JPS63291857A - 超伝導体 - Google Patents
超伝導体Info
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- JPS63291857A JPS63291857A JP63107748A JP10774888A JPS63291857A JP S63291857 A JPS63291857 A JP S63291857A JP 63107748 A JP63107748 A JP 63107748A JP 10774888 A JP10774888 A JP 10774888A JP S63291857 A JPS63291857 A JP S63291857A
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- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims description 66
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 74
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 72
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 70
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 18
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 8
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 7
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 claims 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 26
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- -1 (Ba Chemical class 0.000 description 2
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000005493 condensed matter Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N Butyraldehyde Chemical compound CCCC=O ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 239000001293 FEMA 3089 Substances 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- IQONKZQQCCPWMS-UHFFFAOYSA-N barium lanthanum Chemical compound [Ba].[La] IQONKZQQCCPWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARLFUQRPUZQCIV-UHFFFAOYSA-N barium;bismuth;oxolead Chemical class [Ba].[Bi].[Pb]=O ARLFUQRPUZQCIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 238000009388 chemical precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- 239000000834 fixative Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003966 growth inhibitor Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005098 hot rolling Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007885 magnetic separation Methods 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910000108 silver(I,III) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007569 slipcasting Methods 0.000 description 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 239000003017 thermal stabilizer Substances 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
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-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/20—Permanent superconducting devices
- H10N60/203—Permanent superconducting devices comprising high-Tc ceramic materials
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
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- H10N60/0352—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers from a suspension or slurry, e.g. screen printing or doctor blade casting
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- H10N60/85—Superconducting active materials
- H10N60/855—Ceramic superconductors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の背景)
[産業上の利用分野]
本発明は酸化物のような超伝導物質を含む物質に関する
。
。
[従来技術の説明コ
1911年の超伝導性の発見から今日まで、よく知られ
ている超伝導体物質は本質的には金属元素(例えば、最
初に知られる超伝導体Hg)あるいは金属合金、中間金
属化合物(例えばN b a G e−おそら< 19
86年以前に知られる最も高い転移温度TCを有する物
質)であった。
