JPS63319211A - 超電導材料の製造方法 - Google Patents
超電導材料の製造方法Info
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- JPS63319211A JPS63319211A JP62155467A JP15546787A JPS63319211A JP S63319211 A JPS63319211 A JP S63319211A JP 62155467 A JP62155467 A JP 62155467A JP 15546787 A JP15546787 A JP 15546787A JP S63319211 A JPS63319211 A JP S63319211A
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
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- H10N60/855—Ceramic superconductors
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- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
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- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野〕
本発明は、液体窒素温度以上で超電導性を示す酸化物超
電導材料およびその製造方法に関するものである。
電導材料およびその製造方法に関するものである。
酸化物超電導材料は、特開昭60−173885号に記
載のように、従来の金属元素超電導材料、化合物超電導
材料、合金超電導材料などに比較して高い超電導臨界温
度Tcを有する。特に、層状ペロブスカイト構造を有す
るY−Ba−Cu−0系、Ln−Ba−Cu−〇系(こ
こでLnはランタノイド元素を意味する)では、Tcが
90に程度と液体窒素温度(77K)以上であるため、
超電導磁石、コイルあるいはエレクトロニクスデバイス
への応用が期待されている。
載のように、従来の金属元素超電導材料、化合物超電導
材料、合金超電導材料などに比較して高い超電導臨界温
度Tcを有する。特に、層状ペロブスカイト構造を有す
るY−Ba−Cu−0系、Ln−Ba−Cu−〇系(こ
こでLnはランタノイド元素を意味する)では、Tcが
90に程度と液体窒素温度(77K)以上であるため、
超電導磁石、コイルあるいはエレクトロニクスデバイス
への応用が期待されている。
例えば、超電導コイル材として適用する場合、超電導材
料は使用温度において10”A/ad程度の電流密度が
必要であるとされている。
料は使用温度において10”A/ad程度の電流密度が
必要であるとされている。
既にイツトリウム系酸化物超電導体により77Kにおい
て10”A/cJの電流密度を得たとの報告がなされて
おり、これは基本的には酸化物超電導材料もコイル材と
して使用できることを示した。
て10”A/cJの電流密度を得たとの報告がなされて
おり、これは基本的には酸化物超電導材料もコイル材と
して使用できることを示した。
しかし、かかる報告は、多層薄膜により得られたもので
、通常の焼結体ではこの様な高い電流密度は得られてい
ない。焼結体のデータでは、Y−。
、通常の焼結体ではこの様な高い電流密度は得られてい
ない。焼結体のデータでは、Y−。
Ba−Cu−0系の粉末焼結体で、77Kにおける臨界
電流密度は11.0OA/ct&である。超電導粉末を
用いて線材化加工したものは、これよりさらに低い値と
なっている。
電流密度は11.0OA/ct&である。超電導粉末を
用いて線材化加工したものは、これよりさらに低い値と
なっている。
Y −B a −Cu−○系をはじめとする層状ペロジ
スカイ1〜構造の酸化物超電導体は、結晶内での電子の
移動に異方性があるとされている。スパッタ法等により
合成された薄膜では電子が流れ易い様に結晶が配向して
いるため、大きな電流密度が得られると考えられている
。これに対して粉末焼結体では、結晶がランダムに配列
していることに加え、粒界高抵抗相の存在や、焼結度の
低さなどが電流密度の低い原因となっている。
スカイ1〜構造の酸化物超電導体は、結晶内での電子の
移動に異方性があるとされている。スパッタ法等により
合成された薄膜では電子が流れ易い様に結晶が配向して
いるため、大きな電流密度が得られると考えられている
。これに対して粉末焼結体では、結晶がランダムに配列
していることに加え、粒界高抵抗相の存在や、焼結度の
低さなどが電流密度の低い原因となっている。
特に線材、テープ材、シート材等に成形した場合、酸化
物超電導材料は、従来の金属系超電導材料と異なり延性
、展性が無いため、その加工工程で材料内に単に物理的
に接触しているだけの領域が存在することになる。その
ため、材料を構成する個々の粒子は超電導性を有してい
ても高臨界電流密度を望めないという問題がある。
物超電導材料は、従来の金属系超電導材料と異なり延性
