JP2866503B2 - 酸化物超電導構造体の製造方法 - Google Patents
酸化物超電導構造体の製造方法Info
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化物超電導体を具備
した構造体の製造方法に関し、詳細には、高密度で且つ
高配向の酸化物超電導体を有し且つ高強度を有する構造
体の製造方法に関する。
した構造体の製造方法に関し、詳細には、高密度で且つ
高配向の酸化物超電導体を有し且つ高強度を有する構造
体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】近年、超電導体として従来から用いられて
きた金属系超電導体よりも高い臨界温度Ｔｃ（抵抗がゼ
ロになる温度）を有する材料として酸化物超電導体が発
見され、その実用化が期待されている。
きた金属系超電導体よりも高い臨界温度Ｔｃ（抵抗がゼ
ロになる温度）を有する材料として酸化物超電導体が発
見され、その実用化が期待されている。
【０００３】現在、酸化物超電導体としては、主として
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系（以下、Ｙ系という）およびＢｉ
−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系（以下、Ｂｉ系という）およ
びＴｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系（以下、Ｔｌ系とい
う）の３種が主として知られている。これらの酸化物超
電導体は、その実用化に際しては高い臨界温度を有する
とともに臨界電流密度（抵抗ゼロにおける電流値）が大
きいことが必要とされている。また、構造体としての強
度を高める必要もあるが、このような特性を得るために
はその相対密度を高め、高緻密化することが最も重要で
あると言われている。
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系（以下、Ｙ系という）およびＢｉ
−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系（以下、Ｂｉ系という）およ
びＴｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系（以下、Ｔｌ系とい
う）の３種が主として知られている。これらの酸化物超
電導体は、その実用化に際しては高い臨界温度を有する
とともに臨界電流密度（抵抗ゼロにおける電流値）が大
きいことが必要とされている。また、構造体としての強
度を高める必要もあるが、このような特性を得るために
はその相対密度を高め、高緻密化することが最も重要で
あると言われている。
【０００４】そこで、従来より高密度の酸化物超電導体
を作成する方法として、従来より高い機械的な圧力を加
えつつ加熱するホットプレス法が採用されている。
を作成する方法として、従来より高い機械的な圧力を加
えつつ加熱するホットプレス法が採用されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、酸化
物超電導体自体の強度が低く、ホットプレス法により高
緻密化を達成してもその強度は低く取扱いに注意を払う
必要があり、実用化に対して不十分であり、しかも、結
晶粒子の配向性も不十分であるために得られる焼結体の
臨界電流密度もせいぜい１０００Ａ／ｃｍ2 以下であ
り、実用的レベルには到底達していないのが現状であっ
た。
物超電導体自体の強度が低く、ホットプレス法により高
緻密化を達成してもその強度は低く取扱いに注意を払う
必要があり、実用化に対して不十分であり、しかも、結
晶粒子の配向性も不十分であるために得られる焼結体の
臨界電流密度もせいぜい１０００Ａ／ｃｍ2 以下であ
り、実用的レベルには到底達していないのが現状であっ
た。
【０００６】そこで、本発明者等は先に低Ｔｃ相の仮焼
粉末を常圧で焼成して充分に高Ｔｃ相を生成した後、該
焼結体に圧力を加えつつ加熱処理を行う、いわゆるホッ
トフォージング処理を行うことによって、高配向、高密
度でＪｃ値が１５００〜４５００Ａ／ｃｍ2 程度の優れ
た酸化物超電導体が得られることを提案したが、かかる
方法においても強度が不十分であり、その取扱いに注意
を必要とするという問題があった。
粉末を常圧で焼成して充分に高Ｔｃ相を生成した後、該
焼結体に圧力を加えつつ加熱処理を行う、いわゆるホッ