ている超伝導体物質は本質的には金属元素(例えば、最
初に知られる超伝導体Hg)あるいは金属合金、中間金
属化合物(例えばN b a G e−おそら< 19
86年以前に知られる最も高い転移温度TCを有する物
質)であった。
最近、超伝導性が新しい物質即ち金属酸化物に発見され
た。例えば1984年のフィジカ(Phys 1ea)
のi 12B巻、第275頁のビー・バラトロラグCB
。
た。例えば1984年のフィジカ(Phys 1ea)
のi 12B巻、第275頁のビー・バラトロラグCB
。
Batlogg )の文献を参照、これはバリウム・鉛
ビスマス酸化物の超伝導性を調べている。または198
B年のゼーシュ中エフ・フィツク・ビーのコンデンスト
マッター(Zeitschr、F、Physlk B−
Condensed Matter)第64巻第189
頁のジエー拳ジーφベドノルツ(J、G、Bednor
z)とケー伊ニー・ミューラ−(K、A、Mul 1e
r)の文献を参照、これはランタンバリウム鋼酸化物の
超伝導性を報告している。
ビスマス酸化物の超伝導性を調べている。または198
B年のゼーシュ中エフ・フィツク・ビーのコンデンスト
マッター(Zeitschr、F、Physlk B−
Condensed Matter)第64巻第189
頁のジエー拳ジーφベドノルツ(J、G、Bednor
z)とケー伊ニー・ミューラ−(K、A、Mul 1e
r)の文献を参照、これはランタンバリウム鋼酸化物の
超伝導性を報告している。
特に後者の報告は世界的な研究活動を活気づけ、急速に
、重要な進展をもたらした。中でもこの進展はY−Ba
−Cu−0系混合物が液体窒素の沸点である77に以上
の超伝導転移温度Tcを持ちうるという発見をもたらし
た(1987年3月2日のフィジカル・レビュー・レタ
ーズ(Phys、Rev、Letters)第58巻第
908頁のエム争ケー争つ−−(M、K。
、重要な進展をもたらした。中でもこの進展はY−Ba
−Cu−0系混合物が液体窒素の沸点である77に以上
の超伝導転移温度Tcを持ちうるという発見をもたらし
た(1987年3月2日のフィジカル・レビュー・レタ
ーズ(Phys、Rev、Letters)第58巻第
908頁のエム争ケー争つ−−(M、K。
wu)らの文献および第911頁のビーφエチ・ホー(
P、H,Hor)の文献を参照)。さらに、この進展は
観測された高温超伝導性に対する物質相の確認および実
質的に単相物質で90に以上のTcを持ちつる材料のバ
ルクサンプルの形成技術と構成の発見をもたらした(例
えば、R,J、Cava他のPh5ical Revi
ew Letters第58(1B)巻167B(13
79ページ参照) 超伝導における最近の進歩によって
引き起こされた科学技術界の興奮は、部分的には高価な
液体ヘリウムの冷却を必要としない温度において、超伝
導性を有する物質の潜在的な莫大な技術影響によるもの
である。液体窒素は一般に非常に便利な低温冷却剤であ
ると考えられている。
P、H,Hor)の文献を参照)。さらに、この進展は
観測された高温超伝導性に対する物質相の確認および実
質的に単相物質で90に以上のTcを持ちつる材料のバ
ルクサンプルの形成技術と構成の発見をもたらした(例
えば、R,J、Cava他のPh5ical Revi
ew Letters第58(1B)巻167B(13
79ページ参照) 超伝導における最近の進歩によって
引き起こされた科学技術界の興奮は、部分的には高価な
液体ヘリウムの冷却を必要としない温度において、超伝
導性を有する物質の潜在的な莫大な技術影響によるもの
である。液体窒素は一般に非常に便利な低温冷却剤であ
ると考えられている。
従って液体窒素温度での超伝導性の達成は長い間、はと
んど到達できなかった長年探索したゴールであった。
んど到達できなかった長年探索したゴールであった。
現在このゴールは到達されたが、新しい酸化物高Tc超
伝導物質が多くの技術応用に利用される前に、少なくと
も1つ克服されなければならない障害が存在する。特に
、酸化物超伝導体は比較的脆く、機械的に弱く、また通
常状態において、電気的熱的伝導性が低い。かくして、
機械的、電気的、熱的に、改善された特性を有する酸化
物超伝導体が望まれている。
伝導物質が多くの技術応用に利用される前に、少なくと
も1つ克服されなければならない障害が存在する。特に
、酸化物超伝導体は比較的脆く、機械的に弱く、また通
常状態において、電気的熱的伝導性が低い。かくして、
機械的、電気的、熱的に、改善された特性を有する酸化
物超伝導体が望まれている。
1987年3月16日にイーーエムΦジョージφ (E
、M。
、M。
Gyorgy)とデーφダブリュウ・ジョンソン拳ジュ
ニア(D、ソ、Johnson Jr、)によって提出
されたアメリカ特許出願番号第025,913号の“セ
ラミック超伝導体を構成する装置およびその製造方法″
は1つの比較的小さい次元を有するセラミック超伝導体
を作る技術を明らかにしている。このような繊維状およ
びシーツ状超伝導体は細ロッド、フィラメント、テープ
およびシーツを含む。
ニア(D、ソ、Johnson Jr、)によって提出
されたアメリカ特許出願番号第025,913号の“セ
ラミック超伝導体を構成する装置およびその製造方法″
は1つの比較的小さい次元を有するセラミック超伝導体
を作る技術を明らかにしている。このような繊維状およ
びシーツ状超伝導体は細ロッド、フィラメント、テープ
およびシーツを含む。
また、米国特許出願節034.117号には、ワイヤ又
はテープのような形状をした細長体の通常金属クラッド
の酸化物超伝導体を製造する方法が開示されている。こ
の細長体の通常金属クラッドの酸化物超伝導体の製造方
法は、酸化物粉末を包囲するクラッド材料からなる中間
体を形成し、この中間体の断面を縮小し、酸化物が超伝
導特性を示すような条件で熱処理をする工程からなる。
はテープのような形状をした細長体の通常金属クラッド
の酸化物超伝導体を製造する方法が開示されている。こ
の細長体の通常金属クラッドの酸化物超伝導体の製造方
法は、酸化物粉末を包囲するクラッド材料からなる中間
体を形成し、この中間体の断面を縮小し、酸化物が超伝
導特性を示すような条件で熱処理をする工程からなる。
一般的に、この技術は、熱処理の間、酸化物が悪影響を
受けず、この酸化物は適当な結晶構造を有し、熱処理さ
れた酸化物の酸素含有量は、この酸化物が超伝導性を示
すような範囲内にあるようにする。 超伝導体の可能性
ある応用の概観については、例えば1977年ブレナム
φブレス(PlenumPress)出版のビー・ビー
◆シュワルツ(B、B、Schwartz)とニス番フ
オネル(S、Foner)の編集の“超伝導の応用:5
QUIDSと機械”および1981年ブレナム苧ブレス
出版のニス・フオネルとビー・ビー・シュワルツ編集の
“超伝導材料科学、冶金学、製造および応用”を参照。
受けず、この酸化物は適当な結晶構造を有し、熱処理さ
れた酸化物の酸素含有量は、この酸化物が超伝導性を示
すような範囲内にあるようにする。 超伝導体の可能性
ある応用の概観については、例えば1977年ブレナム
φブレス(PlenumPress)出版のビー・ビー
