な
い高周波の特性を所定の値に合わせることになる。第３
図において、Ａ−Ａ’線はレーザー等を用いて入力側オ
ーブン・スタブの一部をカットしたものである。パター
ンの補正の方法としては、他に補正パターン２４をボン
ディングワイヤー２３を用いて、出力側オーブン・スタ
ブ２２と接続する方法もある。以上説明したように、マ
イクロ・ストリップ線路のカット及び接続を行なうこと
によυ高周波の特性を目標値に合わせるのが、従来の高
周波半導体装置であった。
てマイクロ・ストリップ線路を用いた入力側オーブン・
スタブ２０が両側に付加され、インピーダンス変換回路
が形成される。同様に、出力側マイクロ・ストリップ線
路３にも同じく出力側オーブン・スタブ２２が付加され
ＦＥＴの出力インピーダンスが他の値に変換される。し
かしながらこの様にして形成された高周波半導体装置の
入出力インピーダンスは必ずしも設計通りの値にならず
、マイクロ・ストリップ線路のパターン上の補正を行な
い高周波の特性を所定の値に合わせることになる。第３
図において、Ａ−Ａ’線はレーザー等を用いて入力側オ
ーブン・スタブの一部をカットしたものである。パター
ンの補正の方法としては、他に補正パターン２４をボン
ディングワイヤー２３を用いて、出力側オーブン・スタ
ブ２２と接続する方法もある。以上説明したように、マ
イクロ・ストリップ線路のカット及び接続を行なうこと
によυ高周波の特性を目標値に合わせるのが、従来の高
周波半導体装置であった。
発明が解決しようとする問題点
第３図に示した従来の高周波半導体装置においては、高
周波のインピーダンス変換回路が設計通り機能しなかっ
た場合、マイクロ・ストリップ線路の補正の方法として
、レーザー光などを用いたパターンのカットもしくはボ
ンディングワイヤーを用いたパターンの接続を行なって
おり、パターンの調整に多くの時間が必要なだけでなく
、補正する時にＦＥＴ等の他の回路部分を破損するなど
大きな問題が生じていた。
周波のインピーダンス変換回路が設計通り機能しなかっ
た場合、マイクロ・ストリップ線路の補正の方法として
、レーザー光などを用いたパターンのカットもしくはボ
ンディングワイヤーを用いたパターンの接続を行なって
おり、パターンの調整に多くの時間が必要なだけでなく
、補正する時にＦＥＴ等の他の回路部分を破損するなど
大きな問題が生じていた。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたもので、レーｆ−
光を用いたパターンのカット等を行なうことなく、高周
波のインピーダンス変換回路を補正することができる優
れた高周波半導体装置を提供することを目的としている
。
光を用いたパターンのカット等を行なうことなく、高周
波のインピーダンス変換回路を補正することができる優
れた高周波半導体装置を提供することを目的としている
。
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点を解決する為、ＦＥＴとマイクロ・
ストリップ線路を用いたインピーダンス変換回路を化合
物半導体基板の主面上に一体形成した高周波半導体装置
において、インピーダンス変換回路としてダイオードの
第１電極をマイクロ・ストリップ線路に接続し、ダイオ
ードの第２電極を積層キャパシターを介してグランドに
接続すると共に、ダイオードの第２電極に直流電圧を印
加する。
ストリップ線路を用いたインピーダンス変換回路を化合
物半導体基板の主面上に一体形成した高周波半導体装置
において、インピーダンス変換回路としてダイオードの
第１電極をマイクロ・ストリップ線路に接続し、ダイオ
ードの第２電極を積層キャパシターを介してグランドに
接続すると共に、ダイオードの第２電極に直流電圧を印
加する。
作 用
本発明は、上記した構成によりダイオードに逆方向の直
流電圧を印加し、ダイオードの接合の空乏層幅をコント
ロールすることで、等価的にマイクロ・ストリップ線路
に接続される容量値を最適化するものである。従って、
レーザー光やボンディングワイヤーを用いる必要がなく
、インピーダンス変換回路の補正を直流電圧の電圧値で
外部より簡単に行なうことができる。
流電圧を印加し、ダイオードの接合の空乏層幅をコント
ロールすることで、等価的にマイクロ・ストリップ線路
に接続される容量値を最適化するものである。従って、
レーザー光やボンディングワイヤーを用いる必要がなく
、インピーダンス変換回路の補正を直流電圧の電圧値で
外部より簡単に行なうことができる。
実施例
第１図は、本発明の高周波半導体装置の一実施例を示す
平面図である。第１図において、半絶縁性Ｇ ａ Ａ
ｓ基板１上には、入力側整合回路、ＦＥＴ領域、出力部
が一体形成されている。入力側マイクロ・ストリップ線
路２は、コンタクト窓４を介して拡散により形成したウ
ェル５に接続される。
平面図である。第１図において、半絶縁性Ｇ ａ Ａ
ｓ基板１上には、入力側整合回路、ＦＥＴ領域、出力部
が一体形成されている。入力側マイクロ・ストリップ線
路２は、コンタクト窓４を介して拡散により形成したウ
ェル５に接続される。