トフォージング処理を行うことによって、高配向、高密
度でＪｃ値が１５００〜４５００Ａ／ｃｍ2 程度の優れ
た酸化物超電導体が得られることを提案したが、かかる
方法においても強度が不十分であり、その取扱いに注意
を必要とするという問題があった。
【０００７】
【問題点を解決するための手段】本発明者等は、上記問
題点に対して、特に強度を向上させるための方法につい
て検討を重ねた結果、先に提案した方法をさらに改良
し、前記の構成においてホットフォージング処理を行う
に際し、酸化物超電導焼結体を酸化物系セラミックスと
積層して加圧下で加熱処理することにより酸化物セラミ
ックス焼結体と酸化物超電導体とが強固に接合した一体
物が得られ、構造体として高い超電導特性を維持しつ
つ、高い強度を有する構造体が得られることを知見し
た。
題点に対して、特に強度を向上させるための方法につい
て検討を重ねた結果、先に提案した方法をさらに改良
し、前記の構成においてホットフォージング処理を行う
に際し、酸化物超電導焼結体を酸化物系セラミックスと
積層して加圧下で加熱処理することにより酸化物セラミ
ックス焼結体と酸化物超電導体とが強固に接合した一体
物が得られ、構造体として高い超電導特性を維持しつ
つ、高い強度を有する構造体が得られることを知見し
た。
【０００８】即ち、本発明の酸化物超電導構造体の製造
方法は、酸化物超電導体を構成する元素の酸化物あるい
は酸化物形成化合物からなる混合体を成形するか、ある
いは該混合体を仮焼した後に成形し、該成形体を一旦酸
化性雰囲気中で焼成した後に、該焼結体を酸化物系セラ
ミツクスと積層して加圧下で熱処理することを特徴とす
るものである。
方法は、酸化物超電導体を構成する元素の酸化物あるい
は酸化物形成化合物からなる混合体を成形するか、ある
いは該混合体を仮焼した後に成形し、該成形体を一旦酸
化性雰囲気中で焼成した後に、該焼結体を酸化物系セラ
ミツクスと積層して加圧下で熱処理することを特徴とす
るものである。
【０００９】以下、本発明を詳述する。本発明の製造方
法によれば、まず酸化物超電導体を構成する金属の酸化
物粉末あるいは焼成により酸化物を形成しうる炭酸塩や
硝酸塩粉末を用いてこれらを酸化物超電導体を形成しう
る割合に秤量混合する。具体的には前述したＢｉ系酸化
物超電導体のうち高Ｔｃ相を作成する場合には、Ｂｉ2
Ｏ3 、ＳｒＯ、ＣａＣＯ3 、ＣｕＯの各粉末を用いてこ
れらを原子比においてＳｒを２としたとき、Ｂｉが１．
８〜２．２、Ｃａが２．０〜３．５、Ｃｕが３．０〜
４．５の範囲になるように秤量する。また、高Ｔｃ相の
生成量を増加させることを目的として上記の混合体にさ
らにＰｂＯ粉末、およびＫ2 ＣＯ3 、Ｎａ2 ＣＯ3 、Ｌ
ｉ2 ＣＯ2 等をＳｒを２としてＰｂを０．１〜０．５、
Ｋ、Ｌｉ、Ｎａを０．０５〜０．６の割合で混合するこ
とができる。得られた混合物は所望により７００〜８５
０℃の酸化性雰囲気中で１〜２０時間程度仮焼した後、
成形する。
法によれば、まず酸化物超電導体を構成する金属の酸化
物粉末あるいは焼成により酸化物を形成しうる炭酸塩や
硝酸塩粉末を用いてこれらを酸化物超電導体を形成しう
る割合に秤量混合する。具体的には前述したＢｉ系酸化
物超電導体のうち高Ｔｃ相を作成する場合には、Ｂｉ2
Ｏ3 、ＳｒＯ、ＣａＣＯ3 、ＣｕＯの各粉末を用いてこ
れらを原子比においてＳｒを２としたとき、Ｂｉが１．
８〜２．２、Ｃａが２．０〜３．５、Ｃｕが３．０〜
４．５の範囲になるように秤量する。また、高Ｔｃ相の
生成量を増加させることを目的として上記の混合体にさ
らにＰｂＯ粉末、およびＫ2 ＣＯ3 、Ｎａ2 ＣＯ3 、Ｌ
ｉ2 ＣＯ2 等をＳｒを２としてＰｂを０．１〜０．５、
Ｋ、Ｌｉ、Ｎａを０．０５〜０．６の割合で混合するこ
とができる。得られた混合物は所望により７００〜８５
０℃の酸化性雰囲気中で１〜２０時間程度仮焼した後、
成形する。
【００１０】成形は公知の成形手段によって行うことが
でき、例えばプレス成形、押出し成形、ドクターブレー
ド成形法等により実施される。
でき、例えばプレス成形、押出し成形、ドクターブレー
ド成形法等により実施される。
【００１１】次に、上記のようにして得られた成形体を
８４０〜８５５℃の酸化性雰囲気中で焼成する。この焼
成によって一旦低Ｔｃ相の燐片状の結晶が生成されると
ともに焼成が進行するに従い、低Ｔｃ相から高Ｔｃ相に
変換される。
８４０〜８５５℃の酸化性雰囲気中で焼成する。この焼