◆シュワルツ(B、B、Schwartz)とニス番フ
オネル(S、Foner)の編集の“超伝導の応用:5
QUIDSと機械”および1981年ブレナム苧ブレス
出版のニス・フオネルとビー・ビー・シュワルツ編集の
“超伝導材料科学、冶金学、製造および応用”を参照。
それらの応用は電力伝送線、回転機械および、核融合発
電、MHD発電、粒子加速器、磁気浮上列車、磁気分離
やエネルギー貯蔵等のための超伝導磁石などである。こ
れまでは実用および可能な応用は前の(非酸化物)超伝
導体に関して考えられた。もし高TC超伝導ワイヤがこ
れまでの比較的低Tcのワイヤの代わりに利用できれば
、上述した超伝導の応用は大いに有利であると期待され
ている。
電、MHD発電、粒子加速器、磁気浮上列車、磁気分離
やエネルギー貯蔵等のための超伝導磁石などである。こ
れまでは実用および可能な応用は前の(非酸化物)超伝
導体に関して考えられた。もし高TC超伝導ワイヤがこ
れまでの比較的低Tcのワイヤの代わりに利用できれば
、上述した超伝導の応用は大いに有利であると期待され
ている。
超伝導体を流れる電流が大きな磁界と相互作用する場合
は、この超伝導体は大きなローレント力を受ける。この
様な場合は強度又は靭性のような機械的特性を改良した
超伝導体を使用するのが有利である。
は、この超伝導体は大きなローレント力を受ける。この
様な場合は強度又は靭性のような機械的特性を改良した
超伝導体を使用するのが有利である。
更に、通常状態電気的、熱的特性を改良することは超伝
導性が部分的に失われた場合、発熱を最少に押さえ、ま
た発生した熱を早急に、消失せしめるのに有効である。
導性が部分的に失われた場合、発熱を最少に押さえ、ま
た発生した熱を早急に、消失せしめるのに有効である。
定義: (Ba、Y)銅酸塩(または銅酸化物 CU
prate以下銅酸塩と称する)系とは公称構成りa
M X CuOを有2−X l−Y
X+Y 3 9−6し、ここで
Mは7%EuとLaからなるグループより選択され、X
は原子番号57から71までの元素、Sc、CaとSr
からなるグループ(BaqY−。
prate以下銅酸塩と称する)系とは公称構成りa
M X CuOを有2−X l−Y
X+Y 3 9−6し、ここで
Mは7%EuとLaからなるグループより選択され、X
は原子番号57から71までの元素、Sc、CaとSr
からなるグループ(BaqY−。
EuとLaを含まず)により選択され、0≦X+Y≦1
(BaとMは少なくとも50%は置換されない)、 1
.5<δ<2.5である。
(BaとMは少なくとも50%は置換されない)、 1
.5<δ<2.5である。
また、更に好ましい(Ba、Y)銅酸塩の具体例は、0
≦X≦0.2.0≦y<o、tで、またXはCas S
r、 L uとScの一種あるいは数種である。
≦X≦0.2.0≦y<o、tで、またXはCas S
r、 L uとScの一種あるいは数種である。
(L a、 B a)銅酸塩(または同酸化物(Cup
rate))系とは公称構成La2−x Mx 04−
gを有し、ここでMは(Ba、SrとCaのような)2
価の金属の一種あるいは数種で、X≧0.05.0≦ε
≦0.5である。
rate))系とは公称構成La2−x Mx 04−
gを有し、ここでMは(Ba、SrとCaのような)2
価の金属の一種あるいは数種で、X≧0.05.0≦ε
≦0.5である。
「金属含有」超伝導材料とは、多成分超伝導材料であっ
て、超伝導化学化合物(例えば、(B a。
て、超伝導化学化合物(例えば、(B a。
Y)銅酸塩(cuprate) )と、金属成分(例え
ば、金属元素、合金、金属混合物)とを含む。典型的に
は、この金属成分は超伝導材料の中に、分散している。
ば、金属元素、合金、金属混合物)とを含む。典型的に
は、この金属成分は超伝導材料の中に、分散している。
この金属成分は必ずしも均質に分散いている必要はない
が、例えば、好ましい方向性を有していてもよい(例え
ば、金属繊維が実質的に相互に平行であるとか)。
が、例えば、好ましい方向性を有していてもよい(例え
ば、金属繊維が実質的に相互に平行であるとか)。
「金属含有しない」超伝導材料とは、超伝導化合物(例
えば、(Ba、Y)銅酸塩(cuprate) *よう
な金属酸化物を含む)を含み、上に定義したを金属成分
を含まない超伝導材料である。
えば、(Ba、Y)銅酸塩(cuprate) *よう
な金属酸化物を含む)を含み、上に定義したを金属成分
を含まない超伝導材料である。
「通常」金属とは技術的に意味のある温度、例えば、2
に以上で超伝導性を示さない金属である。
に以上で超伝導性を示さない金属である。
(実施例の説明)
熱処理前に、超伝導材料(典型的には酸化物)に適当な
金属を熱処理前に添加すること、および、この物体を適
当に熱処理することにより、超伝導材料の種々特性(強
度や靭性などの機械的特性、通常状態の導電性などの電
気的特性、通常状態の熱伝導性などの熱的特性)が改善
されることが発見された。本発明による超伝導材料は添
加金属がない以外は同一の他の材料よりも、標準の3点
曲げ試験で測定して、少なくとも10%以上、好ましく
は50%以上のひび割れ強度あるいは靭性強度を有し、
通常状態の導電性が改善される。
金属を熱処理前に添加すること、および、この物体を適
当に熱処理することにより、超伝導材料の種々特性(強
度や靭性などの機械的特性、通常状態の導電性などの電
気的特性、通常状態の熱伝導性などの熱的特性)が改善
されることが発見された。本発明による超伝導材料は添
加金属がない以外は同一の他の材料よりも、標準の3点
曲げ試験で測定して、少なくとも10%以上、好ましく
は50%以上のひび割れ強度あるいは靭性強度を有し、
通常状態の導電性が改善される。
多くの場合、超伝導材料は酸化粉末であるが、本発明は
必ずしもこれには限定されない。例えば、本発明は、超
伝導酸物フィルム(厚薄を問わず)、あるいは、スパッ
タ、蒸発、化学沈澱、プラズマ蒸着などにより形成され
た層でも実施できる。更に、本発明は他の(非酸化物)
超伝導化学化合物(もし、存在すればだが)でも実施で
きると期待されている。しかし、説明のため、酸化物超
伝導を引用するが、本発明はこれに限定されるものでは
ない。
必ずしもこれには限定されない。例えば、本発明は、超
伝導酸物フィルム(厚薄を問わず)、あるいは、スパッ
タ、蒸発、化学沈澱、プラズマ蒸着などにより形成され
た層でも実施できる。更に、本発明は他の(非酸化物)
超伝導化学化合物(もし、存在すればだが)でも実施で
きると期待されている。しかし、説明のため、酸化物超
伝導を引用するが、本発明はこれに限定されるものでは
ない。
金属が適当な方法で、超伝導材料に添加される。
それは例えば、金属粉末、分解可能な金属含有化合物の
混合、金属含有スラリあるいは、溶液の添加、共スパッ
タ、共蒸着、イオン注入である。
混合、金属含有スラリあるいは、溶液の添加、共スパッ
タ、共蒸着、イオン注入である。
超伝導材料に添加される金属は比較的延性にとむ金属元
素あるいは、酸化物の超伝導性に馴染む(即ち金属が存
在することによって、材料の超伝導性に悪影響を及ぼさ
ない)合金が好ましい。
素あるいは、酸化物の超伝導性に馴染む(即ち金属が存