ダイオードの第２電甑６は、ウェル６との間でシれると
共に、積層キャパシターの第１メタルに接続される。積
層キャパシターは、第１メタル９と絶縁膜８と第２７タ
ル１ｏから構成され、直流電流をカットする働きをする
。第２メタル１０は、ボンデ−ｆフグワイヤー１１を用
いてグランドに接続され高周波的に接地される。直流電
圧印加電極７には、ボンディングワイヤー１１を介して
直流電圧端子１２に接続され、電圧を印加する。
共に、積層キャパシターの第１メタルに接続される。積
層キャパシターは、第１メタル９と絶縁膜８と第２７タ
ル１ｏから構成され、直流電流をカットする働きをする
。第２メタル１０は、ボンデ−ｆフグワイヤー１１を用
いてグランドに接続され高周波的に接地される。直流電
圧印加電極７には、ボンディングワイヤー１１を介して
直流電圧端子１２に接続され、電圧を印加する。
以上説明したように、本発明によれば直流電圧端子１２
よりダイオードに逆方向電圧を加えることができるので
ダイオードの空乏層幅を可変でき、等測的に容量値を変
えることができる。ダイオードは、入力側マイクロ・ス
トリップ線路２に並列に接続されており、インピーダン
ス変換回路の補正をダイオードに加える逆方向電圧によ
り等価的に行なうことができる。
よりダイオードに逆方向電圧を加えることができるので
ダイオードの空乏層幅を可変でき、等測的に容量値を変
えることができる。ダイオードは、入力側マイクロ・ス
トリップ線路２に並列に接続されており、インピーダン
ス変換回路の補正をダイオードに加える逆方向電圧によ
り等価的に行なうことができる。
第２図は、本発明の高周波半導体装置の一実施例の等価
回路である。第２図に示したように、ＦＥＴ１３の入力
及び出力には入力側マイクロ・ストリップ線路２及び出
力側マイクロ・ストリップ線路３が付加される。入力側
マイクロφストリップ線路にはダイオード１８が逆方向
に接続されると共に、ダイオードの第２電極は積層キャ
パシター１７を介してグランドに接続されるダイオード
の逆方向の直流電圧は直流電圧端子１２より印加される
。
回路である。第２図に示したように、ＦＥＴ１３の入力
及び出力には入力側マイクロ・ストリップ線路２及び出
力側マイクロ・ストリップ線路３が付加される。入力側
マイクロφストリップ線路にはダイオード１８が逆方向
に接続されると共に、ダイオードの第２電極は積層キャ
パシター１７を介してグランドに接続されるダイオード
の逆方向の直流電圧は直流電圧端子１２より印加される
。
以上説明したように、本発明によればマイクロ・ストリ
ップ線路を用いたインピーダンス変換回路の補正は、外
部から印加するダイオードの逆方向電圧によって行なう
ことができ、これはチップをパッケージ等に組み立てた
後も、パンケージにこの電圧印加端子が設けてあれば、
自由に調整することが可能である。又、本発明によれば
、レーザー光を用いたり、ボンディングワイヤーで機械
的にスイクロ・ストリップ線路を切断及び接続する必要
がないので、補正の時間を大幅に短縮できると共にチッ
プ内の他の回路が補正中に破損することもない。
ップ線路を用いたインピーダンス変換回路の補正は、外
部から印加するダイオードの逆方向電圧によって行なう
ことができ、これはチップをパッケージ等に組み立てた
後も、パンケージにこの電圧印加端子が設けてあれば、
自由に調整することが可能である。又、本発明によれば
、レーザー光を用いたり、ボンディングワイヤーで機械
的にスイクロ・ストリップ線路を切断及び接続する必要
がないので、補正の時間を大幅に短縮できると共にチッ
プ内の他の回路が補正中に破損することもない。
発明の効果
以上述べてきたように本発明により次の効果がもたらさ
れる。
れる。
（１）ダイオードに印加する逆方向直流電圧により接合
の空乏層容量を変化させ、インピーダンス変換回路の補
正を行なうことができるので、補正にかかる時間を大幅
に短縮することができると共に、補正の自動化も可能と
なる。
の空乏層容量を変化させ、インピーダンス変換回路の補
正を行なうことができるので、補正にかかる時間を大幅
に短縮することができると共に、補正の自動化も可能と
なる。
俊）補正が連続的に行なうことができ微調整が可能でし
かも可逆的に補正を行なうことができる。
かも可逆的に補正を行なうことができる。
（３）機械的な補正方法に比べ、他の回路要素を破損す
ることが少ない。
ることが少ない。
第１図は本発明の高周波半導体装置の実施例を示す平面
図、第２図は本発明の高周波半導体装置の実施例の等価
回路図、第３図は従来の高周波半導体装置を示す平面図
である。 １・・・・・・半絶縁性Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２・・・
・・・入力側マイクロ・スト・リップ線路、３・・・・
・・出力側マイクロ・ストリップ線路、６・・・・・・
ウェル、６・・・・・・ダイオードの第２電極、７・・
・・・・直流電圧印加電極、８・・・・・・絶縁膜、９
・・・・・・第１メタル、１０・・・・・・第２メタル
、１２・・・・・・直流電圧端子、１６・・・・・・ダ