、展性が無いため、その加工工程で材料内に単に物理的
に接触しているだけの領域が存在することになる。その
ため、材料を構成する個々の粒子は超電導性を有してい
ても高臨界電流密度を望めないという問題がある。
従来の酸化物超電導体は、例えば特開昭60−1738
85号に示される様に、予備焼成段階の粉体を成形しさ
らに焼成するという方法により製造される。従来のこの
様な製造方法は、結晶粒界に析出する高抵抗不純物層を
低減し、さらには焼結度を向上させるという点について
の配慮がなされておらず、電流密度を高めるには限界が
あった。
85号に示される様に、予備焼成段階の粉体を成形しさ
らに焼成するという方法により製造される。従来のこの
様な製造方法は、結晶粒界に析出する高抵抗不純物層を
低減し、さらには焼結度を向上させるという点について
の配慮がなされておらず、電流密度を高めるには限界が
あった。
本発明の目的は、成形性に優れ、成形後の機械的強度が
大きくかつ臨界電流密度の大きい、酸化物超電導材料と
その製造方法を提供することにある。
大きくかつ臨界電流密度の大きい、酸化物超電導材料と
その製造方法を提供することにある。
上記目的は、酸化物超電導体粉末あるいは超電導性を示
す前の予備焼成体粉末に銀化合物溶液を含浸し乾燥した
後に加圧成形し、酸素共存下で焼結することにより達成
される。
す前の予備焼成体粉末に銀化合物溶液を含浸し乾燥した
後に加圧成形し、酸素共存下で焼結することにより達成
される。
焼成温度は、400℃以上、1100℃以下が好ましい
。
。
粉体に含浸された銀化合物溶液は、粉体成形後の焼成過
程で分解し粉体表面上に微細な銀粒子として分散する。
程で分解し粉体表面上に微細な銀粒子として分散する。
以下、この銀の作用について説明する。
銀の第1の作用は、融剤としての働きで、銀の融点ない
しはその近傍の温度で焼成することにより粉体の焼結度
を向上させることができる。特に、未反応相あるいは不
純物相は銀に大部分トラップされるため従来の様に粒界
に不純物相が形成され大きな抵抗になることは防げる。
しはその近傍の温度で焼成することにより粉体の焼結度
を向上させることができる。特に、未反応相あるいは不
純物相は銀に大部分トラップされるため従来の様に粒界
に不純物相が形成され大きな抵抗になることは防げる。
第2の作用として、焼結体の強度向上がある。
第2図は、焼成後の焼結体断面を模式的に示したもので
あるが、超電導体1の空隙を銀2が充填した形で存在す
るため焼結体の強度を著しく高めている。また、超電導
体1の空隙を埋めている銀2は、超電導状態が破れた時
の電流のバイパスとしても作用し得る。
あるが、超電導体1の空隙を銀2が充填した形で存在す
るため焼結体の強度を著しく高めている。また、超電導
体1の空隙を埋めている銀2は、超電導状態が破れた時
の電流のバイパスとしても作用し得る。
第3の作用は、酸素キャリアとしての働きである。酸化
物超電導材料の超電導特性は結晶構造内の酸素欠陥と密
接な関係にある。域えば、Y −Ba−Cu−○系の超
電導体はYtBa2Cu30xと表わせるが、ここでX
は焼成条件によって6.8〜6.3 の値をとる。高温
で焼成するほど酸素を放出しXの値は小さくなる。Xが
6.3 になると超電導性は悪くなるとされている。そ
のため、通常、焼成時には02分圧を上げ酸素欠陥の量
を制御している。ここで、成形体の充填密度が大きく、
かつその空隙を銀が充填することになると成形体への0
2の拡散が充分でなくなる懸念が生ずる。
物超電導材料の超電導特性は結晶構造内の酸素欠陥と密
接な関係にある。域えば、Y −Ba−Cu−○系の超
電導体はYtBa2Cu30xと表わせるが、ここでX
は焼成条件によって6.8〜6.3 の値をとる。高温
で焼成するほど酸素を放出しXの値は小さくなる。Xが
6.3 になると超電導性は悪くなるとされている。そ
のため、通常、焼成時には02分圧を上げ酸素欠陥の量
を制御している。ここで、成形体の充填密度が大きく、
かつその空隙を銀が充填することになると成形体への0
2の拡散が充分でなくなる懸念が生ずる。
第3図は、銀100g中に溶解する02量と温度の関係
を示したものである。この図から明らかな様に銀、とく
に溶液は02の溶液度が著しく大きく、また拡散係数も
大きい。このことから空隙、細孔が銀で満たされていて
も気相から02は充分拡散し得ることがわかる。そのた
め、焼成を酸素雰囲気ないしは加圧下で行なうかぎり酸
素欠陥の量を制御できる。
を示したものである。この図から明らかな様に銀、とく
に溶液は02の溶液度が著しく大きく、また拡散係数も
大きい。このことから空隙、細孔が銀で満たされていて
も気相から02は充分拡散し得ることがわかる。そのた
め、焼成を酸素雰囲気ないしは加圧下で行なうかぎり酸
素欠陥の量を制御できる。
以下、実施例に沿って本発明を具体的に説明する。
〈実施例1〉
本発明を実施した製造工程例を第1図に示す。
硝酸イツトリウムY (NOa)a・5H20(高純゛
度化学製)38.3 gと硝酸バリウムB a (N
08)2(和光紬薬製)52.2 gを2Qの水溶液と
しこれをA液とする。次に炭酸アンモニウム114gを