在することによって、材料の超伝導性に悪影響を及ぼさ
ない)合金が好ましい。
しかし、ある条件下ではこれらの特性に及ぼす影響は許
容できる。例えば、比較的高い転移温度Tc (Tc>
>77K)を持つ超伝導材料に、低いTcあるいは、転
移をひろげてしまう金属を添加しても、特に、超伝導材
料が77に以上で十分に、超伝導性を有すれば、商業的
には許容できる。
容できる。例えば、比較的高い転移温度Tc (Tc>
>77K)を持つ超伝導材料に、低いTcあるいは、転
移をひろげてしまう金属を添加しても、特に、超伝導材
料が77に以上で十分に、超伝導性を有すれば、商業的
には許容できる。
AgとAuは(Ba、T)銅酸塩、(L a、 B
a)銅酸塩などの酸化物超伝導体とは馴染みやすく、ま
た、Ag(Agで被覆した金属粒子を含む)は、高Tc
超伝導材料の特性改善添加物として、広い用途を有する
と期待されている。
a)銅酸塩などの酸化物超伝導体とは馴染みやすく、ま
た、Ag(Agで被覆した金属粒子を含む)は、高Tc
超伝導材料の特性改善添加物として、広い用途を有する
と期待されている。
本発明の好ましい実施例は(Ba、T)銅酸塩粉末と一
緒に、Ag粉末を用いる。本発明においては、少なくと
も40重量%までのAgの添加は、転移温度にはほとん
ど悪影響を及ぼさない、このことは第1図の抵抗と温度
との関係を表わすカーブかられかる。同様に、これらの
Ag/酸化物の磁気感受性は純粋の超伝導酸化物に比較
しても変わらない。(Agの存在による体積希釈効果を
考慮にいれた場合) 前述したように、本発明の金属含有超伝導体は高い転移
温度を有するのが一般的に望ましいが、対応する純粋な
化合物はど、鋭い転移を示す必要はない。超伝導酸化物
粉末(あるいは他の高Tc化合物と一緒に)EAgとA
u以外の多くの金属(例えば、Cu、Fe、Pt、Zn
、Sn、Ni。
緒に、Ag粉末を用いる。本発明においては、少なくと
も40重量%までのAgの添加は、転移温度にはほとん
ど悪影響を及ぼさない、このことは第1図の抵抗と温度
との関係を表わすカーブかられかる。同様に、これらの
Ag/酸化物の磁気感受性は純粋の超伝導酸化物に比較
しても変わらない。(Agの存在による体積希釈効果を
考慮にいれた場合) 前述したように、本発明の金属含有超伝導体は高い転移
温度を有するのが一般的に望ましいが、対応する純粋な
化合物はど、鋭い転移を示す必要はない。超伝導酸化物
粉末(あるいは他の高Tc化合物と一緒に)EAgとA
u以外の多くの金属(例えば、Cu、Fe、Pt、Zn
、Sn、Ni。
Co、 Ti、 Al、 Mo、 Cr、 Nb、 Z
r)を添加することは機械強度の改善、この混合物から
生成される超伝導体の他の特性の改善になり、そして、
超伝導特性の低下は商業的に容認できる。
r)を添加することは機械強度の改善、この混合物から
生成される超伝導体の他の特性の改善になり、そして、
超伝導特性の低下は商業的に容認できる。
本発明の超伝導体は熱処理後、50−99体積%(好ま
しくは50−95%)の超伝導化学化合物と、1−50
体積%(好ましくは5−55%)の金属または合金であ
る。しかし、ある場合では、本発明の超伝導体の超伝導
材料の量は50%以下でもよい。このある場合とは、例
えば、超伝導材料が繊維、ファイバまたは網状に存在す
る場合である。熱処理前に、本発明の金属含有超伝導材
料はしば有機結合剤のような構成物を更に含有してもよ
い。熱処理後の酸化物は単相材料が好ましいのであるが
、本発明は単相材料にはならない酸化構成物で実施され
る。
しくは50−95%)の超伝導化学化合物と、1−50
体積%(好ましくは5−55%)の金属または合金であ
る。しかし、ある場合では、本発明の超伝導体の超伝導
材料の量は50%以下でもよい。このある場合とは、例
えば、超伝導材料が繊維、ファイバまたは網状に存在す
る場合である。熱処理前に、本発明の金属含有超伝導材
料はしば有機結合剤のような構成物を更に含有してもよ
い。熱処理後の酸化物は単相材料が好ましいのであるが
、本発明は単相材料にはならない酸化構成物で実施され
る。
金属は直接、適当な大きさの酸化物粉末に添加される。
しかし、これは必要条件ではない、そしである場合には
、金属/酸化物混合物を粉砕するのが望ましい。さらに
、金属は粉末の形態である必要はなく、他の適当な形態
でもよく、例えば、断片、フィラメント、織った糸、単
層あるいは多層、平面状あるいは球、繊維でもよい。長
方体では繊維はその長さ方向にほとんど方向づけられて
いる。金属粒子の平均の大きさは酸化物粉末の粒子のそ
れより小さいのが望ましく、そしてその大きさは例えば
、0.01−10μmで、一方繊維は長方体にする前に
、その大きさく例えば、直径または、幅)が1−100
μmである。
、金属/酸化物混合物を粉砕するのが望ましい。さらに
、金属は粉末の形態である必要はなく、他の適当な形態
でもよく、例えば、断片、フィラメント、織った糸、単
層あるいは多層、平面状あるいは球、繊維でもよい。長
方体では繊維はその長さ方向にほとんど方向づけられて
いる。金属粒子の平均の大きさは酸化物粉末の粒子のそ
れより小さいのが望ましく、そしてその大きさは例えば
、0.01−10μmで、一方繊維は長方体にする前に
、その大きさく例えば、直径または、幅)が1−100
μmである。
実施例において、酸化物と金属はよく混合され、その混
合物から適当な方法で超伝導体が形成される。適当な方
法とは例えば、冷間圧延、熱間圧延、引き抜き、テープ
鋳造、スリップ鋳造、スクリーン印刷などである。この
混合物は例えば、プリフォームとして、通常金属クラッ
ドのワイヤ、テープへの引き抜きあるいは他の適当なプ
ロセスにより、固体を形成する準備として用いられる。
合物から適当な方法で超伝導体が形成される。適当な方
法とは例えば、冷間圧延、熱間圧延、引き抜き、テープ
鋳造、スリップ鋳造、スクリーン印刷などである。この
混合物は例えば、プリフォームとして、通常金属クラッ
ドのワイヤ、テープへの引き抜きあるいは他の適当なプ
ロセスにより、固体を形成する準備として用いられる。
かくして準備された固体はその後、混合物の焼き入れを
し、その後、酸化させて、熱処理をし、この熱処理の完
了後、(比較的強い)超伝導酸化物が形成される。
し、その後、酸化させて、熱処理をし、この熱処理の完
了後、(比較的強い)超伝導酸化物が形成される。
金属粉末と超伝導粉末を混合することは、本発明の金属
含有超伝導体が形成される材料を形成するのに現在では
好ましい方法であるが、他の方法も存在する。例えば、
金属は酸化物、炭化物、窒化物、フッ化物などの形態で
、添加することもできる。ただし、化合物が熱処理中(
例えば、焼結中)、分解可能で、金属が熱処理物体中を
拡散することが条件であるが。その例として、Ag2O
またはA g N Oaは(Ba、Y)銅酸塩粉末に、
Ag粉末と同様の方法で添加される。 金属または金属
化合物は粉末以外の形態で超伝導材料に添加することは
可能であることは当業者にはあきらかである。例えば、
(バインダの有無を問わず)スラリか形成され、超伝導
粉末と混合される。超伝導粉末と金属または化合物の溶