イオード、１７・・・・・・積層キャパシター。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 卿岨 第２図 ＠ ３ 図
図、第２図は本発明の高周波半導体装置の実施例の等価
回路図、第３図は従来の高周波半導体装置を示す平面図
である。 １・・・・・・半絶縁性Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２・・・
・・・入力側マイクロ・スト・リップ線路、３・・・・
・・出力側マイクロ・ストリップ線路、６・・・・・・
ウェル、６・・・・・・ダイオードの第２電極、７・・
・・・・直流電圧印加電極、８・・・・・・絶縁膜、９
・・・・・・第１メタル、１０・・・・・・第２メタル
、１２・・・・・・直流電圧端子、１６・・・・・・ダ
イオード、１７・・・・・・積層キャパシター。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 卿岨 第２図 ＠ ３ 図
Claims (2)
- （１）化合物半導体基板上にトランジスタとマイクロ・
ストリップ線路を用いたインピーダンス変換回路が一体
化された構成において、ダイオードの第１電極がマイク
ロ・ストリップ線路に接続されると共に、前記ダイオー
ドの第２電極が前記化合物半導体基板上に形成された金
属−絶縁膜−金属からなる積層キャパシターを介してグ
ランドに接続されていることを特徴とする高周波半導体
装置。 - （２）ダイオードの第２電極より直流電圧印加電極を引
き出していることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の高周波半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61193233A JPS6350106A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 高周波半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61193233A JPS6350106A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 高周波半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6350106A true JPS6350106A (ja) | 1988-03-03 |
Family
ID=16304539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61193233A Pending JPS6350106A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 高周波半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6350106A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03142060A (ja) * | 1989-10-27 | 1991-06-17 | Taira Yokozawa | 鋳物製造時、鋳物の冷却材のコンクリート状粘結物を分離するに当り、極超短波照射処理と±イオン湯に浸漬処理とを行い、後、之を微細振動叩解作動を行って、この粘結コンクリート物を微細、迅速に分離する方法 |
| JPH0890146A (ja) * | 1994-06-09 | 1996-04-09 | Masaru Nemoto | 合成樹脂製中子を用いた鋳造方法および合成樹脂製中子 |
| US5778963A (en) * | 1996-08-30 | 1998-07-14 | United Technologies Corporation | Method of core leach |
-
1986
- 1986-08-19 JP JP61193233A patent/JPS6350106A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03142060A (ja) * | 1989-10-27 | 1991-06-17 | Taira Yokozawa | 鋳物製造時、鋳物の冷却材のコンクリート状粘結物を分離するに当り、極超短波照射処理と±イオン湯に浸漬処理とを行い、後、之を微細振動叩解作動を行って、この粘結コンクリート物を微細、迅速に分離する方法 |
| JPH0890146A (ja) * | 1994-06-09 | 1996-04-09 | Masaru Nemoto | 合成樹脂製中子を用いた鋳造方法および合成樹脂製中子 |
| US5778963A (en) * | 1996-08-30 | 1998-07-14 | United Technologies Corporation | Method of core leach |
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