成によって一旦低Ｔｃ相の燐片状の結晶が生成されると
ともに焼成が進行するに従い、低Ｔｃ相から高Ｔｃ相に
変換される。
【００１２】この焼成を非加圧で行うと燐片状の結晶の
成長により低密度の焼結体となるために、ホットプレス
焼成を行ってもよい。上記焼成工程終了時点では、焼結
体の燐片状結晶はほとんど無配向状態である。
成長により低密度の焼結体となるために、ホットプレス
焼成を行ってもよい。上記焼成工程終了時点では、焼結
体の燐片状結晶はほとんど無配向状態である。
【００１３】次に、本発明によれば、上記の酸化物超電
導焼結体を酸化物系セラミックスに挟んだ状態でホット
フォージング処理する。この処理方法を図１を用いて説
明する。図中、１は酸化物超電導体焼結体、２、３はプ
レスパンチ、４、５は酸化物系セラミックスである。本
発明によれば、酸化物超電導体焼結体１とプレスパンチ
２、３との間に酸化物系セラミックス４、５を介して配
置し、プレスパンチ２、３によってＡ方向に圧力を付与
すると同時に適当な加熱手段（図示せず）によって加熱
を行う。この時の圧力は５０ｋｇ／ｃｍ2 以上、加熱温
度は８００〜８５０℃が適当である。
導焼結体を酸化物系セラミックスに挟んだ状態でホット
フォージング処理する。この処理方法を図１を用いて説
明する。図中、１は酸化物超電導体焼結体、２、３はプ
レスパンチ、４、５は酸化物系セラミックスである。本
発明によれば、酸化物超電導体焼結体１とプレスパンチ
２、３との間に酸化物系セラミックス４、５を介して配
置し、プレスパンチ２、３によってＡ方向に圧力を付与
すると同時に適当な加熱手段（図示せず）によって加熱
を行う。この時の圧力は５０ｋｇ／ｃｍ2 以上、加熱温
度は８００〜８５０℃が適当である。
【００１４】このホットフォージング処理により、酸化
物超電導体焼結体と酸化物系セラミックスは接合一体化
され、酸化物超電導体を含む構造体として高い強度を有
したものとなる。
物超電導体焼結体と酸化物系セラミックスは接合一体化
され、酸化物超電導体を含む構造体として高い強度を有
したものとなる。
【００１５】なお、ホットフォージング処理において用
いられる酸化物系セラッミクスとしてはＡｌ2 Ｏ3 、Ｚ
ｒＯ2 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯ等からなるものが好適で、こ
れらの酸化物系セラミックスは、酸化物超電導体焼結体
とは別途周知の方法で作製されたもので、特に対理論密
度比が８０％以上の焼結体が好適である。また、酸化物
超電導体との複合化により強度を向上させるためには酸
化物系セラミックスの厚みは０．０５ｍｍ以上であるこ
とが好適である。また、このホットフォージング処理に
よれば、図１において、酸化物超電導体１と酸化物系セ
ラミックス２、３との間に例えばＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐ
ｔ等の延性のある金属からなる厚さ０．０５ｍｍ以上の
金属板を介在して処理を行うこともできる。
いられる酸化物系セラッミクスとしてはＡｌ2 Ｏ3 、Ｚ
ｒＯ2 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯ等からなるものが好適で、こ
れらの酸化物系セラミックスは、酸化物超電導体焼結体
とは別途周知の方法で作製されたもので、特に対理論密
度比が８０％以上の焼結体が好適である。また、酸化物
超電導体との複合化により強度を向上させるためには酸
化物系セラミックスの厚みは０．０５ｍｍ以上であるこ
とが好適である。また、このホットフォージング処理に
よれば、図１において、酸化物超電導体１と酸化物系セ
ラミックス２、３との間に例えばＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐ
ｔ等の延性のある金属からなる厚さ０．０５ｍｍ以上の
金属板を介在して処理を行うこともできる。
【００１６】
【作用】本発明の構成によれば、焼成によって得た酸化
物超電導焼結体を酸化物系セラミツクスと積層した状態
でホットフォージング処理することが最も重要である。
物超電導焼結体を酸化物系セラミツクスと積層した状態
でホットフォージング処理することが最も重要である。
【００１７】このような処理を施すと、酸化物系セラミ
ツクスに接する酸化物超電導体の一部が溶融し酸化物系
セラミツクスの界面に拡散またはガラス層を形成するた
め、酸化物超電導体と酸化物系セラミックス間の接着強