液(例えば、AgNO3のアルコール溶液)とを混合す
ることも可能である。また他の実施例では金属(あるい
は金属含有化合物)は超伝導材料と共に蒸着することも
可能であり、(例えば蒸発、スパッタリング、分子線エ
ピタキシー、CVD、電気蒸着、無電解蒸着によって)
薄いフィルム、厚いファイルムあるいは独立の超伝導体
を形成する。さらに他の実施例では、金属は、イオン注
入により(薄いフィルム)の超伝導体材料に導入される
。超伝導材料と金属(または金属化合物)との混合物を
含む固体が形成された後、この固体は熱処理されて、金
属含有超伝導セラミク体を形成する。多くの場合におい
て、熱処理は従来の酸化物超伝導体を形成するのに用い
られるのと同じ方法である。しかし、材料の特性条件お
よび/または処理条件によっては、熱処理条件は変り、
熱処理ステップの追加も含まれる。ある条件では、高温
度の焼結ステップを削除することも可能である。例えば
、もし金属が非常に薄い粒子間層を形成すれば、粒子相
互の強固な機械的結合に加えて、超伝導粒子相互によい
(トンネルまたは通常)伝導性をもたらす。すると焼結
は技術的に有益な超伝導体を形成するのには必要とはな
らない。さらに、他の実施例によれば、超伝導化合物と
金属の共蒸着によって製造された固体は熱処理を必要と
せず、あるいは必要としたとしても、比較的低い温度(
例えば600℃以下)の熱処理で充分である。しかし、
多くの場合において、熱処理は固体を約1〜24時間で
、約500〜1100℃((Ba、Y)銅酸塩の場合は
800〜100℃が好ましい)で酸素含有雰囲気で行わ
れれ、そして低温(例えば、200℃)への徐冷を含む
(これは、中間温度での保持を除外するものではない)
。徐冷は約4〜24時間、そして酸素含有雰囲気中で行
われる。それは超伝導酸化物は酸素含有雰囲気に接触し
て酸化物の望ましい酸化レベルが達成できるようにする
ものである。しかし出来上った後は、本発明の超伝導体
は超伝導材料を含み、その超伝導材料は多成分からなり
、それは少なくとも超伝導化学化合物(第1の成分)と
、超伝導材料の主要部分にわたって分散する金属から成
る第2の成分とからなる。そしてこの第2の成分は超伝
導材料中に少なくとも1体積%含まれる。
含有超伝導体が形成される材料を形成するのに現在では
好ましい方法であるが、他の方法も存在する。例えば、
金属は酸化物、炭化物、窒化物、フッ化物などの形態で
、添加することもできる。ただし、化合物が熱処理中(
例えば、焼結中)、分解可能で、金属が熱処理物体中を
拡散することが条件であるが。その例として、Ag2O
またはA g N Oaは(Ba、Y)銅酸塩粉末に、
Ag粉末と同様の方法で添加される。 金属または金属
化合物は粉末以外の形態で超伝導材料に添加することは
可能であることは当業者にはあきらかである。例えば、
(バインダの有無を問わず)スラリか形成され、超伝導
粉末と混合される。超伝導粉末と金属または化合物の溶
液(例えば、AgNO3のアルコール溶液)とを混合す
ることも可能である。また他の実施例では金属(あるい
は金属含有化合物)は超伝導材料と共に蒸着することも
可能であり、(例えば蒸発、スパッタリング、分子線エ
ピタキシー、CVD、電気蒸着、無電解蒸着によって)
薄いフィルム、厚いファイルムあるいは独立の超伝導体
を形成する。さらに他の実施例では、金属は、イオン注
入により(薄いフィルム)の超伝導体材料に導入される
。超伝導材料と金属(または金属化合物)との混合物を
含む固体が形成された後、この固体は熱処理されて、金
属含有超伝導セラミク体を形成する。多くの場合におい
て、熱処理は従来の酸化物超伝導体を形成するのに用い
られるのと同じ方法である。しかし、材料の特性条件お
よび/または処理条件によっては、熱処理条件は変り、
熱処理ステップの追加も含まれる。ある条件では、高温
度の焼結ステップを削除することも可能である。例えば
、もし金属が非常に薄い粒子間層を形成すれば、粒子相
互の強固な機械的結合に加えて、超伝導粒子相互によい
(トンネルまたは通常)伝導性をもたらす。すると焼結
は技術的に有益な超伝導体を形成するのには必要とはな
らない。さらに、他の実施例によれば、超伝導化合物と
金属の共蒸着によって製造された固体は熱処理を必要と
せず、あるいは必要としたとしても、比較的低い温度(
例えば600℃以下)の熱処理で充分である。しかし、
多くの場合において、熱処理は固体を約1〜24時間で
、約500〜1100℃((Ba、Y)銅酸塩の場合は
800〜100℃が好ましい)で酸素含有雰囲気で行わ
れれ、そして低温(例えば、200℃)への徐冷を含む
(これは、中間温度での保持を除外するものではない)
。徐冷は約4〜24時間、そして酸素含有雰囲気中で行
われる。それは超伝導酸化物は酸素含有雰囲気に接触し
て酸化物の望ましい酸化レベルが達成できるようにする
ものである。しかし出来上った後は、本発明の超伝導体
は超伝導材料を含み、その超伝導材料は多成分からなり
、それは少なくとも超伝導化学化合物(第1の成分)と
、超伝導材料の主要部分にわたって分散する金属から成
る第2の成分とからなる。そしてこの第2の成分は超伝
導材料中に少なくとも1体積%含まれる。
超伝導材料中に高度に分散された金属はその機械的特性
(例えば強度または靭性)を改善させる。
(例えば強度または靭性)を改善させる。
この効果は分散された金属がひびの発生を抑止するよう
働くと思われる。
働くと思われる。
分散された金属化合物が存在することにより、従来の類
似の超伝導化合物に比較して、通常状態(すなわち超伝
導転移温度以上で)の電気的伝導性を増加する(一般的
に少なくとも2%)。これはミクロスケールでの電気的
安定性の利点を有する。
似の超伝導化合物に比較して、通常状態(すなわち超伝
導転移温度以上で)の電気的伝導性を増加する(一般的
に少なくとも2%)。これはミクロスケールでの電気的
安定性の利点を有する。
さらに分散された金属が存在することによりその材料の
熱伝導性(通常状態および超伝導状態の両方において)
増加させる。かくしてミクロスケールでの熱的安定性が
出る。当業者には明らかであるが、安定性は超伝導体の
商業的に重要な応用面において求められており、これに
より大規模破壊を防止する。超伝導化合物中に高度に分
散する金属要素物は、さらに次の利点を有する。例えば
、金属粒子は熱処理の間、粒子成長抑止材として作用し
、またフラックス固着剤として作用する。
熱伝導性(通常状態および超伝導状態の両方において)
増加させる。かくしてミクロスケールでの熱的安定性が
出る。当業者には明らかであるが、安定性は超伝導体の
商業的に重要な応用面において求められており、これに
より大規模破壊を防止する。超伝導化合物中に高度に分
散する金属要素物は、さらに次の利点を有する。例えば
、金属粒子は熱処理の間、粒子成長抑止材として作用し
、またフラックス固着剤として作用する。
これらの効果のいずれもが超伝導材料の限界電流密度J
0の増加をもたらす。超伝導材料中の分散金属によって
、超伝導材料の機械的特性および他の特性が改善される
のみならず、基板に超伝導材料を固着するのも改善され
る。たとえば基板は銀でコートされたガラスプレートあ