IQの水溶液としこれをB液とする。
度化学製)38.3 gと硝酸バリウムB a (N
08)2(和光紬薬製)52.2 gを2Qの水溶液と
しこれをA液とする。次に炭酸アンモニウム114gを
IQの水溶液としこれをB液とする。
A液にB液をマイクロチューブポンプでIQ/hの速度
で、A液を撹拌しながら添加する。得られたスラリーを
固液分離し、ケーキ状固形物を回収し、これをらいかい
器にとる。次いで硝酸銅(Cu(NO8)2・3H20
72,5gを100mRの水溶液とし、これをケーキに
添加して約1時間加熱し混練する。濃縮して粘土状とな
った固形物を回収して、これを120℃で乾燥する。微
細に粉砕した粉末を磁性アルミナのルツボにとり、これ
を800℃で2時間焼成し、再度粉砕する。ここで得ら
れた粉体に硝酸銀A g N Oa 5 、2 gを1
0mnの水溶液としたものを加え混合した後、120℃
で乾燥する。粉砕した後、粉末5gを40moφの円板
にプレス成形する。この円板を銀の融点960℃、02
気流中で10時間焼成する。
で、A液を撹拌しながら添加する。得られたスラリーを
固液分離し、ケーキ状固形物を回収し、これをらいかい
器にとる。次いで硝酸銅(Cu(NO8)2・3H20
72,5gを100mRの水溶液とし、これをケーキに
添加して約1時間加熱し混練する。濃縮して粘土状とな
った固形物を回収して、これを120℃で乾燥する。微
細に粉砕した粉末を磁性アルミナのルツボにとり、これ
を800℃で2時間焼成し、再度粉砕する。ここで得ら
れた粉体に硝酸銀A g N Oa 5 、2 gを1
0mnの水溶液としたものを加え混合した後、120℃
で乾燥する。粉砕した後、粉末5gを40moφの円板
にプレス成形する。この円板を銀の融点960℃、02
気流中で10時間焼成する。
以上の操作により最終的に得られた試料は焼結度、機械
的強度が高く、93にで電気抵抗が零となった。
的強度が高く、93にで電気抵抗が零となった。
上記の硝酸銀を担持しプレス成形した円板を銀の融点以
下の930℃で同様に焼成しても同様の超電導体が得ら
れる。
下の930℃で同様に焼成しても同様の超電導体が得ら
れる。
〈実施例2〉
硝酸イツトリウム五水塩(高密度化学展) 38.3g
と硝酸バリウム(和光紬薬製)52.2 gと硝酸鋼7
2.5 gを2Qの水溶液とし、これに蓚酸(和光紬薬
製)126gとトリエチルアミン(和光紬薬製)149
gをIQの水溶液として、上記水溶液にIQ/hの速度
で滴下撹拌する。この時水溶液は、ウォーターバスで6
0℃以上に加熱する。得られたスラリーを固液分離し固
形物を回収する。得られた固形物を120℃で5時間乾
燥した後、これを粉砕し、400℃で3時間、空気中で
加熱分解する。得られた粉末を微細に粉砕した後、80
0℃で2時間さらに焼成する。得られた固形分を100
メツシユの篩で固形分の80%以上が通過する程度に微
粉砕し、これに硝酸銀5.2gを溶解した水溶液を加え
ペースト状に混練する。
と硝酸バリウム(和光紬薬製)52.2 gと硝酸鋼7
2.5 gを2Qの水溶液とし、これに蓚酸(和光紬薬
製)126gとトリエチルアミン(和光紬薬製)149
gをIQの水溶液として、上記水溶液にIQ/hの速度
で滴下撹拌する。この時水溶液は、ウォーターバスで6
0℃以上に加熱する。得られたスラリーを固液分離し固
形物を回収する。得られた固形物を120℃で5時間乾
燥した後、これを粉砕し、400℃で3時間、空気中で
加熱分解する。得られた粉末を微細に粉砕した後、80
0℃で2時間さらに焼成する。得られた固形分を100
メツシユの篩で固形分の80%以上が通過する程度に微
粉砕し、これに硝酸銀5.2gを溶解した水溶液を加え
ペースト状に混練する。
60メツシユの鎖網10100mnX100にこのペー
ストを一様に塗布添着後、上下面を濾紙ではさみプレス
で加圧する。得られた圧着体から濾紙を取り120℃で
乾燥後、O2流通下960℃で10時間焼成する。
ストを一様に塗布添着後、上下面を濾紙ではさみプレス
で加圧する。得られた圧着体から濾紙を取り120℃で
乾燥後、O2流通下960℃で10時間焼成する。
以上の操作により機械的強度に優れ、表面の平滑な板状
の酸化物超電導成形体が得られる。上記成形体を切り出
し、四端子法で、室温から液体ヘリウムまで冷却しなが
ら電気抵抗を測定した結果、93にで電気抵抗が零にな
った。
の酸化物超電導成形体が得られる。上記成形体を切り出
し、四端子法で、室温から液体ヘリウムまで冷却しなが
ら電気抵抗を測定した結果、93にで電気抵抗が零にな
った。
〈実施例3〉
酸化イツトリウム11.3g、酸化バリウム30.7
g、酸化銅23.9 gをらいかい器で混練しながら硝
酸銀5.2gの濃厚溶液を加え1時間加熱し混練する。
g、酸化銅23.9 gをらいかい器で混練しながら硝
酸銀5.2gの濃厚溶液を加え1時間加熱し混練する。
これを120℃で乾燥し、粉砕後800℃で2時間焼成
する。さらに、粉砕後900℃で2時間焼成する工程を
2度くり返す。
する。さらに、粉砕後900℃で2時間焼成する工程を
2度くり返す。
得られた固形物を再度微粉砕した後、粉末5gを40m
nφの円板にプレス成形する。この円板を、02および