度が増し、酸化物超電導体と酸化物系セラミックスの一
体構造物が作製される。これにより、一体構造体の機械
的強度が飛躍的に向上する。
ツクスに接する酸化物超電導体の一部が溶融し酸化物系
セラミツクスの界面に拡散またはガラス層を形成するた
め、酸化物超電導体と酸化物系セラミックス間の接着強
度が増し、酸化物超電導体と酸化物系セラミックスの一
体構造物が作製される。これにより、一体構造体の機械
的強度が飛躍的に向上する。
【００１８】また、延性金属を介在させると、図１にお
けるＡ方向からの圧力によって延性金属自身がＡ方向と
直角な方向に圧延され、それと同時に焼結体１も同様な
方向に圧延されるために焼結体中の燐片状結晶粒子が配
向されるとともに圧縮され焼結体の密度を高くすること
ができる。それにより、燐片状結晶同士の密着性が飛躍
的に向上するために酸化物超電導体の臨界電流密度をさ
らに高くすることができる。
けるＡ方向からの圧力によって延性金属自身がＡ方向と
直角な方向に圧延され、それと同時に焼結体１も同様な
方向に圧延されるために焼結体中の燐片状結晶粒子が配
向されるとともに圧縮され焼結体の密度を高くすること
ができる。それにより、燐片状結晶同士の密着性が飛躍
的に向上するために酸化物超電導体の臨界電流密度をさ
らに高くすることができる。
【００１９】なお、ホットフォージング処理を行う際に
積層される物質として、酸化物系セラミックス以外に金
属材料、炭化物や窒化物等の非酸化性セラミックス、あ
るいは酸化物系セラミックス系の焼成前の成形体等が考
えられるが、貴金属材料は延性があり、強度が低く、し
かも高価であるという問題があり、その他の金属では処
理中に酸化物超電導体中へ金属元素が拡散し超電導特性
を劣化させるという問題がある。また、非酸化物系セラ
ミックスでは、酸化物超電導体が焼成中に還元雰囲気中
にさらされ、分解してしまうという問題がある。さらに
酸化物系成形体を積層し、酸化物超電導体と同時焼成す
る方法では、酸化物超電導体自体の焼成温度が低いた
め、焼成温度が合わずに同時に焼成することが難しい。
積層される物質として、酸化物系セラミックス以外に金
属材料、炭化物や窒化物等の非酸化性セラミックス、あ
るいは酸化物系セラミックス系の焼成前の成形体等が考
えられるが、貴金属材料は延性があり、強度が低く、し
かも高価であるという問題があり、その他の金属では処
理中に酸化物超電導体中へ金属元素が拡散し超電導特性
を劣化させるという問題がある。また、非酸化物系セラ
ミックスでは、酸化物超電導体が焼成中に還元雰囲気中
にさらされ、分解してしまうという問題がある。さらに
酸化物系成形体を積層し、酸化物超電導体と同時焼成す
る方法では、酸化物超電導体自体の焼成温度が低いた
め、焼成温度が合わずに同時に焼成することが難しい。
【００２０】よって、本発明において積層される物質
は、酸化物系のすでに焼成されたセラミックスであるこ
とが必要である。
は、酸化物系のすでに焼成されたセラミックスであるこ
とが必要である。
【００２１】
実施例１ 原料粉末としてＢｉ2 Ｏ3 、ＰｂＯ、ＳｒＣＯ3 、Ｃａ
ＣＯ3 、ＣｕＯの各粉末を各金属のモル比がＢｉ：Ｐ
ｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝１．９３：０．３６：２：３．
１７：４．２５となるように秤量後、７５０〜８１０℃
で２０時間仮焼し、粉砕して平均粒径５μm の低Ｔｃ相
を多量に含む仮焼粉末を得た。この仮焼粉末をφ１２ｍ
ｍの金型を用いて成形圧１ｔｏｎ／ｃｍ2 で成形して厚
み約１ｍｍの円板状成形体を得た。
ＣＯ3 、ＣｕＯの各粉末を各金属のモル比がＢｉ：Ｐ
ｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝１．９３：０．３６：２：３．
１７：４．２５となるように秤量後、７５０〜８１０℃
で２０時間仮焼し、粉砕して平均粒径５μm の低Ｔｃ相
を多量に含む仮焼粉末を得た。この仮焼粉末をφ１２ｍ
ｍの金型を用いて成形圧１ｔｏｎ／ｃｍ2 で成形して厚
み約１ｍｍの円板状成形体を得た。
【００２２】次に、上記成形体を大気中で８４０℃の温
度で１５０時間焼成したところ、比重２．０（アルキメ
デス法に基づく）の焼結体が得られた。また、組織観察
したところ、高Ｔｃ相の燐片状の結晶がランダムに配列
していた。
度で１５０時間焼成したところ、比重２．０（アルキメ
デス法に基づく）の焼結体が得られた。また、組織観察