るいは銀箔である。本発明によって基板上に金属/超伝
導材料を熱処理することは、その材料を基板に固着させ
ることになる。これに対して、従来の純粋なら酸化物超
伝導体の多くはその上で熱処理される基板に十分に固着
しない。本発明の超伝導酸化物の特性は多くの応用面で
重要である。例えば、基板に固着されたプリント酸化物
超伝導体の膜の固着の場合である。本発明の薄いフィル
ムの場合、改良された固着力が役立つと期待される。例
えば、銀をコートしたアルミナのような基板の上に分散
された金属(例えば、Ag)を含有するスパッタ蒸着超
伝導酸化物フィルム。
0の増加をもたらす。超伝導材料中の分散金属によって
、超伝導材料の機械的特性および他の特性が改善される
のみならず、基板に超伝導材料を固着するのも改善され
る。たとえば基板は銀でコートされたガラスプレートあ
るいは銀箔である。本発明によって基板上に金属/超伝
導材料を熱処理することは、その材料を基板に固着させ
ることになる。これに対して、従来の純粋なら酸化物超
伝導体の多くはその上で熱処理される基板に十分に固着
しない。本発明の超伝導酸化物の特性は多くの応用面で
重要である。例えば、基板に固着されたプリント酸化物
超伝導体の膜の固着の場合である。本発明の薄いフィル
ムの場合、改良された固着力が役立つと期待される。例
えば、銀をコートしたアルミナのような基板の上に分散
された金属(例えば、Ag)を含有するスパッタ蒸着超
伝導酸化物フィルム。
第2−5図は本発明の代表的な超伝導体の断面図を示す
。第2図おいて、20はクラッドワイヤまたはロッドで
、22は超伝導体(例えば、(Ba、 Y)銅量酸化物
または、Ag)で、21は通常金属クラッド(例えば、
Agのチューブ、または、Agの内層、Niの中間層、
Cuの外層からなる合成物)である。このようなりラッ
ド細長物を製造する方法はアメリカ特許出願第0341
17号の記載され、ダイを通した引抜き工程が示されて
いる。引抜き工程(または他の断面縮小工程)の完了後
、で超伝導体の焼結前に必要な形状(例えばコイル状に
巻く)に形成される。第2図に示されたワイヤまたはロ
ッドは保護コーティング(図示せず)例えば電気的絶縁
を含んでもよい。
。第2図おいて、20はクラッドワイヤまたはロッドで
、22は超伝導体(例えば、(Ba、 Y)銅量酸化物
または、Ag)で、21は通常金属クラッド(例えば、
Agのチューブ、または、Agの内層、Niの中間層、
Cuの外層からなる合成物)である。このようなりラッ
ド細長物を製造する方法はアメリカ特許出願第0341
17号の記載され、ダイを通した引抜き工程が示されて
いる。引抜き工程(または他の断面縮小工程)の完了後
、で超伝導体の焼結前に必要な形状(例えばコイル状に
巻く)に形成される。第2図に示されたワイヤまたはロ
ッドは保護コーティング(図示せず)例えば電気的絶縁
を含んでもよい。
第4図はリボン状の超伝導体40で、41は超伝導材料
(例えば(La、Ba)酸化物とAg)、42は通常金
属クラッド、43はポリマコーティングで次に熱処理さ
れる。クラッド42は熱伝導材料41を完全に包囲する
ものではない。これによって、熱処理中、02へのアク
セスを容易にする。このようなリボンは例えば、第2図
に示すような、ワイヤをまず作り、従来の方法によりこ
のワイヤをロールし、リボンの一端または両端をスリッ
トしたり開くことによって得られる。熱処理後、金属ク
ラッドは、超伝導材料によく固着する。
(例えば(La、Ba)酸化物とAg)、42は通常金
属クラッド、43はポリマコーティングで次に熱処理さ
れる。クラッド42は熱伝導材料41を完全に包囲する
ものではない。これによって、熱処理中、02へのアク
セスを容易にする。このようなリボンは例えば、第2図
に示すような、ワイヤをまず作り、従来の方法によりこ
のワイヤをロールし、リボンの一端または両端をスリッ
トしたり開くことによって得られる。熱処理後、金属ク
ラッドは、超伝導材料によく固着する。
本発明の実施例で、改良された固着のものは超伝導ワイ
・ヤまたはロッドで、その中の縦方向に通常金属ワイヤ
(薄いロッド)が埋めこまれている。
・ヤまたはロッドで、その中の縦方向に通常金属ワイヤ
(薄いロッド)が埋めこまれている。
第3図に示す超伝導体30の中の31は通常金属コア、
32は超伝導材料、33はポリマコーティングである。
32は超伝導材料、33はポリマコーティングである。
通常金属コアは強度要素および電気的安定材として作用
する。たとえ通常金属コアを包囲する超伝導材料が本発
明の金属要素を含まずに超伝導材料と通常金属コアとの
固着が弱かったとしても、このような合成体は有用であ
る。しかし、本発明による超伝導材料中に適当に分散し
た金属を有する合成体はより以上の有用性を有し、そし
て電力輸送のような応用に用いられると有利である。第
5図に他の実施例が示されており、51は基板(例えば
セラミックAl2O3,5l)52は(典型的にはパタ
ーン化された)(例えばAg)、53は膜印刷で形成さ
れた超伝導体である。金属層層52は固着を保証し、超
伝導体の電気的熱的安定材として機能する。
する。たとえ通常金属コアを包囲する超伝導材料が本発
明の金属要素を含まずに超伝導材料と通常金属コアとの
固着が弱かったとしても、このような合成体は有用であ
る。しかし、本発明による超伝導材料中に適当に分散し
た金属を有する合成体はより以上の有用性を有し、そし
て電力輸送のような応用に用いられると有利である。第
5図に他の実施例が示されており、51は基板(例えば
セラミックAl2O3,5l)52は(典型的にはパタ
ーン化された)(例えばAg)、53は膜印刷で形成さ
れた超伝導体である。金属層層52は固着を保証し、超
伝導体の電気的熱的安定材として機能する。
当業者には理解できるように、本発明の金属含有超伝導
材料は金属を含有しない超伝導材料(例えば、(Ba、
y)銅酸化物)でほとんど同じ条件下で、起き換えるこ
とができ、金属を含有しない超伝導材料と同様な方法で
処理できる。本発明の材料は従来の金属を含有しない超
伝導材料と同様な応用に用いることができる。そのよう
な応用についても本発明にふくまれる。
材料は金属を含有しない超伝導材料(例えば、(Ba、
y)銅酸化物)でほとんど同じ条件下で、起き換えるこ
とができ、金属を含有しない超伝導材料と同様な方法で
処理できる。本発明の材料は従来の金属を含有しない超
伝導材料と同様な応用に用いることができる。そのよう
な応用についても本発明にふくまれる。
本発明の超伝導体は種々の応用にもちいることができ、
その具体例は第6図に示すソレノイド60である。この
図おいて、61は本発明のクラッド超伝導体で、B2は
環状サポート部材である。
その具体例は第6図に示すソレノイド60である。この
図おいて、61は本発明のクラッド超伝導体で、B2は
環状サポート部材である。
例1
公称構成り a Y Cu s Or酸化物粉末を上
記のR,J、Cava、他の記載されたように用意する
。この粉末(その平均粒子径は2.5μm)をAg粉末
(その平均粒子径は1.3μm)と体積でその比が87
%/17%となるよう混合し、冷間圧延により、適当な
寸法(0,125X 1.250X O,040インチ
)のストリップを形成し、流れる02中で、930℃で
2時間焼結する。その後、300℃まで流れる02中で
、炉内冷却する。このストリップのは全てTCが93に
の超電導体である。すると、数本のストリップが3点曲
げ試験にかけられ、その結果平均破壊強度は4.81b
であった。同一の超伝導体酸化物でAg粉末の添加なし
の同一形状のストリップで同一の条件で焼結され、テス
トされたものの平均破壊強度が1.31bであった。こ
の人g含有ストリップの通常状態(約LOOK)の抵抗
率は10マイクロオーム−(至)で、一方、Agを含有
しないストリップのそれは273マイクロオーム・印で
あった。
記のR,J、Cava、他の記載されたように用意する
。この粉末(その平均粒子径は2.5μm)をAg粉末
(その平均粒子径は1.3μm)と体積でその比が87
%/17%となるよう混合し、冷間圧延により、適当な
寸法(0,125X 1.250X O,040インチ
)のストリップを形成し、流れる02中で、930℃で
2時間焼結する。その後、300℃まで流れる02中で
、炉内冷却する。このストリップのは全てTCが93に
の超電導体である。すると、数本のストリップが3点曲
げ試験にかけられ、その結果平均破壊強度は4.81b
であった。同一の超伝導体酸化物でAg粉末の添加なし
の同一形状のストリップで同一の条件で焼結され、テス
トされたものの平均破壊強度が1.31bであった。こ
の人g含有ストリップの通常状態(約LOOK)の抵抗
率は10マイクロオーム−(至)で、一方、Agを含有
しないストリップのそれは273マイクロオーム・印で
あった。
例2
(Ba、Y)銅酸塩が例1と同様に製造され、これと、
Agの粉末と、市場で入手可能なアクリス結束剤とが1
.1.1 トリクロロエタン溶剤(カリフォルニア、サ
ンマルコスのクラダン社クラダン第73140号)中で
混合され、体積比率で、超伝導材料が50%、銀が10
%、結束材が40%にする。
Agの粉末と、市場で入手可能なアクリス結束剤とが1
.1.1 トリクロロエタン溶剤(カリフォルニア、サ
ンマルコスのクラダン社クラダン第73140号)中で
混合され、体積比率で、超伝導材料が50%、銀が10
%、結束材が40%にする。
かくして得られたスラリーは、7.63の幅、0.71
cmの高さのギツプを有するドクターブレードの貯蔵部
に入れられる。このスラリーは従来の方法で、キャステ
ィングヘッドを1.8mのプレートにわたって、1.8
cm/秒の速さで移動させることにより、PTFEをコ
ートしたプレート上に載置させる。えられたスラリーの
ストリップは空気中で、16時間乾燥され、112μm
の厚さ、7.6anの幅の可撓性のテープが得られる。
cmの高さのギツプを有するドクターブレードの貯蔵部
に入れられる。このスラリーは従来の方法で、キャステ
ィングヘッドを1.8mのプレートにわたって、1.8
cm/秒の速さで移動させることにより、PTFEをコ
ートしたプレート上に載置させる。えられたスラリーの
ストリップは空気中で、16時間乾燥され、112μm
の厚さ、7.6anの幅の可撓性のテープが得られる。
この可撓性のテープの一部はZ r O2の基板上に載
置され、これはZ r O2で被覆された低密度のAl
2O3のシートで覆われ、従来のマツフル炉中に入れら
れる。
置され、これはZ r O2で被覆された低密度のAl
2O3のシートで覆われ、従来のマツフル炉中に入れら
れる。
このテープは12時間で400℃まで加熱され、その温
度で12時間02中で保持される。この処理により、テ
ープ中から有機結合材が完全に除去される。その後、こ
のテープは900℃まで4時間で昇温され、900℃で
5時間保持し、600℃まで4時間で降温され、そして
、室温まで炉内冷却されることにより、焼結される。こ
の焼結処理は1気圧の流れる酸素中で行なわれた。この
得られたテープは0. 1+u+の厚さで、Tcは約9
3にで通常状態の抵抗は同一物で金属を含有していない
超伝導材料のそれよりも低かった。また本発明の超伝導
材料は同一物で金属を含有いない超伝導材料よりも強度
も大きい。
度で12時間02中で保持される。この処理により、テ
ープ中から有機結合材が完全に除去される。その後、こ
のテープは900℃まで4時間で昇温され、900℃で
5時間保持し、600℃まで4時間で降温され、そして
、室温まで炉内冷却されることにより、焼結される。こ
の焼結処理は1気圧の流れる酸素中で行なわれた。この
得られたテープは0. 1+u+の厚さで、Tcは約9
3にで通常状態の抵抗は同一物で金属を含有していない
超伝導材料のそれよりも低かった。また本発明の超伝導
材料は同一物で金属を含有いない超伝導材料よりも強度
も大きい。
例3
例2の場合と同様に、酸化物粉末と銀粒子と結合材を混
合することにより、膜プリントインクが得られた。ただ
し、この結合材はテレピン油とエチレンセルロースの溶
剤である点、結合材料と、酸化物粉末と銀粒子の比率は
30/2515である点が異なる。この膜プリントイン
クは融解石英基板上の1μmのAg層上に従来の方法に
より印刷された。この得られた超伝導体は基板に良く固
着し、そのTcは93にであった。通常状態の抵抗は同
一物で金属を含有していない超伝導材料のそれよりも低
かった。
合することにより、膜プリントインクが得られた。ただ
し、この結合材はテレピン油とエチレンセルロースの溶
剤である点、結合材料と、酸化物粉末と銀粒子の比率は
30/2515である点が異なる。この膜プリントイン
クは融解石英基板上の1μmのAg層上に従来の方法に
より印刷された。この得られた超伝導体は基板に良く固
着し、そのTcは93にであった。通常状態の抵抗は同
一物で金属を含有していない超伝導材料のそれよりも低
かった。
例4
超伝導ストリップが例1の場合と同様にして用意された
。ただし、金属粒子はAgを被覆した(およそ、lX1
0μmの片で、0.5μmの厚さに無電解プロセスによ
り被覆された)NL片で、このストリップは900℃で
2時間焼結され、その後、200℃まで徐冷(6時間)
された点が異なる。得られた超伝導体の特性は例1に記
載したのと同様である。
。ただし、金属粒子はAgを被覆した(およそ、lX1
0μmの片で、0.5μmの厚さに無電解プロセスによ
り被覆された)NL片で、このストリップは900℃で
2時間焼結され、その後、200℃まで徐冷(6時間)
された点が異なる。得られた超伝導体の特性は例1に記
載したのと同様である。
例5
0.78 gのAgNO3が2mlの蒸溜水で溶解され
、この溶解液が1gのBa2YCu3O7の粉末(平均
粒子径065μm)と混合された。この得られたスラリ
ーは乾燥され、ベレット形状に圧縮された。このベレッ
トは例1に記載されたのと同様に焼結された。この得ら
れた超伝導体は20体積%のAgを含有し、そのTcは
約93にで、強度と通常状態導電性は同一物の金属を含
有しない超伝導材料のそれよりも良好である。
、この溶解液が1gのBa2YCu3O7の粉末(平均
粒子径065μm)と混合された。この得られたスラリ
ーは乾燥され、ベレット形状に圧縮された。このベレッ
トは例1に記載されたのと同様に焼結された。この得ら
れた超伝導体は20体積%のAgを含有し、そのTcは
約93にで、強度と通常状態導電性は同一物の金属を含
有しない超伝導材料のそれよりも良好である。
例6
超伝導体がB a Y Cu s 07の粉末と銀粒
子を体積で、83/17の比率で混合することにより得
られた。この得られた粉末と(20gのボビニルブチラ
ールと80gの無水エチルアルコールを混合することに
より得られた)結合材を混合することにより、ペースト
が得られた。このペーストは1.5mmのダイスを通し
て0.5mmの銀線の周囲に引き抜きされた。得られた
緑色の物体は乾燥され、繊維状のジルコニアのシリンダ
ーのまわりにゆるく巻かれ、例2に示したのと同様に焼
結される。このらせん状に巻かれた超伝導体はTCは9
8にであった。この超伝導材料はAgの核によく固着し
、同一物で金属を含有しない超伝導体よりも強い強度と
良好な通常状態導電性を有する。
子を体積で、83/17の比率で混合することにより得
られた。この得られた粉末と(20gのボビニルブチラ
ールと80gの無水エチルアルコールを混合することに
より得られた)結合材を混合することにより、ペースト
が得られた。このペーストは1.5mmのダイスを通し
て0.5mmの銀線の周囲に引き抜きされた。得られた
緑色の物体は乾燥され、繊維状のジルコニアのシリンダ
ーのまわりにゆるく巻かれ、例2に示したのと同様に焼
結される。このらせん状に巻かれた超伝導体はTCは9
8にであった。この超伝導材料はAgの核によく固着し
、同一物で金属を含有しない超伝導体よりも強い強度と
良好な通常状態導電性を有する。
この金属含有らせん状の超伝導体は筒状コアに巻かれ超
伝導ソレノイドを形成する。
伝導ソレノイドを形成する。
第1図は本発明による超伝導体の温度と抵抗との関係を
示す図、 第2−5図は本発明による超伝導体の形状を示す図、 第6図は本発明による超伝導体のマグネットを示す図で
ある。 21・・・通常金属クラッド 22・・・超伝導体 出 願 人:アメリカン テレフォン アンドFIG、
! FIo、2FIG・3 FIG、 4 FIG、 5 FIG、 6
示す図、 第2−5図は本発明による超伝導体の形状を示す図、 第6図は本発明による超伝導体のマグネットを示す図で
ある。 21・・・通常金属クラッド 22・・・超伝導体 出 願 人:アメリカン テレフォン アンドFIG、
! FIo、2FIG・3 FIG、 4 FIG、 5 FIG、 6
Claims (13)
- (1)超伝導化学化合物からなる第1の成分と、第一の
成分中に分散している金属からなる第2の成分、とから
なり、 この第2の成分は少なくとも1体積%を占めることを特
徴とする超伝導体。 - (2)金属は、Au、Ag、Cu、Fe、Pt、Zn、
Sn、Ni、Co、Ti、Al、Mo、Cr、Nb、Z
r、および、その合金からなるグループから選ばれるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の超伝導体。 - (3)第2の成分を含まないこと以外は同一の他の物体
よりも、少なくとも50%以上強いひび割れ強度を有す
ることを特徴とする特許請求の範囲第2項記載の超伝導
体。 - (4)第2の成分を含まないこと以外は同一の他の物体
よりも、少なくとも100%以上大きい通常状態の導電
性を有することを特徴とする特許請求の範囲第2項記載
の超伝導体。 - (5)超伝導化学化合物は金属酸化物であることを特徴
とすることを特徴とする特許請求の範囲第2、3、4、
項のいずれかに記載の超伝導体。 - (6)第2の成分は複数の金属粒子からなることを特徴
とすることを特徴とする特許請求の範囲第1ないし5項
記載の超伝導体。 - (7)金属粒子は、第1の金属コアと、このコアを包囲
する第2の金属被覆からなる被覆金属粒子を含むことを
特徴とする特許請求の範囲第6項記載の超伝導体。 - (8)金属粒子は、金属片または金属繊維を含むことを
特徴とする特許請求の範囲第6項記載の超伝導体。 - (9)超伝導体は、超伝導物質を、ぼ包囲する通常金属
クラッド含む長方体であることを特徴とする特許請求の
範囲第1ないし8項記載の超伝導体。 - (10)第2の成分はAgを含み、 超伝導化学化合物は(Ba、Y)銅酸塩(または銅酸化
物cuprate)であることを特徴とする特許請求の
範囲第2ないし9項記載の超伝導体。 - (11)超伝導体は基板上にパターンを描かれた超伝導
層であることを特徴とすることを特徴とする特許請求の
範囲第1、2または4ないし8または10項に記載の超
伝導体。 - (12)基板は通常金属層で、超伝導層はこの通常金属
層上に配置されることを特徴とすることを特徴とする特
許請求の範囲第11項に記載の超伝導体。 - (13)超伝導体は 長方形の通常金属体(コア)と、 このコアを包囲する超伝導物質からなることを特徴とす
る特許請求の範囲第1ないし8項記載の超伝導体。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US4682587A | 1987-05-05 | 1987-05-05 | |
US46825 | 1987-05-05 | ||
US046825 | 1987-05-05 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63291857A true JPS63291857A (ja) | 1988-11-29 |
JP2610939B2 JP2610939B2 (ja) | 1997-05-14 |
Family
ID=21945599
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63107748A Expired - Lifetime JP2610939B2 (ja) | 1987-05-05 | 1988-05-02 | 超伝導体の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6291402B1 (ja) |
EP (1) | EP0292126B1 (ja) |
JP (1) | JP2610939B2 (ja) |
CA (1) | CA1340569C (ja) |
DE (1) | DE3878981T2 (ja) |
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JP2019026790A (ja) * | 2017-08-02 | 2019-02-21 | 株式会社豊田中央研究所 | 超電導体用インク及び超電導体の製造方法 |
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EP0301279B1 (de) | 1987-07-28 | 1992-10-21 | BBC Brown Boveri AG | Leiter, der aus einem Verbundwerkstoff besteht |
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