水蒸気(P H20= 0 、2 atm )流通下で
960℃で10時間焼成する。
nφの円板にプレス成形する。この円板を、02および
水蒸気(P H20= 0 、2 atm )流通下で
960℃で10時間焼成する。
ここで、02中の水蒸気は未反応超電導原料と反応し鎖
中に溶解させる作用を示す。
中に溶解させる作用を示す。
本発明により、種々の成形過程においても超電導性を失
なわず、焼結度が高く機械的強度の大きい酸化物超電導
材料が得られる。即ち、銀を超電導体粒子あるいはその
原料粒子上に微細に分散し、成形、焼成することにより
銀の有する、(i)融剤として作用、(n)バインダー
としての作用、さらには、(■)酸素キャリアとしての
作用により、酸素の放出を抑えかつ焼結度を向上できる
。そのため、酸化物超電導材料製線材化、テープ化、シ
ート化した場合に、従来品に比較し、機械的強度に数段
優れ安定な材料として使用することが可能となる。また
、応用面での根本的な条件である高臨界電流密度を実現
できる。
なわず、焼結度が高く機械的強度の大きい酸化物超電導
材料が得られる。即ち、銀を超電導体粒子あるいはその
原料粒子上に微細に分散し、成形、焼成することにより
銀の有する、(i)融剤として作用、(n)バインダー
としての作用、さらには、(■)酸素キャリアとしての
作用により、酸素の放出を抑えかつ焼結度を向上できる
。そのため、酸化物超電導材料製線材化、テープ化、シ
ート化した場合に、従来品に比較し、機械的強度に数段
優れ安定な材料として使用することが可能となる。また
、応用面での根本的な条件である高臨界電流密度を実現
できる。
第1図は、本発明の酸化物超電導材料の一実施例の製造
工程図、第2図は、本発明の酸化物超電導材料の断面を
表わす模式図、第3図は銀への酸來1日 光2−図
工程図、第2図は、本発明の酸化物超電導材料の断面を
表わす模式図、第3図は銀への酸來1日 光2−図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、酸化物超電導物質の微粒子表面に銀を担持したこと
を特徴とする超電導材料。 2、すでに超電導性を示す酸化物超電導体粉末あるいは
、焼成することにより超電導性を示す原料混合物に銀化
合物の溶液を含浸し乾燥した後、酸素雰囲気下400℃
以上、1100℃以下で焼成することを特徴とする超電
導材料の製造方法。 3、特許請求の範囲第2項記載の製造方法において、銀
化合物を含浸する粉末が、共沈法により得られたことを
特徴とする超電導材料の製造方法。 4、特許請求の範囲第2項記載の製造方法において、酸
素雰囲気下での焼成工程で水蒸気を共存させることを特
徴とする超電導材料の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62155467A JPS63319211A (ja) | 1987-06-24 | 1987-06-24 | 超電導材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62155467A JPS63319211A (ja) | 1987-06-24 | 1987-06-24 | 超電導材料の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63319211A true JPS63319211A (ja) | 1988-12-27 |
JPH0572328B2 JPH0572328B2 (ja) | 1993-10-12 |
Family
ID=15606688
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62155467A Granted JPS63319211A (ja) | 1987-06-24 | 1987-06-24 | 超電導材料の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63319211A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63291857A (ja) * | 1987-05-05 | 1988-11-29 | アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー | 超伝導体 |
-
1987
- 1987-06-24 JP JP62155467A patent/JPS63319211A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63291857A (ja) * | 1987-05-05 | 1988-11-29 | アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー | 超伝導体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0572328B2 (ja) | 1993-10-12 |
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