したところ、高Ｔｃ相の燐片状の結晶がランダムに配列
していた。
【００２３】一方、あらかじめ精選した純度９９％以
上、粒径３μｍ以下のＡｌ2 Ｏ3 と、その他の含有物と
してＳｉＯ2 、ＣａＯ、ＭｇＯをそれぞれを磁器の組成
比が８２：１２：２：４となるように調合した。この調
合原料に酢酸ビニルを加え、アルミナボールを用いて１
６時間湿式粉砕した。これを造粒後、成形し、得られた
成形体を１４５０〜１７００℃で２時間保持し、対理論
密度比９９％のＡｌ2 Ｏ3 質焼結体を得た。
上、粒径３μｍ以下のＡｌ2 Ｏ3 と、その他の含有物と
してＳｉＯ2 、ＣａＯ、ＭｇＯをそれぞれを磁器の組成
比が８２：１２：２：４となるように調合した。この調
合原料に酢酸ビニルを加え、アルミナボールを用いて１
６時間湿式粉砕した。これを造粒後、成形し、得られた
成形体を１４５０〜１７００℃で２時間保持し、対理論
密度比９９％のＡｌ2 Ｏ3 質焼結体を得た。
【００２４】次に、酸化物超電導体焼結体を図１に従
い、焼結体の上下面に前記で得たアルミナ質焼結体の製
の厚み０．５ｍｍのプレートを配置し、このプレートを
介して焼結体に対して５ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で８４５
℃の温度でホットフォージング処理した。このようにし
て得られた焼結体を試料Ｎo,１とした。
い、焼結体の上下面に前記で得たアルミナ質焼結体の製
の厚み０．５ｍｍのプレートを配置し、このプレートを
介して焼結体に対して５ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で８４５
℃の温度でホットフォージング処理した。このようにし
て得られた焼結体を試料Ｎo,１とした。
【００２５】最終的に得られた焼結体に対してアルキメ
デス法により比重を調べるとともにＸ線回折測定を行
い、Ｘ線回折のチャートデータに基づき、下記数１から
（００１）面の配向度ｆを求めた。
デス法により比重を調べるとともにＸ線回折測定を行
い、Ｘ線回折のチャートデータに基づき、下記数１から
（００１）面の配向度ｆを求めた。
【００２６】
【数１】
【００２７】さらに、上記焼結体について、抵抗法に基
づき、試料を液体窒素中で電流を徐々に高め、高圧端子
に１μＶ／ｃｍの電圧が生じた時の電流値を臨界電流密
度Ｊｃとして求め、同時に臨界温度Ｔｃも測定した。結
果は表１に示した。
づき、試料を液体窒素中で電流を徐々に高め、高圧端子
に１μＶ／ｃｍの電圧が生じた時の電流値を臨界電流密
度Ｊｃとして求め、同時に臨界温度Ｔｃも測定した。結
果は表１に示した。
【００２８】比較例１ 実施例１において、ホットフォージング処理時に酸化物
セラミツクスを何ら用いない以外は、実施例１と全く同
様にして焼結体（試料Ｎo,２）を作成し、同様に特性の
評価を行った。結果は表１に示した。
セラミツクスを何ら用いない以外は、実施例１と全く同
様にして焼結体（試料Ｎo,２）を作成し、同様に特性の
評価を行った。結果は表１に示した。
【００２９】実施例２ 実施例１において、ホットフォージング処理を、酸化物
超電導体と酸化物セラミックス焼結体との間に銀製の厚
み０．１ｍｍのプレートを配置し、このプレートを介し
て焼結体に対して１ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で８２０℃の
温度で行った。
超電導体と酸化物セラミックス焼結体との間に銀製の厚
み０．１ｍｍのプレートを配置し、このプレートを介し
て焼結体に対して１ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で８２０℃の
温度で行った。
【００３０】得られた焼結体（試料Ｎo,３）に対して、
実施例１と同様に特性の評価を行った。結果は表１に示
した。
実施例１と同様に特性の評価を行った。結果は表１に示
した。
【００３１】
【表１】
【００３２】表１から明らかなように、酸化物超電導体
と酸化物セラミツクスの同時焼成体である実施例１は、
酸化物超電導体のみの比較例１に比べ、強度が向上する
ばかりでなく、比重、配向度、Ｊｃ値、Ｔｃ値のいずれ
においても優れている。さらに、ホットフォージング処
理に際して延性金属を焼結体と酸化物系セラミックスの
間に介在させた実施例２は配向度、Ｊｃ値、Ｔｃ値のい
ずれにおいても、実施例１よりもさらに優れた酸化物超
電導体を得ることができた。
と酸化物セラミツクスの同時焼成体である実施例１は、
酸化物超電導体のみの比較例１に比べ、強度が向上する
ばかりでなく、比重、配向度、Ｊｃ値、Ｔｃ値のいずれ
においても優れている。さらに、ホットフォージング処
理に際して延性金属を焼結体と酸化物系セラミックスの
間に介在させた実施例２は配向度、Ｊｃ値、Ｔｃ値のい
ずれにおいても、実施例１よりもさらに優れた酸化物超
電導体を得ることができた。
【００３３】また、上記と同様にＹ2 Ｏ3 を３モル％含
有するＺｒＯ2 質焼結体、およびＭｇＯ焼結体を用いて
同様な試験を行い、Ａｌ2 Ｏ3 質焼結体との複合化と同
様に優れた特性が得られた。
有するＺｒＯ2 質焼結体、およびＭｇＯ焼結体を用いて
同様な試験を行い、Ａｌ2 Ｏ3 質焼結体との複合化と同
様に優れた特性が得られた。
【００３４】
【発明の効果】以上、詳述した通り、本発明の方法によ
れば、酸化物超電導体の作成に際してある程度緻密化し
た焼結体をホットフォージング処理するに当たり、酸化
物セラミツクスを積層して同時焼成を行うことによっ
て、焼結体の結晶粒子の配向度を高めるとともに高密度
化が達成できるために高臨界温度を有し且つ臨界電流密
度が極めて高い酸化物超電導体を安定して得るとともに
高強度を有する構造体を得ることができる。
れば、酸化物超電導体の作成に際してある程度緻密化し
た焼結体をホットフォージング処理するに当たり、酸化
物セラミツクスを積層して同時焼成を行うことによっ
て、焼結体の結晶粒子の配向度を高めるとともに高密度
化が達成できるために高臨界温度を有し且つ臨界電流密
度が極めて高い酸化物超電導体を安定して得るとともに
高強度を有する構造体を得ることができる。
【００３５】このように、臨界電流密度の高い酸化物超
電導体が得られることにより酸化物超電導体の実用化を
さらに進めることができる。
電導体が得られることにより酸化物超電導体の実用化を
さらに進めることができる。
【図１】本発明の酸化物超電導体の製造方法におけるホ
ットフォージング処理を説明するための図である。
ットフォージング処理を説明するための図である。
１・・・酸化物超電導焼結体 ２，３・プレスパンチ ４・・・酸化物系セラミツクス
Claims (1)
- 【請求項１】酸化物超電導体を構成する元素の酸化物あ
るいは酸化物形成可能な化合物からなる混合物を成形す
るか、あるいは該混合物を仮焼後成形する工程と、該成
形体を酸化性雰囲気中で焼成する工程と、該焼結体を酸
化物系セラミックス焼結体と積層して加圧すると同時に
加熱処理する工程とを具備する酸化物超電導構造体の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3154530A JP2866503B2 (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | 酸化物超電導構造体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3154530A JP2866503B2 (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | 酸化物超電導構造体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH054803A JPH054803A (ja) | 1993-01-14 |
| JP2866503B2 true JP2866503B2 (ja) | 1999-03-08 |
Family
ID=15586274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3154530A Expired - Fee Related JP2866503B2 (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | 酸化物超電導構造体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2866503B2 (ja) |
-
1991
- 1991-06-26 JP JP3154530A patent/JP2866503B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH054803A (ja) | 1993-01-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |